JP2009211209A - 半導体記憶装置、その制御方法、および誤り訂正システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SSD100のECC回路40は、読み出しデータに対して、第1誤り訂正符号(ハミング符号)を用いて第1誤り訂正し、この第1誤り訂正結果を、第2誤り訂正符号(BHC符号)を用いてさらに第2誤り訂正し、さらに、第2誤り訂正結果を、第3誤り訂正符号(RS符号)を用いて第3誤り訂正する。
【選択図】 図1
Description
として誤りが多く含まれている場合でも誤りを訂正するには、高い誤り訂正能力を有する
訂正機構が必要である。高い誤り訂正能力を有する訂正機構は、回路規模が大きく、消費
電力が大きく、処理に時間を要する。通常、情報の記憶から長時間が経過した後でも正し
い情報を復元できることを保証しておくために、高い誤り訂正能力を有する訂正機構が設
けられている。そして、情報の記憶からの時間の経過の長短によらずに、一律に、高性能
の誤り訂正機構が適用される。
性能の誤り訂正機構が用いられる。すると、それほど多くの誤りが含まれていない情報の
読み出しであるにも係らず、無駄に、高性能の誤り訂正機構が用いられる。このことは、
記憶装置の消費電力が無駄に消費されることにつながる。
ことが求められる。例えば、512バイトのデータに対して誤り訂正符号が生成される代
わりに、複数個の512バイトのデータが連結された例えば4kバイトのデータを1つの
単位として用いて誤り訂正符号が生成される。こうすることにより、誤り訂正能力を高め
ることができる。しかしながら、この手法は、例えば、512バイトのデータを読み出したいにも係らず、4kバイトのデータを読み出さなければならないことにつながる。この
ことによっても、記憶装置は、無駄な電力を消費することを強いられる。
な半導体記憶装置、その制御方法、および誤り訂正システムを提供することを目的とする。
前記第1誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記誤り検出符号を用いて検出する第1誤り検出手段と、前記第1誤り検出手段で検出された前記第1誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記第2訂正符号を用いて誤り訂正する第2誤り訂正手段と、前記第2誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記誤り検出符号を用いて検出する第2誤り検出手段と、前記第2誤り訂正済みのデータおよび前記第2誤り検出手段の検出結果をホスト装置に送信する送信手段と、を備え、前記ホスト装置は、前記半導体記憶装置から転送されてくる、前記第2誤り検出手段で検出された前記第2誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記第3訂正符号を用いて誤り訂正する第3誤り訂正手段を備えたこと特徴とする。
が可能な半導体記憶装置、その制御方法、および誤り訂正システムを提供することが可能になるという効果を奏する。
本発明では、フラッシュメモリ等の不良ビットのあるメモリに誤り訂正符号・復号を適用する際に、誤り訂正能力の異なる3種類の訂正符号化を行なうことにより、消費電力および回路規模を削減することができる。
図1は、SSD(Solid State Drive)100の構成例を示すブロック図である。SSD100は、ATAインタフェース(ATA I/F)2などのメモリ接続インタフェースを介してパソコンあるいはCPUコアなどのホスト装置(ホスト)1と接続され、ホスト装置1の外部メモリとして機能する。また、SSD100は、RS232Cインタフェース(RS232C I/F)などの通信インタフェース3を介して、デバッグ用機器200との間でデータを送受信することができる。SSD100は、不揮発性メモリとしてのNANDフラッシュメモリ(以下、NANDメモリと略す)10と、コントローラとしてのドライブ制御回路4と、揮発性メモリとしてのDRAM20と、電源回路5と、状態表示用のLED6などを備えている。
(1)8ビットノーマルモード
1chだけ動作させ、8ビット単位で読み書きをするモードである。転送サイズの1単位はページサイズ(4kB)である。
(2)32ビットノーマルモード
4ch並列で動作させ、32ビット単位で読み書きをするモードである。転送サイズの1単位はページサイズ×4(16kB)である。
(3)32ビット倍速モード
4ch並列で動作させ、更に、NANDメモリ10の倍速モードを利用して読み書きをするモードである。転送サイズの1単位はページサイズ×4×2(32kB)である。
以下に、ECC回路42の基本的動作手順について説明する。本発明の実施例に係るECC回路42は、NANDメモリ10に書き込むデータに対して、誤り訂正能力の異なる3種類の訂正符号化を行なうことにより、消費電力および回路規模を削減している。第1誤り訂正符号はデータブロックD単位で誤り訂正を行うためのものである。第2誤り訂正符号は、複数のデータブロックDで構成される列単位で誤り訂正を行うためのものである。第3誤り訂正符号は、複数のデータブロックDで構成される行単位で誤り訂正を行うためのものである。誤り訂正能力は、第1誤り訂正符号<第2誤り訂正符号<第3誤り訂正符号の順となっている。
図4は、ECC回路42の符号化系に関する主要部を示すブロック図である。図5は、ホスト装置10から転送されるデータをDRAM20に格納する場合のフォーマットの一例を示す図である。図6は、NANDメモリ10に転送されるデータのフォーマットの一例を示す図である。
次に、データ書き込み動作におけるECC回路42の誤り検出符号生成動作及び誤り
訂正符号生成動作について、図4〜図9を参照して説明する。
が生成される。そして、ページ2〜ページ1024は、NANDメモリ10に格納される。
S(p,4)をそれぞれ生成する。具体的には、第3ECC生成部53−1は、第3単位データUDb1を用いて、4個のRS(1,1)〜RS(1,4)を生成する。第3ECC生成部53−2〜53−8によるRS生成動作についても、RS生成部53−1と同様である。本実施形態では、第3ECC生成部53−1〜53−8は、訂正符号生成動作を並行して行っている。このように、第3ECC生成部53−1〜53−8を並行して動作させることによって、処理時間を短縮させることができる。
RS(1,1)〜RS(8,4)および対応するCRC(1,1025)〜(8,1028)に対して、BCH符号ECC2を生成し、このBCH符号ECC2が、これらの後ろに繋げられて、ページ1025が構成される。このページ1025は、NANDメモリ10に転送されて格納される。ページ1026〜ページ1028についても、上記同様の生成動作により、図6に示すデータが生成される。そして、ページ1026〜ページ1028は、NANDメモリ10に転送されて格納される。
