JP3777047B2 - フラッシュメモリ装置の消去方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は外部からアドレス信号を印加してプログラム動作と消去動作を遂行するフラッシュメモリ装置に関するものであり、より具体的には消去動作する時のフラッシュメモリ装置のセクター消去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
全てのフラッシュメモリ装置はメモリセルアレイを具備している。通常半導体メモリのメモリセルアレイはセクター単位（ｓｅｃｔｏｒ）で分けられている。これは各々のワードラインに連結されるメモリセルのデータを一回に出力しようとすると多くの時間を要するためである。万一、セクターでメモリセルアレイを構成すると、セクター単位にデータが伝達されるので、データ処理速度が早くなるだけでなく、各々のワードラインとビットラインにかかるロードを減少させることができる。フラッシュメモリ装置をセクター単位に分けられるようになると、外部から印加される所定ビットのアドレス信号により幾つのセクターのプログラムを消去することができる。
【０００３】
フラッシュメモリ装置は外部からアドレス信号を印加してもらって、これをラッチ（ｌａｔｃｈ）し、その後、消去動作遂行する時、アドレス信号に該当されるセクターが消去される。一つのセクター消去動作が終わると、次のセクターのアドレスをラッチし、その後、消去動作を遂行する。この時、各々のセクターに対したコーディング（ｃｏａｄｉｎｇ）のためにはセクターアドレスをカウンティング（ｃｏｕｎｔｉｎｇ）して順次的にセクターが消去されるようにしなければならない。外部から印加されたアドレス信号を貯蔵するバッファーはアドレス信号をカウンティングする。図示されていないが、アドレスバッファー（ａｄｄｒｅｓｓ ｂｕｆｆｅｒ）はフリップフロップ（ｆｌｉｐーｆｌｏｐ）から構成されているので、アドレス信号をカウンティングするようになる。
【０００４】
表１は、プログラム動作と消去動作する場合のアドレス信号のコーディング方法を示す。表１によると従来技術によるプログラミング動作と消去動作を行わせる場合、フラッシュメモリ装置に印加されるアドレス信号のコーディング方法が示されている。
【０００５】
表１を参照すると、メモリは１９個のセクターから構成されている。１９個のセクターを選択するためには４ビットに該当するアドレス信号で１６個のセクター（ＳＡ０〜ＳＡ１５）を選択することができるが、余りの三つのセクター（ＳＡ１６〜ＳＡ１８）のためにさらに４ビットのアドレス信号を印加しなければならない。それで、１６個のセクター（ＳＡ０〜ＳＡ１５）のためにはアドレス信号Ａ１５〜Ａ１８が必要であり、余りの三つのセクター（ＳＡ１６〜ＳＡ１８）のためにはＡ１２〜Ａ１４が必要である。セクターを選択するためのアドレスバッファーはフリップフロップ等を含んでいるので、アドレス信号Ａ１５〜Ａ１８をカウンティングする。しかし、Ａ１２〜Ａ１４をカウンティングするためには追加のロジックを別に構成しなければならないことになる。
【０００６】
消去動作する時、印加されるアドレス信号はカウンティングされ、順次的にセクターが選択されるので、Ａ１２〜Ａ１４までのアドレス信号を必要としない。しかし、上述したようなフラッシュメモリ装置がプログラム動作する時の消去動作時に同一なセクターアドレス信号のコーディング体系をもつことにより、消去動作する時には必要ないアドレス信号により、ロジックが複雑になる場合が発生するようになる。ただし、アドレス信号が４ビットであり、選択されなければならないセクターの数が２⁴であると、プログラムと消去動作する時、同一なアドレスコーディング体系を使用しても別に問題は発生しない。
【０００７】
