RU2007120074A - Способ получения слитков поликристаллического кремния - Google Patents
Способ получения слитков поликристаллического кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007120074A RU2007120074A RU2007120074/15A RU2007120074A RU2007120074A RU 2007120074 A RU2007120074 A RU 2007120074A RU 2007120074/15 A RU2007120074/15 A RU 2007120074/15A RU 2007120074 A RU2007120074 A RU 2007120074A RU 2007120074 A RU2007120074 A RU 2007120074A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- polycrystalline silicon
- ingots
- solar cells
- cells according
- Prior art date
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 30
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract 10
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract 4
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims abstract 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims abstract 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract 2
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов включающий: плавление кремниевого сырья в атмосфере 100% водорода при обычном давлении или повышенном давлении для получения расплава кремния и одновременное растворения водорода в расплаве кремния; застывание расплава кремния, содержащего растворенный в нем водород; и выдерживание твердого образца при температуре, близкой к температуре застывания, для роста зерен кремния в твердой фазе и получения слитков поликристаллического кремния.2. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.1, в котором водород связывается с атомными дефектами в решетке, образующимися в слитке поликристаллического кремния, устраняя атомные дефекты и улучшая характеристики времени жизни.3. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.1, в котором водород, растворенный в расплаве кремния, предотвращает миграцию и смешивание примесей в расплаве кремния, и удаляет примеси из расплава кремния, путем реакции газификации или кристаллизации для ускорения очистки слитка поликристаллического кремния.4. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.2, в котором водород, растворенный в расплаве кремния, предотвращает миграцию и смешивание примесей в расплаве кремния, и удаляет примеси из расплава кремния, путем реакции газификации или кристаллизации для ускорения очистки слитка поликристаллического кремния.5. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.1, в котором образование монооксида кремния из тигл
Claims (10)
1. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов включающий: плавление кремниевого сырья в атмосфере 100% водорода при обычном давлении или повышенном давлении для получения расплава кремния и одновременное растворения водорода в расплаве кремния; застывание расплава кремния, содержащего растворенный в нем водород; и выдерживание твердого образца при температуре, близкой к температуре застывания, для роста зерен кремния в твердой фазе и получения слитков поликристаллического кремния.
2. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.1, в котором водород связывается с атомными дефектами в решетке, образующимися в слитке поликристаллического кремния, устраняя атомные дефекты и улучшая характеристики времени жизни.
3. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.1, в котором водород, растворенный в расплаве кремния, предотвращает миграцию и смешивание примесей в расплаве кремния, и удаляет примеси из расплава кремния, путем реакции газификации или кристаллизации для ускорения очистки слитка поликристаллического кремния.
4. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.2, в котором водород, растворенный в расплаве кремния, предотвращает миграцию и смешивание примесей в расплаве кремния, и удаляет примеси из расплава кремния, путем реакции газификации или кристаллизации для ускорения очистки слитка поликристаллического кремния.
5. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.1, в котором образование монооксида кремния из тигля, выполненного из диоксида кремния и применяемого для плавления кремниевого сырья устраняют в атмосфере водорода и снижают концентрацию кислорода в слитке поликристаллического кремния.
6. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.2, в котором образование монооксида кремния из тигля, выполненного из диоксида кремния и применяемого для плавления кремниевого сырья устраняют в атмосфере водорода и снижают концентрацию кислорода в поликристаллическом слитке кремния.
7. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.3, в котором образование монооксида кремния из тигля, выполненного из диоксида кремния и применяемого для плавления кремниевого сырья устраняют в атмосфере водорода и снижают концентрацию кислорода в слитке поликристаллического кремния.
8. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.4, в котором образование монооксида кремния из тигля, выполненного из диоксида кремния и применяемого для плавления кремниевого сырья устраняют в атмосфере водорода и снижают концентрацию кислорода в слитке поликристаллического кремния.
9. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.1, в котором предотвращают диффузию примесей от элемента плавления, который используют при плавке кремниевого сырья в слиток поликристаллического кремния.
