RU2005108674A - Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок - Google Patents

Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок Download PDF

Info

Publication number
RU2005108674A
RU2005108674A RU2005108674/02A RU2005108674A RU2005108674A RU 2005108674 A RU2005108674 A RU 2005108674A RU 2005108674/02 A RU2005108674/02 A RU 2005108674/02A RU 2005108674 A RU2005108674 A RU 2005108674A RU 2005108674 A RU2005108674 A RU 2005108674A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
intensity
radiation
plasma
thin film
thin films
Prior art date
Application number
RU2005108674/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2324765C2 (ru
Inventor
Тосиаки КАКЕМУРА (JP)
Тосиаки КАКЕМУРА
Хирото КАСИМА (JP)
Хирото КАСИМА
Манабу ЦУДЗИНО (JP)
Манабу ЦУДЗИНО
Original Assignee
Топпан Принтинг Ко., Лтд. (Jp)
Топпан Принтинг Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2002287847A external-priority patent/JP4794800B2/ja
Priority claimed from JP2003282653A external-priority patent/JP4411896B2/ja
Application filed by Топпан Принтинг Ко., Лтд. (Jp), Топпан Принтинг Ко., Лтд. filed Critical Топпан Принтинг Ко., Лтд. (Jp)
Publication of RU2005108674A publication Critical patent/RU2005108674A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2324765C2 publication Critical patent/RU2324765C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Details Of Rigid Or Semi-Rigid Containers (AREA)

Claims (17)

1. Способ формирования тонких пленок посредством превращения в плазму газовой смеси, состоящей из газообразного мономера и окисляющего реагирующего газа, и формирования тонких пленок на поверхности подложки, причем тонкая пленка образована из оксида, включающий первую стадию формирования первой тонкой пленки путем превращения в плазму газовой смеси при изменении соотношения величины потока газообразного мономера относительно реагирующего газа при условии, что соотношение величин потоков находится по меньшей мере в установленном диапазоне.
2. Способ по п.1, в котором соотношение величин потоков непрерывно уменьшается на первой стадии формирования тонкой пленки.
3. Способ по п.2, в котором исходное значение соотношения величин потоков на первой стадии формирования тонкой пленки находится в диапазоне от 0,02 до 0,2.
4. Способ по п.2 или 3, дополнительно включающий вторую стадию формирования тонкой пленки при увеличении соотношения величин потоков после первой стадии формирования тонкой пленки.
5. Способ по п.4, в котором газовая смесь превращается в плазму при управлении отраженной мощностью так, чтобы она составляла 10% или менее, от подаваемой высокочастотной мощности, причем отраженная мощность генерируется при подаче высокочастотного питания с частотой 100 МГц или ниже на высокочастотный электрод через схему согласования импедансов.
6. Устройство для формирования тонких пленок посредством превращения в плазму газовой смеси, состоящей из газообразного мономера и реагирующего окисляющего газа, и формирования тонких пленок на внутренней поверхности цилиндрических емкостей, имеющих закрытый конец, причем тонкая пленка образована из оксида, включающее множество камер для формирования тонких пленок, каждая из которых снабжена цилиндрическим высокочастотным электродом, один конец которого закрыт, так, чтобы цилиндрическая емкость могла быть размещена на внутренней поверхности высокочастотного электрода, а также снабжена заземленным электродом, размещенным в цилиндрической емкости, причем заземленный электрод имеет в своей концевой части газогенерирующий порт, выполненный с возможностью генерирования газовой смеси; блок высокочастотного электропитания, снабженный схемой согласования импедансов, и источником высокочастотного электропитания, подающим высокочастотное питание на высокочастотный электрод через схему согласования импедансов; и блок управления величинами потоков для регулирования соотношения величин потоков газообразного мономера и реакционного газа, содержащихся в газовой смеси, при этом: высокочастотное питание с блока высокочастотного питания подается к множеству камер для формирования тонких пленок.
7. Устройство по п.6, в котором съемная вставка, образованная изолирующим материалом, расположена между цилиндрической емкостью и высокочастотным электродом.