そして、上述したようなフラッシュメモリ装置とｎ−１ビットのアドレス信号を印加してもらって、選択されなければならないセクターの数が２^n-1以外のセクターを選択するために追加されるアドレス信号等はプログラム動作する時だけに必要するようになる。プログラム動作する時、使用される追加のアドレス信号が消去動作する時にも使用されるにより、消去動作遂行する時、アドレス信号により他のセクターの選択ロジック具現が複雑になるという問題点が発生するようになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的はセクターの数が２^n-1より多い場合、プログラム動作する時、使用されるアドレスコーディング方法と消去動作する時、使用されるアドレスコーディング方法を別に採択して具現を簡単にすることができるフラッシュメモリ装置の消去方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述したような目的を達成するため、本発明に従えばセクターをもっているし、外部からプログラムアドレス信号と消去アドレス信号を印加してもらって、プログラム及び消去動作を遂行するフラッシュメモリ装置の消去方法において、消去動作の間に外部からダミーアドレス信号とアドレス信号を印加してもらって、セクターを順次的に消去するためのフラッシュメモリ装置の消去方法が提供できる。
【００１０】
好ましい実施例において、ダミーアドレス信号とアドレス信号をローディングする段階と、アドレス信号に従って０番目セクターのアドレスラッチを検査する段階と、検査したセクターがラッチされているかを判別し、ラッチされていない場合、再びセクターのアドレスラッチを検査する段階と、セクターがラッチされている時、消去動作を遂行する段階と、消去されたセクターをｎ−１と大小を比較してセクターがｎ−１より大きくないと、カウンティングアップをして次のセクターのアドレスラッチを検査する段階と、消去されたセクターがｎ−１より大きい時、消去動作を終了する段階を含む。
【００１１】
好ましい実施例において、ｎは陽（正）の定数（整数）として消去動作する時、消去されるセクターの数であることを特徴とする。
【００１２】
好ましい実施例において、ダミーアドレス信号は消去動作する時だけに印加される信号であることを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を、実施例をもって詳細に説明する。
【００１４】
【実施例】
表２は、本発明の実施例による消去動作する時、印加されるアドレス信号のコーディング方法を示す。表２を参照すると、本発明の新規なフラッシュメモリ装置の消去方法はセクターの数が外部から印加されるアドレス信号により選択されることができるセクターより多い時、消去動作する時に、ダミーアドレス信号一つだけを追加して使用するにより、プログラム動作と消去動作させる時、アドレス信号のコーディング体系を簡単にすることができるものである。
【００１５】
以下、８ＭＮＯＲフラッシュメモリのセクター消去方法に対する好ましい実施例を説明する。
【００１６】
図１は消去動作する場合の、本発明による消去動作の流れを示す図面である。８ＭＮＯＲフレッシメモリは、１９個のセクターからなっており、全て１９個のアドレス（Ａ０ーＡ１８）を持つ。
【００１７】
以下に、プログラムアドレス信号と消去アドレス信号を印加してもらって、プログラム及び消去動作を遂行するフラッシュメモリ装置において、外部からダミーアドレスとアドレス信号を印加してもらって、消去動作をするフラッシュメモリ装置の消去方法に対して説明を行う。
【００１８】
図１を参照すると、消去方法はダミーアドレス信号と、アドレス信号を印加してもらって、これをローディングする段階１０から開始する。その次、ローディングされたアドレス信号に応答して選択されたセクター０（ＳＡ０）に固定し、セクターのアドレスがラッチされたかを検査する（２０）。そして、アドレス信号（ＤＡ、Ａ）により選択されたセクターがラッチされているか判断されるようになる（３０）。万一、セクターがラッチされていなかったら、セクターのラッチを再び検査するようになる（２０）。そして、セクターがラッチされていることが判断されていると、直ちに消去動作を遂行するようになる（４０）。次いで消去されたセクターがアドレス信号により消去されなければならない順次的なセクターの数より小さいか大きいかを比較する（５０）。消去されたセクター全体が消去されるセクターの数より大きくなると、消去動作を終了するようになる（６０）。
【００１９】