10. Способ получения слитков поликристаллического кремния для солнечных элементов по п.2, в котором предотвращают диффузию примесей от элемента плавления, который используют при плавке кремниевого сырья в слиток поликристаллического кремния.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004-347083 | 2004-11-30 | ||
| JP2004347083 | 2004-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007120074A true RU2007120074A (ru) | 2008-12-10 |
| RU2358905C2 RU2358905C2 (ru) | 2009-06-20 |
Family
ID=36565066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007120074/15A RU2358905C2 (ru) | 2004-11-30 | 2005-11-30 | Способ получения слитков поликристаллического кремния |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090139446A1 (ru) |
| EP (1) | EP1820777A4 (ru) |
| JP (1) | JP5007126B2 (ru) |
| KR (1) | KR100945517B1 (ru) |
| CN (1) | CN101061065B (ru) |
| AU (1) | AU2005310598B2 (ru) |
| CA (1) | CA2587222C (ru) |
| NO (1) | NO20073279L (ru) |
| RU (1) | RU2358905C2 (ru) |
| TW (1) | TW200624610A (ru) |
| WO (1) | WO2006059632A1 (ru) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007020006A1 (de) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von poly- oder multikristallinem Silizium, dadurch hergestellter Masseblock (Ingot) sowie Wafer aus poly- oder multikristallinem Silizium, und Verwendung zur Herstellung von Solarzellen |
| CN101685048B (zh) * | 2008-09-25 | 2012-10-24 | 华南师范大学 | 一种多晶硅的纯度检测方法及装置 |
| JP2010095421A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Sumco Corp | 多結晶シリコンの製造方法及び多結晶シリコンウェーハ |
| CN101514487B (zh) * | 2009-02-27 | 2011-04-27 | 浙江碧晶科技有限公司 | 一种低含氧量硅晶体的制备方法 |
| EP2492242A4 (en) * | 2009-10-19 | 2015-07-22 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | OVEN FOR MELTING SILICON OR A SILICON-BASED ALLOY |
| JP2011201736A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴット |
| DE102011002598B4 (de) * | 2011-01-12 | 2016-10-06 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Ingots |
| KR101222175B1 (ko) * | 2011-03-31 | 2013-01-14 | 연세대학교 산학협력단 | 슬래그와 실리콘의 밀도차이를 이용한 ＭＧ－Ｓｉ중 불순물의 정련 방법 |
| CN102242394A (zh) * | 2011-06-15 | 2011-11-16 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 铸造法生产类似单晶硅锭投炉硅料和晶种摆放方法 |
| CN102534772B (zh) * | 2012-02-28 | 2014-11-05 | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 | 一种生长大晶粒铸造多晶硅的方法 |
| JP6013313B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2016-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 積層型半導体素子の製造方法、積層型半導体素子、及び、その製造装置 |
| CN103233267A (zh) * | 2013-05-09 | 2013-08-07 | 英利集团有限公司 | 多晶硅的铸锭工艺 |
| CN103741206B (zh) * | 2014-01-28 | 2016-06-01 | 西安华晶电子技术股份有限公司 | 一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺 |
| DE102015201988A1 (de) * | 2015-02-05 | 2016-08-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von multikristallinem Silicium |
| CN108315813A (zh) * | 2018-01-04 | 2018-07-24 | 晶科能源有限公司 | 一种多晶硅铸锭的制备方法 |
| CN109554752A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-04-02 | 赛维Ldk太阳能高科技(新余)有限公司 | 多晶硅铸锭炉、多晶硅铸锭方法和多晶硅锭 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5899115A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Nec Corp | 多結晶シリコンインゴツトの鋳造方法 |
| DE3504723A1 (de) * | 1985-02-12 | 1986-08-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum reinigen von silicium |
| EP0274283B1 (fr) * | 1987-01-08 | 1989-05-24 | Rhone-Poulenc Chimie | Procédé de purification sous plasma de silicium divisé |
| JPH07277722A (ja) * | 1994-02-16 | 1995-10-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | ケイ素の精製方法 |
| JPH08109012A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Tonen Corp | 多結晶シリコン板の製造方法 |
| ES2350591T3 (es) * | 2000-05-11 | 2011-01-25 | Tokuyama Corporation | Aparato para la producción de silicio policristalino. |