[ECC回路の復号系回路の構成]
次に、データ読み出し動作におけるECC回路42の誤り検出動作及び誤り訂正動作
について、図11〜図19を参照して説明する。
が存在しない場合は、第2ECC訂正部62および第3ECC訂正部63による誤り訂正は行われない。これにより、誤りが少ない場合のデータ読み出し時間を短縮することができる。すなわち、誤りが少ない場合のデータ読み出し時間を短縮と、誤りが多い場合の高い訂正能力との両立が可能となる。さらに、第2ECC訂正部62および第3ECC訂正部63の動作を停止することにより、消費電力を低減することができる。
第3誤り訂正符号(RS符号)を用いて行方向のデータの誤りを訂正している。よって、NAND型フラッシュメモリ1のメモリブロック内の全ページに跨る誤り訂正が可能となる。さらに、記憶されるデータの位置に起因して誤り発生確率が大きく異なるような半導体メモリに対しては、誤り発生確率が大きい領域を何度も誤り訂正することができるため、本実施形態は特に有効である。
図20〜図22を参照して、実施の形態2にかかるSSDについて説明する。実施の形態2では、第1および第2誤り訂正をSSD100で行い、高い誤り訂正能力を有する第3誤り訂正をSSD100ではなく、ホスト装置1で行う構成としたものである。第1および第2誤り訂正で殆どの誤りが訂正でき、また、第3誤り訂正は使用頻度が極めて低く、かつ処理時間が長くかかるため、SSD100の負荷を軽減したものである。
1 ホスト装置
2 ATAインタフェース(ATA I/F)
3 ホスト装置(ホスト)
4 ドライブ制御回路
5 電源回路
6 LED
10 NANDメモリ
20 DRAM
41 コントローラ
42 ECC回路
43 NAND I/F
50 誤り検出符号生成部
51 第1ECC生成部
52 第2ECC生成部
53 第3ECC生成部
60 誤り検出部
61 第1ECC訂正部
62 第2ECC訂正部
63 第3ECC訂正部
101 誤り検出部
102 第2ECC部
103 第3ECC部
Claims (13)
- 複数データで構成されるデータブロックを行列状に複数格納可能な一時記憶手段と、
前記データブロック毎にその誤りを検出するための誤り検出符号を生成する誤り検出符号生成手段と、
前記データブロックで構成される第1単位データ毎に、その誤りを訂正するための第1誤り訂正符号を生成する第1誤り訂正符号生成手段と、
列方向に配列される複数の前記データブロックで構成される第2単位データ毎に、その誤りを訂正するための第2誤り訂正符号を生成する第2誤り訂正符号生成手段と、
行方向に配列される複数の前記データブロックで構成される第3単位データ毎に、その誤りを訂正するための第3誤り訂正符号を生成する第3誤り訂正符号生成手段と、
前記データブロック、前記生成された誤り検出符号および前記第1〜第3誤り訂正符号を格納可能な不揮発性半導体メモリと、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記データブロック毎に、対応する前記第1誤り訂正符号を用いて第1誤り訂正を行う第1誤り訂正手段と、
前記第1誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記誤り検出符号を用いて検出する第1誤り検出手段と、
前記第1誤り検出手段で検出された前記第1誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記第2訂正符号を用いて誤り訂正する第2誤り訂正手段と、
前記第2誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記誤り検出符号を用いて検出する第2誤り検出手段と、
前記第2誤り検出手段で検出された前記第2誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記第3訂正符号を用いて誤り訂正する第3誤り訂正手段と、
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 誤り訂正能力は、第3誤り訂正>第2誤り訂正>第1誤り訂正の順で高いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記第2誤り訂正手段と前記第3誤り訂正手段とは、それぞれの訂正動作を交互に繰り返すことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記誤り検出符号生成手段は、前記第3誤り訂正符号の誤りを検出するための誤り検出符号を生成することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記第1単位データは、前記データブロックに対応する誤り検出符号を含むことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記第2単位データは、当該第2単位データを構成する複数のデータブロックに各々対応する誤り検出符号を含むことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記第2誤り符号生成手段は、列方向に配列される複数の前記第3誤り検出符号毎に、その誤りを訂正するための第2誤り訂正符号を生成することを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記第1誤り検出手段は、誤りが検出されたデータブロックを特定する第1誤り情報を生成し、
前記第2誤り訂正手段は、前記第1誤り情報に基づいて、第2誤り訂正を行い、
前記第2誤り検出手段は、誤りが検出されたデータブロックを特定する第2誤り情報を生成し、
前記第3誤り訂正手段は、前記第2誤り情報に基づいて、第3誤り訂正を行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体メモリは、NAND型フラッシュメモリであることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 複数データで構成されるデータブロックの複数を行列状に一時記憶手段に格納する工程と、
前記データブロック毎にその誤りを検出するための誤り検出符号を生成する誤り検出符号生成工程と、
前記データブロックで構成される第1単位データ毎に、その誤りを訂正するための第1誤り訂正符号を生成する第1誤り訂正符号生成工程と、
列方向に配列される複数の前記データブロックで構成される第2単位データ毎に、その誤りを訂正するための第2誤り訂正符号を生成する第2誤り訂正符号生成工程と、
行方向に配列される複数の前記データブロックで構成される第3単位データ毎に、その誤りを訂正するための第3誤り訂正符号を生成する第3誤り訂正符号生成工程と、
前データブロック、前記生成された誤り検出符号および前記第1〜第3誤り訂正符号を不揮発性半導体メモリに格納する工程と、
