JPH08146358A - 眼鏡用プラスチックレンズ - Google Patents
眼鏡用プラスチックレンズInfo
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- JPH08146358A JPH08146358A JP6291123A JP29112394A JPH08146358A JP H08146358 A JPH08146358 A JP H08146358A JP 6291123 A JP6291123 A JP 6291123A JP 29112394 A JP29112394 A JP 29112394A JP H08146358 A JPH08146358 A JP H08146358A
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- Japan
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- layer
- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラスチックレンズの屈折率ごとにハードコ
ート液を使用せずに、一つの装置で複数の屈折率を持つ
硬質層を形成させることで一貫した製造方法を提供す
る。 【構成】 プラスチックレンズ基材上に屈折率を変化さ
せる層、硬質層、反射防止膜、水ヤケ防止コート等を具
備する眼鏡用プラスチックレンズ。
ート液を使用せずに、一つの装置で複数の屈折率を持つ
硬質層を形成させることで一貫した製造方法を提供す
る。 【構成】 プラスチックレンズ基材上に屈折率を変化さ
せる層、硬質層、反射防止膜、水ヤケ防止コート等を具
備する眼鏡用プラスチックレンズ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマＣＶＤ法によ
り眼鏡プラスチックレンズ基材上に形成したハードコー
ト膜に関するものである。
り眼鏡プラスチックレンズ基材上に形成したハードコー
ト膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、眼鏡プラスチックレンズ基材上に
ハードコートを形成する方法としては、まず有機シリコ
ーン被膜をディッピング法（浸漬処理）により形成した
後、反射防止膜を真空蒸着法により形成している。
ハードコートを形成する方法としては、まず有機シリコ
ーン被膜をディッピング法（浸漬処理）により形成した
後、反射防止膜を真空蒸着法により形成している。
【０００３】ＪＰ５−１４０３５６特許は、接着及び表
面硬度を高めるためプラズマＣＶＤ法により自動車用の
透明なプラスチック窓ガラス上にＳｉＯｘ膜を形成する
方法を示している。我々はプラスチック眼鏡レンズ上に
ハードコートを形成するためこの方法を適用した。しか
しながら、この方法は我々の目的には適していなかっ
た。それはこのフィルムが熱水テスト（８０℃，１０
分）において容易に剥離したからである。またさらに、
この特許において、硬質層を形成する方法のみが記載さ
れており、さまざまな屈折率を有するプラスチック眼鏡
レンズの干渉縞を抑制するため硬質層にモノマーを適合
させる記載は全くみられない。
面硬度を高めるためプラズマＣＶＤ法により自動車用の
透明なプラスチック窓ガラス上にＳｉＯｘ膜を形成する
方法を示している。我々はプラスチック眼鏡レンズ上に
ハードコートを形成するためこの方法を適用した。しか
しながら、この方法は我々の目的には適していなかっ
た。それはこのフィルムが熱水テスト（８０℃，１０
分）において容易に剥離したからである。またさらに、
この特許において、硬質層を形成する方法のみが記載さ
れており、さまざまな屈折率を有するプラスチック眼鏡
レンズの干渉縞を抑制するため硬質層にモノマーを適合
させる記載は全くみられない。
【０００４】ＥＰ２０３７３０特許は、光学用基材上に
まず従来のディッピングにより有機シリコーン化合物膜
を、次いで反射防止膜を、そして最後に有機疎水性膜を
形成する方法を示している。最初の方法（ハードコーテ
ィング）は従来のディッピング法のため多くの時間を必
要とし、さらにハードコーティングから疎水性層処理ま
での工程は連続して行なうことができない。それは第一
の工程を第二の工程、すなわち真空蒸着に変える際にハ
ードコートした基材を空気にさらさねばならないからで
ある。ＥＰ２０３７３０特許は、プラズマＣＶＤ法によ
りプラスチック眼鏡レンズ上に硬質層を形成する新規な
方法である我々の発明のような技術を全く示唆していな
い。
まず従来のディッピングにより有機シリコーン化合物膜
を、次いで反射防止膜を、そして最後に有機疎水性膜を
形成する方法を示している。最初の方法（ハードコーテ
ィング）は従来のディッピング法のため多くの時間を必
要とし、さらにハードコーティングから疎水性層処理ま
での工程は連続して行なうことができない。それは第一
の工程を第二の工程、すなわち真空蒸着に変える際にハ
ードコートした基材を空気にさらさねばならないからで
ある。ＥＰ２０３７３０特許は、プラズマＣＶＤ法によ
りプラスチック眼鏡レンズ上に硬質層を形成する新規な
方法である我々の発明のような技術を全く示唆していな
い。
【０００５】６２−２４７３０２特許は、表面が疎水性
となる非有機反射防止膜上に有機シラザン化合物膜を形
成する方法を示している。この特許は、首尾一貫したプ
ロセスラインを形成することの可能性を全く示していな
い。我々の発明は首尾一貫したプロセスラインが可能で
ある。
となる非有機反射防止膜上に有機シラザン化合物膜を形
成する方法を示している。この特許は、首尾一貫したプ
ロセスラインを形成することの可能性を全く示していな
い。我々の発明は首尾一貫したプロセスラインが可能で
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な従来法により得られた有機シリコーン被膜（ハードコ
ート）はプラスチックレンズ自体の高屈折率化に伴い、
これに対応する屈折率を開発しなければならず、開発費
用の負担が重くなってきているのが現状である。また、
ディッピング装置の設備等はプラスチックレンズの屈折
率ごとに対応する設備になるため、製造工場においては
複数のディッピング装置を設置しなければならず設備の
原価償却費が毎年増大する傾向である。さらに、最近で
は特注品を受注する傾向になってきているため、眼鏡レ
ンズのような１ペア（２枚）で受注し、そのまま製造工
場の一貫製造ラインを流れる工程などが検討されてい
る。しかし、従来からのような複数台設置するディッピ
ング装置ラインを持つことは、一貫生産製造システムを
考慮した場合、非常に生産効率が悪くなる欠点を有して
いる。また、従来のディッピングによるハードコートを
行う場合、コートする前の表面処理として、アルカリ溶
液に浸すような表面の活性化処理等が不可欠であり、最
近、環境問題などからこれらに使用される廃液処理等の
問題が起こり始めている。さらにまた、従来のハードコ
ートの製造工程では縮合硬化工程が必須であり、この工
程に費やされる時間が数時間要するため、納期の短縮化
を計る上で非常に重要な改善上の問題となっている。
な従来法により得られた有機シリコーン被膜（ハードコ
ート）はプラスチックレンズ自体の高屈折率化に伴い、
これに対応する屈折率を開発しなければならず、開発費
用の負担が重くなってきているのが現状である。また、
ディッピング装置の設備等はプラスチックレンズの屈折
率ごとに対応する設備になるため、製造工場においては
複数のディッピング装置を設置しなければならず設備の
原価償却費が毎年増大する傾向である。さらに、最近で
は特注品を受注する傾向になってきているため、眼鏡レ
ンズのような１ペア（２枚）で受注し、そのまま製造工
場の一貫製造ラインを流れる工程などが検討されてい
る。しかし、従来からのような複数台設置するディッピ
ング装置ラインを持つことは、一貫生産製造システムを
考慮した場合、非常に生産効率が悪くなる欠点を有して
いる。また、従来のディッピングによるハードコートを
行う場合、コートする前の表面処理として、アルカリ溶
液に浸すような表面の活性化処理等が不可欠であり、最
近、環境問題などからこれらに使用される廃液処理等の
問題が起こり始めている。さらにまた、従来のハードコ
ートの製造工程では縮合硬化工程が必須であり、この工
程に費やされる時間が数時間要するため、納期の短縮化
を計る上で非常に重要な改善上の問題となっている。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決し、従来から
行われているウェット方式であるディッピングによるハ
ードコートを用いず、同一製造工程においてハードコー
ト及びその上に形成する反射防止膜、さらにまた、その
上に水ヤケ防止コートなる撥水性を持つ薄膜までを一貫
して処理する新規な製造方法を提供することにある。
行われているウェット方式であるディッピングによるハ
ードコートを用いず、同一製造工程においてハードコー
ト及びその上に形成する反射防止膜、さらにまた、その
上に水ヤケ防止コートなる撥水性を持つ薄膜までを一貫
して処理する新規な製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題をＰ
ＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を使
った薄膜形成方法により解決した。
ＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を使
った薄膜形成方法により解決した。
【０００９】本発明においては、減圧容器内にアルコキ
シ基含有有機チタン化合物及びアルコキシ基含有有機珪
素化合物の各モノマーを気体状態にし、これをプラズマ
雰囲気の減圧容器に導入し、基材上にそれらのモノマー
からプラズマ反応で生成される形成化合物を屈折率を変
化させながら薄膜堆積させていくことにより、基材とハ
ードコートとの間に、中間的なマッチング層を形成し、
その上に本来のハードコートであるアルコキシ基含有有
機珪素化合物薄膜を形成する。さらに、その上に反射防
止膜を形成している。また、必要に応じて反射防止膜上
にさらにフッ素系及び／または珪素系有機化合物からな
る撥水性の薄膜を形成することもできる。
シ基含有有機チタン化合物及びアルコキシ基含有有機珪
素化合物の各モノマーを気体状態にし、これをプラズマ
雰囲気の減圧容器に導入し、基材上にそれらのモノマー
からプラズマ反応で生成される形成化合物を屈折率を変
化させながら薄膜堆積させていくことにより、基材とハ
ードコートとの間に、中間的なマッチング層を形成し、
その上に本来のハードコートであるアルコキシ基含有有
機珪素化合物薄膜を形成する。さらに、その上に反射防
止膜を形成している。また、必要に応じて反射防止膜上
にさらにフッ素系及び／または珪素系有機化合物からな
