RU2004121781A - Окрашенный алмаз - Google Patents
Окрашенный алмаз Download PDFInfo
- Publication number
- RU2004121781A RU2004121781A RU2004121781/15A RU2004121781A RU2004121781A RU 2004121781 A RU2004121781 A RU 2004121781A RU 2004121781/15 A RU2004121781/15 A RU 2004121781/15A RU 2004121781 A RU2004121781 A RU 2004121781A RU 2004121781 A RU2004121781 A RU 2004121781A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- absorption coefficient
- range
- diamond layer
- maximum
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract 57
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract 57
- 239000003973 paint Substances 0.000 title 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 31
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims 17
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- 239000010437 gem Substances 0.000 claims 2
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 claims 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 claims 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 claims 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/25—Diamond
- C01B32/28—After-treatment, e.g. purification, irradiation, separation or recovery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Adornments (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Telescopes (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Claims (40)
1. Алмазный слой монокристаллического алмаза, полученного методом химического осаждения из газовой фазы (метод ХОГФ), указанный слой окрашен и его толщина составляет более 1 мм.
2. Алмазный слой по п.1, который обладает декоративной окраской.
3. Алмазный слой по п.2, в котором окраска является декоративной с преобладающим коричневым оттенком.
4. Алмазный слой по п.2, в котором окраска является декоративной окраской светло-оранжево коричневого, оранжево-коричневого, розовато-коричневого, розово-коричневого или темно-коричневого цвета.
5. Алмазный слой по любому из пп.1-4, в котором угол, соответствующий оттенку цвета, составляет менее 80 градусов.
6. Алмазный слой по любому из пп.1-4, в котором угол, соответствующий оттенку цвета, составляет менее 75 градусов.
7. Алмазный слой по любому из пп.1-4, в котором угол, соответствующий оттенку цвета, составляет менее 70 градусов.
8. Алмазный слой по любому из пп.1-4, в котором толщина составляет более 2 мм.
9. Алмазный слой по любому из пп.1-4, в котором толщина составляет более 3 мм.
10. Алмазный слой по любому из пп.1-4, который обладает одной или более характеристиками (i), (ii), (iii), наблюдаемыми для основной части слоя, которая включает по меньшей мере 55 процентов суммарного объема слоя:
(i) основной объем слоя содержит один или более дефектов и связанных с наличием примеси центров окраски, которые вносят вклад в спектр поглощения алмаза, где вклад в коэффициент поглощения одного или более обозначенных значений длин волны представлен следующими характеристиками:
(а) пик при 270 нм: вклад в коэффициент поглощения при 270 нм в интервале 0,1 - 30 см-1; данный пик начинается при 220 нм и заканчивается при 325 нм и имеет максимум при 270 нм;
(б) полоса при 350 нм: вклад в коэффициент поглощения при 350 нм в интервале 0,3 - 20 см-1; данная полоса начинается при 270 нм и заканчивается при 450 нм и имеет максимум при 350 нм;
(в) полоса при 510 нм: вклад в коэффициент поглощения при 510 нм в интервале 0,1 - 10 см-1; данная полоса начинается при 420 нм и заканчивается при 640 нм и имеет максимум при 510 нм;
(г) полоса при 570/637 нм: вклад в коэффициент поглощения при 570 нм в интервале 0,1 - 5 см-1; данная полоса начинается при 500 нм и заканчивается при 640 нм и имеет максимум при 570 нм;
(д) наклонный участок: вклад в коэффициент поглощения при 510 нм при значении менее чем 3 см-1; вклад наклонного участка в коэффициент поглощения имеет следующую приблизительную зависимость от длины волны: коэффициент поглощения (см-1)=С × (длина волны в мкм)-3, где С = постоянная;
(ii) основной объем слоя содержит центры, обусловленные наличием дефектов и примесей, которые вносят вклад в спектр люминесценции так, что нормализованная величина интенсивности люминесценции для нулевой фоновой линии, измеренная как описано в тексте заявки с использованием возбуждения аргоновым ионным лазером при длине волны 514 нм при 77 К, соответствует одному или нескольким следующим критериям:
(а) нулевая фоновая линия при 575 нм: нулевая фоновая линия при 575 нм при 77 К имеет нормализованную величину интенсивности люминесценции в интервале 0,02-80; данный пик начинается при 570 нм и заканчивается при 680 нм и имеет максимум при 575 нм;
(б) нулевая фоновая линия при 637 нм: нулевая фоновая линия при 637 нм при 77 К имеет нормализованную величину интенсивности люминесценции в интервале 0,01-300; данный пик начинается при 635 нм и заканчивается при 800 нм и имеет максимум при 637 нм;
(iii) основной объем слоя алмаза, полученного методом ХОГФ, характеризуется соотношением нормализованных значений люминесценции при 637 нм/575 нм, измеренных как описано выше, которое находится в интервале 0,2-10.