を含むことを特徴とする半導体記憶装置の制御方法。 - 前記データブロック毎に、対応する前記第1誤り訂正符号を用いて第1誤り訂正を行う第1誤り訂正工程と、
前記第1誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記誤り検出符号を用いて検出する第1誤り検出工程と、
前記第1誤り検出工程で検出された前記第1誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記第2訂正符号を用いて誤り訂正する第2誤り訂正工程と、
前記第2誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記誤り検出符号を用いて検出する第2誤り検出工程と、
前記第2誤り検出手段で検出された前記第2誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記第3訂正符号を用いて誤り訂正する第3誤り訂正工程と、
を備えたことを特徴とする請求項12に記載の半導体記憶装置の制御方法。 - ホスト装置と、当該ホスト装置の指示に応じて不揮発性メモリに対するデータのリード/ライトを行う半導体記憶装置とで構成される誤り訂正システムにおいて、
前記半導体記憶装置は、
前記ホスト装置から転送されてくるデータを、複数データで構成されるデータブロックに分割して、行列状に格納する一時記憶手段と、
前記データブロック毎にその誤りを検出するための誤り検出符号を生成する誤り検出符号生成手段と、
前記データブロックで構成される第1単位データ毎に、その誤りを訂正するための第1誤り訂正符号を生成する第1誤り訂正符号生成手段と、
列方向に配列される複数の前記データブロックで構成される第2単位データ毎に、その誤りを訂正するための第2誤り訂正符号を生成する第2誤り訂正符号生成手段と、
行方向に配列される複数の前記データブロックで構成される第3単位データ毎に、その誤りを訂正するための第3誤り訂正符号を生成する第3誤り訂正符号生成手段と、
前データブロック、前記生成された誤り検出符号および前記第1〜第3誤り訂正符号を格納する不揮発性半導体メモリと、
前記データブロック毎に、対応する前記第1誤り訂正符号を用いて第1誤り訂正を行う第1誤り訂正手段と、
前記第1誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記誤り検出符号を用いて検出する第1誤り検出手段と、
前記第1誤り検出手段で検出された前記第1誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記第2訂正符号を用いて誤り訂正する第2誤り訂正手段と、
前記第2誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記誤り検出符号を用いて検出する第2誤り検出手段と、
前記第2誤り訂正済みのデータおよび前記第2誤り検出手段の検出結果をホスト装置に送信する送信手段と、
を備え、
前記ホスト装置は、
前記半導体記憶装置から転送されてくる、前記第2誤り検出手段で検出された前記第2誤り訂正済みのブロックの誤りを、対応する前記第3訂正符号を用いて誤り訂正する第3誤り訂正手段を備えたこと特徴とする誤り訂正システム。
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---|---|---|---|
JP2008051419A Expired - Fee Related JP5166074B2 (ja) | 2008-02-29 | 2008-02-29 | 半導体記憶装置、その制御方法、および誤り訂正システム |
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---|---|
US (4) | US8086933B2 (ja) |
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CN (1) | CN101946239A (ja) |
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011203878A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2011210023A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toshiba Corp | 情報処理装置および情報処理方法 |
JP2011210277A (ja) * | 2011-06-20 | 2011-10-20 | Toshiba Corp | 情報処理装置および情報処理方法 |
CN102231284A (zh) * | 2011-06-02 | 2011-11-02 | 孙飞 | 一种降低闪存芯片数据写操作功耗的方法 |
JP2012038168A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Toshiba Corp | 記録ユニット及び故障チップ特定方法 |
JP2013205853A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Nec Corp | フラッシュメモリディスク装置、フラッシュメモリディスク装置におけるデータ記憶制御方法およびプログラム |
JP2014063503A (ja) * | 2013-11-07 | 2014-04-10 | Univ Of Tokyo | データ入出力制御装置および半導体記憶装置システム |
WO2014061161A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | 富士通株式会社 | 記録再生装置、誤り訂正方法および制御装置 |
US8732553B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-05-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method thereof |
JP2014515536A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-06-30 | マイクロン テクノロジー, インク. | データ完全性を与えるための装置および方法 |
US8954828B2 (en) | 2012-03-19 | 2015-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller |
US8954817B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage apparatus and controller |
