RU2007148460A - Бесцветный монокристаллический алмаз, полученный химическим осаждением из газовой фазы при высокой скорости роста - Google Patents

Бесцветный монокристаллический алмаз, полученный химическим осаждением из газовой фазы при высокой скорости роста Download PDF

Info

Publication number
RU2007148460A
RU2007148460A RU2007148460/15A RU2007148460A RU2007148460A RU 2007148460 A RU2007148460 A RU 2007148460A RU 2007148460/15 A RU2007148460/15 A RU 2007148460/15A RU 2007148460 A RU2007148460 A RU 2007148460A RU 2007148460 A RU2007148460 A RU 2007148460A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
growth
temperature
per unit
atmosphere
Prior art date
Application number
RU2007148460/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2398922C2 (ru
Inventor
Расселл Дж. ХЕМЛИ (US)
Расселл Дж. ХЕМЛИ
Хо-кванг МАО (US)
Хо-Кванг Мао
Чих-шию ЯН (US)
Чих-шию ЯН
Original Assignee
Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон (Us)
Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон (Us), Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон filed Critical Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон (Us)
Publication of RU2007148460A publication Critical patent/RU2007148460A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2398922C2 publication Critical patent/RU2398922C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/04—Diamond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/25—Diamond
    • C01B32/26—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/274—Diamond only using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/277—Diamond only using other elements in the gas phase besides carbon and hydrogen; using other elements besides carbon, hydrogen and oxygen in case of use of combustion torches; using other elements besides carbon, hydrogen and inert gas in case of use of plasma jets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/279—Diamond only control of diamond crystallography
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Способ получения алмаза, включающий ! i) регулирование температуры поверхности роста алмаза так, чтобы градиенты температуры на поверхности роста алмаза не превышали примерно 20°С, и ! ii) выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера в которой содержит от примерно 8% до примерно 20% СН4 на единицу Н2 и от примерно 5% до примерно 25% О2 на единицу СН4. ! 2. Способ по п.1, в котором атмосфера в камере находится под давлением примерно 100-300 торр. ! 3. Способ по п.2, в котором давление составляет от примерно 160 до примерно 220 торр. ! 4. Способ по п.1, в котором температура роста составляет от примерно 700°С до примерно 1100°С. ! 5. Способ по п.1, в котором алмаз вырастает до толщины более 1,2 см. ! 6. Способ по п.1, в котором вес выращенного алмаза составляет более 5 карат. ! 7. Способ по п.1, в котором вес выращенного алмаза составляет более 10 карат. ! 8. Способ по п.1, в котором скорость роста алмаза составляет более примерно 10 мкм/ч. ! 9. Способ по п.8, в котором скорость роста алмаза составляет более примерно 50 мкм/ч. ! 10. Способ по п.9, в котором скорость роста алмаза составляет более примерно 100 мкм/ч. ! 11. Способ по п.1, в котором атмосфера в камере дополнительно содержит от примерно 0,2 до примерно 3% азота на единицу СН4. ! 12. Способ по п.1, дополнительно включающий стадию размещения алмаза в держателе. ! 13. Способ по п.12, дополнительно включающий стадию изменения положения алмаза в держателе после стадии роста монокристаллического алмаза. ! 14. Способ по п.12, дополнительно включающий стадию изменения положения алмаза в держателе во время роста монокриста

Claims (34)