る撥水性の薄膜を形成することもできる。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて用いられる透明樹脂基材は、ポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート及びその共重合体、ジエチレ
ングリコールビスアリルカーボネート（ＣＲ−３９）、
ポリエステル、特にポリエチレンテレフタレート及び不
飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合
体、塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ハロゲ
ン（但し、フッ素を除く）及びヒドロキシ基を含有する
モノまたはジ（メタ）アクリレートとイソシアネート化
合物の付加重合体またはその共重合体等から任意に選択
されるが、好ましくはＣＲ−３９、ポリウレタン、ハロ
ゲン（但し、フッ素を除く）及びヒドロキシ基を含有す
るモノまたはジ（メタ）アクリレートとイソシアネート
化合物の付加重合体またはその共重合体が使用される。
おいて用いられる透明樹脂基材は、ポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート及びその共重合体、ジエチレ
ングリコールビスアリルカーボネート（ＣＲ−３９）、
ポリエステル、特にポリエチレンテレフタレート及び不
飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合
体、塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ハロゲ
ン（但し、フッ素を除く）及びヒドロキシ基を含有する
モノまたはジ（メタ）アクリレートとイソシアネート化
合物の付加重合体またはその共重合体等から任意に選択
されるが、好ましくはＣＲ−３９、ポリウレタン、ハロ
ゲン（但し、フッ素を除く）及びヒドロキシ基を含有す
るモノまたはジ（メタ）アクリレートとイソシアネート
化合物の付加重合体またはその共重合体が使用される。
【００１１】透明樹脂基材に屈折率を変化させる層及び
／または硬質層を形成する場合、それらの形成材料とし
て、Ｔｉ系及び／またはＳｉ系アルコキシ基含有有機化
合物モノマーと酸素ガスを真空室へ導入し、プラズマ雰
囲気中で反応させ、透明樹脂基材に薄膜を堆積させる。
／または硬質層を形成する場合、それらの形成材料とし
て、Ｔｉ系及び／またはＳｉ系アルコキシ基含有有機化
合物モノマーと酸素ガスを真空室へ導入し、プラズマ雰
囲気中で反応させ、透明樹脂基材に薄膜を堆積させる。
【００１２】本発明において使用されるプラズマＣＶＤ
法は、原料ガスに熱エネルギー及び電気的エネルギーを
与えることにより放電させ、そのプラズマ雰囲気中の非
熱平行状態において反応を促進させ、基板上に薄膜を堆
積させる方法であり、通常使われてるものには平行平板
電極型、容量結合型または誘導結合型等が用いられる。
特に本発明においては、真空室の垂直方向にカソードと
アノードを対向的に配置し、真空室外の上下方向に電磁
コイルを配置し、カソードとアノードとの間に、カロー
セルタイプの基板ホルダーを垂直に設けるプラズマ促進
ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法により形成することが好適であ
る。つまり、この方法によれば、プラズマ密度を透明樹
脂基板へのイオン損傷なしに広範囲に均一化させられる
ため、眼鏡用プラスチックレンズなどには非常に最適な
手法である。
法は、原料ガスに熱エネルギー及び電気的エネルギーを
与えることにより放電させ、そのプラズマ雰囲気中の非
熱平行状態において反応を促進させ、基板上に薄膜を堆
積させる方法であり、通常使われてるものには平行平板
電極型、容量結合型または誘導結合型等が用いられる。
特に本発明においては、真空室の垂直方向にカソードと
アノードを対向的に配置し、真空室外の上下方向に電磁
コイルを配置し、カソードとアノードとの間に、カロー
セルタイプの基板ホルダーを垂直に設けるプラズマ促進
ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法により形成することが好適であ
る。つまり、この方法によれば、プラズマ密度を透明樹
脂基板へのイオン損傷なしに広範囲に均一化させられる
ため、眼鏡用プラスチックレンズなどには非常に最適な
手法である。
【００１３】本発明において屈折率を変化させる層及び
／又は硬質層に用いられるＴｉ系、及びＳｉ系アルコキ
シ基含有有機化合物において、Ｔｉ系での例はチタニウ
ムイソプロピレート、チタニウムブチレート、テトライ
ソプロポキシチタン、テトラｎ−ブチルチタネート、テ
トラ（２−エチルヘキシル）チタネート、ジエトキシチ
タンビス（アセチルアセトネート）、チタンジアセチル
アセトネート、チタンジアセチルアセテート、チタンオ
クチルグリコート、チタンラクテート、チタンラクテー
トエチルエステル、チタントリエタノールアミネート等
が上げられる。また、Ｓｉ系の例ではテトラエトキシシ
ラン、テトラメチルジシロキサン、ジメトキシジメチル
シラン、メチルトリメトキシシラン、テトラメトキシシ
ラン、エチルトリメトキシシラン、ジエトキシジメチル
シラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシク
ロテトラシラン等が好適に用いられる。これらのＴｉ系
及びＳｉ系アルコキシ基含有有機化合物はその一種類を
単独で用いても良く、二種類以上を併用してもよい。
／又は硬質層に用いられるＴｉ系、及びＳｉ系アルコキ
シ基含有有機化合物において、Ｔｉ系での例はチタニウ
ムイソプロピレート、チタニウムブチレート、テトライ
ソプロポキシチタン、テトラｎ−ブチルチタネート、テ
トラ（２−エチルヘキシル）チタネート、ジエトキシチ
タンビス（アセチルアセトネート）、チタンジアセチル
アセトネート、チタンジアセチルアセテート、チタンオ
クチルグリコート、チタンラクテート、チタンラクテー
トエチルエステル、チタントリエタノールアミネート等
が上げられる。また、Ｓｉ系の例ではテトラエトキシシ
ラン、テトラメチルジシロキサン、ジメトキシジメチル
シラン、メチルトリメトキシシラン、テトラメトキシシ
ラン、エチルトリメトキシシラン、ジエトキシジメチル
シラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシク
ロテトラシラン等が好適に用いられる。これらのＴｉ系
及びＳｉ系アルコキシ基含有有機化合物はその一種類を
単独で用いても良く、二種類以上を併用してもよい。
【００１４】また、本発明において水ヤケ防止コートに
用いられる有機シラザン化合物として下記単位式 Ｃp Ｆ2p+1ＣＨ2 ＣＨ2 Ｓｉ（ＮＨ）1.5 （上式中、ｐは正の整数である）で表わされるものが好
適に用いられる。
用いられる有機シラザン化合物として下記単位式 Ｃp Ｆ2p+1ＣＨ2 ＣＨ2 Ｓｉ（ＮＨ）1.5 （上式中、ｐは正の整数である）で表わされるものが好
適に用いられる。
【００１５】次に、本発明による具体的な製造方法を以
下に示す。Ｔｉ系、及びＳｉ系アルコキシ基含有有機化
合物が入ったモノマー容器が真空室に接続されており、
この容器を外部から加熱することにより、気化させて真
空室へ導入すると同時に酸素ガスも導入する。その時の
各々のガスの流量はそれぞれの目的にあったものを適宜
に選択すればよいが、好ましくは、Ｓｉ系アルコキシ基
含有有機化合物のガスの場合は８０〜２００ＳＣＣＭ、
Ｔｉ系アルコキシ基含有有機化合物のガスの場合は３０
〜２００ＳＣＣＭ、また、酸素ガスは５０〜２００ＳＣ
ＣＭをそれぞれ単独若しくは併用させて真空室へ流す。
また、この際の真空室内の圧力を０．５〜２．５Ｐａの
範囲で安定させ、カソード側に高周波２〜３．５KWを印
加する。それと同時に、真空室外部に設置されている電
磁石コイルに電流を流し、プラズマ雰囲気中に磁界がか
かるようにして低気圧アーク放電を安定化させる。ま
た、このような磁界のかけ方により、対向する電極の間
には電場が起こり、プラズマ中のイオンは基板ホルダー
側に加速される。また、この電場により、プラズマ密度
が均一化され、基板へのイオン損傷および温度上昇など
が抑制できる。従って、特にプラスチックレンズのよう
な基板材料に薄膜を形成させる場合、イオン損傷により
側鎖基が破断されやすい材料や耐熱性の低い材料などを
扱う場合、非常に有効な薄膜形成が可能となる。以上こ
のような手法により、プラスチックレンズ上に直接Ｔｉ
系及び／又はＳｉ系含有有機化合物薄膜からなる硬質層
及び／又は屈折率を変化させる層を形成することができ
る。さらには、物理的な蒸着法により、反射防止膜をこ
の上に形成させることができる。さらにまた、反射防止
膜の上に水ヤケ防止コートを有機シラザン化合物を用い
て、浸漬処理（ディッピングコート）あるいは真空蒸着
法あるいはＣＶＤ法等により形成させることができる。
特に屈折率を変化させる層を形成する場合は、モノマー
ガス導入時の流量及び／又は高周波出力（ＲＦパワー）
を正確に制御することにより、同じ薄膜内部において連
続的な屈折率を変化させることが可能となる。
下に示す。Ｔｉ系、及びＳｉ系アルコキシ基含有有機化
合物が入ったモノマー容器が真空室に接続されており、
この容器を外部から加熱することにより、気化させて真
空室へ導入すると同時に酸素ガスも導入する。その時の
各々のガスの流量はそれぞれの目的にあったものを適宜
に選択すればよいが、好ましくは、Ｓｉ系アルコキシ基
含有有機化合物のガスの場合は８０〜２００ＳＣＣＭ、
Ｔｉ系アルコキシ基含有有機化合物のガスの場合は３０
〜２００ＳＣＣＭ、また、酸素ガスは５０〜２００ＳＣ
ＣＭをそれぞれ単独若しくは併用させて真空室へ流す。
また、この際の真空室内の圧力を０．５〜２．５Ｐａの
範囲で安定させ、カソード側に高周波２〜３．５KWを印
加する。それと同時に、真空室外部に設置されている電
磁石コイルに電流を流し、プラズマ雰囲気中に磁界がか
かるようにして低気圧アーク放電を安定化させる。ま
た、このような磁界のかけ方により、対向する電極の間
には電場が起こり、プラズマ中のイオンは基板ホルダー
側に加速される。また、この電場により、プラズマ密度
が均一化され、基板へのイオン損傷および温度上昇など
が抑制できる。従って、特にプラスチックレンズのよう
な基板材料に薄膜を形成させる場合、イオン損傷により
側鎖基が破断されやすい材料や耐熱性の低い材料などを
扱う場合、非常に有効な薄膜形成が可能となる。以上こ
のような手法により、プラスチックレンズ上に直接Ｔｉ
系及び／又はＳｉ系含有有機化合物薄膜からなる硬質層
及び／又は屈折率を変化させる層を形成することができ
る。さらには、物理的な蒸着法により、反射防止膜をこ
の上に形成させることができる。さらにまた、反射防止
膜の上に水ヤケ防止コートを有機シラザン化合物を用い
て、浸漬処理（ディッピングコート）あるいは真空蒸着
法あるいはＣＶＤ法等により形成させることができる。
特に屈折率を変化させる層を形成する場合は、モノマー
