RU2004117077A - Устройство и способ формирования алмазов - Google Patents

Устройство и способ формирования алмазов Download PDF

Info

Publication number
RU2004117077A
RU2004117077A RU2004117077/15A RU2004117077A RU2004117077A RU 2004117077 A RU2004117077 A RU 2004117077A RU 2004117077/15 A RU2004117077/15 A RU 2004117077/15A RU 2004117077 A RU2004117077 A RU 2004117077A RU 2004117077 A RU2004117077 A RU 2004117077A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
holder
growth surface
growth
temperature
Prior art date
Application number
RU2004117077/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2302484C2 (ru
Inventor
Рассел Дж. ХЕМЛИ (US)
Рассел Дж. ХЕМЛИ
Хо-кванг МАО (US)
Хо-Кванг Мао
Чих-шию ЯН (US)
Чих-шию ЯН
Йогеш К. ВОХРА (US)
Йогеш К. Вохра
Original Assignee
Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон (Us)
Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон
Дзе Ю Эй Би Рисерч Фаундейшн (Us)
Дзе Ю Эй Би Рисерч Фаундейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=23292514&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2004117077(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон (Us), Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон, Дзе Ю Эй Би Рисерч Фаундейшн (Us), Дзе Ю Эй Би Рисерч Фаундейшн filed Critical Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон (Us)
Publication of RU2004117077A publication Critical patent/RU2004117077A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2302484C2 publication Critical patent/RU2302484C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/04—Diamond
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1016—Apparatus with means for treating single-crystal [e.g., heat treating]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
    • Y10T117/108—Including a solid member other than seed or product contacting the liquid [e.g., crucible, immersed heating element]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Claims (64)