11. Алмазный слой по п.10, в котором основной объем включает по меньшей мере 80 процентов суммарного объема слоя.
12. Алмазный слой по п.10, в котором основной объем включает по меньшей мере 95 процентов суммарного объема слоя.
13. Алмазный слой по любому из пп.11-12, в котором основной объем слоя формируется в одном секторе роста.
14. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 270 нм в интервале 0,4 - 10 см-1 и соответствует пику при 270 нм, который начинается при 235 нм и заканчивается при 325 нм и имеет максимум при 270 нм.
15. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 270 нм в интервале 0,8 - 6 см-1 и соответствует пику при 270 нм, который начинается при 235 нм и заканчивается при 325 нм и имеет максимум при 270 нм.
16. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 350 нм в интервале 1,0 - 8 см-1 и соответствует полосе при 350 нм, которая начинается при 270 нм и заканчивается при 450 нм и имеет максимум при 350 нм.
17. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 350 нм в интервале 1,5 - 6 см-1 и соответствует полосе при 350 нм, которая начинается при 270 нм и заканчивается при 450 нм и имеет максимум при 350 нм.
18. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 510 нм в интервале 0,2 - 4 см-1 и соответствует полосе при 510 нм, которая начинается при 420 нм и заканчивается при 640 нм и имеет максимум при 510 нм.
19. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 510 нм в интервале 0,4 - 2 см-1 и соответствует полосе при 510 нм, которая начинается при 420 нм и заканчивается при 640 нм и имеет максимум при 510 нм.
20. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 570 нм в интервале 0,3 - 3 см-1 и соответствует полосе при 570/637 нм, которая начинается при 500 нм и заканчивается при 640 нм и имеет максимум при 570 нм.
21. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 570 нм в интервале 0,3 - 1,5 см-1 и соответствует полосе при 570/637 нм, которая начинается при 500 нм и заканчивается при 640 нм и имеет максимум при 570 нм.
22. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 510 нм, который меньше чем 1,5 см-1 и соответствует наклонному участку, который имеет следующую приблизительную зависимость от длины волны: коэффициент поглощения (см-1)=С × (длина волны в мкм)-3, где С = постоянная.
23. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 510 нм, который меньше чем 0,8 см-1 и соответствует наклонному участку, имеющему следующую приблизительную зависимость от длины волны: коэффициент поглощения (см-1)=С × (длина волны в мкм)-3, где С = постоянная.
24. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 575 нм в интервале 0,05 - 60 см-1 в кривой нормализованной величины люминесценции при 77К и соответствует пику при 575 нм, который начинается при 570 нм и заканчивается при 680 нм и имеет нулевой фотонный максимум при 575 нм.
25. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 575 нм в интервале 0,2 - 40 см-1 в кривой нормализованной величины люминесценции при 77К и соответствует пику при 575 нм, который начинается при 570 нм и заканчивается при 680 нм и имеет нулевой фотонный максимум при 575 нм.
26. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 637 нм в интервале 0,02 - 200 см-1 в кривой нормализованной величины люминесценции при 77К и соответствует пику при 637 нм, который начинается при 635 нм и заканчивается при 800 нм и имеет нулевую фотонную линию при 637 нм.
27. Алмазный слой по п.10, где центр окраски, который вносит вклад в спектр поглощения алмаза, имеет коэффициент поглощения при 637 нм в интервале 0,03 - 100 см-1 в кривой нормализованной величины люминесценции при 77К и соответствует пику при 637 нм, который начинается при 635 нм и заканчивается при 800 нм и имеет нулевую фотонную линию при 637 нм.
28. Алмазный слой по п.10, в котором соотношение нормализованных величин люминесценции 637 нм/575 нм находится в интервале от 0,5 до 8.
29. Алмазный слой по п.10, в котором соотношение нормализованных величин люминесценции 637 нм/575 нм находится в интервале от 2 до 5.
30. Слой монокристаллического алмаза, который является окрашенным и для основного объема которого, составляющего по меньшей мере 55% всего объема слоя, в спектре поглощения наблюдается низкорасположенный наклонный участок в форме кривой, возрастающей от ветви согласно гидратации коэффициент поглощения наклонного участка (см-1)=С × λ-3,
где С = постоянная, λ в мкм,
при этом данный наклонный участок имеет коэффициент поглощения при 510 нм, который меньше, чем 3 см-1 и где основной объем содержит один или более дефектов или связанных с наличием примесей центров окраски, которые вносят вклад в спектр поглощения алмаза, где вклад в коэффициент поглощения одного или более обозначенных значений длины волны имеет следующие характеристики
(а) пик при 270 нм: вклад в коэффициент поглощения при 270 нм в интервале 0,1 - 30 см-1; данный пик начинается при 220 нм и заканчивается при 325 нм и имеет максимум при 270 нм;
(б) полоса при 350 нм: вклад в коэффициент поглощения при 350 нм находится в интервале 0,3 - 20 см-1; данная полоса начинается при 270 нм и заканчивается при 450 нм и имеет максимум при 350 нм;
(в) полоса при 510 нм: вклад в коэффициент поглощения при 510 нм находится в интервале 0,1 - 10 см-1; данная полоса начинается при 420 нм и заканчивается при 640 нм и имеет максимум при 510 нм;
(г) полоса при 570/637 нм: вклад в коэффициент поглощения при 570 нм находится в интервале 0,1 - 5 см-1; данная полоса начинается при 500 нм и заканчивается при 640 нм и имеет максимум при 570 нм.
31. Способ получения слоя окрашенного монокристаллического алмаза, способ включающий стадию подготовки алмазной подложки, имеющей поверхность, которая по существу не содержит дефектов кристалличности, стадию подготовки исходного газа, стадию разложения исходного газа с получением атмосферы для синтеза, которая содержит от 0,5 до 500 част./млн. азота, вычислено в расчете на молекулярный азот, и стадию гомоэпитаксиального роста алмаза на поверхности, по существу свободной от дефектов кристаллической решетки.
32. Способ по п.31, в котором атмосфера для синтеза содержит от 1 до 100 част./млн. азота, в расчете на молекулярный азот.
33. Способ по п.31, в котором атмосфера для синтеза содержит азот в количестве, подходящем для того, чтобы увеличить размеры сектора роста {100} и уменьшить размеры конкурирующих секторов роста.
34. Способ по любому из пп.31-33, в котором плотность дефектов является такой, что элементы поверхности, возникшие при травлении и связанные с наличием дефектов, имеют плотность ниже 5×103/мм2.
35. Способ по любому из пп.31-33, в котором плотность дефектов является такой, что элементы поверхности, возникшие при травлении, и связанные с формированием дефектов, имеют плотность ниже 102/мм2.
36. Способ по любому из пп.31-33, в котором поверхность или поверхности, на которых происходит рост алмаза методом ХОГФ, выбирают из поверхностей {100}, {110}, {113} и {111},
37. Алмазный слой, полученный способом согласно любому из пп.31-36.