ガス導入時の流量及び／又は高周波出力（ＲＦパワー）
を正確に制御することにより、同じ薄膜内部において連
続的な屈折率を変化させることが可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により具体
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。
的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるもの
ではない。
【００１７】実施例１ ＣＲ−３９レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、Ｂａ
ｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置し、
２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエトキ
シシランのガスを流量１００ＳＣＣＭ流し、真空室の圧
力が０．７Ｐａになるまで導入し、外部電磁石コイルに
５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波出力２KW
を３分間印加する。その後、カソードの高周波出力を段
階的に４０Ｗ／min の割合で徐々に上げていき、１２分
間で２．５KWに達するように制御する。この１２分間の
間のモノマーガスの流量は１８０ＳＣＣＭにして一定に
しておき、この工程において、屈折率を変化させる層を
形成した。この時、形成された薄膜の屈折率を分光光度
計で測定したところ、レンズ界面側でｎd １．５０、媒
質（空気）側でｎd １．４８であった。
ｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置し、
２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエトキ
シシランのガスを流量１００ＳＣＣＭ流し、真空室の圧
力が０．７Ｐａになるまで導入し、外部電磁石コイルに
５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波出力２KW
を３分間印加する。その後、カソードの高周波出力を段
階的に４０Ｗ／min の割合で徐々に上げていき、１２分
間で２．５KWに達するように制御する。この１２分間の
間のモノマーガスの流量は１８０ＳＣＣＭにして一定に
しておき、この工程において、屈折率を変化させる層を
形成した。この時、形成された薄膜の屈折率を分光光度
計で測定したところ、レンズ界面側でｎd １．５０、媒
質（空気）側でｎd １．４８であった。
【００１８】実施例２ ＣＲ−３９レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、Ｂａ
ｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置し、
２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエトキ
シシランのガスを流量１８０ＳＣＣＭと酸素ガスを流量
５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．１Ｐａになって
流量が安定したところで、外部電磁石コイルに５Ａの電
流を流すと同時に、カソードに高周波出力２．５KWを２
０分間印加して硬質層を形成し、さらに、酸素ガスの流
量を１００ＳＣＣＭに増加して、真空室の圧力が２．５
Ｐａになると同時に、カソードの高周波出力を３KWに上
げて、引き続き２０分間硬質層を形成し、最後に、酸素
ガスの流量を２００ＳＣＣＭに増加して、さらにまた２
０分間硬質層を形成した。その時、形成された薄膜の屈
折率を分光光度計で測定したところ、ｎd １．５０であ
った。
ｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置し、
２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエトキ
シシランのガスを流量１８０ＳＣＣＭと酸素ガスを流量
５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．１Ｐａになって
流量が安定したところで、外部電磁石コイルに５Ａの電
流を流すと同時に、カソードに高周波出力２．５KWを２
０分間印加して硬質層を形成し、さらに、酸素ガスの流
量を１００ＳＣＣＭに増加して、真空室の圧力が２．５
Ｐａになると同時に、カソードの高周波出力を３KWに上
げて、引き続き２０分間硬質層を形成し、最後に、酸素
ガスの流量を２００ＳＣＣＭに増加して、さらにまた２
０分間硬質層を形成した。その時、形成された薄膜の屈
折率を分光光度計で測定したところ、ｎd １．５０であ
った。
【００１９】実施例３ ＣＲ−３９レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、Ｂａ
ｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置し、
２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエトキ
シシランのガスを流量１００ＳＣＣＭ流し、真空室の圧
力が０．７Ｐａになるまで導入し、外部電磁石コイルに
５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波出力２KW
を３分間印加する。その後、カソードの高周波出力を段
階的に４０Ｗ／min の割合で徐々に上げていき、１２分
間で２．５KWに達するように制御する。この１２分間の
間のモノマーガスの流量は１８０ＳＣＣＭにして一定に
しておき、この工程において屈折率を変化させる層を形
成した。続いて酸素ガス流量を真空室に５０ＳＣＣＭ流
し、真空室圧力を２．１Ｐａにして２０分間硬質層を形
成した後、酸素ガス流量を１００ＳＣＣＭに増加して、
真空室へ流し真空室圧力を２．５Ｐａにすると同時に、
カソードの高周波出力を３KWに変えて、さらに２０分間
硬質層を形成し、続いて最後に、酸素ガス流量を２００
ＳＣＣＭに増加して流し、真空室圧力はそのまま２．５
Ｐａに保持するように排気系のコンダクタンスをバリア
ブルオリフィスを開くことにより調整し、カソードの高
周波出力はそのまま３KWを保持した状態で、さらにまた
硬質層を形成した。
ｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置し、
２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエトキ
シシランのガスを流量１００ＳＣＣＭ流し、真空室の圧
力が０．７Ｐａになるまで導入し、外部電磁石コイルに
５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波出力２KW
を３分間印加する。その後、カソードの高周波出力を段
階的に４０Ｗ／min の割合で徐々に上げていき、１２分
間で２．５KWに達するように制御する。この１２分間の
間のモノマーガスの流量は１８０ＳＣＣＭにして一定に
しておき、この工程において屈折率を変化させる層を形
成した。続いて酸素ガス流量を真空室に５０ＳＣＣＭ流
し、真空室圧力を２．１Ｐａにして２０分間硬質層を形
成した後、酸素ガス流量を１００ＳＣＣＭに増加して、
真空室へ流し真空室圧力を２．５Ｐａにすると同時に、
カソードの高周波出力を３KWに変えて、さらに２０分間
硬質層を形成し、続いて最後に、酸素ガス流量を２００
ＳＣＣＭに増加して流し、真空室圧力はそのまま２．５
Ｐａに保持するように排気系のコンダクタンスをバリア
ブルオリフィスを開くことにより調整し、カソードの高
周波出力はそのまま３KWを保持した状態で、さらにまた
硬質層を形成した。
【００２０】実施例４ 実施例３において形成したものを、さらに別の真空蒸着
装置に入れて、真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで
排気した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2，ＳｉＯ
2 の順に多層の反射防止膜を１．３×１０-3〜１．３×
１０-2Ｐａの圧力範囲で制御して、電子銃蒸着で作成し
た。
装置に入れて、真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで
排気した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2，ＳｉＯ
2 の順に多層の反射防止膜を１．３×１０-3〜１．３×
１０-2Ｐａの圧力範囲で制御して、電子銃蒸着で作成し
た。
【００２１】実施例５ 実施例４において形成したものを、さらにヘキサメチル
ジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
ジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
【００２２】実施例６ アクリロニトリル−スチレン共重合体レンズを超音波洗
浄機に通して洗浄後、Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装
置の真空室内に設置し、２．７×１０-4Ｐａまで排気し
た後、メチルトリエトキシシランのガスを流量８０ＳＣ
ＣＭ及びジメトキシジメチルシランのガスを流量１４０
ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａになるまで導
入し、外部電磁石コイルに５Ａの電流を流すと同時に、
カソードに高周波出力２KWを１．５分間印加する間にメ
チルトリエトキシシランのガス及びジメトキシジメチル
シランの各々の流量を１分間当たり８０ＳＣＣＭ、９３
ＳＣＣＭの割合で徐々に増加及び減少させながら１．５
分間で屈折率を変化させる層を形成させた。その時、形
成された薄膜の屈折率を分光光度計で測定したところ、
レンズ界面側でｎd １．５６、媒質（空気）側でｎ
d １．４８であった。
浄機に通して洗浄後、Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装
置の真空室内に設置し、２．７×１０-4Ｐａまで排気し
た後、メチルトリエトキシシランのガスを流量８０ＳＣ
ＣＭ及びジメトキシジメチルシランのガスを流量１４０
ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａになるまで導
入し、外部電磁石コイルに５Ａの電流を流すと同時に、
カソードに高周波出力２KWを１．５分間印加する間にメ
チルトリエトキシシランのガス及びジメトキシジメチル
シランの各々の流量を１分間当たり８０ＳＣＣＭ、９３
ＳＣＣＭの割合で徐々に増加及び減少させながら１．５
分間で屈折率を変化させる層を形成させた。その時、形