1. Способ получения алмаза, включающий
i) регулирование температуры поверхности роста алмаза так, чтобы градиенты температуры на поверхности роста алмаза не превышали примерно 20°С, и
ii) выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера в которой содержит от примерно 8% до примерно 20% СН4 на единицу Н2 и от примерно 5% до примерно 25% О2 на единицу СН4.
2. Способ по п.1, в котором атмосфера в камере находится под давлением примерно 100-300 торр.
3. Способ по п.2, в котором давление составляет от примерно 160 до примерно 220 торр.
4. Способ по п.1, в котором температура роста составляет от примерно 700°С до примерно 1100°С.
5. Способ по п.1, в котором алмаз вырастает до толщины более 1,2 см.
6. Способ по п.1, в котором вес выращенного алмаза составляет более 5 карат.
7. Способ по п.1, в котором вес выращенного алмаза составляет более 10 карат.
8. Способ по п.1, в котором скорость роста алмаза составляет более примерно 10 мкм/ч.
9. Способ по п.8, в котором скорость роста алмаза составляет более примерно 50 мкм/ч.
10. Способ по п.9, в котором скорость роста алмаза составляет более примерно 100 мкм/ч.
11. Способ по п.1, в котором атмосфера в камере дополнительно содержит от примерно 0,2 до примерно 3% азота на единицу СН4.
12. Способ по п.1, дополнительно включающий стадию размещения алмаза в держателе.
13. Способ по п.12, дополнительно включающий стадию изменения положения алмаза в держателе после стадии роста монокристаллического алмаза.
14. Способ по п.12, дополнительно включающий стадию изменения положения алмаза в держателе во время роста монокристаллического алмаза.
15. Способ по п.12, в котором кристалл-затравка входит в группу, состоящую из природного бесцветного алмаза типа Ia; природного бесцветного алмаза типа IIa; синтетического желтого алмаза типа Ib, полученного в условиях высоких давлений и высоких температур; SC-CVD алмаза.
16. Способ по п.15, в котором кристалл-затравка представляет собой SC-CVD алмаз.
17. Способ по п.16, в котором SC-CVD алмаз имеет плоскости {100}.
18. Способ по п.1, в котором рост алмаза происходит в направлении трех измерений.
19. Способ по п.17, в котором кристалл-затравка имеет шесть плоскостей {100}.
20. Способ по п.19, в котором вес выращенного алмаза составляет более 300 карат.
21. Способ по п.1, в котором выращенный алмаз является, по существу, кубическим.
22. Способ по п.1, в котором размер, по существу, кубического, алмаза по каждому измерению составляет, по меньшей мере, один дюйм.
23. Способ по п.1, в котором полученный алмаз является бесцветным.
24. Способ по п.1, в котором спектр поглощения УФ и видимого излучения полученного алмаза, по существу, такой же, как спектр искусственного алмаза типа IIa, полученного в условиях высоких давлений и высоких температур.
25. Алмаз, полученный способом по п.1.
26. Способ получения алмаза, включающий
i) регулирование температуры поверхности роста алмаза и
ii) выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста от примерно 700°С до примерно 1100°С в камере осаждения, атмосфера в которой содержит от примерно 8% до примерно 20% СН4 на единицу Н2 и от примерно 5% до примерно 25% О2 на единицу СН4.
27. Способ получения алмаза, включающий
i) регулирование температуры поверхности роста алмаза и
ii) выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера в которой имеет давление примерно 100-300 торр и содержит от примерно 8% до примерно 20% СН4 на единицу Н2 и от примерно 5% до примерно 25% О2 на единицу СН4.
28. Способ получения алмаза, включающий
i) регулирование температуры поверхности роста алмаза и
ii) выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера в которой содержит от примерно 8% до примерно 20% СН4 на единицу Н2 и от примерно 5% до примерно 25% О2 на единицу СН4, причем скорость роста превышает примерно 10 мкм/ч.
29. Способ получения алмаза, включающий
i) регулирование температуры поверхности роста алмаза и
ii) выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера в которой содержит от примерно 8% до примерно 20% СН4 на единицу Н2 и от примерно 5% до примерно 25% О2 на единицу СН4, причем масса выращиваемого алмаза превышает 5 карат.
30. Способ получения алмаза, включающий
i) регулирование температуры поверхности роста алмаза и
ii) выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера в которой содержит от примерно 8% до примерно 20% СН4 на единицу Н2 и от примерно 5% до примерно 25% О2 на единицу СН4, причем получаемый алмаз является, по существу, бесцветным и характеризуется таким же спектром поглощения УФ и видимого излучения, как и искусственный алмаз типа IIa, полученный в условиях высоких давлений и высоких температур.
31. Способ получения алмаза, включающий
i) регулирование температуры поверхности роста алмаза так, чтобы температура растущих кристаллов алмаза лежала в диапазоне 900-1400°С, при этом алмаз закреплен в теплоотводящем держателе, изготовленном из материала с высокой температурой плавления и высокой теплопроводностью с целью минимизации градиентов температуры на поверхности роста алмаза, и
ii) выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме в камере осаждения, атмосфера в которой содержит от примерно 8% до примерно 20% СН4 на единицу Н2 и от примерно 5% до примерно 25% О2 на единицу СН4.
32. Способ по п.31, в котором все градиенты температуры на поверхности роста алмаза меньше примерно 20°С.
33. Способ по п.31, в котором вес выращенного алмаза составляет более 5 карат.
34. Способ по п.31, в котором скорость роста алмаза составляет более примерно 10 мкм/ч.
RU2007148460/15A 2005-05-25 2006-05-23 Бесцветный монокристаллический алмаз, полученный химическим осаждением из газовой фазы при высокой скорости роста RU2398922C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US68416805P 2005-05-25 2005-05-25
US60/684,168 2005-05-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007148460A true RU2007148460A (ru) 2009-06-27
RU2398922C2 RU2398922C2 (ru) 2010-09-10

Family

ID=37452695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007148460/15A RU2398922C2 (ru) 2005-05-25 2006-05-23 Бесцветный монокристаллический алмаз, полученный химическим осаждением из газовой фазы при высокой скорости роста