1. Устройство для формирования алмаза в камере для осаждения, содержащее теплоотводящий держатель для удерживания алмаза и для осуществления термического контакта с боковой поверхностью алмаза, прилежащей к грани ростовой поверхности алмаза, бесконтактное устройство измерения температуры, расположенное с возможностью измерения температуры алмаза от края до края ростовой поверхности алмаза, и основное устройство управления технологическим процессом для получения измерений температуры от бесконтактного устройства для измерения температуры и регулирования температуры ростовой поверхности так, чтобы все температурные градиенты от края до края ростовой поверхности были меньше 20°С.
2. Устройство по п.1, в котором теплоотводящий держатель содержит трубчатую часть, выполненную из молибдена.
3. Устройство по п.1, в котором теплоотводящий держатель расположен в платформе и переносит тепловую энергию к платформе, установленной в камере для осаждения.
4. Устройство по п.3, в котором теплоотводящий держатель образца осуществляет термический контакт с термической массой, которая переносит тепловую энергию к платформе.
5. Устройство по п.4, в котором алмаз удерживается в теплоотводящем держателе образца с помощью винтов, стягивающих термическую массу до соприкосновения с держателем.
6. Устройство по п.1, в котором алмаз установлен в теплоотводящем держателе с возможностью скольжения.
7. Устройство по п.1, в котором алмаз установлен в теплоотводящем держателе с возможностью скольжения и установлен на первом элементе привода, который перемещается вдоль оси, по существу, перпендикулярной ростовой поверхности.
8. Устройство по п.7, в котором теплоотводящий держатель помещают на втором элементе привода, который перемещается вдоль оси, по существу, перпендикулярной ростовой поверхности для сохранения расстояния между гранью ростовой поверхности алмаза и верхней гранью теплоотводящего держателя.
9. Устройство по п.1, в котором теплоотводящий держатель помещают на первом элементе привода с возможностью скольжения в термической массе для приема тепла от алмаза.
10. Устройство по п.9, в котором алмаз установлен в теплоотводящем держателе с возможностью скольжения, и установлен на втором элементе привода, который перемещается вдоль оси, по существу, перпендикулярной ростовой поверхности.
11. Устройство по п.9, в котором термическая масса установлена на платформе в камере для осаждения.
12. Устройство по п.9, в котором первый элемент привода перемещается вдоль оси, по существу перпендикулярной ростовой поверхности, чтобы сохранить расстояние между гранью ростовой поверхности алмаза и верхней гранью теплоотводящего держателя.
13. Устройство по п.1, в котором бесконтактным устройством измерения температуры является инфракрасный пирометр.
14. Устройство по п.1, в котором алмаз, по существу, является монокристаллическим алмазом.
15. Конструкция держателя образца для формирования алмаза, содержащая алмаз, теплоотводящий держатель, осуществляющий термический контакт с боковой поверхностью алмаза, прилежащей к грани ростовой поверхности алмаза, при этом алмаз установлен с возможностью скольжения в теплоотводящем держателе, платформа для приема тепловой энергии от теплоотводящего держателя, и первый элемент привода, выполненный с возможностью перемещения вдоль оси, по существу перпендикулярной ростовой поверхности, для изменения местоположения алмаза в теплоотводящем держателе.
16. Конструкция по п.15, в которой теплоотводящий держатель выполнен из молибдена.
17. Конструкция по п.15, в которой теплоотводящий держатель образца осуществляет термический контакт с термической массой, которая переносит тепловую энергию к платформе.
18. Конструкция по п.15, в которой теплоотводящий держатель помещают на втором элементе привода, который перемещается вдоль оси, по существу перпендикулярно ростовой поверхности, для сохранения расстояния между гранью ростовой поверхности алмаза и верхней грани теплоотводящего держателя.
19. Конструкция держателя образца для формирования алмаза, содержащего алмаз, теплоотводящий держатель, осуществляющий термический контакт с боковой поверхностью алмаза, прилежащей к грани ростовой поверхности алмаза, термическую массу для приема тепловой энергии от теплоотводящего держателя, при этом алмаз удерживается в теплоотводящем держателе под давлением, прилагаемым через термическую массу, и платформу для приема тепловой энергии от теплоотводящего держателя через термическую массу.
20. Конструкция по п.19, в которой давление прилагают с помощью винта.
21. Конструкция по п.19, в которой термическая масса представляет собой цанги.
22. Способ формирования алмаза, включающий в себя следующие этапы:
размещают алмаз в держатель так, чтобы осуществлялся термический контакт с боковой поверхностью алмаза, прилежащей к ростовой поверхности алмаза;
измеряют температуру ростовой поверхности алмаза, чтобы сформировать результаты измерений температур;
регулирование температуры ростовой поверхности на основе измерений температуры; и
выращивание монокристаллического алмаза с помощью микроволнового плазменного химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности, при котором скорость роста алмаза больше 1 мкм/ч.
23. Способ по п.22, в котором атмосфера содержит водород, 1-5% азота на единицу водорода и 6-12% метана на единицу водорода.
24. Способ по п.23, в котором атмосфера, кроме того, содержит 1-3% кислорода на единицу водорода.
25. Способ по п.24, в котором температура роста составляет 900-1400°С.
26. Способ по п.22, в котором атмосфера содержит 3% азота на единицу водорода и 12% метана на единицу водорода.
27. Способ по п.22, в котором давление составляет 130-400 торр.
28. Способ по п.22, в котором температура роста составляет 1000-1400°С.