成された薄膜の屈折率を分光光度計で測定したところ、
レンズ界面側でｎd １．５６、媒質（空気）側でｎ
d １．４８であった。
【００２３】実施例７ アクリロニトリル−スチレン共重合体レンズを超音波洗
浄機に通して洗浄後、Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装
置の真空室内に設置し、２．７×１０-4Ｐａまで排気し
た後、メチルトリエトキシシランのガスを流量２００Ｓ
ＣＣＭと酸素ガスを流量５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧
力が２．０Ｐａになって流量が安定したところで、外部
電磁石コイルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに
高周波出力２．５KWを１７分間印加して硬質層を形成
し、さらに、酸素ガスの流量を１００ＳＣＣＭに増加し
て、真空室の圧力が２．０Ｐａになるように排気系のコ
ンダクタンスをバリアブルオリフィスを開くことにより
調整し、カソードの高周波出力を３KWに上げて、引き続
き１７分間硬質層を形成し、最後に、酸素ガスの流量を
２００ＳＣＣＭに増加して、さらにまた１７分間硬質層
を形成した。その時、形成された薄膜の屈折率を分光光
度計で測定したところ、ｎd １．５６であった。
浄機に通して洗浄後、Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装
置の真空室内に設置し、２．７×１０-4Ｐａまで排気し
た後、メチルトリエトキシシランのガスを流量２００Ｓ
ＣＣＭと酸素ガスを流量５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧
力が２．０Ｐａになって流量が安定したところで、外部
電磁石コイルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに
高周波出力２．５KWを１７分間印加して硬質層を形成
し、さらに、酸素ガスの流量を１００ＳＣＣＭに増加し
て、真空室の圧力が２．０Ｐａになるように排気系のコ
ンダクタンスをバリアブルオリフィスを開くことにより
調整し、カソードの高周波出力を３KWに上げて、引き続
き１７分間硬質層を形成し、最後に、酸素ガスの流量を
２００ＳＣＣＭに増加して、さらにまた１７分間硬質層
を形成した。その時、形成された薄膜の屈折率を分光光
度計で測定したところ、ｎd １．５６であった。
【００２４】実施例８ アクリロニトリル−スチレン共重合体レンズを超音波洗
浄機に通して洗浄後、Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装
置の真空室内に設置し、２．７×１０-4Ｐａまで排気し
た後、メチルトリエトキシシランのガスを流量８０ＳＣ
ＣＭ及びジメトキシジメチルシランのガスを流量１４０
ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａになるまで導
入し、外部電磁石コイルに５Ａの電流を流すと同時に、
カソードに高周波出力２KWを１．５分間印加する間にメ
チルトリエトキシシランのガス及びジメトキシジメチル
シランの各々の流量を１分間当たり８０ＳＣＣＭ、９３
ＳＣＣＭの割合で徐々に増加及び減少させながら１．５
分間で屈折率を変化させる層を形成させた。さらに続い
て、メチルトリエトキシシランのガスを流量２００ＳＣ
ＣＭと酸素ガスを流量５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力
が２．０Ｐａになって流量が安定したところで、外部電
磁石コイルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高
周波出力２５KWを１７分間印加して硬質層を形成し、さ
らに、酸素ガスの流量を１００ＳＣＣＭに増加して、真
空室の圧力が２．０Ｐａになるように排気系のコンダク
タンスをバリアブルオリフィスを開くことにより調整
し、カソードの高周波出力を３KWに上げて、引き続き１
７分間硬質層を形成し、最後に、酸素ガスの流量を２０
０ＳＣＣＭに増加して、さらにまた１７分間硬質層を形
成した。
浄機に通して洗浄後、Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装
置の真空室内に設置し、２．７×１０-4Ｐａまで排気し
た後、メチルトリエトキシシランのガスを流量８０ＳＣ
ＣＭ及びジメトキシジメチルシランのガスを流量１４０
ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａになるまで導
入し、外部電磁石コイルに５Ａの電流を流すと同時に、
カソードに高周波出力２KWを１．５分間印加する間にメ
チルトリエトキシシランのガス及びジメトキシジメチル
シランの各々の流量を１分間当たり８０ＳＣＣＭ、９３
ＳＣＣＭの割合で徐々に増加及び減少させながら１．５
分間で屈折率を変化させる層を形成させた。さらに続い
て、メチルトリエトキシシランのガスを流量２００ＳＣ
ＣＭと酸素ガスを流量５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力
が２．０Ｐａになって流量が安定したところで、外部電
磁石コイルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高
周波出力２５KWを１７分間印加して硬質層を形成し、さ
らに、酸素ガスの流量を１００ＳＣＣＭに増加して、真
空室の圧力が２．０Ｐａになるように排気系のコンダク
タンスをバリアブルオリフィスを開くことにより調整
し、カソードの高周波出力を３KWに上げて、引き続き１
７分間硬質層を形成し、最後に、酸素ガスの流量を２０
０ＳＣＣＭに増加して、さらにまた１７分間硬質層を形
成した。
【００２５】実施例９ 実施例８において形成したものを、さらに別の真空蒸着
装置に入れて、真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで
排気した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2，ＳｉＯ
2 の順に多層の反射防止膜を１．３×１０-3〜１．３×
１０-2Ｐａの圧力範囲で制御して、電子銃蒸着で作成し
た。
装置に入れて、真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで
排気した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2，ＳｉＯ
2 の順に多層の反射防止膜を１．３×１０-3〜１．３×
１０-2Ｐａの圧力範囲で制御して、電子銃蒸着で作成し
た。
【００２６】実施例１０ 実施例９において形成したものを、さらにヘキサメチル
ジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
ジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
【００２７】実施例１１ ポリウレタン系レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量３５ＳＣＣＭ及びジメトキシ
ジメチルシランのガスを流量１４８ＳＣＣＭ流し、真空
室の圧力が２．０Ｐａになるまで導入し、外部電磁石コ
イルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波出
力２KWを１．５分間印加する間にメチルトリエトキシシ
ランのガス及びジメトキシジメチルシランの各々の流量
を１分間当たり１１０ＳＣＣＭ，９８．７ＳＣＣＭの割
合で徐々に増加及び減少させながら１．５分間で屈折率
を変化させる層を形成させた。その時、形成された薄膜
の屈折率を分光光度計で測定したところ、レンズ界面側
でｎd １．６２、媒質（空気）側でｎd １．５８であっ
た。
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量３５ＳＣＣＭ及びジメトキシ
ジメチルシランのガスを流量１４８ＳＣＣＭ流し、真空
室の圧力が２．０Ｐａになるまで導入し、外部電磁石コ
イルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波出
力２KWを１．５分間印加する間にメチルトリエトキシシ
ランのガス及びジメトキシジメチルシランの各々の流量
を１分間当たり１１０ＳＣＣＭ，９８．７ＳＣＣＭの割
合で徐々に増加及び減少させながら１．５分間で屈折率
を変化させる層を形成させた。その時、形成された薄膜
の屈折率を分光光度計で測定したところ、レンズ界面側
でｎd １．６２、媒質（空気）側でｎd １．５８であっ
た。
【００２８】実施例１２ ポリウレタン系レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量２００ＳＣＣＭと酸素ガスを
流量５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａにな
って流量が安定したところで、外部電磁石コイルに５Ａ
の電流を流すと同時に、カソードに高周波出力２．５KW
を１７分間印加して硬質層を形成し、さらに、酸素ガス
の流量を１００ＳＣＣＭに増加して、真空室の圧力が
２．０Ｐａになるように排気系のコンダクタンスをバリ
アブルオリフィスを開くことにより調整し、カソードの
高周波出力を３KWに上げて、引き続き１７分間硬質層を
形成し、最後に、酸素ガスの流量を２００ＳＣＣＭに増
加して、さらにまた１７分間硬質層を形成した。その
時、形成された薄膜の屈折率を分光光度計で測定したと
ころ、ｎd １．６０であった。
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量２００ＳＣＣＭと酸素ガスを
流量５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａにな
って流量が安定したところで、外部電磁石コイルに５Ａ
の電流を流すと同時に、カソードに高周波出力２．５KW
を１７分間印加して硬質層を形成し、さらに、酸素ガス
の流量を１００ＳＣＣＭに増加して、真空室の圧力が
２．０Ｐａになるように排気系のコンダクタンスをバリ
アブルオリフィスを開くことにより調整し、カソードの
高周波出力を３KWに上げて、引き続き１７分間硬質層を
形成し、最後に、酸素ガスの流量を２００ＳＣＣＭに増
加して、さらにまた１７分間硬質層を形成した。その
時、形成された薄膜の屈折率を分光光度計で測定したと
ころ、ｎd １．６０であった。
【００２９】実施例１３ ポリウレタン系レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量３５ＳＣＣＭ及びジメトキシ
ジメチルシランのガスを流量１４８ＳＣＣＭ流し、真空
