JP5446975B2 - 単結晶成長装置 - Google Patents
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Description
QPMデバイスではLN単結晶ウェハー内に光密度の高いレーザー光が入射されるため、レーザー光を吸収するLN単結晶ウェハー中に存在する欠陥準位は出来る限り少ないことが望まれる。すなわちQPMデバイス用LN単結晶においては、欠陥準位の原因となる結晶欠陥を出来るだけ減少させることが重要とされている。
VB法では、CZ法と異なりLN単結晶を白金、Rh、Irなどの高融点金属からなるルツボ内でルツボ材料に接触させたまま固化し、そのままの状態で室温まで冷却する。
白金ルツボは、1250℃のLN融液を保持する機能が必要であり、固化した部分の白金ルツボが変形し破断すると、その上部のLN融液がルツボから漏洩するため、白金ルツボ自身が応力の発生に応じて変形するように、白金ルツボの肉厚そのものを薄くはできない。
LN単結晶を固化する際に、白金ルツボに接合しないようにすることが重要である。
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、単結晶育成において、雰囲気ガスを制御して、クラックの発生を無くし、安定的に良質の単結晶を得ることを目的とする。
することで、LN単結晶と白金ルツボの接合が防止されて、クラックレスなLN単結晶が再現性良く得られるようになった。
図1は、垂直フリッジマン(VB)法による本発明の単結晶成長装置構成図である。 図1に示すコップ型ルツボ本体1は、白金製で、例えば肉厚0.5mmで、内径53mm、高さ150mmであるが、肉厚としては、0.3〜0.5mmを用いることが多い。また、ルツボ本体1は、白金製でなく、本発明の結晶成長装置での使用環境である温度に耐える耐熱性を有するものであれば良く、アルミナ、コーデュエライト、ムライト、石英ガラス、窒化ホウ素、黒鉛の中の少なくとも1つを主成分とするものを用いることができる。
そして、炉心管11内は、ガス導入口21からガスを流入し、炉心管11内の酸素分圧が10Pa〜1kPa (0.0001〜0.01気圧)となるようにする。
その後、あらかじめ合成しておいた不定比組成LNの原料融液4(焼結体原料)を、φ2インチで高さ100mmの容積分を流し込みながら充填して、LN融点以上の温度(1250℃以上)で加熱する。
育成炉の温度分布はほとんど変化しないため、ステージ10による白金ルツボ1の下降に伴い、白金ルツボ1内の固液界面41は徐々に上昇する。
上記においては、育成炉の温度を変えることなく、徐々にステージ10により白金ルツボ1を下降させ、LN融液を固化する方法を用いた装置について説明をしたが、ルツボ本体の温度分布を変化させながら単結晶を成長させる方法として、白金ルツボ1は、位置を固定とし、温度分布を有したヒーター12を上昇移動させても良いし、ヒーター12の位置も固定として、ヒーター12の温度分布を、結晶成長に合わせて制御しても良い。
ガスの注入流量は、常に炉心管11内が正圧になるような流量であれば良く、ルツボ1の温度分布に影響を与えるような例えば10L /分以上の大流量は、育成に悪影響があるため、好ましくなかった。
本発明の別の実施例として、炉心管11内部の酸素分圧をコントロールするのではなく、酸素分圧の制御が必要は、ルツボ1内部のみの雰囲気ガスをコントロールする場合について、図2で説明する。
ルツボ1の上部には、ルツボ1と気密状態を保つことができるルツボ密閉蓋28を設ける。このルツボ密閉蓋28には、ガス制御部24とを接続するガス導入管25aがあり、ガス制御部24から流出する所定酸素分圧のガスを、ガス導入管25aを通じて、ルツボ1内に流入する。そして、ルツボ1に流入したガスは、ルツボ密閉蓋28と接続されたガス排出部22aから排気される。また、ルツボ1内の酸素分圧は、サンプリング管26bにより、ガス濃度センサ26で計測されるように構成されている。
21 ガス導入口
22 ガス排出口
3 種結晶
4 LN原料融液
5 LN単結晶
Claims (3)
- 結晶性物質の原料融液を保持する耐熱材料からなる白金ルツボ本体と、前記白金ルツボ本体の周囲に配置された側面ヒーターとを有し、前記白金ルツボ本体の温度分布を変化させながらLN単結晶を垂直ブリッジマン法で成長させる結晶の成長装置において、
前記白金ルツボ本体の周囲が導入ガスで満たされる空間と、
前記空間にガスを導入するガス導入部と、
前記白金ルツボ本体の周囲の前記空間の酸素分圧が10Pa〜1kPaとなるように制御する手段と
を有することを特徴とする結晶成長装置。 - 結晶性物質の原料融液を耐熱材料からなる白金ルツボ本体に投入し、前記白金ルツボ本体を所定の温度分布となるように加熱し、前記白金ルツボ本体の温度分布を変化させながらLN単結晶を垂直ブリッジマン法で成長させる結晶の成長方法において、
結晶成長中に、前記白金ルツボ本体の内部に投入されている原料融液と結晶成長したLN単結晶が、酸素分圧として10Pa〜1kPaとなる雰囲気で、
結晶を成長させることを特徴とする結晶成長方法。 - 請求項2に記載の結晶成長方法において、雰囲気ガスとして、不活性ガスを導入することを特徴とする単結晶成長方法。
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