29. Способ по п.22, который дополнительно включает этапы:
изменение положения алмаза в держателе после этапа роста алмаза; и
снова выращивание алмаза с помощью микроволнового плазменного химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности.
30. Способ по п.22, который дополнительно включает этап изменения положения алмаза в держателе во время роста алмаза.
31. Способ по п.22, который дополнительно включает этап определения того, следует ли изменить положение алмаза в держателе.
32. Способ по п.22, который дополнительно включает этап определения того, имеет ли алмаз предварительно заданную толщину, и остановки роста алмаза, если алмаз имеет предварительно заданную толщину.
33. Способ формирования алмаза, включающий размещение алмаза в держателе, измерение температуры ростовой поверхности алмаза, чтобы сформировать измерения температур, регулирование температуры ростовой поверхности с помощью основного устройства управления технологическим процессом с использованием измерений температуры так, чтобы все температурные градиенты от края до края ростовой поверхности были меньше 20°С, выращивание алмаза на ростовой поверхности, и изменение положения алмаза в держателе.
34. Способ по п.33, который дополнительно включает этап определения того, следует ли изменить положение алмаза в держателе.
35. Способ по п.33, который дополнительно включает этапы определение того, имеет ли алмаз предварительно заданную толщину; и
остановки роста алмаза, если алмаз имеет предварительно заданную толщину.
36. Способ по п.33, в котором атмосфера содержит водород, 1-5% азота на единицу водорода и 6-12% метана на единицу водорода.
37. Способ по п.33, в котором алмаз по существу является монокристаллическим алмазом.
38. Способ по п.33, в котором температура роста составляет 900-1400°С.
39. Способ по п.33, в котором атмосфера содержит 3% азота на единицу водорода и 12% метана на единицу водорода.
40. Способ по п.33, в котором давление составляет 130-400 торр.
41. Способ по п.33, в котором температура роста алмаза составляет 1000-1400°С.
42. Способ по п.33, в котором этап выращивания алмаза повторяют после изменения положения алмаза в держателе.
43. Способ по п.33, в котором изменение положения алмаза в держателе происходит во время стадии выращивания алмаза.
44. Способ по п.33, в котором скорость роста алмаза выше 1 мкм/ч и алмаз является моно кристаллическим алмазом.
45. Способ формирования алмаза, включающий следующие этапы: регулирование температуры ростовой поверхности алмаза так, чтобы все температурные градиенты от края до края ростовой поверхности составляли меньше 20°С, и выращивание монокристаллического алмаза с помощью микроволнового плазменного химического осаждения из паровой фазы на ростовой поверхности при температуре роста в камере для осаждения имеющей атмосферу с давлением, по меньшей мере, 130 торр.
46. Способ по п.45, в котором атмосфера содержит водород, 1-5% азота на единицу водорода и 6-12% метана на единицу водорода.
47. Способ по п.46, в котором атмосфера, кроме того, содержит 1-3% кислорода на единицу водорода.
48. Способ по п.47, в котором температура роста составляет 900-1400°С.
49. Способ по п.46, в котором атмосфера содержит 3% азота на единицу водорода и 12% метана на единицу водорода.
50. Способ по п.45, в котором давление составляет 130-400 торр.
51. Способ по п.45, в котором температура роста составляет 1000-1400°С.
52. Способ по п.45, который дополнительно включает этап помещения затравки алмаза в держатель.
53. Способ по п.52, который дополнительно включает этап изменения положения алмаза в держателе после этапа выращивания монокристаллического алмаза, и повторение этапа выращивания монокристаллического алмаза.
54. Способ по п.52, который дополнительно включает этап изменения положения монокристаллического алмаза в держателе во время выращивания монокристаллического алмаза.
55. Способ по п.45, в котором скорость роста монокристаллического алмаза составляет от 1 до 150 мкм/ч.
56. Способ формирования алмаза, включающий следующие этапы: регулирование температуры ростовой поверхности алмаза так, чтобы все температурные градиенты от края до края ростовой поверхности составляли меньше 20°С, и выращивание монокристаллического алмаза с помощью микроволнового плазменного химического осаждения паровой фазы на ростовой поверхности при температуре 900-1400°С.
57. Способ по п.56, в котором атмосфера содержит водород, 1-5% азота на единицу водорода и 6-12% метана на единицу водорода.
58. Способ по п.56, в котором атмосфера, кроме того, содержит 1-3% кислорода на единицу водорода.
59. Способ по п.57, в котором атмосфера содержит 3% азота на единицу водорода и 12% метана на единицу водорода.
60. Способ по п.56, в котором давление атмосферы, в которой происходит рост алмаза, составляет 130-400 торр.
61. Способ по п.56, который дополнительно включает этап помещения затравки алмаза в держатель.
62. Способ по п.61, который дополнительно включает этапы изменения положения алмаза в держателе после этапа выращивания монокристаллического алмаза, и повторение этапа выращивания монокристаллического алмаза.
63. Способ по п.61, который дополнительно включает этап изменения положения монокристаллического алмаза в держателе во время выращивания монокристаллического алмаза.
64. Способ по п.56, в котором скорость роста монокристаллического алмаза составляет от 1 до 150 мкм/час.
RU2004117077/15A 2001-11-07 2002-11-07 Устройство и способ формирования алмазов RU2302484C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US33107301P 2001-11-07 2001-11-07
US60/331,073 2001-11-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004117077A true RU2004117077A (ru) 2005-04-10
RU2302484C2 RU2302484C2 (ru) 2007-07-10

