KR19980077242A

KR19980077242A - 반도체 메모리 장치의 소거 방법

Info

Publication number: KR19980077242A
Application number: KR1019970014271A
Authority: KR
Inventors: 최기환
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-04-17
Filing date: 1997-04-17
Publication date: 1998-11-16
Also published as: KR100261021B1; US5940326A; JPH10320982A; JP3777047B2

Abstract

본 발명은 소거동작을 하는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 섹터들을 가지고 있고, 외부로부터 프로그램 어드레스 신호와 소거 어드레스 신호를 인가받아 프로그램 및 소거 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치의 소거 방법에 있어서, 소거 동작 동안에 외부로부터 더미 어드레스 신호와 어드레스 신호들을 인가받아 상기 섹터들을 순차적으로 소거하기 위한 반도체 메모리 장치의 소거 방법.

Description

반도체 메모리 장치의 소거 방법 (erase method of semiconductor memory device)

본 발명은 외부로부터 어드레스 신호를 인가받아 프로그램 동작과 소거 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 소거 동작시의 반도체 메모리 장치의 섹터 소거방법에 관한 것이다.

모든 반도체 메모리 장치는 메모리 셀 어레이를 구비하고 있다. 통상 반도체 메모리의 메모리 셀 어레이들은 섹터 단위(sector)로 나뉘어져 있다. 이는 각각의 워드라인에 연결되는 메모리셀들의 데이터들을 한꺼번에 출력하자면 많은 시간이 소요되었기 때문이다. 만일 섹터들로 메모리 셀 어레이로 구성한다면, 섹터 단위로 데이터들이 전달되므로 데이터 처리 속도가 빨라질 뿐만 아니라, 각각의 워드라인과 비트라인에 걸리는 로드를 줄일수 있다. 반도체 메모리 장치가 섹터 단위로 나뉘게 되면 외부로부터 인가되는 소정 비트의 어드레스 신호에 의해 여러 개의 섹터들을 프로그램과 소거 할 수 있다.

반도체 메모리 장치는 외부로부터 어드레스 신호를 인가받아 이를 래치(latch)하고 있다가 소거 동작 수행시 상기 어드레스 신호에 해당되는 섹터들이 소거된다. 하나의 섹터 소거동작이 끝나면 다음 섹터의 어드레스를 래치하고 있다가 소거동작을 수행한다. 이때 각각의 섹터들에 대한 코딩(coading)을 위해서는 섹터 어드레스를 카운팅(counting)하여 순차적으로 섹터들이 소거되도록 해야 한다. 외부로부터 인가된 어드레스 신호를 저장하는 버퍼는 상기 어드레스 신호들을 카운팅한다. 도시되지 않았지만, 상기 어드레스 버퍼(address buffer)는 플립플롭들(flip-flop)로 구성되어 있어 어드레스 신호들을 카운팅하게 된다.

표 1에는 종래 기술에 따른 프로그램 동작과 소거 동작시 반도체 메모리 장치에 인가되는 어드레스 신호들의 코딩방법이 도시되어 있다.

표 1을 참고하면, 메모리가 19 개의 섹터들로 구성되어 있다. 상기 19 개의 섹터들을 선택하기 위해서는 4 비트에 해당되는 어드레스 신호로 16 개의 섹터들(SA0∼SA15)을 선택할 수 있지만, 나머지 3개의 섹터들(SA16∼SA18)을 위해서 4 비트의 어드레스 신호를 인가해야만 한다. 그러므로 16개의 섹터들(SA0∼SA15)을 위해서는 어드레스 신호 A15∼A18가 필요하고, 나머지 3 개의 섹터들(SA16∼SA18)을 위해서는 A12∼A14가 필요하다. 섹터들을 선택하기 위한 어드레스 버퍼는 플립플롭들을 포함하고 있어, 어드레스 신호들 A15∼A18을 카운팅한다. 그러나 상기 A12∼A14를 카운팅하기 위해서는 추가의 로직을 따로 구성해야 한다.