US9128864B2 (en) | 2012-05-14 | 2015-09-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller, storage device and error correction method |
US9189323B2 (en) | 2010-12-15 | 2015-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and method of controlling the same |
US9230684B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller, storage device, and memory control method |
US9520901B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-12-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller, memory system, and memory control method |
WO2020236403A1 (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | Micron Technology, Inc. | Error correction memory device with fast data access |
US12034459B2 (en) | 2023-05-05 | 2024-07-09 | Kioxia Corporation | Memory controller, memory system, and memory control method |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7574272B2 (en) * | 2000-10-13 | 2009-08-11 | Eric Paul Gibbs | System and method for data transfer optimization in a portable audio device |
JP4564520B2 (ja) | 2007-08-31 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置およびその制御方法 |
JP4672743B2 (ja) | 2008-03-01 | 2011-04-20 | 株式会社東芝 | 誤り訂正装置および誤り訂正方法 |
CN102034552A (zh) * | 2009-09-25 | 2011-04-27 | 威刚科技(苏州)有限公司 | 存储装置与其资料处理方法 |
GB2488462B (en) * | 2009-12-17 | 2018-01-17 | Ibm | Data management in solid state storage systems |
US8631304B2 (en) | 2010-01-28 | 2014-01-14 | Sandisk Il Ltd. | Overlapping error correction operations |
US8365041B2 (en) * | 2010-03-17 | 2013-01-29 | Sandisk Enterprise Ip Llc | MLC self-raid flash data protection scheme |
US8572457B2 (en) * | 2010-05-28 | 2013-10-29 | Seagate Technology Llc | Outer code protection for solid state memory devices |
KR101826137B1 (ko) * | 2011-03-24 | 2018-03-22 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러, 이를 포함하는 장치들, 및 이의 동작 방법 |
US8832524B2 (en) | 2011-09-22 | 2014-09-09 | Violin Memory, Inc. | System and method for correcting errors in data using a compound code |
KR101320684B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2013-10-18 | 한국과학기술원 | 연접 비씨에이치 부호, 복호 및 다계층 복호 회로 및 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리 장치의 오류 정정 회로 및 플래쉬 메모리 장치 |
US8719677B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-05-06 | Sandisk Technologies Inc. | Using ECC encoding to verify an ECC decode operation |
US8645789B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-02-04 | Sandisk Technologies Inc. | Multi-phase ECC encoding using algebraic codes |
US8996950B2 (en) | 2012-02-23 | 2015-03-31 | Sandisk Technologies Inc. | Erasure correction using single error detection parity |
US9230683B2 (en) * | 2012-04-25 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US9215726B1 (en) * | 2012-07-24 | 2015-12-15 | Spectranet, Inc. | Low latency wireless messaging |
JP2014035673A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体記憶装置及び方法 |
US9312885B2 (en) * | 2012-08-15 | 2016-04-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory system error correction capability of which is improved |