Family

ID=23292514

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004117077/15A RU2302484C2 (ru) 2001-11-07 2002-11-07 Устройство и способ формирования алмазов

Country Status (15)

Country Link
US (4) US6858078B2 (ru)
EP (1) EP1444390B1 (ru)
JP (2) JP3834314B2 (ru)
KR (1) KR100942279B1 (ru)
CN (1) CN1296528C (ru)
AT (1) ATE453741T1 (ru)
AU (1) AU2002361594B2 (ru)
CA (1) CA2466077C (ru)
DE (1) DE60234949D1 (ru)
HK (1) HK1075072A1 (ru)
RU (1) RU2302484C2 (ru)
TW (1) TWI239266B (ru)
UA (1) UA81614C2 (ru)
WO (1) WO2003040440A2 (ru)
ZA (1) ZA200404243B (ru)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
UA81614C2 (ru) * 2001-11-07 2008-01-25 Карнеги Инститьюшн Ов Вашингтон Устройство для изготовления алмазов, узел удержания образца (варианты) и способ изготовления алмазов (варианты)
GB2430194B (en) * 2002-09-06 2007-05-02 Element Six Ltd Coloured diamond
GB2409675B (en) 2002-09-06 2007-04-25 Element Six Ltd Modification of the colour of a single crystal CVD diamond
US7157067B2 (en) * 2003-07-14 2007-01-02 Carnegie Institution Of Washington Tough diamonds and method of making thereof
US7594968B2 (en) * 2004-09-10 2009-09-29 Carnegie Institution Of Washington Ultratough CVD single crystal diamond and three dimensional growth thereof
JP4649153B2 (ja) * 2004-09-14 2011-03-09 アリオス株式会社 ダイヤモンド合成用ｃｖｄ装置
DE602005027597D1 (de) * 2004-11-16 2011-06-01 Nippon Telegraph & Telephone Vorrichtung zur herstellung von kristall
JP5002982B2 (ja) * 2005-04-15 2012-08-15 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドの製造方法
JP5296533B2 (ja) * 2005-05-25 2013-09-25 カーネギー インスチチューション オブ ワシントン 高成長速度での無色単結晶ｃｖｄダイヤモンド
JP4613314B2 (ja) * 2005-05-26 2011-01-19 独立行政法人産業技術総合研究所 単結晶の製造方法
TWI410538B (zh) * 2005-11-15 2013-10-01 Carnegie Inst Of Washington 建基於以快速生長速率製造之單晶ｃｖｄ鑽石的新穎鑽石的用途／應用
WO2007081492A2 (en) * 2006-01-04 2007-07-19 Uab Research Foundation High growth rate methods of producing high-quality diamonds
JP2007331955A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ダイヤモンド製造方法
JP5284575B2 (ja) * 2006-10-31 2013-09-11 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶及びその製造方法
US8246746B2 (en) * 2007-01-29 2012-08-21 Carnegie Institution Of Washington Laser uses for single-crystal CVD diamond
CN100500951C (zh) * 2007-02-07 2009-06-17 吉林大学 高速生长金刚石单晶的装置和方法
US7776408B2 (en) * 2007-02-14 2010-08-17 Rajneesh Bhandari Method and apparatus for producing single crystalline diamonds
CN100457983C (zh) * 2007-03-23 2009-02-04 北京科技大学 浸埋式固态碳源制备单晶金刚石的方法
JP2010540399A (ja) * 2007-10-02 2010-12-24 カーネギー インスチチューション オブ ワシントン ダイヤモンドを低圧でアニールする方法
JP5003442B2 (ja) * 2007-12-04 2012-08-15 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶基板の製造方法
US7547358B1 (en) 2008-03-03 2009-06-16 Shapiro Zalman M System and method for diamond deposition using a liquid-solvent carbon-transfer mechanism
WO2009114130A2 (en) 2008-03-13 2009-09-17 Michigan State University Process and apparatus for diamond synthesis
TWI457475B (zh) * 2008-05-05 2014-10-21 Carnegie Inst Of Washington 超韌性單晶型摻硼鑽石
EP2376681B1 (en) * 2008-11-25 2014-06-11 Carnegie Institution Of Washington Production of single crystal cvd diamond rapid growth rate
US8747963B2 (en) * 2009-01-23 2014-06-10 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for diamond film growth
WO2010124625A1 (zh) * 2009-04-28 2010-11-04 Chu Xi 生产大颗粒金刚石的方法和设备
JP2013532109A (ja) 2010-05-17 2013-08-15 カーネギー インスチチューション オブ ワシントン 大形、高純度、単結晶のｃｖｄダイヤモンドの生成
JP5913362B2 (ja) 2010-12-23 2016-04-27 エレメント シックス リミテッド 合成ダイヤモンド材料のドーピングの制御
GB201021870D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201021913D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacture
GB201021860D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for diamond synthesis
