JP3444902B2 - 半導体装置の信頼性試験方法 - Google Patents
半導体装置の信頼性試験方法Info
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- JP3444902B2 JP3444902B2 JP27748891A JP27748891A JP3444902B2 JP 3444902 B2 JP3444902 B2 JP 3444902B2 JP 27748891 A JP27748891 A JP 27748891A JP 27748891 A JP27748891 A JP 27748891A JP 3444902 B2 JP3444902 B2 JP 3444902B2
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- Japan
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- test
- semiconductor device
- rewriting
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- test method
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の信頼性試験
方法に係り、特にＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasabl
e and Programable Read Only Memory）やフラッシュＥ
ＰＲＯＭ（UVErasable and Programable Read Only Mem
ory）等の電気的に書き換え可能な半導体装置の信頼性
試験に関する。
方法に係り、特にＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasabl
e and Programable Read Only Memory）やフラッシュＥ
ＰＲＯＭ（UVErasable and Programable Read Only Mem
ory）等の電気的に書き換え可能な半導体装置の信頼性
試験に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常の半導体装置の信頼性試験として
は、その用途等によって設定された方法及び条件におい
て、例えば高温放置・高温動作試験、高温高湿放置・高
温高湿動作試験、低温放置・低温動作試験、温度サイク
ル試験、熱衝撃試験、ＰＣＴ（Pressure Cooker Test）
等の寿命試験が行われる。即ち、実使用環境よりも厳し
いストレスを加え、劣化原因を物理的、時間的に加速す
ることにより、寿命予測を行うものである。
は、その用途等によって設定された方法及び条件におい
て、例えば高温放置・高温動作試験、高温高湿放置・高
温高湿動作試験、低温放置・低温動作試験、温度サイク
ル試験、熱衝撃試験、ＰＣＴ（Pressure Cooker Test）
等の寿命試験が行われる。即ち、実使用環境よりも厳し
いストレスを加え、劣化原因を物理的、時間的に加速す
ることにより、寿命予測を行うものである。
【０００３】ところで、ＥＥＰＲＯＭやフラッシュＥＰ
ＲＯＭ等の電気的に書き換え可能な半導体装置において
は、その書き換え時のストレスにより、トンネル酸化膜
が劣化していくことが知られている。そのため、書き換
え回数が増大するにつれて、半導体装置も少なからず劣
化していく。従って、上記のごとき放置状態及び動作時
での加速試験等の一般的な寿命試験に加えて、書き換え
回数を保証し、データの保持力を保証する試験が要求さ
れる。
ＲＯＭ等の電気的に書き換え可能な半導体装置において
は、その書き換え時のストレスにより、トンネル酸化膜
が劣化していくことが知られている。そのため、書き換
え回数が増大するにつれて、半導体装置も少なからず劣
化していく。従って、上記のごとき放置状態及び動作時
での加速試験等の一般的な寿命試験に加えて、書き換え
回数を保証し、データの保持力を保証する試験が要求さ
れる。
【０００４】こうした要請により、従来、図２に示すよ
うな試験が行われていた。即ち、製品群から抜き取った
サンプルを２つのグループに分け、第１のグループは、
例えば１万回の書き換え試験を行った後、動作チェック
をし、第２のグループは、一般の寿命試験を行った後、
動作チェックをする。こうして例えば１万回の書き換え
回数の保証及び１０年間の寿命保証を行っていた。
うな試験が行われていた。即ち、製品群から抜き取った
サンプルを２つのグループに分け、第１のグループは、
例えば１万回の書き換え試験を行った後、動作チェック
をし、第２のグループは、一般の寿命試験を行った後、
動作チェックをする。こうして例えば１万回の書き換え
回数の保証及び１０年間の寿命保証を行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実使用