8. Устройство по п.6 или 7, в котором газогенерирующий порт имеет, по меньшей мере, одно отверстие с диаметром 5 мм или менее и/или прорезь, ширина которой 0,5 мм или менее.
9. Устройство по п.8, в котором средняя поверхностная шероховатость внешней поверхности заземленного электрода составляет от 5 до 50 мкм.
10. Устройство по п.9, в котором по меньшей мере на части внешней поверхности заземленного электрода предусмотрена съемная защитная трубка, и средняя поверхностная шероховатость внешней поверхности защитной трубки составляет от 5 до 50 мкм.
11. Устройство по п.10, в котором на внешнюю поверхность, имеющую среднюю поверхностную шероховатость, напылен металлический или керамический материал.
12. Способ мониторинга процесса формирования тонких пленок посредством превращения в плазму газовой смеси, состоящей из газообразного кремнийорганического соединения и окисляющего газа, и формирования тонкой пленки оксида кремния на поверхности подложки, включающий измерение интенсивности альфа лучей водорода, испускаемых плазмой и интенсивности излучения кислорода; сравнение интенсивности альфа лучей водорода и интенсивности излучения кислорода с уже измеренной интенсивностью альфа лучей водорода и уже измеренной интенсивностью излучения кислорода, при которых тонкая пленка оксида кремния имеет желаемое качество поверхности; и определение сформирована ли тонкая пленка оксида кремния, обладающая желаемым качеством поверхности.
13. Способ по п.12, в котором интенсивность альфа лучей водорода и интенсивность излучения кислорода измеряют посредством выделения излучения, которое имеет определенный диапазон длин волн, из всего излучения, испускаемого плазмой, и измерения интенсивности выделенного излучения.
14. Способ по п.12, в котором интенсивность альфа лучей водорода и интенсивность излучения кислорода измеряют путем измерения интенсивности излучения, которое имеет диапазон длин волн 656±5 нм и интенсивности излучения, которое имеет диапазон длин волн 777±5 нм, среди всего излучения, испускаемого плазмой.
15. Устройство для формирования тонких пленок, включающее камеру для превращения в плазму газовой смеси, состоящей из газообразного кремнийорганического вещества и окисляющего газа, и для формирования тонкой пленки оксида кремния на поверхности подложки; измеряющий блок для измерения интенсивности альфа лучей водорода и интенсивности излучения кислорода, причем оба вида излучения испускаются плазмой в камере; блок хранения для записи интенсивности альфа лучей водорода и интенсивности излучения кислорода, при которых тонкая кремнийорганическая пленка имеет предварительно определенное желаемое качество поверхности; и определяющий блок для определения находится ли измеренная интенсивность альфа лучей водорода и измеренная интенсивность излучения кислорода в установленном диапазоне, путем сравнения измеренной интенсивности альфа лучей водорода с интенсивностью альфа лучей водорода в блоке хранения, и путем сравнения интенсивности излучения кислорода, измеренной измеряющим блоком, с интенсивностью излучения кислорода, которая записана в блоке хранения.
16. Устройство по п.15, в котором измеряющий блок снабжен полосовым фильтром, для выделения только того излучения, которое имеет определенный диапазон длин волн, из всего излучения, испускаемого плазмой в камере.
17. Устройство по п.15, в котором измеряющий блок включает в себя первый полосовой фильтр, пропускание которого для излучения, имеющего длину волны за пределами диапазона 656±5, составляет 1% или ниже; второй полосовой фильтр, пропускание которого для излучения, имеющего длину волны за пределами диапазона 777±5, составляет 1% или ниже; первый светочувствительный элемент, который воспринимает излучение, прошедшее через первый полосовой фильтр; и второй светочувствительный элемент, который воспринимает излучение, прошедшее через второй полосовой фильтр.
RU2005108674/02A 2002-09-30 2003-09-26 Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок RU2324765C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002287847A JP4794800B2 (ja) 2002-09-30 2002-09-30 薄膜成膜方法および薄膜成膜装置
JP2002-287847 2002-09-30
JP2003282653A JP4411896B2 (ja) 2003-07-30 2003-07-30 薄膜成膜プロセスの監視方法および薄膜成膜装置
JP2003-282653 2003-07-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2005108674A true RU2005108674A (ru) 2006-01-20
RU2324765C2 RU2324765C2 (ru) 2008-05-20