室の圧力が２．０Ｐａになるまで導入し、外部電磁石コ
イルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波出
力２KWを１．５分間印加する間にメチルトリエトキシシ
ランのガス及びジメトキシジメチルシランの各々の流量
を１分間当たり１１０ＳＣＣＭ，９８．７ＳＣＣＭの割
合で徐々に増加及び減少させながら１．５分間で屈折率
を変化させる層を形成させた。さらに続いて、メチルト
リエトキシシランのガスを流量２００ＳＣＣＭと酸素ガ
スを流量５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａ
になって流量が安定したところで、外部電磁石コイルに
５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波出力２．
５KWを１７分間印加して硬質層を形成し、さらに、酸素
ガスの流量を１００ＳＣＣＭに増加して、真空室の圧力
が２．０Ｐａになるように排気系のコンダクタンスをバ
リアブルオリフィスを開くことにより調整し、カソード
の高周波出力を３KWに上げて、引き続き１７分間硬質層
を形成し、最後に、酸素ガスの流量を２００ＳＣＣＭに
増加して、さらにまた１７分間硬質層を形成した。
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量３５ＳＣＣＭ及びジメトキシ
ジメチルシランのガスを流量１４８ＳＣＣＭ流し、真空
室の圧力が２．０Ｐａになるまで導入し、外部電磁石コ
イルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波出
力２KWを１．５分間印加する間にメチルトリエトキシシ
ランのガス及びジメトキシジメチルシランの各々の流量
を１分間当たり１１０ＳＣＣＭ，９８．７ＳＣＣＭの割
合で徐々に増加及び減少させながら１．５分間で屈折率
を変化させる層を形成させた。さらに続いて、メチルト
リエトキシシランのガスを流量２００ＳＣＣＭと酸素ガ
スを流量５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａ
になって流量が安定したところで、外部電磁石コイルに
５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波出力２．
５KWを１７分間印加して硬質層を形成し、さらに、酸素
ガスの流量を１００ＳＣＣＭに増加して、真空室の圧力
が２．０Ｐａになるように排気系のコンダクタンスをバ
リアブルオリフィスを開くことにより調整し、カソード
の高周波出力を３KWに上げて、引き続き１７分間硬質層
を形成し、最後に、酸素ガスの流量を２００ＳＣＣＭに
増加して、さらにまた１７分間硬質層を形成した。
【００３０】実施例１４ 実施例１３において形成したものを、さらに別の真空蒸
着装置に入れて、真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａま
で排気した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ 2 ，Ｓｉ
Ｏ2 の順に多層の反射防止膜を１．３×１０-3〜１．３
×１０-2Ｐａの圧力範囲で制御して、電子銃蒸着で作成
した。
着装置に入れて、真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａま
で排気した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ 2 ，Ｓｉ
Ｏ2 の順に多層の反射防止膜を１．３×１０-3〜１．３
×１０-2Ｐａの圧力範囲で制御して、電子銃蒸着で作成
した。
【００３１】実施例１５ 実施例１４において形成したものを、さらにヘキサメチ
ルジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
ルジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
【００３２】実施例１６ ポリウレタン系レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量３５ＳＣＣＭ及びテトライソ
プロポキシチタンのガスを流量１４８ＳＣＣＭ流し、真
空室の圧力が２．０Ｐａになるまで導入し、外部電磁石
コイルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波
出力２KWを１．５分間印加する間にメチルトリエトキシ
シランのガス及びジメトキシジメチルシランの各々の流
量を１分間当たり１１０ＳＣＣＭ，９８．７ＳＣＣＭの
割合で徐々に増加及び減少させながら１．５分間で屈折
率を変化させる層を形成させた。その時、形成された薄
膜の屈折率を分光光度計で測定したところ、レンズ界面
側でｎd １．６７、媒質（空気）側でｎd １．６３であ
った。
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量３５ＳＣＣＭ及びテトライソ
プロポキシチタンのガスを流量１４８ＳＣＣＭ流し、真
空室の圧力が２．０Ｐａになるまで導入し、外部電磁石
コイルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波
出力２KWを１．５分間印加する間にメチルトリエトキシ
シランのガス及びジメトキシジメチルシランの各々の流
量を１分間当たり１１０ＳＣＣＭ，９８．７ＳＣＣＭの
割合で徐々に増加及び減少させながら１．５分間で屈折
率を変化させる層を形成させた。その時、形成された薄
膜の屈折率を分光光度計で測定したところ、レンズ界面
側でｎd １．６７、媒質（空気）側でｎd １．６３であ
った。
【００３３】実施例１７ ポリウレタン系レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量２００ＳＣＣＭと酸素ガスを
流量５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａにな
って流量が安定したところで、外部電磁石コイルに５Ａ
の電流を流すと同時に、カソードに高周波出力２．５KW
を１７分間印加して硬質層を形成し、さらに、酸素ガス
の流量を１００ＳＣＣＭに増加して、真空室の圧力が
２．０Ｐａになるように排気系のコンダクタンスをバリ
アブルオリフィスを開くことにより調整し、カソードの
高周波出力を３KWに上げて、引き続き１７分間硬質層を
形成し、最後に、酸素ガスの流量を２００ＳＣＣＭに増
加して、さらにまた１７分間硬質層を形成した。その
時、形成された薄膜の屈折率を分光光度計で測定したと
ころ、ｎd １．６５であった。
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量２００ＳＣＣＭと酸素ガスを
流量５０ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａにな
って流量が安定したところで、外部電磁石コイルに５Ａ
の電流を流すと同時に、カソードに高周波出力２．５KW
を１７分間印加して硬質層を形成し、さらに、酸素ガス
の流量を１００ＳＣＣＭに増加して、真空室の圧力が
２．０Ｐａになるように排気系のコンダクタンスをバリ
アブルオリフィスを開くことにより調整し、カソードの
高周波出力を３KWに上げて、引き続き１７分間硬質層を
形成し、最後に、酸素ガスの流量を２００ＳＣＣＭに増
加して、さらにまた１７分間硬質層を形成した。その
時、形成された薄膜の屈折率を分光光度計で測定したと
ころ、ｎd １．６５であった。
【００３４】実施例１８ ポリウレタン系レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量３５ＳＣＣＭ及びテトライソ
プロポキシチタンのガスを流量１４８ＳＣＣＭ流し、真
空室の圧力が２．０Ｐａになるまで導入し、外部電磁石
コイルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波
出力２KWを１．５分間印加する間にメチルトリエトキシ
シランのガス及びジメトキシジメチルシランの各々の流
量を１分間当たり１１０ＳＣＣＭ，９８．７ＳＣＣＭの
割合で徐々に増加及び減少させながら１．５分間で屈折
率を変化させる層を形成させた。メチルトリエトキシシ
ランのガスを流量２００ＳＣＣＭと酸素ガスを流量５０
ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａになって流量
が安定したところで、外部電磁石コイルに５Ａの電流を
流すと同時に、カソードに高周波出力２．５KWを１７分
間印加して硬質層を形成し、さらに、酸素ガスの流量を
１００ＳＣＣＭに増加して、真空室の圧力が２．０Ｐａ
になるように排気系のコンダクタンスをバリアブルオリ
フィスを開くことにより調整し、カソードの高周波出力
を３KWに上げて、引き続き１７分間硬質層を形成し、最
後に、酸素ガスの流量を２００ＳＣＣＭに増加して、さ
らにまた１７分間硬質層を形成した。
Ｂａｌｚｅｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の真空室内に設置
し、２．７×１０-4Ｐａまで排気した後、メチルトリエ
トキシシランのガスを流量３５ＳＣＣＭ及びテトライソ
プロポキシチタンのガスを流量１４８ＳＣＣＭ流し、真
空室の圧力が２．０Ｐａになるまで導入し、外部電磁石
コイルに５Ａの電流を流すと同時に、カソードに高周波
出力２KWを１．５分間印加する間にメチルトリエトキシ
シランのガス及びジメトキシジメチルシランの各々の流
量を１分間当たり１１０ＳＣＣＭ，９８．７ＳＣＣＭの
割合で徐々に増加及び減少させながら１．５分間で屈折
率を変化させる層を形成させた。メチルトリエトキシシ
ランのガスを流量２００ＳＣＣＭと酸素ガスを流量５０
ＳＣＣＭ流し、真空室の圧力が２．０Ｐａになって流量
が安定したところで、外部電磁石コイルに５Ａの電流を
流すと同時に、カソードに高周波出力２．５KWを１７分
間印加して硬質層を形成し、さらに、酸素ガスの流量を
１００ＳＣＣＭに増加して、真空室の圧力が２．０Ｐａ
になるように排気系のコンダクタンスをバリアブルオリ
フィスを開くことにより調整し、カソードの高周波出力
を３KWに上げて、引き続き１７分間硬質層を形成し、最
後に、酸素ガスの流量を２００ＳＣＣＭに増加して、さ
らにまた１７分間硬質層を形成した。
【００３５】実施例１９ 実施例１８において形成したものを、さらに別の真空蒸
着装置に入れて、真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａま
で排気した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ 2 ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射防止膜を１．３×１