の状態を考えると、上記従来の書き換え試験と寿命試験
とを別途に実施する試験方法により、書き換え回数及び
寿命をそれぞれ保証することには、問題がある。即ち、
例えば１万回の書き換え回数の保証及び１０年間の寿命
保証がなされたＥＥＰＲＯＭ等を実際に使用する場合、
（１） 初期において、９９９９回の書き換え動作を行
い、その後１０年近く放置し、半導体装置の寿命が切れ
る直前に１回の書き替えを行うこと、（２） 初期にお
いて、１回の書き換え動作を行い、その後１０年近く放
置し、半導体装置の寿命が切れる直前に９９９９回の書
き替えを行うこと、（３） 半導体装置の寿命の１０年
間、随時書き替えを行い、１万回を消費することが想定
される。
の状態を考えると、上記従来の書き換え試験と寿命試験
とを別途に実施する試験方法により、書き換え回数及び
寿命をそれぞれ保証することには、問題がある。即ち、
例えば１万回の書き換え回数の保証及び１０年間の寿命
保証がなされたＥＥＰＲＯＭ等を実際に使用する場合、
（１） 初期において、９９９９回の書き換え動作を行
い、その後１０年近く放置し、半導体装置の寿命が切れ
る直前に１回の書き替えを行うこと、（２） 初期にお
いて、１回の書き換え動作を行い、その後１０年近く放
置し、半導体装置の寿命が切れる直前に９９９９回の書
き替えを行うこと、（３） 半導体装置の寿命の１０年
間、随時書き替えを行い、１万回を消費することが想定
される。
【０００６】こうしたケースにおいては、書き換えによ
りトンネル酸化膜を劣化させつつ使用するため、書き換
え回数及び寿命をそれぞれ別途に実施する試験により保
証しても、現実には保証できているとはいえない。ま
た、上記従来の試験方法では、ＥＥＰＲＯＭ等のデータ
の保持力を保証することができないという問題もある。
りトンネル酸化膜を劣化させつつ使用するため、書き換
え回数及び寿命をそれぞれ別途に実施する試験により保
証しても、現実には保証できているとはいえない。ま
た、上記従来の試験方法では、ＥＥＰＲＯＭ等のデータ
の保持力を保証することができないという問題もある。
【０００７】そこで本発明は、電気的に書き換え可能な
半導体装置の書き換え回数及び寿命を実使用に則してそ
れぞれ保証することができる半導体装置の信頼性試験方
法を提供することを目的とする。
半導体装置の書き換え回数及び寿命を実使用に則してそ
れぞれ保証することができる半導体装置の信頼性試験方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、電気的に書
き換え可能な半導体装置の製品群から抜き取ったサンプ
ルに保証回数の書き換え試験を行う第１のステップと、
引き続き前記サンプルに寿命試験を行う第２のステップ
と、引き続き前記サンプルに前記保証回数の書き換え試
験を行う第３のステップとを有し、前記保証回数の書き
換えを保証するとともに、寿命保証を行うことを特徴と
する半導体装置の信頼性試験方法によって達成される。
き換え可能な半導体装置の製品群から抜き取ったサンプ
ルに保証回数の書き換え試験を行う第１のステップと、
引き続き前記サンプルに寿命試験を行う第２のステップ
と、引き続き前記サンプルに前記保証回数の書き換え試
験を行う第３のステップとを有し、前記保証回数の書き
換えを保証するとともに、寿命保証を行うことを特徴と
する半導体装置の信頼性試験方法によって達成される。
【０００９】また、上記の半導体装置の信頼性試験方法
において、前記寿命試験が、中間に書き換え試験を含む
ことを特徴とする半導体装置の信頼性試験方法によって
達成される。また、上記の半導体装置の信頼性試験方法
において、前記寿命試験が、中間にデータ保持試験を含
むことを特徴とする半導体装置の信頼性試験方法によっ
て達成される。
において、前記寿命試験が、中間に書き換え試験を含む
ことを特徴とする半導体装置の信頼性試験方法によって
達成される。また、上記の半導体装置の信頼性試験方法
において、前記寿命試験が、中間にデータ保持試験を含
むことを特徴とする半導体装置の信頼性試験方法によっ
て達成される。
【００１０】
【作用】本発明は、電気的に書き換え可能な半導体装置
の製品群から抜き取ったサンプルに第１のステップにお
いて書き換え保証試験を行い、この試験により該半導体
装置のサンプルを劣化させた状態で第２のステップの寿
命試験を行い、更にその後、第３のステップとして再び
書き換え保証試験を行うことにより、該半導体装置の書
き換え回数及び寿命を、実使用に則してそれぞれ保証す
ることができる。
の製品群から抜き取ったサンプルに第１のステップにお
いて書き換え保証試験を行い、この試験により該半導体
装置のサンプルを劣化させた状態で第２のステップの寿
命試験を行い、更にその後、第３のステップとして再び
書き換え保証試験を行うことにより、該半導体装置の書
き換え回数及び寿命を、実使用に則してそれぞれ保証す
ることができる。
【００１１】
【実施例】本発明を図示する実施例に基づいて説明す
る。図１は、本発明の一実施例による半導体装置の試験