プログラム動作する時、アドレス信号のコーディング方法は図１のような従来と同一な体系を使用する。しかし、本発明の消去動作する時には、プログラム動作する時、使用されるアドレス信号コーディングとは他のアドレス信号コーディング方法を使用する。表２を参照して、４ビットのアドレス信号を印加してもらって、これをカウンティングして順次的にセクターを選択する。４ビットのアドレス信号が印加され、消去されなければならないセクターが１９個とすると、４ビットのアドレス信号が００００〜１１１１までカウンティングされ、セクター１６個（ＳＡ０〜ＳＡ１５）が選択される。そして、アドレス信号は再びカウンティングをして００００から始める。しかし、最初のセクター０（ＳＡ０）が選択される時までは、あらかじめアドレス信号が００００とされているので、この時に、ダミーアドレス信号（ＤＡ１９）により次のセクターが選択される。ダミーアドレス信号（ＤＡ１９）はアドレス信号が１１１１から００００に再びカウンティングされる時０から１に変わるようになる。
【００２０】
それで、ダミーアドレス信号（ＤＡ１９）はプログラム動作する時には使用されず、消去動作する時だけに印加されて使用される信号であることを知らなければならない。従来にはセルを消去する時とプログラムする時、同一なセクターコディング体系を使用してセクター０からセクター１５まで（ＳＡ０〜ＳＡ１５）はＡ１５〜Ａ１８にもセクターを順次的にカウンティングして選択することができた。しかし、余りのセクター（ＳＡ１６〜ＳＡ１８）は追加のＡ１２〜Ａ１４のアドレス信号が必要であった。
【００２１】
そして、追加されたアドレス信号をカウンティングするためにはＡ１２〜Ａ１４のアドレスバッファーをＡ１５〜Ａ１８のアドレスバッファと連結する際に、複雑なロジックを必要とした。前記のような問題は、アドレス信号により選択されるセクターの数が制限され、その以上のセクターを消去しようとする際に生じることである。
【００２２】
外部から印加されるアドレス信号はカウンティングされ、セクターを順次的に選択する。４ビットのアドレス信号がカウンティングされ、セクターが選択され、アドレス信号が００００から１１１１までカウンティングされる時に、ダミーアドレス信号は０とされている。そして、アドレス信号が１１１１から再び００００にカウンティングされる際に、アドレスは１に変えられる。それで、１１１１から００００にカウンティングを初めても順次的にセクターが選択される。
【００２３】
従って、本発明では消去動作とプログラム動作する時、使用されるセクターアドレス信号のコーディング体系を別にするにより、ロジック具現をより簡単にすることができる。そして、消去動作する時にはプログラム動作する時、印加された追加のアドレス信号を使用しなくても、ダミーアドレス信号一つだけでセクターを順次的に選択して消去することができる。
【００２４】
【発明の効果】
上述したようなフラッシュメモリ装置の消去方法において、消去動作する時、外部から印加されるアドレス信号にセクターを全て選択することができない場合でも、ダミーアドレス信号を追加してアドレスのカウンティングにより順次的にセクターを選択することを可能とする。そして、プログラム動作する時と消去動作する時に互いに別のアドレスコーディング方法を使用するにより、アドレス信号のロジック体系を簡単にすることができる効果を奏する。
【００２５】
【表１】

【００２６】
【表２】

【図面の簡単な説明】
【図１】消去動作する時、フラッシュメモリ装置の動作を示すフローチャートを示した図

Claims (2)

1. セクターを持ち、外部からプログラムアドレス信号と消去アドレス信号を受け取ってプログラム及び消去動作を遂行するフラッシュメモリ装置の消去方法において、
   ダミーアドレス信号とアドレス信号をローディングする段階と、
   前記アドレス信号に従い０番目のセクターのアドレスラッチを検査する段階と、
   前記検査したセクターがラッチされたのか否かを検査し、ラッチされていなかった場合、再びセクターのアドレスラッチを検査する段階と、
   前記セクターがラッチされた時消去動作を遂行する段階と、
   前記消去された前記セクターの大小を比較して前記セクターがｎ−１より大きくないと、カウンティングアップして次のセクターのアドレスラッチを検査する段階と、
   前記消去されたセクターがｎー１（ここで、ｎは総セクターの個数を示す。）より大きい時消去動作を終了する段階とを含んでいることを特徴とするフラッシュメモリ装置の消去方法。
2. 前記ダミーアドレス信号（ＤＡ）が消去動作時だけ印加される信号である請求項１に記載のフラッシュメモリ装置の消去方法。

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