０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範囲で制御して、電子
銃蒸着で作成した。
着装置に入れて、真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａま
で排気した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ 2 ，Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射防止膜を１．３×１
０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範囲で制御して、電子
銃蒸着で作成した。
【００３６】実施例２０ 実施例１９において形成したものを、さらにヘキサメチ
ルジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
ルジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
【００３７】実施例２１ 実施例３において形成したものを、さらにＢａｌｚｅｒ
ｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の別の真空室内に設置し、真空室
の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射防
止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範囲
で制御して、電子銃蒸着で作成した。さらにヘキサメチ
ルジシラザンを含浸させたセラミックスを、抵抗加熱式
蒸着法により１．３〜３．３×１０-2Ｐａの圧力範囲で
蒸発させて、水ヤケ防止コートなる撥水性薄膜を反射防
止膜上に形成した。
ｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の別の真空室内に設置し、真空室
の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射防
止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範囲
で制御して、電子銃蒸着で作成した。さらにヘキサメチ
ルジシラザンを含浸させたセラミックスを、抵抗加熱式
蒸着法により１．３〜３．３×１０-2Ｐａの圧力範囲で
蒸発させて、水ヤケ防止コートなる撥水性薄膜を反射防
止膜上に形成した。
【００３８】実施例２２ 実施例８において形成したものを、さらにＢａｌｚｅｒ
ｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の別の真空室内に設置し、真空室
の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射防
止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範囲
で制御して、電子銃蒸着で作成した。さらにヘキサメチ
ルジシラザンを含浸させたセラミックスを、抵抗加熱式
蒸着法により１．３〜３．３×１０-2Ｐａの圧力範囲で
蒸発させて、水ヤケ防止コートなる撥水性薄膜を反射防
止膜上に形成した。
ｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の別の真空室内に設置し、真空室
の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射防
止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範囲
で制御して、電子銃蒸着で作成した。さらにヘキサメチ
ルジシラザンを含浸させたセラミックスを、抵抗加熱式
蒸着法により１．３〜３．３×１０-2Ｐａの圧力範囲で
蒸発させて、水ヤケ防止コートなる撥水性薄膜を反射防
止膜上に形成した。
【００３９】実施例２３ 実施例１３において形成したものを、さらにＢａｌｚｅ
ｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の別の真空室内に設置し、真空
室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ2
Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射
防止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範
囲で制御して、電子銃蒸着で作成した。さらにヘキサメ
チルジシラザンを含浸させたセラミックスを、抵抗加熱
式蒸着法により１．３〜３．３×１０-2Ｐａの圧力範囲
で蒸発させて、水ヤケ防止コートなる撥水性薄膜を反射
防止膜上に形成した。
ｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の別の真空室内に設置し、真空
室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ2
Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射
防止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範
囲で制御して、電子銃蒸着で作成した。さらにヘキサメ
チルジシラザンを含浸させたセラミックスを、抵抗加熱
式蒸着法により１．３〜３．３×１０-2Ｐａの圧力範囲
で蒸発させて、水ヤケ防止コートなる撥水性薄膜を反射
防止膜上に形成した。
【００４０】実施例２４ 実施例１８において形成したものを、さらにＢａｌｚｅ
ｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の別の真空室内に設置し、真空
室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ2
Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射
防止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範
囲で制御して、電子銃蒸着で作成した。さらにヘキサメ
チルジシラザンを含浸させたセラミックスを、抵抗加熱
式蒸着法により１．３〜３．３×１０-2Ｐａの圧力範囲
で蒸発させて、水ヤケ防止コートなる撥水性薄膜を反射
防止膜上に形成した。
ｒｓ社製ＰＥＣＶＤ装置の別の真空室内に設置し、真空
室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ2
Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射
防止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範
囲で制御して、電子銃蒸着で作成した。さらにヘキサメ
チルジシラザンを含浸させたセラミックスを、抵抗加熱
式蒸着法により１．３〜３．３×１０-2Ｐａの圧力範囲
で蒸発させて、水ヤケ防止コートなる撥水性薄膜を反射
防止膜上に形成した。
【００４１】比較例１ ＣＲ−３９レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、γ−
グリキシドプロピルトリメトキシシラン３５．３部とγ
−グリキシドプロピルメチルジエトキシシラン１０６．
８部の共加水分解物にメタノール１８５部、アセチルア
セトン１１．１部、シリコーン系界面活性剤２．５部を
添加混合し、さらにアルミニウムアセチルアセトナート
６．０部を添加したハードコート組成物溶液に浸漬し、
塗布した後、８０℃１０分の予備加熱硬化を行い、さら
に１００℃４時間の本加熱硬化したものを作成し、ハー
ドコート（ｎd １．４８）付きプラスチックレンズを得
た。
グリキシドプロピルトリメトキシシラン３５．３部とγ
−グリキシドプロピルメチルジエトキシシラン１０６．
８部の共加水分解物にメタノール１８５部、アセチルア
セトン１１．１部、シリコーン系界面活性剤２．５部を
添加混合し、さらにアルミニウムアセチルアセトナート
６．０部を添加したハードコート組成物溶液に浸漬し、
塗布した後、８０℃１０分の予備加熱硬化を行い、さら
に１００℃４時間の本加熱硬化したものを作成し、ハー
ドコート（ｎd １．４８）付きプラスチックレンズを得
た。
【００４２】比較例２ ＣＲ−３９レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、γ−
グリキシドプロピルトリメトキシシラン３５．３部とγ
−グリキシドプロピルメチルジエトキシシラン１０６．
８部の共加水分解物にメタノール１８５部、アセチルア
セトン１１．１部、シリコーン系界面活性剤２．５部を
添加混合し、さらにアルミニウムアセチルアセトナート
６．０部を添加したハードコート組成物溶液に浸漬し、
塗布した後、８０℃１０分の予備加熱硬化を行い、さら
に１００℃４時間の本加熱硬化したものを作成したもの
を、再度、超音波洗浄機に通して洗浄後、真空蒸着装置
に入れて、真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気
した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の
順に多層の反射防止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０
-2Ｐａの圧力範囲で制御して、電子銃蒸着で作成した。
グリキシドプロピルトリメトキシシラン３５．３部とγ
−グリキシドプロピルメチルジエトキシシラン１０６．
８部の共加水分解物にメタノール１８５部、アセチルア
セトン１１．１部、シリコーン系界面活性剤２．５部を
添加混合し、さらにアルミニウムアセチルアセトナート
６．０部を添加したハードコート組成物溶液に浸漬し、
塗布した後、８０℃１０分の予備加熱硬化を行い、さら
に１００℃４時間の本加熱硬化したものを作成したもの
を、再度、超音波洗浄機に通して洗浄後、真空蒸着装置
に入れて、真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気
した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の
順に多層の反射防止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０
-2Ｐａの圧力範囲で制御して、電子銃蒸着で作成した。
【００４３】比較例３ 比較例２において形成したものを、さらにヘキサメチル
ジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
ジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