38. Ювелирный камень, полученный из слоя алмаза по любому из пп.1-30 и 37.
39. Ювелирный камень по п.38, обладающий показателем качества SI1 или более высоким.
40. Ювелирный камень по п.38, обладающий показателем качества VS1 или более высоким.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0130004A GB0130004D0 (en) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | Coloured diamond |
| GB0130004.5 | 2001-12-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2004121781A true RU2004121781A (ru) | 2005-06-10 |
| RU2314368C2 RU2314368C2 (ru) | 2008-01-10 |
Family
ID=9927670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2004121781A RU2314368C2 (ru) | 2001-12-14 | 2002-12-13 | Окрашенный алмаз |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US20040194690A1 (ru) |
| EP (2) | EP1466041B1 (ru) |
| JP (1) | JP4344244B2 (ru) |
| KR (1) | KR100979002B1 (ru) |
| CN (1) | CN1322178C (ru) |
| AT (1) | ATE489489T1 (ru) |
| AU (1) | AU2002358226B2 (ru) |
| CA (1) | CA2469789C (ru) |
| DE (1) | DE60238442D1 (ru) |
| GB (2) | GB0130004D0 (ru) |
| HK (1) | HK1076643A1 (ru) |
| IL (2) | IL162356A0 (ru) |
| RU (1) | RU2314368C2 (ru) |
| TW (1) | TWI233426B (ru) |
| WO (1) | WO2003052177A1 (ru) |
| ZA (1) | ZA200404372B (ru) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4469552B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2010-05-26 | エレメント シックス （プロプライエタリイ）リミテッド | 厚い単結晶ダイヤモンド層、それを造る方法及びその層から形成された宝石の原石 |
| AU7436801A (en) | 2000-06-15 | 2001-12-24 | De Beers Ind Diamond | Single crystal diamond prepared by cvd |
| GB0130005D0 (en) * | 2001-12-14 | 2002-02-06 | Diamanx Products Ltd | Boron doped diamond |
| GB0130004D0 (en) * | 2001-12-14 | 2002-02-06 | Diamanx Products Ltd | Coloured diamond |
| EP1537259B1 (en) | 2002-09-06 | 2010-11-24 | Element Six Limited | Method for altering the colour of a single crystal cvd diamond and diamond layer produced thereby |
| GB0221949D0 (en) | 2002-09-20 | 2002-10-30 | Diamanx Products Ltd | Single crystal diamond |
| GB2433738B (en) * | 2002-11-21 | 2007-08-15 | Element Six Ltd | Optical Quality Diamond Material |
| GB0227261D0 (en) * | 2002-11-21 | 2002-12-31 | Element Six Ltd | Optical quality diamond material |
| KR101240785B1 (ko) | 2003-12-12 | 2013-03-07 | 엘리멘트 식스 리미티드 | 화학적 증착 다이아몬드에 마크를 통합시키는 방법 |
| JP4697514B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2011-06-08 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド単結晶基板の製造方法およびダイヤモンド単結晶基板 |
| JP4525897B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2010-08-18 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド単結晶基板 |
| JP5002982B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2012-08-15 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| GB0512728D0 (en) * | 2005-06-22 | 2005-07-27 | Element Six Ltd | High colour diamond |
| WO2006136929A2 (en) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Element Six Limited | High colour diamond layer |
| EP1957689B1 (en) | 2005-12-09 | 2011-04-20 | Element Six Technologies (PTY) LTD | High crystalline quality synthetic diamond |
| JP5284575B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-09-11 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド単結晶及びその製造方法 |
| JP4803464B2 (ja) * | 2008-07-04 | 2011-10-26 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 単結晶ダイヤモンドの表面損傷の除去方法 |
| GB0813490D0 (en) | 2008-07-23 | 2008-08-27 | Element Six Ltd | Solid state material |
| GB0813491D0 (en) | 2008-07-23 | 2008-08-27 | Element Six Ltd | Diamond Material |