〈표 1〉

	A18	A17	A16	A15	A14	A13	A12
SA0	0	0	0	0	X	X	X
SA1	0	0	0	1	X	X	X
SA2	0	0	1	0	X	X	X
SA3	0	0	1	1	X	X	X
SA4	0	1	0	0	X	X	X
SA5	0	1	0	1	X	X	X
SA6	0	1	1	0	X	X	X
SA7	0	1	1	1	X	X	X
SA8	1	0	0	0	X	X	X
SA9	1	0	0	1	X	X	X
SA10	1	0	1	0	X	X	X
SA11	1	0	1	1	X	X	X
SA12	1	1	0	0	X	X	X
SA13	1	1	0	1	X	X	X
SA14	1	1	1	0	X	X	X
SA15	1	1	1	1	0	X	X
SA16	1	1	1	1	1	0	0
SA17	1	1	1	1	1	0	1
SA18	1	1	1	1	1	1	X

여기서, X는 Don't care

소거 동작시 인가되는 어드레스 신호는 카운팅되어 순차적으로 섹터들이 선택되므로 A12A14까지의 어드레스 신호들을 필요로 하지 않는다. 그러나 상술한 바와 같은 반도체 메모리 장치가 프로그램 동작시와 소거 동작시에 동일한 섹터 어드레스 신호의 코딩 체계를 가짐에 따라 소거 동작시에는 필요하지도 않는 어드레스 신호로 인해 로직이 복잡해지는 경우가 발생하게된다. 단지 어드레스 신호가 4비트이고 선택되어야 할 섹터들의 수가 2⁴이라면 프로그램과 소거 동작시 동일한 어드레스 코딩체계를 사용해도 별 문제는 발생되지 않는다.

그리고, 상술한 바와 같은 반도체 메모리 장치가 n 비트의 어드레스 신호를 인가받고, 선택되어야 할 섹터들의 수가 2ⁿ개보다 많을 경우, 2ⁿ개 이외의 섹터들을 선택하기 위해 추가되는 어드레스신호들은 프로그램 동작에서만 필요하게 된다. 프로그램 동작할 때 사용되는 상기 추가의 어드레신호가 소거 동작시에도 사용됨에 따라 소거 동작 수행시 어드레스 신호에 따른 섹터들의 선택 로직 구현이 다소 복잡해지는 문제점이 발생하게 된다.

따라서 본 발명의 목적은 섹터들의 수가 2ⁿ개보다 많을 경우, 프로그램 동작시 사용되는 어드레스 코딩 방법과 소거 동작시 사용되는 어드레스 코딩 방법을 따로 채택하여 구현을 간단히 할수 있는 반도체 메모리 장치의 소거 방법을 제공하는데 있다.

도 1은 소거 동작시 반도체 메모리 장치의 동작을 보여주는 흐름도;

표 1은 프로그램동작과 소거 동작시 어드레스 신호들의 코딩방법을 보여주는 표;

표 2는 본 발명의 실시예에 따른 소거 동작시 인가되는 어드레스 신호들의 코딩방법을 보여주는 표;

*도면의 주요부분에 대한 부호 설명

(구성)

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 일특징에 의하면, 섹터들을 가지고 있고, 외부로부터 프로그램 어드레스 신호와 소거 어드레스 신호를 인가받아 프로그램 및 소거 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치의 소거 방법에 있어서, 소거 동작 동안에 외부로부터 더미 어드레스 신호와 어드레스 신호들을 인가받아 상기 섹터들을 순차적으로 소거하기 위한 반도체 메모리 장치의 소거 방법.

바람직한 실시예에 있어서, 더미 어드레스 신호와 어드레스 신호들을 로딩하는 단계와, 상기 어드레스 신호들에 따라 0번째 섹터의 어드레스 래치를 검사하는 단계와, 상기 검사한 섹터가 래치 되었는지를 판별하고, 래치되지 않았을 경우 다시 섹터의 어드레스 래치를 검사하는 단계와, 상기 섹터가 래치되었을 때 소거동작을 수행하는 단계와, 소거된 상기 섹터를 n과 대소 비교하여 상기 섹터가 n 보다 크면, 카운팅 업을하여 다음 섹터의 어드레스 래치를 검사하는 단계와, 상기 소거된 섹터가 n 보다 클 때 소거 동작을 종료하는 단계를 포함한다.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 n은 양의 정수로서 소거 동작시 소거 되는 섹터들의 수인 것을 특징으로 한다.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 더미 어드레스 신호는 소거 동작시에만 인가되는 신호인 것을 특징으로 한다.