【００４４】比較例４ アクリロニトリル−スチレン共重合体レンズを超音波洗
浄機に通して洗浄後、γ−グリキシドプロピルトリメト
キシシラン３５．３部とγ−グリキシドプロピルメチル
ジエトキシシラン１０６．８部の共加水分解物にメタノ
ール１８５部、アセチルアセトン１１．１部、シリコー
ン系界面活性剤２．５部を添加混合し、さらにアルミニ
ウムアセチルアセトナート６．０部を添加したハードコ
ート組成物溶液に浸漬し、塗布した後、８０℃１０分の
予備加熱硬化を行い、さらに１００℃４時間の本加熱硬
化したものを作成し、ハードコート（ｎd １．４８）付
きプラスチックレンズを得た。
浄機に通して洗浄後、γ−グリキシドプロピルトリメト
キシシラン３５．３部とγ−グリキシドプロピルメチル
ジエトキシシラン１０６．８部の共加水分解物にメタノ
ール１８５部、アセチルアセトン１１．１部、シリコー
ン系界面活性剤２．５部を添加混合し、さらにアルミニ
ウムアセチルアセトナート６．０部を添加したハードコ
ート組成物溶液に浸漬し、塗布した後、８０℃１０分の
予備加熱硬化を行い、さらに１００℃４時間の本加熱硬
化したものを作成し、ハードコート（ｎd １．４８）付
きプラスチックレンズを得た。
【００４５】比較例５ アクリロニトリル−スチレン共重合体レンズを超音波洗
浄機に通して洗浄後、γ−グリキシドプロピルトリメト
キシシラン３５．３部とγ−グリキシドプロピルメチル
ジエトキシシラン１０６．８部の共加水分解物にメタノ
ール１８５部、アセチルアセトン１１．１部、シリコー
ン系界面活性剤２．５部を添加混合し、さらにアルミニ
ウムアセチルアセトナート６．０部を添加したハードコ
ート組成物溶液に浸漬し、塗布した後、８０℃１０分の
予備加熱硬化を行い、さらに１００℃４時間の本加熱硬
化したものを作成したものを、再度、超音波洗浄機に通
して洗浄後、真空蒸着装置に入れて、真空室の圧力が
１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｚｒ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射防止膜を
１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範囲で制御
して、電子銃蒸着で作成した。
浄機に通して洗浄後、γ−グリキシドプロピルトリメト
キシシラン３５．３部とγ−グリキシドプロピルメチル
ジエトキシシラン１０６．８部の共加水分解物にメタノ
ール１８５部、アセチルアセトン１１．１部、シリコー
ン系界面活性剤２．５部を添加混合し、さらにアルミニ
ウムアセチルアセトナート６．０部を添加したハードコ
ート組成物溶液に浸漬し、塗布した後、８０℃１０分の
予備加熱硬化を行い、さらに１００℃４時間の本加熱硬
化したものを作成したものを、再度、超音波洗浄機に通
して洗浄後、真空蒸着装置に入れて、真空室の圧力が
１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｚｒ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反射防止膜を
１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力範囲で制御
して、電子銃蒸着で作成した。
【００４６】比較例６ 比較例５において形成したものを、さらにヘキサメチル
ジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
ジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
【００４７】比較例７ ポリウレタン系レンズを超音波洗浄機に通して洗浄後、
γ−グリキシドプロピルトリメトキシシラン３５．３部
とγ−グリキシドプロピルメチルジエトキシシラン１０
６．８部の共加水分解物にメタノール１８５部、アセチ
ルアセトン１１．１部、シリコーン系界面活性剤２．５
部を添加混合し、さらにアルミニウムアセチルアセトナ
ート６．０部を添加したハードコート組成物溶液に浸漬
し、塗布した後、８０℃１０分の予備加熱硬化を行い、
さらに１００℃４時間の本加熱硬化したものを作成し、
ハードコート（ｎd １．４８）付きプラスチックレンズ
を得た。
γ−グリキシドプロピルトリメトキシシラン３５．３部
とγ−グリキシドプロピルメチルジエトキシシラン１０
６．８部の共加水分解物にメタノール１８５部、アセチ
ルアセトン１１．１部、シリコーン系界面活性剤２．５
部を添加混合し、さらにアルミニウムアセチルアセトナ
ート６．０部を添加したハードコート組成物溶液に浸漬
し、塗布した後、８０℃１０分の予備加熱硬化を行い、
さらに１００℃４時間の本加熱硬化したものを作成し、
ハードコート（ｎd １．４８）付きプラスチックレンズ
を得た。
【００４８】比較例８ 前記比較例７で作成したハードコートレンズを再度、超
音波洗浄機に通して洗浄後、真空蒸着装置に入れて、真
空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反
射防止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力
範囲で制御して、電子銃蒸着で作成した。
音波洗浄機に通して洗浄後、真空蒸着装置に入れて、真
空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａｌ
2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の反
射防止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧力
範囲で制御して、電子銃蒸着で作成した。
【００４９】比較例９ 比較例８において形成したものを、さらにヘキサメチル
ジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬し後、
加熱硬化して、水ヤケ防止コートなる撥水性薄膜を反射
防止膜上に形成した。
ジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬し後、
加熱硬化して、水ヤケ防止コートなる撥水性薄膜を反射
防止膜上に形成した。
【００５０】比較例１０ γ−グリキシドプロピルメチルジエトキシシラン２４８
部を撹拌しながら０．０５規定塩酸水溶液３６部を添加
し、加水分解物を作成し、これにエタノール５６．６部
及びエチレングリコール５３．４部を添加した後、アル
ミニウムアセトネート４．７部を加え、予備組成物Ａを
得た。
部を撹拌しながら０．０５規定塩酸水溶液３６部を添加
し、加水分解物を作成し、これにエタノール５６．６部
及びエチレングリコール５３．４部を添加した後、アル
ミニウムアセトネート４．７部を加え、予備組成物Ａを
得た。
【００５１】γ−グリキシドプロピルトリメトキシシラ
ン２１２．４部を撹拌しながら０．０１規定塩酸水溶液
４８．６部を添加し、加水分解物を作成し、これにエタ
ノール７７．１部及びエチレングリコール３７．７部を
添加した後、アルミニウムアセトネート７．６５部を加
え、予備組成物Ｂを得た。
ン２１２．４部を撹拌しながら０．０１規定塩酸水溶液
４８．６部を添加し、加水分解物を作成し、これにエタ
ノール７７．１部及びエチレングリコール３７．７部を
添加した後、アルミニウムアセトネート７．６５部を加
え、予備組成物Ｂを得た。
【００５２】タングステン酸ナトリウム水溶液をイオン
交換して製造したタングステン酸水溶液に、スズ酸ナト
リウム水溶液撹拌しながら添加し、ＷＯ3 ／ＳｎＯ2 重
量比１の複合体の水性ゾルを作成した。
交換して製造したタングステン酸水溶液に、スズ酸ナト
リウム水溶液撹拌しながら添加し、ＷＯ3 ／ＳｎＯ2 重
量比１の複合体の水性ゾルを作成した。
【００５３】次に市販の酸化スズの水性ゾルをＳｎＯ2
換算で１００部用意し、前述の複合体ゾルをＷＯ3 とＳ
ｎＯ2 の重量換算で２５〜６０部を室温で撹拌添加し、
比重１．０３の変性ゾルを作成した。この後、精製処理
にて比重１．１７２の高濃度変性ゾルとした。
換算で１００部用意し、前述の複合体ゾルをＷＯ3 とＳ
ｎＯ2 の重量換算で２５〜６０部を室温で撹拌添加し、
比重１．０３の変性ゾルを作成した。この後、精製処理
にて比重１．１７２の高濃度変性ゾルとした。
【００５４】予備組成物Ａ及びＢを各々４０及び６０部
と高濃度変性ゾル５０部にシリコーン界面活性剤０．４
部を添加混合し、屈折率（ｎd １．６３）のハードコー
ト組成物を得た。
と高濃度変性ゾル５０部にシリコーン界面活性剤０．４
部を添加混合し、屈折率（ｎd １．６３）のハードコー
ト組成物を得た。
【００５５】ポリウレタン系レンズを超音波洗浄機に通
して洗浄後、前記ハードコート組成物溶液に浸漬し、塗
布した後、１００℃２時間の加熱硬化を行なった。
して洗浄後、前記ハードコート組成物溶液に浸漬し、塗
布した後、１００℃２時間の加熱硬化を行なった。
【００５６】比較例１１ 前記比較例１０で作成したハードコートレンズを再度、
超音波洗浄機に通して洗浄後、真空蒸着装置に入れて、
真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａ
ｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の
反射防止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧
力範囲で制御して、電子銃蒸着で作成した。
超音波洗浄機に通して洗浄後、真空蒸着装置に入れて、
真空室の圧力が１．３×１０-3Ｐａまで排気した後、Ａ
ｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＳｉＯ2 の順に多層の
反射防止膜を１．３×１０-3〜１．３×１０-2Ｐａの圧
力範囲で制御して、電子銃蒸着で作成した。
【００５７】比較例１２ 比較例１１において形成したものを、さらにヘキサメチ
ルジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
ルジシラザンの入ったディッピング溶液槽内に浸漬した
後、６５℃３０分間加熱硬化して、水ヤケ防止コートな
る撥水性薄膜を反射防止膜上に形成した。
【００５８】得られた眼鏡用プラスチックレンズを評価
した結果を表１に示す。また、下記に評価項目の内容を
示す。 評価項目 １）密着性 クロスハッチ試験 ニチバン製セロテープ使用 ２）耐擦傷性 スチールウール ＃００００ 荷重６００ｇ ストローク３０回／１５秒 砂消しゴム ＪＩＳ５０２荷重５００ｇ ストローク１５回／１０秒 ３）耐温水 恒温槽 市水使用 ８０℃１０分間浸漬 ４）耐熱性 エアー．オーブン １００℃５分間放置 ５）耐アルカリ性 水酸化ナトリウム（ＰＨ１１）水溶液に６時間 浸漬 ６）耐酸性 硝酸水溶液（ＰＨ１）６時間浸漬
した結果を表１に示す。また、下記に評価項目の内容を
