JP6941971B2 - 半導体記憶装置、メモリコントローラ及びメモリの監視方法 - Google Patents
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Description
20 メモリコントローラ
22 暗号化部
23 パリティ算出部
25 復号部
26 誤り検出部
27 メモリ監視部
100 半導体記憶装置
Claims (11)
- メモリと、書込指令又は読出指令を受けて前記メモリを制御するメモリコントローラと、を含み、
前記メモリコントローラは、
前記メモリから読み出されたデータに生じている誤りの数に対応した前記メモリの劣化度を監視する監視処理を断続的に実行する監視部と、
前記書込指令を受けた場合には、書込対象となる情報データを暗号化した暗号データ、前記情報データに基づく誤り検出用の第1の符号、及び前記暗号データに少なくとも基づく誤り検出用の第2の符号を前記メモリに書き込み、前記読出指令を受けた場合又は前記監視処理の実行時には、前記メモリから前記暗号データ、前記第1の符号、及び前記第2の符号を読み出すメモリアクセス部と、
前記メモリから読み出された前記暗号データを復号することにより暗号解除された読出データを得る復号部と、
前記読出データ、及び前記メモリから読み出された前記第1の符号に誤り検出処理を施すことにより第1の誤り検出結果を得る、或いは前記メモリから読み出された前記暗号データ及び前記第2の符号に少なくとも基づく誤り検出処理を行うことにより第2の誤り検出結果を得る誤り検出部と、を有し、
前記監視部は、前記監視処理の実行時に前記復号部の動作を停止させると共に、前記第2の誤り検出結果に基づき前記劣化度を求めることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリアクセス部は、前記監視処理の非実行時において前記第1の誤り検出結果が誤り有りを表す場合には、前記第2の誤り検出結果が誤り無しを表す状態に到るまで繰り返し前記暗号データ、前記第1の符号及び前記第2の符号を読み出す再読出処理を実行し、
前記復号部は、前記再読出処理の実行中は自身の復号動作を停止することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の誤り検出結果が誤り無しを表す場合に、前記読出データを前記メモリコントローラの外部に出力するインタフェース部を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1の符号は前記情報データに基づいて算出したパリティビットであり、前記第2の符号は前記暗号データに少なくとも基づいて算出したパリティビットであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1に記載の半導体記憶装置。
- 前記メモリアクセス部は、前記暗号データに前記第1の符号を付加したデータブロックに基づく誤り検出用の符号を前記第2の符号とし、
前記誤り検出部は、前記データブロック及び前記第2の符号に誤り検出処理を施すことにより前記第2の誤り検出結果を得ることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に記載の半導体記憶装置。 - 書込指令又は読出指令に応じてメモリを制御するメモリコントローラであって、
前記メモリから読み出されたデータに生じている誤りの数に対応した前記メモリの劣化度を監視する監視処理を断続的に実行する監視部と、
前記書込指令を受けた場合には、書込対象となる情報データを暗号化した暗号データ、前記情報データに基づく誤り検出用の第1の符号、及び前記暗号データに少なくとも基づく誤り検出用の第2の符号を前記メモリに書き込み、前記読出指令を受けた場合又は前記監視処理の実行時には、前記メモリから前記暗号データ、前記第1の符号、及び前記第2の符号を読み出すメモリアクセス部と、
前記メモリから読み出された前記暗号データを復号することにより暗号解除された読出データを得る復号部と、
前記読出データ、及び前記メモリから読み出された前記第1の符号に誤り検出処理を施すことにより第1の誤り検出結果を得る、或いは前記メモリから読み出された前記暗号データ及び前記第2の符号に少なくとも基づく誤り検出処理を行うことにより第2の誤り検出結果を得る誤り検出部と、を有し、
前記監視部は、前記監視処理の実行時に前記復号部の動作を停止させると共に、前記第2の誤り検出結果に基づき前記劣化度を求めることを特徴とするメモリコントローラ。 - 前記メモリアクセス部は、前記監視処理の非実行時において前記第1の誤り検出結果が誤り有りを表す場合には、前記第2の誤り検出結果が誤り無しを表す状態に到るまで繰り返し前記暗号データ、前記第1の符号及び前記第2の符号を読み出す再読出処理を実行し、
前記復号部は、前記再読出処理の実行中は自身の復号動作を停止することを特徴とする請求項6に記載のメモリコントローラ。 - 前記第1の誤り検出結果が誤り無しを表す場合に、前記読出データを前記メモリコントローラの外部に出力するインタフェース部を含むことを特徴とする請求項7に記載のメモリコントローラ。
- 前記第1の符号は前記情報データに基づいて算出したパリティビットであり、前記第2の符号は前記暗号データに少なくとも基づいて算出したパリティビットであることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1に記載のメモリコントローラ。
- 前記メモリアクセス部は、前記暗号データに前記第1の符号を付加したデータブロックに基づく誤り検出用の符号を前記第2の符号とし、
前記誤り検出部は、前記データブロック及び前記第2の符号に誤り検出処理を施すことにより前記第2の誤り検出結果を得ることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1に記載のメモリコントローラ。 - 書込対象となる情報データを暗号化した暗号データ、前記情報データに基づく誤り検出用の第1の符号、及び前記暗号データに少なくとも基づく誤り検出用の第2の符号が格納されているメモリから読み出されたデータに生じている誤りの数に対応した前記メモリの劣化度を監視する監視処理を断続的に実行するメモリの監視方法であって、
読出指令を受けた場合に、
前記メモリから前記暗号データ、前記第1の符号、及び前記第2の符号を読み出し、
前記メモリから読み出された前記暗号データに復号処理を施すことにより暗号解除された読出データを得て、
前記読出データ、及び前記メモリから読み出された前記第1の符号に誤り検出処理を施して第1の誤り検出結果を得る一方で、
前記監視処理の実行時に、
前記メモリから前記暗号データ、前記第1の符号、及び前記第2の符号を読み出し、
前記復号処理を停止させ、
前記メモリから読み出された前記暗号データ及び前記第2の符号に少なくとも基づく誤り検出処理を行うことにより第2の誤り検出結果を得て、
前記第2の誤り検出結果に基づき前記劣化度を求めることを特徴とするメモリの監視方法。
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