TWI477104B (zh) * | 2012-09-13 | 2015-03-11 | Mstar Semiconductor Inc | 錯誤校正裝置與錯誤校正方法 |
CN103716119B (zh) * | 2012-09-29 | 2016-12-28 | 晨星软件研发(深圳)有限公司 | 错误校正装置与错误校正方法 |
CN103839594A (zh) * | 2012-11-27 | 2014-06-04 | 建兴电子科技股份有限公司 | 固态储存装置及其联合编解码方法 |
EP2936496B1 (en) * | 2012-12-21 | 2018-11-28 | Hewlett-Packard Enterprise Development LP | Memory module having error correction logic |
TWI527040B (zh) | 2013-05-13 | 2016-03-21 | 群聯電子股份有限公司 | 資料寫入方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制器 |
TWI497280B (zh) * | 2013-07-08 | 2015-08-21 | Phison Electronics Corp | 資料保護方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制器 |
US9424131B2 (en) * | 2013-09-19 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Spatially decoupled redundancy schemes for a solid state drive (SSD) |
KR101550762B1 (ko) | 2013-11-29 | 2015-09-08 | 한국과학기술원 | 연접 오류 정정 장치 |
KR102094878B1 (ko) * | 2014-02-10 | 2020-03-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 동작 방법 |
TWI556254B (zh) | 2014-10-14 | 2016-11-01 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置及其資料存取方法 |
US9711240B2 (en) | 2015-01-08 | 2017-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system |
WO2016143170A1 (en) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device |
JP6605839B2 (ja) * | 2015-05-08 | 2019-11-13 | 株式会社東芝 | 復号装置、復号方法及びプログラム |
US10063263B2 (en) * | 2015-05-20 | 2018-08-28 | International Business Machines Corporation | Extended error correction coding data storage |
CN106970852A (zh) * | 2016-01-14 | 2017-07-21 | 钰创科技股份有限公司 | 闪存错误控制电路及其方法 |
TWI672703B (zh) * | 2016-04-27 | 2019-09-21 | 慧榮科技股份有限公司 | 存取快閃記憶體模組的方法及相關的快閃記憶體控制器與記憶裝置 |
CN107391296B (zh) * | 2016-04-27 | 2020-11-06 | 慧荣科技股份有限公司 | 存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置 |
US10110255B2 (en) * | 2016-04-27 | 2018-10-23 | Silicon Motion Inc. | Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device |
US10289487B2 (en) | 2016-04-27 | 2019-05-14 | Silicon Motion Inc. | Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device |
US10025662B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-07-17 | Silicon Motion Inc. | Flash memory apparatus and storage management method for flash memory |
CN111679787B (zh) | 2016-04-27 | 2023-07-18 | 慧荣科技股份有限公司 | 闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法 |
US9910772B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-03-06 | Silicon Motion Inc. | Flash memory apparatus and storage management method for flash memory |
US10019314B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-07-10 | Silicon Motion Inc. | Flash memory apparatus and storage management method for flash memory |
CN112463433B (zh) * | 2016-04-27 | 2024-03-29 | 慧荣科技股份有限公司 | 存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置 |
CN112214348B (zh) * | 2016-04-27 | 2023-08-29 | 慧荣科技股份有限公司 | 存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置 |
CN107391026B (zh) | 2016-04-27 | 2020-06-02 | 慧荣科技股份有限公司 | 闪存装置及闪存存储管理方法 |