(실시예)

표 2를 참고하면, 본 발명의 신규한 반도체 메모리 장치의 소거 방법은 섹터들의 수가 외부로부터 인가되는 어드레스 신호에 의해 선택될 수 있는 섹터들보다 많을 때, 소거 동작시 더미 어드레스 신호하나만 추가하여 사용함으로써, 프로그램 동작과 소거 동작시 어드레스 신호들의 코딩체계를 간단히 할 수 있다.

이하 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 참고도면 도 1과 표 2에 의거하여 설명하면 다음과 같다.

도 1에는 소거 동작시 본 발명에 따른 소거 동작의 흐름을 보여주는 플로우 챠트가 도시되어 있다.

표 2는 소거 동작시 사용되는 어드레스신호들의 코딩 방법을 보여주고 있다.

〈표 2〉

	DA19	A18	A17	A16	A15	A14	A13	A12
SA0	0	0	0	0	0	X	X	X
SA1	0	0	0	0	1	X	X	X
SA2	0	0	0	1	0	X	X	X
SA3	0	0	0	1	1	X	X	X
SA4	0	0	1	0	0	X	X	X
SA5	0	0	1	0	1	X	X	X
SA6	0	0	1	1	0	X	X	X
SA7	0	0	1	1	1	X	X	X

SA8	0	1	0	0	0	X	X	X
SA9	0	1	0	0	1	X	X	X
SA10	0	1	0	1	0	X	X	X
SA11	0	1	0	1	1	X	X	X
SA12	0	1	1	0	0	X	X	X
SA13	0	1	1	0	1	X	X	X
SA14	0	1	1	1	0	X	X	X
SA15	0	1	1	1	1	0	X	X
SA16	1	0	1	1	1	1	0	0
SA17	1	0	1	1	1	1	0	1
SA18	1	0	1	1	1	1	1	X

여기서, X는 Don't Care

프로그램 어드레스 신호와 소거 어드레스 신호를 인가받아 프로그램 및 소거 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 외부로부터 더미 어드레스와 어드레스 신호를 인가받아 소거 동작을 하는 반도체 메모리 장치의 소거 방법에 대해 설명하고자 한다.

도 1을 참고하면, 소거 방법은 먼저 더미 어드레스 신호와, 어드레스 신호들을 인가받아 이를 로딩하는 단계(10)로부터 시작된다. 그 다음, 상기 로딩된 어드레스 신호에 응답하여 선택된 섹터를 0(SA0)으로 고정시켜, 섹터의 어드레스가 래치 되었는지를 검사한다(20). 그리고 상기 어드레스 신호들(DA, A)에 의해 선택된 섹터가 래치가 되었는지를 판단하게 된다(30). 만일에 섹터가 래치 되지 않았으면, 섹터의 래치를 다시 검사하게 된다(20). 그리고 상기 섹터가 래치되었다는 것이 판단되었으면 바로 소거 동작을 수행하게 된다(40). 소거된 섹터가 어드레스 신호들에 의해 소거되어야 하는 순차적인 섹터들의 수보다 작은지 큰지를 비교하게 된다(50). 상기 소거된 섹터가 전체소거되는 섹터들의 수보다 크게 되면 소거 동작을 종료하게 된다(60).

프로그램 동작시 어드레스 신호의 코딩 방법은 도 1과 같은 종래와 동일한 체계를 사용한다. 그러나 본 발명에서의 소거 동작시에는 프로그램 동작시 사용되는 어드레스 신호 코딩과는 다른 어드레스 신호 코딩 방법을 사용한다. 표 2를 참고하면, 4 비트의 어드레스 신호를 인가받아 이를 카운팅하여 순차적으로 섹터들을 선택한다. 4 비트의 어드레스 신호가 인가되고, 소거 되어야 할 섹터들이 19개라고 한다면, 4 비트의 어드레스 신호가 0000∼1111 까지 카운팅되어 섹터 16개(SA0∼SA15)가 선택된다. 그리고 상기 어드레스 신호는 다시 카운팅을 하여 0000부터 시작된다. 그러나 처음 섹터 0(SA0)이 선택될 때 이미 어드레스 신호가 0000이었으므로, 이때 더미 어드레스 신호(DA19)에 의해 다음 섹터들이 선택된다. 상기 더미 어드레스 신호(DA19)는 어드레스 신호가 1111에서 0000으로 다시 카운팅 될 때 0에서 1로 변하게 된다.

