JP3834314B2 - ダイヤモンド製造用装置及び方法 - Google Patents
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Description
Claims (56)
- 成膜チャンバー内でダイヤモンドを製造する装置であって、
ダイヤモンドを保持し、前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするための放熱ホルダーと、
前記ダイヤモンドの前記成長面を横切って前記ダイヤモンドの温度を測定するように配置した非接触温度測定装置と、
前記非接触温度測定装置からの温度計測を受け、前記成長面の温度を、前記成長面を横切る全部の温度勾配が20℃未満となるように制御するための主プロセス制御器とを備えた前記装置。 - 前記放熱ホルダーが、モリブデンからなる管状部分品を備えている請求項1に記載の前記装置。
- 前記放熱ホルダーが、前記成膜チャンバー内に設置されているステージに配置されており、そこに熱エネルギーを伝達する請求項1に記載の前記装置。
- 前記放熱試験片ホルダーが、温度塊と熱的接触して、それによって熱エネルギーを前記ステージに伝達する請求項3に記載の前記装置。
- 前記ダイヤモンドを、ねじで前記放熱試験片ホルダーに対して前記温度塊を締め付けることによって前記ホルダー内に保持する請求項4に記載の前記装置。
- 前記ダイヤモンドが、前記放熱ホルダー内でスライド可能なように取り付けられる請求項1に記載の前記装置。
- 前記ダイヤモンドが、前記放熱ホルダー内でスライド可能なように取り付けられ、前記成長面に対して実質的に直角をなす軸に沿って移動する第1の作動装置部分上に取り付けられる請求項1に記載の前記装置。
- 前記放熱ホルダーが第2の作動装置部分上に配置されていて、前記第2の作動装置部分が、前記ダイヤモンドの前記成長面の縁と前記放熱ホルダーの上端部の間の間隔を維持するために前記成長面に対して実質的に直角をなす軸に沿って移動する請求項7に記載の前記装置。
- 前記放熱ホルダーが、第1の作動装置部分上に、前記ダイヤモンドから熱を受け取るために温度塊内をスライド可能なように配置されている請求項1に記載の前記装置。
- 前記ダイヤモンドが、前記放熱ホルダー内でスライド可能なように取り付けられ、前記成長面に対して実質的に直角をなす軸に沿って移動する第2の作動装置部分上に取り付けられる請求項9に記載の前記装置。
- 前記温度塊が、前記成膜チャンバー内に設置されているステージである請求項9に記載の前記装置。
- 前記第1の作動装置部分が、前記ダイヤモンドの前記成長面の縁と前記放熱ホルダーの上端部の間の間隔を維持するために前記成長面に対して実質的に直角をなす軸に沿って移動する請求項9に記載の前記装置。
- 前記非接触温度測定装置が、赤外線高温計である請求項1に記載の前記装置。
- 前記ダイヤモンドが、実質的に単結晶ダイヤモンドである請求項1に記載の前記装置。
- ダイヤモンドを製造するための試験片ホルダー組立て品であって、
ダイヤモンドと、
前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をする放熱ホルダーであって、前記ダイヤモンドは、前記放熱ホルダー内でスライド可能なように取り付けられる放熱ホルダーと、
前記放熱ホルダーから熱エネルギーを受け取るためのステージと、
前記放熱ホルダー内の前記ダイヤモンドを再配置するために前記成長面に対して実質的に直角をなす軸に沿って移動することが可能な第1の作動装置部分とを備えた前記組立て品。 - 前記放熱ホルダーが、モリブデンにより構成されている請求項15に記載の前記組立て品。
- 前記放熱試験片ホルダーが、温度塊と熱的接触をして、それによって熱エネルギーを前記ステージに移動させる請求項15に記載の前記組立て品。
- 前記放熱ホルダーが、前記ダイヤモンドの前記成長面の縁と前記放熱ホルダーの上端部の間の間隔を維持するために前記成長面に対して実質的に直角をなす軸に沿って移動する第2の作動装置部分上に配置されている請求項15に記載の前記組立て品。
- ダイヤモンドを製造するための試験片ホルダー組立て品であって、