| JP2003002626A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-08 | Tokuyama Corp | シリコン生成用反応装置 |
| JP4142931B2 (ja) * | 2002-10-09 | 2008-09-03 | 京セラ株式会社 | 粒状シリコン結晶の製造装置および製造方法 |
-
2005
- 2005-11-30 US US11/719,675 patent/US20090139446A1/en not_active Abandoned
- 2005-11-30 KR KR1020077010186A patent/KR100945517B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-11-30 CA CA2587222A patent/CA2587222C/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-30 CN CN2005800394322A patent/CN101061065B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-30 TW TW094142234A patent/TW200624610A/zh unknown
- 2005-11-30 AU AU2005310598A patent/AU2005310598B2/en not_active Ceased
- 2005-11-30 EP EP05811545A patent/EP1820777A4/en not_active Withdrawn
- 2005-11-30 WO PCT/JP2005/021969 patent/WO2006059632A1/ja active Application Filing
- 2005-11-30 JP JP2006547971A patent/JP5007126B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-30 RU RU2007120074/15A patent/RU2358905C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-06-27 NO NO20073279A patent/NO20073279L/no not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200624610A (en) | 2006-07-16 |
| CN101061065B (zh) | 2011-07-27 |
| WO2006059632A1 (ja) | 2006-06-08 |
| KR100945517B1 (ko) | 2010-03-09 |
| NO20073279L (no) | 2007-08-30 |
| CN101061065A (zh) | 2007-10-24 |
| EP1820777A4 (en) | 2010-01-20 |
| US20090139446A1 (en) | 2009-06-04 |
| CA2587222C (en) | 2011-05-10 |
| CA2587222A1 (en) | 2006-06-08 |
| JP5007126B2 (ja) | 2012-08-22 |
| AU2005310598A1 (en) | 2006-06-08 |
| JPWO2006059632A1 (ja) | 2008-06-05 |
| KR20070060152A (ko) | 2007-06-12 |
| EP1820777A1 (en) | 2007-08-22 |
| AU2005310598B2 (en) | 2009-12-03 |
| RU2358905C2 (ru) | 2009-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2007120074A (ru) | Способ получения слитков поликристаллического кремния | |
| JP5815184B2 (ja) | インゴットおよびシリコンウェハ | |
| US9238877B2 (en) | Method for producing a silicon ingot by solidification of a melt comprising a nucleation agent including nanoscale particles | |
| TW200806827A (en) | Device and method for production of semiconductor grade silicon | |
| US20080152568A1 (en) | Method for producing crystallized silicon as well as crystallized silicon | |
| TW200526823A (en) | Process for obtaining monocrystalline gallium-containing nitride | |
| US8133319B2 (en) | Production process of periodic table group 13 metal nitride crystal and production method of semiconductor device using the same | |
| KR101048320B1 (ko) | 수소투과합금 및 그 제조방법 | |
| US9352969B2 (en) | Process for manufacturing silicon-based nanoparticles from metallurgical-grade silicon or refined metallurgical-grade silicon | |
| JP2007084422A (ja) | 第１３族金属窒化物結晶の製造方法、半導体デバイスの製造方法、およびこれらの製造方法に用いる溶液と融液 | |
| WO2003078319A1 (fr) | Procede pour purifier du silicium, silicium ainsi produit et cellule solaire | |
| JP2008162865A (ja) | 石英ガラスルツボ | |
| JP5252002B2 (ja) | 第１３族金属窒化物結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2013522160A (ja) | シリコンの純化方法 | |
| JPH0873297A (ja) | 太陽電池用基板材料の製法とこれを用いた太陽電池 | |
| JP2007045640A (ja) | 半導体バルク結晶の作製方法 | |
| JP5446975B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
| JP2015093798A (ja) | イリジウム製坩堝を用いた複合酸化物単結晶の製造方法 | |
| JP2008156185A (ja) | シリコン単結晶製造用原料とその製造方法ならびにシリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2005200279A (ja) | シリコンインゴットの製造方法、太陽電池 | |
| JP6095060B2 (ja) | Ｓｉ多結晶インゴットの製造方法 | |
| RU2400574C1 (ru) | Способ получения монокристаллов a3b5 | |
| JPS59169995A (ja) | ＨｇＣｄＴｅ単結晶の製造方法 | |
| JPS5932428B2 (ja) | 単結晶シリコン引上げ用窒化珪素製治具 | |
| JP2015093799A (ja) | イリジウム製坩堝を用いた複合酸化物単結晶の製造方法と白金坩堝を用いた複合酸化物原料の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20121201 |