| EP2446072B1 (en) | 2009-06-26 | 2018-02-21 | Element Six Technologies Limited | Method for making fancy orange coloured single crystal cvd diamond and product obtained |
| US8986646B2 (en) | 2009-06-26 | 2015-03-24 | Element Six Technologies Limited | Diamond material |
| US9157170B2 (en) | 2009-12-21 | 2015-10-13 | Element Six Technologies Limited | Single crystal diamond material |
| GB2476478A (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-29 | Element Six Ltd | Chemical vapour deposition diamond synthesis |
| US10273598B2 (en) | 2009-12-22 | 2019-04-30 | Element Six Technologies Limited | Synthetic CVD diamond |
| US8945301B2 (en) * | 2010-08-05 | 2015-02-03 | University Of Houston System | Method of producing diamond powder and doped diamonds |
| US9277792B2 (en) * | 2010-08-24 | 2016-03-08 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Multicolored single crystal diamond gemstones and methods for forming the same |
| GB201021985D0 (en) * | 2010-12-24 | 2011-02-02 | Element Six Ltd | Dislocation engineering in single crystal synthetic diamond material |
| GB201121642D0 (en) * | 2011-12-16 | 2012-01-25 | Element Six Ltd | Single crtstal cvd synthetic diamond material |
| US9359213B2 (en) * | 2012-06-11 | 2016-06-07 | The Board Of Regents Of The Nevada System Of Higher Education On Behalf Of The University Of Nevada, Las Vegas | Plasma treatment to strengthen diamonds |
| CN106884202B (zh) * | 2012-06-29 | 2019-12-03 | 住友电气工业株式会社 | 金刚石单晶和单晶金刚石工具 |
| GB201216697D0 (en) | 2012-09-19 | 2012-10-31 | Element Six Ltd | Single crystal chemical vapour deposited synthetic diamond materials having uniform colour |
| WO2014136539A1 (ja) * | 2013-03-04 | 2014-09-12 | 株式会社島津製作所 | クロマトグラムデータ処理装置及び処理方法 |
| US10487395B2 (en) | 2014-06-25 | 2019-11-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing diamond substrate, diamond substrate, and diamond composite substrate |
| EP3214208B1 (en) * | 2014-10-29 | 2021-08-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single-crystal diamond material, and tool, radiation temperature monitor, and infrared optical component including said diamond material |
| GB201516814D0 (en) | 2015-09-23 | 2015-11-04 | Element Six Technologies Ltd | Method of fabricating a plurality of single crystal CVD synthetic diamonds |
| GB201620413D0 (en) | 2016-12-01 | 2017-01-18 | Element Six Tech Ltd | Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition |
| GB201620415D0 (en) * | 2016-12-01 | 2017-01-18 | Element Six Tech Ltd | Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition |
| GB201811162D0 (en) | 2018-07-06 | 2018-08-29 | Element Six Tech Ltd | Method of manufacture of single crystal synthetic diamond material |
| GB201904435D0 (en) * | 2019-03-29 | 2019-05-15 | Element Six Tech Ltd | Single crystal synthetic diamond material |
| CN110219043A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-09-10 | 宁波晶钻工业科技有限公司 | 一种多色单晶金刚石生长方法 |
| US11802053B2 (en) | 2021-06-10 | 2023-10-31 | Daniel Hodes | Method and apparatus for the fabrication of diamond by shockwaves |
| GB2614522B (en) | 2021-10-19 | 2024-04-03 | Element Six Tech Ltd | CVD single crystal diamond |
| GB2614521A (en) | 2021-10-19 | 2023-07-12 | Element Six Tech Ltd | CVD single crystal diamond |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3322304A1 (de) * | 1983-06-21 | 1985-01-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Streifenleitungsdopplerradar |
| KR900008505B1 (ko) * | 1987-02-24 | 1990-11-24 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | 탄소 석출을 위한 마이크로파 강화 cvd 방법 |