ダイヤモンドと、
前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をする放熱ホルダーと、
前記放熱ホルダーからの熱エネルギーを受け取るための温度塊であって、前記ダイヤモンドは、前記温度塊を介して加えられる圧力によって前記放熱ホルダー内に保持される温度塊と、
前記放熱ホルダーからの熱エネルギーを、前記温度塊を経由して受け取るためのステージとを含む前記組立て品。 - 前記圧力を、ねじを用いて加える請求項19に記載の前記組立て品。
- 前記温度塊が、コレットである請求項19に記載の前記組立て品。
- ダイヤモンドを製造する方法であって、
前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするように、ホルダー内にダイヤモンドを配置するステップと、
前記ダイヤモンドの前記成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、
前記温度測定値に基づいて前記成長面の温度を制御するステップと、
マイクロ波プラズマ化学蒸着により、前記成長面に単結晶ダイヤモンドを成長させるステップであって、前記ダイヤモンドの成長速度が1時間当たり1マイクロメートルより大きいステップと、
ダイヤモンドを成長させる前記ステップの後、前記ホルダー中に前記ダイヤモンドを再配置するステップと、
前記成長面上にマイクロ波プラズマ化学蒸着によりダイヤモンドを再度成長させるステップとを含む、前記方法。 - ダイヤモンドを製造する方法であって、
前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするように、ホルダー内にダイヤモンドを配置するステップと、
前記ダイヤモンドの前記成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、
前記温度測定値に基づいて前記成長面の温度を制御するステップと、
マイクロ波プラズマ化学蒸着により、前記成長面に単結晶ダイヤモンドを成長させるステップであって、前記ダイヤモンドの成長速度が1時間当たり1マイクロメートルより大きいステップと、
ダイヤモンドを成長させる間に、前記ホルダー中の前記ダイヤモンドを再配置するステップを含む、前記方法。 - ダイヤモンドを製造する方法であって、
前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするように、ホルダー内にダイヤモンドを配置するステップと、
前記ダイヤモンドの前記成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、
前記温度測定値に基づいて前記成長面の温度を制御するステップと、
マイクロ波プラズマ化学蒸着により、前記成長面に単結晶ダイヤモンドを成長させるステップであって、前記ダイヤモンドの成長速度が1時間当たり1マイクロメートルより大きいステップと、
前記ダイヤモンドを、前記ホルダー中で再配置すべきか否かを決定するステップを含む、前記方法。 - ダイヤモンドを製造する方法であって、
ホルダー中にダイヤモンドを配置するステップと、
前記ダイヤモンドの成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、
前記温度測定値を用いて前記成長面を横切る全部の温度勾配が20℃未満となるように主プロセス制御器により前記成長面の温度を制御するステップと、
前記成長面上にダイヤモンドを成長させるステップと、
前記ダイヤモンドを前記ホルダー中で再配置するステップとを含む前記方法。 - さらに、
前記ダイヤモンドを、前記ホルダー中で再配置すべきか否かを決定するステップを含む請求項25に記載の前記方法。 - さらに
前記ダイヤモンドが予め決めた厚さであるか否かを測定するステップと、
前記ダイヤモンドが予め決めた厚さである場合はダイヤモンドの前記成長を停止するステップとを含む請求項25に記載の前記方法。 - 雰囲気が水素と、メタンの単位当たり1〜5%の窒素と、水素の単位当たり6〜12%のメタンを含む請求項25に記載の前記方法。