示す。 評価項目 １）密着性 クロスハッチ試験 ニチバン製セロテープ使用 ２）耐擦傷性 スチールウール ＃００００ 荷重６００ｇ ストローク３０回／１５秒 砂消しゴム ＪＩＳ５０２荷重５００ｇ ストローク１５回／１０秒 ３）耐温水 恒温槽 市水使用 ８０℃１０分間浸漬 ４）耐熱性 エアー．オーブン １００℃５分間放置 ５）耐アルカリ性 水酸化ナトリウム（ＰＨ１１）水溶液に６時間 浸漬 ６）耐酸性 硝酸水溶液（ＰＨ１）６時間浸漬
【００５９】
【表１】
【００６０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ばＴｉ系及び／又はＳｉ系アルコキシ基含有有機化合物
を用いて、プラズマＣＶＤ法により眼鏡プラスチックレ
ンズ上に屈折率を変化させる層及び／又は硬質層を形成
し、さらにその上に、反射防止膜及び／又は水ヤケ防止
コートを行うことにより、一貫した製造工程が確立さ
れ、さらには従来の湿式ハードコートで必須である表面
活性化処理等が不要となり、これらの廃液処理がなくな
るため、環境汚染問題が解決できる。また、従来からの
ディッピングによるハードコートと比べても縮合硬化工
程がなくなり、納期の短縮化が計れる効果がある。
ばＴｉ系及び／又はＳｉ系アルコキシ基含有有機化合物
を用いて、プラズマＣＶＤ法により眼鏡プラスチックレ
ンズ上に屈折率を変化させる層及び／又は硬質層を形成
し、さらにその上に、反射防止膜及び／又は水ヤケ防止
コートを行うことにより、一貫した製造工程が確立さ
れ、さらには従来の湿式ハードコートで必須である表面
活性化処理等が不要となり、これらの廃液処理がなくな
るため、環境汚染問題が解決できる。また、従来からの
ディッピングによるハードコートと比べても縮合硬化工
程がなくなり、納期の短縮化が計れる効果がある。
フロントページの続き (72)発明者 アルベルト コーラー スイス国，ツェーハー−9477 トリュバッ ハ，ベーフテルグート ３アー (72)発明者 クリスティアン ボールラブ オーストリア国，アー−6800 フェルトキ ルヒ，バインベルグガッセ 31 アー
Claims (13)
- 【請求項１】 眼鏡プラスチックレンズ基材とこの基材
上にプラズマＣＶＤ法により形成された硬質層からなる
眼鏡用プラスチックレンズ。 - 【請求項２】 眼鏡プラスチックレンズ基材とこの基材
上にプラズマＣＶＤ法により形成された屈折率を変化さ
せる層からなる眼鏡用プラスチックレンズ。 - 【請求項３】 眼鏡プラスチックレンズ基材、この基材
上にプラズマＣＶＤ法により形成された屈折率を変化さ
せる層及びこの屈折率を変化させる層の上にプラズマＣ
ＶＤ法により形成された硬質層からなる眼鏡用プラスチ
ックレンズ。 - 【請求項４】 眼鏡プラスチックレンズ基材、この基材
上のプラズマＣＶＤ法により順に形成された、屈折率を
変化させる層、硬質層及び反射防止膜からなる眼鏡用プ
ラスチックレンズ。 - 【請求項５】 眼鏡プラスチックレンズ基材、この基材
上のプラズマＣＶＤ法により順に形成された、屈折率を
変化させる層、その上の硬質層、反射防止膜及び有機化
合物薄膜からなる眼鏡用プラスチックレンズ。 - 【請求項６】 前記硬質層がＴｉ含有及び／又はＳｉ含
有有機化合物薄膜である、請求項１記載の眼鏡用プラス
チックレンズ。 - 【請求項７】 前記屈折率を変化させる層がプラスチッ
クレンズ側においてプラスチックレンズ基材の屈折率と
ほぼ同じ屈折率を有し、硬質層側に近くなるにつれその
屈折率が低くなる、請求項３記載の眼鏡用プラスチック
レンズ。 - 【請求項８】 前記屈折率を変化させる層がＴｉ含有及
び／又はＳｉ含有有機化合物薄膜である請求項７記載の
眼鏡用プラスチックレンズ。 - 【請求項９】 前記Ｔｉ含有及び／又はＳｉ含有有機化
合物薄膜がアルコキシ基含有有機チタン化合物薄膜及び
／又はアルコキシ基含有有機珪素化合物薄膜である請求
項８記載の眼鏡用プラスチックレンズ。 - 【請求項１０】 前記屈折率を変化させる層の屈折率が
１．４８〜１．７０の範囲である、請求項７又は８記載
の眼鏡用プラスチックレンズ。 - 【請求項１１】 前記屈折率を変化させる層及び硬質層
がＴｉ含有及び／又はＳｉ含有有機化物薄膜である、請
求項３，４又は５記載の眼鏡用プラスチックレンズ。 - 【請求項１２】 前記屈折率を変化させる層及び／又は
硬質層がアルコキシ基含有有機チタン化合物薄膜及び／
又はアルコキシ基含有有機珪素化合物薄膜である、請求
項３，４又は５記載の眼鏡用プラスチックレンズ。 - 【請求項１３】 前記アルコキシ基含有有機チタン化合
物薄膜及びアルコキシ基含有有機珪素化合物薄膜が各々
下記一般式〔Ｉ〕及び〔II〕 Ｔｉ（ＯＲ）4 〔Ｉ〕 （式中、Ｒはアルキル基である。） Ｒ1xＳｉ（ＯＲ2 ）4-x 〔II〕 （式中、Ｒ1 ，Ｒ2 はアルキル基であり、ｘは０〜３の
整数である。）で表わされる物質からなる、請求項９又
は１２記載の眼鏡用プラスチックレンズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6291123A JPH08146358A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 眼鏡用プラスチックレンズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6291123A JPH08146358A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 眼鏡用プラスチックレンズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08146358A true JPH08146358A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17764760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6291123A Pending JPH08146358A (ja) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | 眼鏡用プラスチックレンズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08146358A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103320A (en) * | 1998-03-05 | 2000-08-15 | Shincron Co., Ltd. | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition |
| US6207536B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-03-27 | Shincron Co., Ltd. | Method for forming a thin film of a composite metal compound and apparatus for carrying out the method |
| US6287430B1 (en) | 1998-07-03 | 2001-09-11 | Shincron Co., Ltd. | Apparatus and method forming thin film |
| KR20030071054A (ko) * | 2002-02-27 | 2003-09-03 | 주식회사 림스텍 | 플라스틱 렌즈의 플라즈마 코팅방법 및 이 플라즈마코팅방법을 적용한 플라스틱 렌즈 |
| JP2007156342A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 光学製品及びその製造方法 |
| US8062716B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-11-22 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method for forming thin film, apparatus for forming thin film, and method for monitoring thin film forming process |
-
1994
- 1994-11-25 JP JP6291123A patent/JPH08146358A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103320A (en) * | 1998-03-05 | 2000-08-15 | Shincron Co., Ltd. | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition |
| US6274014B1 (en) | 1998-03-05 | 2001-08-14 | Shincron Co., Ltd. | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition |
| US6207536B1 (en) | 1998-03-27 | 2001-03-27 | Shincron Co., Ltd. | Method for forming a thin film of a composite metal compound and apparatus for carrying out the method |
| US6287430B1 (en) | 1998-07-03 | 2001-09-11 | Shincron Co., Ltd. | Apparatus and method forming thin film |
| KR20030071054A (ko) * | 2002-02-27 | 2003-09-03 | 주식회사 림스텍 | 플라스틱 렌즈의 플라즈마 코팅방법 및 이 플라즈마코팅방법을 적용한 플라스틱 렌즈 |
| US8062716B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-11-22 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method for forming thin film, apparatus for forming thin film, and method for monitoring thin film forming process |
| JP2007156342A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 光学製品及びその製造方法 |
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