GB201021865D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201021855D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd Microwave power delivery system for plasma reactors
GB201021853D0 (en) 2010-12-23 2011-02-02 Element Six Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
GB201121642D0 (en) 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Single crtstal cvd synthetic diamond material
JP5418621B2 (ja) * 2012-02-16 2014-02-19 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶基板
US9469918B2 (en) 2014-01-24 2016-10-18 Ii-Vi Incorporated Substrate including a diamond layer and a composite layer of diamond and silicon carbide, and, optionally, silicon
DE102014223301B8 (de) 2014-11-14 2016-06-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Substrathalter, Plasmareaktor und Verfahren zur Abscheidung von Diamant
WO2017036543A1 (de) * 2015-09-03 2017-03-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beschichtungsanlage und verfahren zur beschichtung
CN107021480B (zh) * 2017-04-26 2019-01-08 金华职业技术学院 一种用于沉积制备金刚石的反应器
CN108554334B (zh) * 2018-04-20 2021-06-11 长沙新材料产业研究院有限公司 一种mpcvd合成设备及合成温度控制方法
CN108840321A (zh) * 2018-07-10 2018-11-20 中喜（宁夏）新材料有限公司 天然气基石墨烯纳米金钢石联产炭黑的方法
DE102018121854A1 (de) * 2018-09-07 2020-03-12 Aixtron Se Verfahren zum Einrichten oder zum Betrieb eines CVD-Reaktors
CN109678150B (zh) * 2018-12-19 2022-05-27 长沙新材料产业研究院有限公司 金刚石合成用的衬底、温度均匀性控制装置及合成设备
CN110714225B (zh) * 2019-10-31 2021-10-01 长沙新材料产业研究院有限公司 一种金刚石生长托盘和系统
RU2762222C1 (ru) * 2019-11-05 2021-12-16 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук (ИОФ РАН) СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки
CN111394792B (zh) * 2020-01-17 2023-10-24 北京大学东莞光电研究院 一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法
CN112030146A (zh) * 2020-08-04 2020-12-04 西安电子科技大学芜湖研究院 一种基于plc冷却装置的金刚石生长控制方法及装置
RU2763103C1 (ru) * 2020-08-27 2021-12-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук" (ИОФ РАН) Способ контроля и управления температурным режимом ростовой поверхности подложки
CN113058506B (zh) * 2021-03-23 2022-05-20 湖州中芯半导体科技有限公司 一种mpcvd金刚石高效合成工艺及其装置
CN115142039A (zh) * 2021-03-31 2022-10-04 苏州贝莱克晶钻科技有限公司 Cvd钻石及其制作方法、改进钻石光学性质的方法
CN114772592B (zh) * 2022-06-21 2022-09-16 成都沃特塞恩电子技术有限公司 钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质
CN117535791B (zh) * 2023-12-06 2024-06-07 广东省新兴激光等离子体技术研究院 基于mpcvd的生长单晶金刚石材料的基台及其方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5927754B2 (ja) * 1981-12-17 1984-07-07 科学技術庁無機材質研究所長 ダイヤモンドの合成法
US5099788A (en) * 1989-07-05 1992-03-31 Nippon Soken, Inc. Method and apparatus for forming a diamond film
JP2833164B2 (ja) * 1989-07-05 1998-12-09 株式会社日本自動車部品総合研究所 ダイヤモンド膜の製造装置および製造方法
US5209182A (en) * 1989-12-01 1993-05-11 Kawasaki Steel Corporation Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film
US5704976A (en) * 1990-07-06 1998-01-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High temperature, high rate, epitaxial synthesis of diamond in a laminar plasma
JPH04367592A (ja) * 1991-06-14 1992-12-18 Kawasaki Steel Corp 単結晶ダイヤモンド膜の合成方法
JPH05105584A (ja) * 1991-10-18 1993-04-27 Tokai Carbon Co Ltd 合成ダイヤモンド析出用基体の温度調整法
JPH06183887A (ja) * 1992-12-16 1994-07-05 Idemitsu Petrochem Co Ltd ダイヤモンドの合成装置
JP3143252B2 (ja) * 1993-02-24 2001-03-07 三菱電機株式会社 硬質炭素薄膜形成装置およびその形成方法
CN1067119C (zh) * 1996-03-20 2001-06-13 中国科学院金属研究所 一种大面积高速度热丝化学气相沉积金刚石的方法及设备
CN2361640Y (zh) * 1998-01-22 2000-02-02 河北省机电一体化中试基地 一种气相生长金刚石膜的反应室
WO2001031082A1 (en) 1999-10-28 2001-05-03 P1 Diamond, Inc. Improved diamond thermal management components
UA81614C2 (ru) * 2001-11-07 2008-01-25 Карнеги Инститьюшн Ов Вашингтон Устройство для изготовления алмазов, узел удержания образца (варианты) и способ изготовления алмазов (варианты)
JP3551177B2 (ja) * 2001-11-30 2004-08-04 株式会社豊田自動織機 フロントライト用導光板