| US5284709A (en) * | 1987-03-30 | 1994-02-08 | Crystallume | Diamond materials with enhanced heat conductivity |
| JP2571795B2 (ja) | 1987-11-17 | 1997-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 紫色ダイヤモンドおよびその製造方法 |
| JP2571808B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1997-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 緑色ダイヤモンド及びその製造方法 |
| EP0326856A1 (de) | 1988-01-28 | 1989-08-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronischer Impulszähler |
| GB8810111D0 (en) * | 1988-04-28 | 1988-06-02 | Jones B L | Diamond growth |
| JP2730144B2 (ja) * | 1989-03-07 | 1998-03-25 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶ダイヤモンド層形成法 |
| US6162412A (en) * | 1990-08-03 | 2000-12-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Chemical vapor deposition method of high quality diamond |
| JP2940099B2 (ja) | 1990-08-09 | 1999-08-25 | 住友電気工業株式会社 | 高熱伝導性ダイヤモンド単結晶の合成方法 |
| US5474021A (en) | 1992-09-24 | 1995-12-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Epitaxial growth of diamond from vapor phase |
| JPH06107494A (ja) | 1992-09-24 | 1994-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの気相成長法 |
| JP3314444B2 (ja) | 1993-03-15 | 2002-08-12 | 住友電気工業株式会社 | 赤色ダイヤモンドおよび桃色ダイヤモンド |
| JP3484749B2 (ja) | 1994-04-04 | 2004-01-06 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンドの合成法 |
| CN1123847A (zh) * | 1994-11-29 | 1996-06-05 | 中国科学院物理研究所 | 一种热丝法生长金刚石的方法 |
| JP4291886B2 (ja) | 1994-12-05 | 2009-07-08 | 住友電気工業株式会社 | 低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法 |
| US5628824A (en) * | 1995-03-16 | 1997-05-13 | The University Of Alabama At Birmingham Research Foundation | High growth rate homoepitaxial diamond film deposition at high temperatures by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition |
| JP4032482B2 (ja) | 1997-04-18 | 2008-01-16 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| US6582513B1 (en) * | 1998-05-15 | 2003-06-24 | Apollo Diamond, Inc. | System and method for producing synthetic diamond |
| RU2293603C2 (ru) | 2000-03-31 | 2007-02-20 | Элемент Сикс Текнолоджиз (Пти) Лтд. | Способ изменения цвета алмаза при высокой температуре и высоком давлении |
| GB0007887D0 (en) * | 2000-03-31 | 2000-05-17 | De Beers Ind Diamond | Colour change of diamond |
| JP4469552B2 (ja) * | 2000-06-15 | 2010-05-26 | エレメント シックス （プロプライエタリイ）リミテッド | 厚い単結晶ダイヤモンド層、それを造る方法及びその層から形成された宝石の原石 |
| AU7436801A (en) | 2000-06-15 | 2001-12-24 | De Beers Ind Diamond | Single crystal diamond prepared by cvd |
| GB0130005D0 (en) * | 2001-12-14 | 2002-02-06 | Diamanx Products Ltd | Boron doped diamond |
| GB0130004D0 (en) * | 2001-12-14 | 2002-02-06 | Diamanx Products Ltd | Coloured diamond |
| EP1537259B1 (en) | 2002-09-06 | 2010-11-24 | Element Six Limited | Method for altering the colour of a single crystal cvd diamond and diamond layer produced thereby |
| GB0221949D0 (en) | 2002-09-20 | 2002-10-30 | Diamanx Products Ltd | Single crystal diamond |
| GB0227261D0 (en) | 2002-11-21 | 2002-12-31 | Element Six Ltd | Optical quality diamond material |
-
2001
- 2001-12-14 GB GB0130004A patent/GB0130004D0/en not_active Ceased
-
2002
- 2002-12-13 IL IL1625602A patent/IL162356A0/xx unknown
- 2002-12-13 JP JP2003553043A patent/JP4344244B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-13 AU AU2002358226A patent/AU2002358226B2/en not_active Ceased
- 2002-12-13 GB GB0415783A patent/GB2400115C/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-13 DE DE60238442T patent/DE60238442D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-13 EP EP02791923A patent/EP1466041B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-13 WO PCT/IB2002/005332 patent/WO2003052177A1/en active Application Filing