그러므로, 상기 더미 어드레스 신호(DA19)는 프로그램 동작시에는 사용되지 않고, 소거 동작시에만 인가되어 사용되는 신호임을 알아야 할 것이다. 종래에는 셀을 소거 할 때와 프로그램 할 때 동일한 섹터 어드레스 코딩체계를 사용하여 섹터 0부터 섹터 15까지(SA0∼SA15)는 A15∼A18로도 섹터들을 순차적으로 카운팅하여 선택할 수 있었다. 그러나 나머지 섹터들(SA16∼SA18)은 추가의 A12∼A14의 어드레스 신호가 필요하게 되었다.

그리고 상기 추가된 어드레스 신호를 카운팅하기 위해서는 A12∼A14의 어드레스 버퍼를 A15∼A18의 어드레스 버퍼와 연결하는데 있어 복잡한 로직을 필요로 하였다. 상기와 같은 문제는 어드레스 신호에 따라 선택되는 섹터들의 수는 제한되어, 그 이상의 섹터들을 소거하고자 할 때 야기되는 것이다.

외부로부터 인가되는 어드레스 신호는 카운팅되어 섹터들을 순차적으로 선택한다. 4 비트의 어드레스 신호가 카운팅되어 섹터들이 선택되고, 어드레스 신호가 0000부터 1111까지 카운팅 될 때, 더미 어드레스 신호는 0이다. 그리고 어드레스 신호가 1111에서 다시 0000으로 카운팅될 때 더미 어드레스는 1로 바뀌게 된다. 그러므로 1111에서 0000으로 카운팅을 다시 시작하여도 순차적으로 섹터들이 선택된다.

따라서, 본 발명에서는 소거 동작과 프로그램 동작시 사용되는 섹터 어드레스 신호의 코딩체계를 달리 함으로써, 로직구현을 보다 간단히 할 수 있다. 그리고 소거 동작시에는 프로그램 동작때 인가되었던 추가의 어드레스 신호를 사용하지도 않고도, 더미 어드레스 신호 하나만으로 섹터들을 순차적으로 선택하여 소거할 수 있다.

상술한 바와 같은 반도체 메모리 장치의 소거 방법에 있어서, 소거 동작시 외부로부터 인가되는 어드레스 신호로 섹터들을 다 선택할 수 없을 때, 더미 어드레스 신호를 추가하여 어드레스의 카운팅에 따라 순차적으로 섹터들을 선택할 수 있다. 그리고 프로그램 동작할 때와 과 소거 동작할 때에 서로 다른 어드레스 코딩방법을 사용함으로써, 어드레스 신호의 로직 체계를 간단히 할 수 있는 효과가 있다.

Claims

섹터들을 가지고 있고, 외부로부터 프로그램 어드레스 신호와 소거 어드레스 신호를 인가받아 프로그램 및 소거 동작을 수행하는 반도체 메모리 장치의 소거 방법에 있어서,

소거 동작 동안에 외부로부터 더미 어드레스 신호와 어드레스 신호들을 인가받아 상기 섹터들을 순차적으로 소거하기 위한 반도체 메모리 장치의 소거 방법.
제 1 항에 있어서,

더미 어드레스 신호와 어드레스 신호들을 로딩하는 단계와(10);

상기 어드레스 신호들에 따라 0번째 섹터의 어드레스 래치를 검사하는 단계와(20);

상기 검사한 섹터가 래치 되었는지를 판별하고, 래치되지 않았을 경우 다시 섹터의 어드레스 래치를 검사하는 단계와(30);

상기 섹터가 래치되었을 때 소거동작을 수행하는 단계와(40);

소거된 상기 섹터를 n과 대소 비교하여 상기 섹터가 n 보다 크면, 카운팅 업을하여 다음 섹터의 어드레스 래치를 검사하는 단계와(50);

상기 소거된 섹터가 n 보다 클 때 소거 동작을 종료하는 단계(60)를 포함하는 반도체 메모리 장치의 소거 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 n은 양의 정수로서 소거 동작시 소거 되는 섹터들의 수인 반도체 메모리 장치의 소거 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 더미 어드레스 신호(DA)는 소거 동작시에만 인가되는 신호인 반도체 메모리 장치의 소거 방법.