Family

ID=32072467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005108674/02A RU2324765C2 (ru) 2002-09-30 2003-09-26 Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8062716B2 (ru)
EP (1) EP1548149B1 (ru)
CN (1) CN100445423C (ru)
AU (1) AU2003272894A1 (ru)
ES (1) ES2430268T3 (ru)
RU (1) RU2324765C2 (ru)
WO (1) WO2004031440A1 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006032568A1 (de) * 2006-07-12 2008-01-17 Stein, Ralf Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung an der Innenwand eines Hohlkörpers
DE102008037159A1 (de) * 2008-08-08 2010-02-11 Krones Ag Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Hohlkörpern
DE102010012501A1 (de) * 2010-03-12 2011-09-15 Khs Corpoplast Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
JP4889834B2 (ja) * 2010-05-13 2012-03-07 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及び方法
DE102011009056B4 (de) * 2011-01-20 2016-04-07 Schott Ag Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Hohlkörpern
DE102012204690A1 (de) * 2012-03-23 2013-09-26 Krones Ag Vorrichtung zum Plasmabeschichten von Füllgutbehältern, wie Flaschen
DE102017108992A1 (de) * 2017-04-26 2018-10-31 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zur Innenbeschichtung von Behältern

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6289869A (ja) * 1985-10-15 1987-04-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 硬質炭素膜の気相合成法
JPS6293382A (ja) * 1985-10-21 1987-04-28 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
ZA884511B (en) 1987-07-15 1989-03-29 Boc Group Inc Method of plasma enhanced silicon oxide deposition
US4888199A (en) 1987-07-15 1989-12-19 The Boc Group, Inc. Plasma thin film deposition process
CA2048168A1 (en) 1990-08-03 1992-02-04 John T. Felts Silicon oxide based thin film vapour barriers
FR2711556B1 (fr) * 1993-10-29 1995-12-15 Atohaas Holding Cv Procédé de dépôt d'une couche mince sur la surface d'un substrat en matière plastique.
JP2788412B2 (ja) 1994-08-11 1998-08-20 麒麟麦酒株式会社 炭素膜コーティングプラスチック容器の製造装置および製造方法
JPH08146358A (ja) 1994-11-25 1996-06-07 Balzers Ag 眼鏡用プラスチックレンズ
JP3022229B2 (ja) 1994-12-26 2000-03-15 東洋製罐株式会社 プラスチックス材料からなる立体形状の容器に均一の膜厚の珪素酸化物被膜を形成する方法
DE19516669A1 (de) * 1995-05-05 1996-11-07 Siemens Ag Verfahren zur Abscheidung einer Siliziumoxidschicht
JPH08316214A (ja) * 1995-05-24 1996-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
JPH10168575A (ja) 1996-12-11 1998-06-23 Canon Inc 非晶質シリコン系感光体形成装置および形成方法
US6152071A (en) * 1996-12-11 2000-11-28 Canon Kabushiki Kaisha High-frequency introducing means, plasma treatment apparatus, and plasma treatment method
JPH11181570A (ja) * 1997-12-17 1999-07-06 Toshiba Corp プラズマcvd装置用電極板及びその表面処理方法
JP4158265B2 (ja) * 1999-03-10 2008-10-01 凸版印刷株式会社 プラスチック容器の製造方法及び容器
RU2165476C2 (ru) 1999-07-27 2001-04-20 Омский государственный университет Способ нанесения пленок аморфного кремния и устройство для его осуществления
JP3925025B2 (ja) * 2000-02-01 2007-06-06 凸版印刷株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP2001335945A (ja) 2000-05-24 2001-12-07 Mitsubishi Shoji Plast Kk Cvd成膜装置及びcvd成膜方法
RU2188878C2 (ru) 2000-07-19 2002-09-10 Омский государственный университет Способ нанесения пленок аморфного кремния и устройство для его осуществления
JP4595276B2 (ja) * 2000-12-25 2010-12-08 東洋製罐株式会社 マイクロ波プラズマ処理方法及び装置
US6905940B2 (en) * 2002-09-19 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method using TEOS ramp-up during TEOS/ozone CVD for improved gap-fill

Also Published As

Publication number Publication date
US8062716B2 (en) 2011-11-22
US20050271818A1 (en) 2005-12-08
RU2324765C2 (ru) 2008-05-20
CN1685079A (zh) 2005-10-19
WO2004031440A1 (ja) 2004-04-15
AU2003272894A1 (en) 2004-04-23
EP1548149B1 (en) 2013-09-11
EP1548149A1 (en) 2005-06-29
EP1548149A4 (en) 2011-04-13
CN100445423C (zh) 2008-12-24
ES2430268T3 (es) 2013-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4664747A (en) Surface processing apparatus utilizing local thermal equilibrium plasma and method of using same
US5006220A (en) Electrode for use in the treatment of an object in a plasma
JP4788917B2 (ja) プラズマアッシング装置及び終了点検出プロセス
TWI253702B (en) Monitoring an effluent from a chamber
JP2006505687A (ja) 基板処理チャンバ用の要素及びその製造方法
MXPA03002733A (es) Metodo y dispositivo para producir oxigeno singulete.
RU2005108674A (ru) Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок
JP2001059899A (ja) X線蛍光体製作方法及びx線蛍光体形成用基板
JPH09192479A (ja) プラズマ処理装置および方法
JP2006086325A (ja) クリーニングの終点検出方法
US6143125A (en) Apparatus and method for dry etching
JPS5884431A (ja) プラズマエツチング装置
JP4127435B2 (ja) 原子状ラジカル測定方法及び装置
JP3199306B2 (ja) プラズマ処理装置および方法
Takizawa et al. Characteristics of C 3 radicals in high-density C 4 F 8 plasmas studied by laser-induced fluorescence spectroscopy
JPH05102089A (ja) ドライエツチング方法
KR100272881B1 (ko) 기상성장방법및성장장치
JP2000124199A (ja) プラズマ処理装置における炭素原子ラジカル測定用炭素原子光発生装置
JPS591673A (ja) 薄膜形成装置
Dowling et al. The effect of atomic hydrogen on diamond-like carbon film production
Tomčik et al. Kinetics of the diamond-like film deposition on glass fibers
JPH10144666A (ja) プラズマ処理装置のクリ−ニング方法
JP4078868B2 (ja) 真空紫外光照射装置
JP3111096B2 (ja) Cvd薄膜形成装置
Cheshire et al. Correlation of molecular hydrogen dissociation and the film quality of diamondlike carbon in plasma enhanced chemical vapor deposition

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190927