- 前記ダイヤモンドが、実質的に単結晶ダイヤモンドである請求項25に記載の前記方法。
- 成長温度が、900〜1400℃である請求項25に記載の前記方法。
- 前記雰囲気が、メタンの単位当たり3%の窒素と、水素の単位当たり12%のメタンを含む請求項25に記載の前記方法。
- 圧力が、130〜400トルである請求項25に記載の前記方法。
- 成長温度が、1000〜1400℃である請求項25に記載の前記方法。
- ダイヤモンドを成長させる前記ステップを、前記ホルダー中の前記ダイヤモンドを再配置した後に繰り返す請求項25に記載の前記方法。
- 前記ホルダー中で前記ダイヤモンドを再配置するステップが、ダイヤモンドを成長させる前記ステップの間に起こる請求項25に記載の前記方法。
- 前記ダイヤモンドの成長速度が、1時間当たり1マイクロメートルより大きく、前記ダイヤモンドが単結晶ダイヤモンドである請求項25に記載の前記方法。
- ダイヤモンドを製造する方法であって、
前記ダイヤモンドの成長面の温度を、前記成長面を横切る全部の温度勾配が20℃未満となるように制御するステップと、
少なくとも130トルの圧力の雰囲気を有する成膜チャンバー中でマイクロ波プラズマ化学蒸着により前記成長面に成長温度で単結晶ダイヤモンドを成長させるステップとを含む前記方法。 - 前記雰囲気が水素と、メタンの単位当たり1〜5%の窒素と、水素の単位当たり6〜12%のメタンを含む請求項37に記載の前記方法。
- 前記雰囲気が、さらに、水素の単位当たり1〜3%の酸素を含む請求項38に記載の前記方法。
- 前記成長温度が、900〜1400℃である請求項39に記載の前記方法。
- 前記雰囲気が、メタンの単位当たり3%の窒素と、水素の単位当たり12%のメタンを含む請求項38に記載の前記方法。
- 前記圧力が、130〜400トルである請求項37に記載の前記方法。
- 前記成長温度が、1000〜1400℃である請求項37に記載の前記方法。
- さらに、
ホルダー中にダイヤモンドの種を配置するステップを含む請求項37に記載の前記方法。 - さらに、
単結晶ダイヤモンドを成長させる前記ステップの後に前記ホルダー中で前記ダイヤモンドを再配置するステップと、
単結晶ダイヤモンドを成長させる前記ステップを繰り返すステップとを含む請求項44に記載の前記方法。 - さらに、
前記単結晶ダイヤモンドを成長させる間に前記ホルダー中で前記単結晶ダイヤモンドを再配置するステップを含む請求項44に記載の前記方法。 - 前記単結晶ダイヤモンドの成長速度が、1時間当たり1から150マイクロメートルである請求項37に記載の前記方法。
- ダイヤモンドを製造する方法であって、
前記ダイヤモンドの成長面の温度を、前記成長面を横切る全部の温度勾配が20℃未満となるように制御するステップと、
前記成長面上に、マイクロ波プラズマ化学蒸着により、900〜1400℃の温度で単結晶ダイヤモンドを成長させるステップとを含む前記方法。 - 雰囲気が水素と、メタンの単位当たり1〜5%の窒素と、水素の単位当たり6〜12%のメタンを含む請求項48に記載の前記方法。
- 雰囲気が、さらに、水素の単位当たり1〜3%の酸素を含む請求項48に記載の前記方法。
- 前記雰囲気が、メタンの単位当たり3%の窒素と、水素の単位当たり12%のメタンを含む請求項49に記載の前記方法。
- ダイヤモンドの成長が起こる雰囲気の圧力が、130〜400トルである請求項48に記載の前記方法。
- さらに、
ホルダー中にダイヤモンドの種を配置するステップを含む請求項48に記載の前記方法。 - さらに、
単結晶ダイヤモンドを成長させる前記ステップの後に前記ホルダー中で前記ダイヤモンドを再配置するステップと、
単結晶ダイヤモンドを成長させる前記ステップを繰り返すステップとを含む請求項53に記載の前記方法。 - さらに、
前記単結晶ダイヤモンドを成長させる間に前記ホルダー中で前記単結晶ダイヤモンドを再配置するステップを含む請求項53に記載の前記方法。 - 前記単結晶ダイヤモンドの成長速度が、1時間当たり1から150マイクロメートルである請求項48に記載の前記方法。
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