Also Published As

Publication number Publication date
US20030084839A1 (en) 2003-05-08
EP1444390B1 (en) 2009-12-30
ZA200404243B (en) 2005-03-30
AU2002361594B2 (en) 2007-09-06
JP3834314B2 (ja) 2006-10-18
KR100942279B1 (ko) 2010-02-16
JP4494364B2 (ja) 2010-06-30
CN1608148A (zh) 2005-04-20
HK1075072A1 (en) 2005-12-02
JP2006219370A (ja) 2006-08-24
US7452420B2 (en) 2008-11-18
WO2003040440A2 (en) 2003-05-15
EP1444390A2 (en) 2004-08-11
KR20040076250A (ko) 2004-08-31
UA81614C2 (ru) 2008-01-25
US20090038934A1 (en) 2009-02-12
WO2003040440A3 (en) 2004-03-04
US20070193505A1 (en) 2007-08-23
TW200301157A (en) 2003-07-01
CA2466077A1 (en) 2003-05-15
JP2005508279A (ja) 2005-03-31
US20050160969A1 (en) 2005-07-28
CN1296528C (zh) 2007-01-24
US7235130B2 (en) 2007-06-26
TWI239266B (en) 2005-09-11
CA2466077C (en) 2011-01-04
US6858078B2 (en) 2005-02-22
DE60234949D1 (de) 2010-02-11
ATE453741T1 (de) 2010-01-15
RU2302484C2 (ru) 2007-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2004117077A (ru) Устройство и способ формирования алмазов
US5127983A (en) Method of producing single crystal of high-pressure phase material
CN102358955B (zh) 制备iii-n 体晶和自支撑iii-n 衬底的方法以及iii-n 体晶和自支撑iii-n 衬底
DE69105537D1 (de) Polykristallines CVD-Diamantsubstrat für epitaktisches Aufwachsen von Einkristallhalbleitern.
Golecki et al. Heteroepitaxial Si films on yttria‐stabilized, cubic zirconia substrates
CN1886641B (zh) 用于现场衬底温度监控的方法和设备
US5471947A (en) Preparation of diamond films on silicon substrates
TW413841B (en) Method for rapid thermal processing (RTP) of a silicon substrate
Mokier et al. Si (001) growth dynamics during Si GSMBE from disilane
JP2000109366A (ja) 光不透過性の高純度炭化珪素材、半導体処理装置用遮光材および半導体処理装置
US20080093315A1 (en) Support for Semiconductor Substrate
GB2270326A (en) Growth of diamond films on silicon substrates with application of bias to substrate; tessellated patterns
US20010041258A1 (en) Standard for a nanotopography unit, and a method for producing the standard
Gregor et al. Vapor-Phase Polishing of Silicon with H 2-HBr Gas Mixtures
JPS63277596A (ja) 炭化珪素単結晶の成長方法
KR20010104659A (ko) 나노토포그래피 유닛용 표준기 및 그 제조방법
Rawles et al. Kinetics and morphology of homoepitaxial CVD growth on diamond (100) and (111)
Chen et al. Chemical Vapor Deposition and Defect Characterization of Silicon Carbide Epitaxial Films
Manasevit Chemical Vapor Deposition Growth: Quarterly Report No. 1
Ivanova et al. Stresses and Adhesion of Thin Polycrystalline 3C SiC Films Grown by CVD on Silicon Substrates