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7883684B2 (ru)
EP (1) EP1907320A4 (ru)
JP (1) JP5296533B2 (ru)
KR (1) KR20080044206A (ru)
CN (1) CN101198544A (ru)
AU (1) AU2006251553B2 (ru)
CA (1) CA2608933C (ru)
RU (1) RU2398922C2 (ru)
TW (1) TWI403622B (ru)
WO (1) WO2006127611A2 (ru)
ZA (1) ZA200710519B (ru)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI410538B (zh) * 2005-11-15 2013-10-01 Carnegie Inst Of Washington 建基於以快速生長速率製造之單晶ｃｖｄ鑽石的新穎鑽石的用途／應用
WO2008094491A1 (en) * 2007-01-29 2008-08-07 Carnegie Institution Of Washington New laser uses for single-crystal cvd diamond
US7776408B2 (en) * 2007-02-14 2010-08-17 Rajneesh Bhandari Method and apparatus for producing single crystalline diamonds
EP2286459A4 (en) * 2008-05-05 2014-03-12 Carnegie Inst Of Washington ULTRA-RESISTANT BORDOTIC CRYSTAL DIAMOND
SG157973A1 (en) * 2008-06-18 2010-01-29 Indian Inst Technology Bombay Method for growing monocrystalline diamonds
US20150240383A1 (en) * 2008-06-18 2015-08-27 Iia Technologies Pte. Ltd. Monocrystalline diamonds and methods of growing the same
US20100126406A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Yan Chih-Shiue Production of Single Crystal CVD Diamond at Rapid Growth Rate
US10273598B2 (en) 2009-12-22 2019-04-30 Element Six Technologies Limited Synthetic CVD diamond
GB2476478A (en) 2009-12-22 2011-06-29 Element Six Ltd Chemical vapour deposition diamond synthesis
TW201204863A (en) * 2010-05-17 2012-02-01 Carnegie Inst Of Washington Production of large, high purity single crystal CVD diamond
SG179318A1 (en) * 2010-09-27 2012-04-27 Gemesis Company S Pte Ltd Method for growing white color diamonds by using diborane and nitrogen in combination in a microwave plasma chemical vapor deposition system
GB201021853D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201021870D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201021865D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201021860D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for diamond synthesis
GB201021855D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd Microwave power delivery system for plasma reactors
US9637838B2 (en) 2010-12-23 2017-05-02 Element Six Limited Methods of manufacturing synthetic diamond material by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a microwave generator and gas inlet(s) disposed opposite the growth surface area
GB201021913D0 (en) * 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture
GB201121642D0 (en) 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Single crtstal cvd synthetic diamond material
DK2890828T3 (en) * 2012-08-30 2017-09-11 Iia Tech Pte Ltd Device and method of making diamond
SG11201504017WA (en) * 2012-11-21 2015-06-29 Nat Oilwell Dht Lp Fixed cutter drill bit cutter elements including hard cutting tables made from cvd synthetic diamonds
SG10201505413VA (en) 2015-01-14 2016-08-30 Iia Technologies Pte Ltd Electronic device grade single crystal diamonds and method of producing the same
US9966161B2 (en) * 2015-09-21 2018-05-08 Uchicago Argonne, Llc Mechanical design of thin-film diamond crystal mounting apparatus with optimized thermal contact and crystal strain for coherence preservation x-ray optics
KR102653291B1 (ko) * 2016-01-22 2024-03-29 스미토모덴키고교가부시키가이샤 단결정 다이아몬드, 단결정 다이아몬드의 제조 방법 및 그것에 이용되는 화학 기상 퇴적 장치
CN106835274A (zh) * 2017-01-23 2017-06-13 中国科学院半导体研究所 异质外延金刚石及其制备方法
CN108251892B (zh) * 2018-02-26 2021-03-23 湖北碳六科技有限公司 激光增强等离子体cvd制备单晶金刚石装置及其方法
CN108315817B (zh) * 2018-04-19 2019-06-25 武汉大学 高效大尺寸单晶金刚石的生长方法和装置
GB201807787D0 (en) 2018-05-14 2018-06-27 Element Six Tech Ltd Polycrystalline chemical vapour deposition synthetic diamond material
CN110823098B (zh) * 2019-12-17 2024-09-27 上海昌润极锐超硬材料有限公司 一种单晶金刚石生长过程的监测方法及监测设备
GB201918883D0 (en) * 2019-12-19 2020-02-05 Element Six Tech Ltd Method for producing chemical vapour deposition diamond
CN115605638A (zh) * 2020-02-24 2023-01-13 M7D公司（Us） 用于金刚石生长的等离子体成形
RU2763103C1 (ru) * 2020-08-27 2021-12-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук" (ИОФ РАН) Способ контроля и управления температурным режимом ростовой поверхности подложки
CN112875647B (zh) * 2021-02-07 2022-10-28 天津理工大学 一种室温催化制氢的方法
CN117535791B (zh) * 2023-12-06 2024-06-07 广东省新兴激光等离子体技术研究院 基于mpcvd的生长单晶金刚石材料的基台及其方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63182296A (ja) * 1987-01-26 1988-07-27 Hitachi Ltd ダイヤモンドの合成法
US5099788A (en) 1989-07-05 1992-03-31 Nippon Soken, Inc. Method and apparatus for forming a diamond film
US5130111A (en) * 1989-08-25 1992-07-14 Wayne State University, Board Of Governors Synthetic diamond articles and their method of manufacture
US5209182A (en) 1989-12-01 1993-05-11 Kawasaki Steel Corporation Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film
JPH04214094A (ja) * 1990-04-26 1992-08-05 Hitachi Ltd 合成ダイヤモンド薄膜の製法、該薄膜及びそれを用いた装置
US5704976A (en) 1990-07-06 1998-01-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High temperature, high rate, epitaxial synthesis of diamond in a laminar plasma
JP3855177B2 (ja) * 1995-12-25 2006-12-06 東京瓦斯株式会社 再結晶化によるダイヤモンド単結晶の製造方法
JPH107492A (ja) * 1996-06-25 1998-01-13 Kobe Steel Ltd 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
US6582513B1 (en) 1998-05-15 2003-06-24 Apollo Diamond, Inc. System and method for producing synthetic diamond
AU1348901A (en) 1999-10-28 2001-05-08 P1 Diamond, Inc. Improved diamond thermal management components
CZ302228B6 (cs) 2000-06-15 2011-01-05 Element Six (Pty) Ltd Monokrystalická diamantová vrstva pripravená chemickým vylucováním z plynné fáze
UA81614C2 (ru) * 2001-11-07 2008-01-25 Карнеги Инститьюшн Ов Вашингтон Устройство для изготовления алмазов, узел удержания образца (варианты) и способ изготовления алмазов (варианты)
US6811610B2 (en) 2002-06-03 2004-11-02 Diamond Innovations, Inc. Method of making enhanced CVD diamond
US7404399B2 (en) * 2003-10-10 2008-07-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond tool, synthetic single crystal diamond and method of synthesizing single crystal diamond, and diamond jewelry
JP4613314B2 (ja) * 2005-05-26 2011-01-19 独立行政法人産業技術総合研究所 単結晶の製造方法
WO2007081492A2 (en) 2006-01-04 2007-07-19 Uab Research Foundation High growth rate methods of producing high-quality diamonds