方法を説明するためのフローチャートである。ＥＥＰＲ
ＯＭやフラッシュＥＰＲＯＭ等の電気的に書き換え可能
な半導体装置の製品群から抜き取ったサンプルについ
て、例えば１万回の書き換え保証試験を行う（ステップ
１）。
る。図１は、本発明の一実施例による半導体装置の試験
方法を説明するためのフローチャートである。ＥＥＰＲ
ＯＭやフラッシュＥＰＲＯＭ等の電気的に書き換え可能
な半導体装置の製品群から抜き取ったサンプルについ
て、例えば１万回の書き換え保証試験を行う（ステップ
１）。
【００１２】次いで、ステップ２において、これらのサ
ンプルを書き換え動作用とデータ保持力用との２つのグ
ループに分ける。そして書き換え動作用のグループは、
寿命１０年間の寿命を保証する一般の寿命試験を行う
が、このとき、幾つかの中間時点において、読み書き動
作のチェックをする点に特徴がある。他方、データ保持
力用のグループも、１０年間の寿命を保証する一般の寿
命試験を行うが、このとき、幾つかの中間時点におい
て、読み動作のチェックをする点に特徴がある。
ンプルを書き換え動作用とデータ保持力用との２つのグ
ループに分ける。そして書き換え動作用のグループは、
寿命１０年間の寿命を保証する一般の寿命試験を行う
が、このとき、幾つかの中間時点において、読み書き動
作のチェックをする点に特徴がある。他方、データ保持
力用のグループも、１０年間の寿命を保証する一般の寿
命試験を行うが、このとき、幾つかの中間時点におい
て、読み動作のチェックをする点に特徴がある。
【００１３】次いで、これら一般の寿命試験を行った書
き換え動作用及びデータ保持力用の２つのグループにつ
いて、再び例えば１万回の書き換え保証試験を行う（ス
テップ３）。このように本実施例によれば、１万回の書
き換え保証試験（ステップ１）を行った後、１０年間の
寿命を保証する寿命試験（ステップ２）を行うことによ
り、例えば初期において９９９９回の書き換え動作を行
った後１０年近く放置し、１０年間の寿命が切れる直前
に１回の書き替えを行うケースに対しても、１万回の書
き換え回数及び１０年間の寿命をそれぞれ確実に保証す
ることができる。
き換え動作用及びデータ保持力用の２つのグループにつ
いて、再び例えば１万回の書き換え保証試験を行う（ス
テップ３）。このように本実施例によれば、１万回の書
き換え保証試験（ステップ１）を行った後、１０年間の
寿命を保証する寿命試験（ステップ２）を行うことによ
り、例えば初期において９９９９回の書き換え動作を行
った後１０年近く放置し、１０年間の寿命が切れる直前
に１回の書き替えを行うケースに対しても、１万回の書
き換え回数及び１０年間の寿命をそれぞれ確実に保証す
ることができる。
【００１４】また、この寿命試験（ステップ２）を行っ
た後、再び１万回の書き換え保証試験（ステップ３）を
行うことにより、例えば初期において１回の書き換え動
作を行った後１０年近く放置し、半導体装置の寿命が切
れる直前に９９９９回の書き替えを行うケースに対して
も、１万回の書き換え回数及び１０年間の寿命をそれぞ
れ確実に保証することができる。
た後、再び１万回の書き換え保証試験（ステップ３）を
行うことにより、例えば初期において１回の書き換え動
作を行った後１０年近く放置し、半導体装置の寿命が切
れる直前に９９９９回の書き替えを行うケースに対して
も、１万回の書き換え回数及び１０年間の寿命をそれぞ
れ確実に保証することができる。
【００１５】また、寿命試験（ステップ２）において、
書き換え動作用のグループは幾つかの中間時点において
読み書き動作のチェックを行うため、随時の書き替えを
行うケースに対しても、１万回の書き換え回数及び１０
年間の寿命をそれぞれ確実に保証することができる。更
に、寿命試験（ステップ２）において、データ保持力用
のグループは幾つかの中間時点において読み動作のチェ
ックを行うため、ＥＥＰＲＯＭやフラッシュＥＰＲＯＭ
等の電気的に書き換え可能な半導体装置にとっては特に
重要なデータ保持力を確実に保証することができる。
書き換え動作用のグループは幾つかの中間時点において
読み書き動作のチェックを行うため、随時の書き替えを
行うケースに対しても、１万回の書き換え回数及び１０
年間の寿命をそれぞれ確実に保証することができる。更
に、寿命試験（ステップ２）において、データ保持力用
のグループは幾つかの中間時点において読み動作のチェ
ックを行うため、ＥＥＰＲＯＭやフラッシュＥＰＲＯＭ
等の電気的に書き換え可能な半導体装置にとっては特に
重要なデータ保持力を確実に保証することができる。
【００１６】従って、ＥＥＰＲＯＭやフラッシュＥＰＲ
ＯＭ等の電気的に書き換え可能な半導体装置について、
その寿命と共に、データの書き換え回数及びデータの保
持力の２種類を実使用に則して保証することができる。
なお、上記実施例においては、書き換え保証試験（ステ
ップ１、３）の書き換え回数を１万回とし、寿命試験
（ステップ２）の保証寿命を１０年間としたが、勿論、
こうした基準は半導体装置の種類や用途、要求される特