- 2002-12-13 CN CNB028268318A patent/CN1322178C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-13 KR KR1020047009236A patent/KR100979002B1/ko active IP Right Grant
- 2002-12-13 CA CA 2469789 patent/CA2469789C/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-13 RU RU2004121781A patent/RU2314368C2/ru active
- 2002-12-13 EP EP10175712.8A patent/EP2253745B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-13 AT AT02791923T patent/ATE489489T1/de not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-02-25 TW TW92103944A patent/TWI233426B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-09-05 US US10/655,581 patent/US20040194690A1/en not_active Abandoned
-
2004
- 2004-06-03 ZA ZA200404372A patent/ZA200404372B/en unknown
- 2004-06-03 IL IL16235604A patent/IL162356A/en active IP Right Grant
-
2005
- 2005-09-29 HK HK05108588A patent/HK1076643A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-03-08 US US11/683,576 patent/US7910083B2/en active Active
-
2010
- 2010-10-07 US US12/899,611 patent/US9115443B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2004121781A (ru) | Окрашенный алмаз | |
| CN104630882B (zh) | 用于制备鲜艳橙色着色的单晶cvd 金刚石的方法及其获得的产品 | |
| JP4711677B2 (ja) | 着色されたダイヤモンド | |
| Hainschwang et al. | Natural, untreated diamonds showing the A, B and C infrared absorptions (“ABC diamonds”), and the H2 absorption | |
| Shim et al. | Effect of the variation of film thickness on the structural and optical properties of ZnO thin films deposited on sapphire substrate using PLD | |
| Song et al. | Strong ultraviolet photoluminescence from silicon oxide films prepared by magnetron sputtering | |
| EP0316856B1 (en) | Purple diamond and method of producing the same | |
| Hanaizumi et al. | Blue-light emission from sputtered Si: SiO 2 films without annealing | |
| JP6047846B2 (ja) | 均一な色を有する単結晶化学蒸着合成ダイヤモンド材料 | |
| Modreanu et al. | Investigation on preparation and physical properties of nanocrystalline Si/SiO2 superlattices for Si-based light-emitting devices | |
| CN100366802C (zh) | 着色的金刚石 | |
| JPH02385A (ja) | ダイヤモンド発光素子およびその製造方法 | |
| Hanaizumi et al. | Blue-light emission from sputtered Ti: SiO 2 films without annealing | |
| Wadayama et al. | Change in luminescence properties of porous Si by F 2 and D 2 O exposure: In situ photoluminescence, Raman, and Fourier-transform infrared spectral study | |
| KR20010090952A (ko) | 세륨실리케이트 발광재료 및 그 제조방법 | |
| Sun et al. | Synthetic color-change wakefieldite. | |
| 和田山 et al. | Dynamic photoluminescence change of porous Si upon exposure to thermoelectrons/D atoms and D2O | |
| Okada et al. | Visible photoluminescence from evaporated SiOx thin films | |
| Daldosso et al. | Silicon nanocrystal nucleation as a function of the annealing temperature in SiOx films | |
| Kurbanov et al. | Photo-and cathodoluminescence studies of ZnO-filled opal nanocomposites | |
| Tanaka et al. | Annealing effects and optical properties of Si: SiO 2 films prepared by radio frequency sputter | |
| Breeding | Two Diamonds from the Same Octahedron. | |
| Nikas et al. | Intense blue-white luminescence from amorphous silicon oxycarbide (a-SiCxOy) thin films | |
| Shim et al. | Effect of reaction gas on the structural and optical features of nc-Si: H thin films prepared by PECVD | |
| Gelloz et al. | Ultraviolet and Long-Lived Blue Luminescence of Oxidized Porous Silicon |