CN106502590A (zh) * | 2016-10-24 | 2017-03-15 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种固态硬盘ssd存储系统及方法 |
KR20180052154A (ko) * | 2016-11-09 | 2018-05-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 |
KR20180078426A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치의 에러 정정 코드 처리 방법 |
KR102333140B1 (ko) | 2017-08-18 | 2021-12-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
US10831596B2 (en) * | 2018-01-22 | 2020-11-10 | Micron Technology, Inc. | Enhanced error correcting code capability using variable logical to physical associations of a data block |
US10521296B2 (en) * | 2018-02-20 | 2019-12-31 | Micron Technology, Inc. | Performing an additional decoding operation on an identified set of bits of a data block |
US10748462B2 (en) * | 2018-05-29 | 2020-08-18 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Hardware controller of NAND device, control method and liquid crystal display |
US11537464B2 (en) | 2019-06-14 | 2022-12-27 | Micron Technology, Inc. | Host-based error correction |
US11023317B2 (en) | 2019-07-12 | 2021-06-01 | Micron Technology, Inc. | Read recovery control circuitry |
US11428104B2 (en) | 2019-07-29 | 2022-08-30 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Partition arrangement for gas turbine engine and method |
JP2021033530A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | キオクシア株式会社 | メモリシステム |
KR20210147686A (ko) * | 2020-05-29 | 2021-12-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 오류 정정 회로 및 오류 정정 인코딩 방법 |
US11656937B2 (en) * | 2020-08-25 | 2023-05-23 | Micron Technology, Inc. | Techniques for error detection and correction in a memory system |
CN117079686A (zh) * | 2020-09-18 | 2023-11-17 | 长鑫存储技术有限公司 | 存储器 |
EP4227944A4 (en) | 2020-09-18 | 2024-06-19 | Changxin Memory Technologies, Inc. | STORAGE |
CN115329399B (zh) * | 2022-10-13 | 2023-01-31 | 江苏华存电子科技有限公司 | 基于nand的垂直水平raid4数据保护管理方法及系统 |
CN117762350A (zh) * | 2024-01-18 | 2024-03-26 | 四川和恩泰半导体有限公司 | 一种固态硬盘数据读取方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63275225A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Seiko Epson Corp | 誤り訂正装置 |
JPH0675799A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリアクセス装置とメモリ装置 |
JPH0816488A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Nec Corp | 電子ディスク装置 |
JPH11143787A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Hitachi Ltd | 記録再生装置 |
JP2004280556A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Renesas Technology Corp | 情報記憶装置および情報処理システム |
JP2004334845A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Hewlett-Packard Development Co Lp | 階層化された3次元記憶アーキテクチャにおけるエラー検出およびエラー訂正 |
JP2006073191A (ja) * | 2005-09-26 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | メモリアドレス発生装置及び方法 |
JP2006318461A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Hewlett-Packard Development Co Lp | 水平及び垂直のエラー訂正符号化(ecc)システム及び方法 |
JP2009080651A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置、及びその制御方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61264599A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-22 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