性に応じて設定できることはいうまでもない。
ＯＭ等の電気的に書き換え可能な半導体装置について、
その寿命と共に、データの書き換え回数及びデータの保
持力の２種類を実使用に則して保証することができる。
なお、上記実施例においては、書き換え保証試験（ステ
ップ１、３）の書き換え回数を１万回とし、寿命試験
（ステップ２）の保証寿命を１０年間としたが、勿論、
こうした基準は半導体装置の種類や用途、要求される特
性に応じて設定できることはいうまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１のス
テップにおいて書き換え保証試験を行い、この試験によ
りトンネル酸化膜を劣化させた状態で第２のステップの
寿命試験を行い、更にその後、第３のステップとして再
び書き換え保証試験を行うことにより、実使用に則した
信頼性試験ができるため、半導体装置の寿命と共に、デ
ータの書き換え回数及びデータの保持力を確実に保証す
ることができる。
テップにおいて書き換え保証試験を行い、この試験によ
りトンネル酸化膜を劣化させた状態で第２のステップの
寿命試験を行い、更にその後、第３のステップとして再
び書き換え保証試験を行うことにより、実使用に則した
信頼性試験ができるため、半導体装置の寿命と共に、デ
ータの書き換え回数及びデータの保持力を確実に保証す
ることができる。
【図１】本発明の一実施例による半導体装置の試験方法
を説明するためのフローチャートである。
を説明するためのフローチャートである。
【図２】従来の半導体装置の試験方法を説明するための
フローチャートである。
フローチャートである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11C 29/00
G01R 31/26
G01R 31/28
H01L 21/66
Claims (3)
- 【請求項１】 電気的に書き換え可能な半導体装置の製
品群から抜き取ったサンプルに保証回数の書き換え試験
を行う第１のステップと、 引き続き前記サンプルに寿命試験を行う第２のステップ
と、 引き続き前記サンプルに前記保証回数の書き換え試験を
行う第３のステップとを有し、 前記保証回数の書き換えを保証するとともに、寿命保証
を行うことを特徴とする半導体装置の信頼性試験方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の信頼性試験
方法において、 前記寿命試験が、中間に書き換え試験を含むことを特徴
とする半導体装置の信頼性試験方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体装置の信頼
性試験方法において、 前記寿命試験が、中間にデータ保持試験を含むことを特
徴とする半導体装置の信頼性試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27748891A JP3444902B2 (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 半導体装置の信頼性試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27748891A JP3444902B2 (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 半導体装置の信頼性試験方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05120900A JPH05120900A (ja) | 1993-05-18 |
| JP3444902B2 true JP3444902B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=17584297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27748891A Expired - Lifetime JP3444902B2 (ja) | 1991-10-24 | 1991-10-24 | 半導体装置の信頼性試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3444902B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102243895B (zh) * | 2011-04-22 | 2014-09-17 | 杭州电子科技大学 | 一种测量单极性电阻式存储器工作寿命的方法 |
-
1991
- 1991-10-24 JP JP27748891A patent/JP3444902B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05120900A (ja) | 1993-05-18 |
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