Also Published As

Publication number Publication date
US20070196263A1 (en) 2007-08-23
US7883684B2 (en) 2011-02-08
JP2008542168A (ja) 2008-11-27
EP1907320A4 (en) 2010-05-05
AU2006251553B2 (en) 2011-09-08
CA2608933A1 (en) 2006-11-30
EP1907320A2 (en) 2008-04-09
WO2006127611A3 (en) 2007-10-04
RU2398922C2 (ru) 2010-09-10
JP5296533B2 (ja) 2013-09-25
TWI403622B (zh) 2013-08-01
KR20080044206A (ko) 2008-05-20
TW200741041A (en) 2007-11-01
CA2608933C (en) 2014-02-04
WO2006127611A2 (en) 2006-11-30
ZA200710519B (en) 2008-07-30
AU2006251553A1 (en) 2006-11-30
CN101198544A (zh) 2008-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007148460A (ru) Бесцветный монокристаллический алмаз, полученный химическим осаждением из газовой фазы при высокой скорости роста
CN102618930B (zh) 一种AlN晶体的制备方法
JP4926556B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶基板
EP0745707B1 (en) Method for the growth of large single crystals
RU2007113175A (ru) Сверхпрочные монокристаллы cvc-алмаза и их трехмерный рост
JP2008515748A5 (ru)
JP2008512342A5 (ru)
JP2009519193A5 (ru)
CN107287578B (zh) 一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法
CN208649506U (zh) 一种碳化硅晶体的生长装置
JP2007230823A (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット
JP2011519814A5 (ru)
CN110578171A (zh) 一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶的制造方法
CN105543967B (zh) 一种稳定pvt法生长4h高纯碳化硅单晶晶型的原料处理方法
JP2007320790A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板
JP2004099340A (ja) 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
JP4833798B2 (ja) ＳｉＣ単結晶の製造方法
JP4850663B2 (ja) ＳｉＣ単結晶の製造方法及びＳｉＣ単結晶基板の製造方法
CN107190322A (zh) 一种大尺寸电阻率可调的碳化硅多晶陶瓷的生长方法
US20090004093A1 (en) Materials and methods for the manufacture of large crystal diamonds
JPH06107494A (ja) ダイヤモンドの気相成長法
JP2006052097A (ja) 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
JPH04292499A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
EP3072995B1 (en) Method for producing silicon carbide crystals from vapour phase
JP4585137B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140524