EP0540007B1 (en) * | 1991-10-29 | 1999-01-07 | Nippon Hoso Kyokai | Method and apparatus for the reception of information signals |
US5357527A (en) * | 1992-12-31 | 1994-10-18 | Trimble Navigation Limited | Validation of RAM-resident software programs |
JPH06236632A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスクおよび光ディスク再生装置 |
JP3190853B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2001-07-23 | エヌイーシーマイクロシステム株式会社 | 誤り訂正処理方法及びその装置 |
US6052815A (en) * | 1997-11-14 | 2000-04-18 | Cirrus Logic, Inc. | ECC system for generating a CRC syndrome over randomized data in a computer storage device |
US6453427B2 (en) * | 1998-12-31 | 2002-09-17 | Intel Corporation | Method and apparatus for handling data errors in a computer system |
JP3920558B2 (ja) * | 2000-11-08 | 2007-05-30 | 株式会社東芝 | データ処理方法及び装置及び記録媒体及び再生方法及び装置 |
JP2006146976A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Sony Corp | 記録再生システム、誤り訂正装置、記録再生方法 |
JP2006295510A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | Fecフレーム符号化装置、fec多重化装置、fec多重分離装置、および光通信装置 |
JP4413840B2 (ja) | 2005-09-20 | 2010-02-10 | 株式会社東芝 | 記憶媒体再生装置、記憶媒体再生方法および記憶媒体再生プログラム |
US8291295B2 (en) * | 2005-09-26 | 2012-10-16 | Sandisk Il Ltd. | NAND flash memory controller exporting a NAND interface |
KR100845529B1 (ko) * | 2007-01-03 | 2008-07-10 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치의 이씨씨 제어기 및 그것을 포함한메모리 시스템 |
JP2008300020A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Toshiba Corp | 再生装置 |
JP2009181439A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP4672743B2 (ja) | 2008-03-01 | 2011-04-20 | 株式会社東芝 | 誤り訂正装置および誤り訂正方法 |
-
2008
- 2008-02-29 JP JP2008051419A patent/JP5166074B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-19 US US12/867,068 patent/US8086933B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-19 WO PCT/JP2008/067585 patent/WO2009107267A1/en active Application Filing
- 2008-09-19 CN CN200880126996.3A patent/CN101946239A/zh active Pending
- 2008-09-19 KR KR1020107018696A patent/KR101203235B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-09-19 EP EP08872770A patent/EP2248028A4/en not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-12-22 US US13/334,438 patent/US8381066B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-17 US US13/743,727 patent/US8499216B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-11 US US13/939,335 patent/US8751896B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63275225A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Seiko Epson Corp | 誤り訂正装置 |
JPH0675799A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリアクセス装置とメモリ装置 |
JPH0816488A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Nec Corp | 電子ディスク装置 |
JPH11143787A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-05-28 | Hitachi Ltd | 記録再生装置 |
JP2004280556A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Renesas Technology Corp | 情報記憶装置および情報処理システム |
JP2004334845A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Hewlett-Packard Development Co Lp | 階層化された3次元記憶アーキテクチャにおけるエラー検出およびエラー訂正 |
JP2006318461A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Hewlett-Packard Development Co Lp | 水平及び垂直のエラー訂正符号化(ecc)システム及び方法 |
JP2006073191A (ja) * | 2005-09-26 | 2006-03-16 | Toshiba Corp | メモリアドレス発生装置及び方法 |
JP2009080651A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置、及びその制御方法 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8751911B2 (en) | 2010-03-24 | 2014-06-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
USRE49253E1 (en) | 2010-03-24 | 2022-10-18 | Kioxia Corporation | Semiconductor memory device |
US9298546B2 (en) | 2010-03-24 | 2016-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
US8418042B2 (en) | 2010-03-24 | 2013-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
KR101267183B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2013-05-24 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 기억 장치 |
JP2011203878A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US9048878B2 (en) | 2010-03-24 | 2015-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
JP2011210023A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toshiba Corp | 情報処理装置および情報処理方法 |
JP2012038168A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Toshiba Corp | 記録ユニット及び故障チップ特定方法 |
US9189323B2 (en) | 2010-12-15 | 2015-11-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and method of controlling the same |
US8732553B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-05-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory system and control method thereof |
JP2014515536A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-06-30 | マイクロン テクノロジー, インク. | データ完全性を与えるための装置および方法 |
US9152512B2 (en) | 2011-05-31 | 2015-10-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for providing data integrity |
CN102231284A (zh) * | 2011-06-02 | 2011-11-02 | 孙飞 | 一种降低闪存芯片数据写操作功耗的方法 |
JP2011210277A (ja) * | 2011-06-20 | 2011-10-20 | Toshiba Corp | 情報処理装置および情報処理方法 |
US8954828B2 (en) | 2012-03-19 | 2015-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller |
JP2013205853A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Nec Corp | フラッシュメモリディスク装置、フラッシュメモリディスク装置におけるデータ記憶制御方法およびプログラム |
US9128864B2 (en) | 2012-05-14 | 2015-09-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller, storage device and error correction method |
US8954817B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage apparatus and controller |
WO2014061161A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | 富士通株式会社 | 記録再生装置、誤り訂正方法および制御装置 |
US9230684B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-01-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller, storage device, and memory control method |
JP2014063503A (ja) * | 2013-11-07 | 2014-04-10 | Univ Of Tokyo | データ入出力制御装置および半導体記憶装置システム |
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WO2020236403A1 (en) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | Micron Technology, Inc. | Error correction memory device with fast data access |
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