PL209935B1 - Układ czujnika na bazie krzemu do mikrofonu - Google Patents

Układ czujnika na bazie krzemu do mikrofonu

Info

Publication number
PL209935B1
PL209935B1 PL354095A PL35409500A PL209935B1 PL 209935 B1 PL209935 B1 PL 209935B1 PL 354095 A PL354095 A PL 354095A PL 35409500 A PL35409500 A PL 35409500A PL 209935 B1 PL209935 B1 PL 209935B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
support member
pressure transducer
contact elements
chip
contact
Prior art date
Application number
PL354095A
Other languages
English (en)
Other versions
PL354095A1 (pl
Inventor
Matthias Müllenborn
Peter U. Scheel
Jochen F. Kuhmann
Original Assignee
Sonionmems As
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US09/570,434 external-priority patent/US6522762B1/en
Application filed by Sonionmems As filed Critical Sonionmems As
Publication of PL354095A1 publication Critical patent/PL354095A1/pl
Publication of PL209935B1 publication Critical patent/PL209935B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/005Electrostatic transducers using semiconductor materials
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00Electrostatic transducers
    • H04R19/04Microphones
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R25/00Deaf-aid sets, i.e. electro-acoustic or electro-mechanical hearing aids; Electric tinnitus maskers providing an auditory perception
    • H04R25/60Mounting or interconnection of hearing aid parts, e.g. inside tips, housings or to ossicles
    • H04R25/609Mounting or interconnection of hearing aid parts, e.g. inside tips, housings or to ossicles of circuitry

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
  • Air Bags (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Description

Niniejszy wynalazek odnosi się do układu czujnika na bazie krzemu do mikrofonu.
Niniejszy wynalazek odnosi się w szczególności do układu mikrofonu pojemnościowego, montowanego przy użyciu technologii montażu piętrowego. Niniejszy wynalazek odnosi się również do układów mikrofonów pojemnościowych przystosowanych do montażu powierzchniowego, np. na płytkach drukowanych (PCB).
W aparacie słuchowym i w przemyśle układów do komunikacji mobilnej, jednym z głównych dążeń jest wykonywanie elementów o małych rozmiarach, ale zachowujących dobre właściwości elektroakustyczne i użytkowe, dzięki którym są przyjazne dla użytkowników i dają im odpowiednią satysfakcję. Dane techniczne obejmują czułość, szum, stabilność, zwartość, odporność na zakłócenia elektromagnetyczne (EMI) i inne zewnętrzne i środowiskowe warunki. W przeszłości podjęto kilka prób zmniejszenia układów mikrofonowych, przy zachowaniu lub poprawieniu ich parametrów technicznych.
Innym dążeniem w branży tych elementów jest uzyskanie łatwej integracji w kompletny układ.
EP 561 566 opisuje mikrofon pojemnościowy w postaci stałej, zawierający obwód tranzystora polowego (FET) i wnękę lub wlot dźwięku na tym samym chipie. Techniki i procesy wytwarzania obwodu FET są zupełnie inne niż techniki i procesy stosowane przy wytwarzaniu elementów przetwornika. W konsekwencji, opisane w EP 561 566 przetwornik i obwód FET wymagają dwóch (a być może więcej) oddzielnych etapów produkcji, co z natury bardzo komplikuje produkcję, a przez to bardzo ją podraża.
Hybrydowe układy mikro-elektromechaniczne (MEMS) zostały znacznie rozwinięte w ostatnich latach. Ma to głównie związek z rozwojem odpowiednich technik wytwarzania takich układów. Jedną z zalet układów hybrydowych są rozmiary, w jakich mogą być wykonywane stosunkowo skomplikowane układy, zawierające mechaniczne mikro-przetworniki i specjalistyczna elektronika.
US 5,889,872 opisuje układ hybrydowy, zawierający mikrofon krzemowy i zamontowany na nim chip układu scalonego przy użyciu łączenia drutowego w celu uzyskania połączeń elektrycznych. Rozwiązanie to ma tę niedogodność, że wymaga dodatkowej ochrony i przestrzeni dla kontaktowych drutów.
US 5,856,914 opisuje mikro-mechaniczne urządzenia zamontowane piętrowo, na przykład mikrofon pojemnościowy, zawierające element nośny, przetwornik i urządzenie elektroniczne. Część elementu nośnego, na którym jest zamontowane mikro-urządzenie, tworzy część końcowego układu. Niedogodnością tego układu jest to, że mikro-mechaniczne urządzenie nie może być testowane przed zamontowaniem na elemencie nośnym. Inna niedogodność opisanego układu odnosi się do wybranych materiałów. Mikro-mechaniczne urządzenie zawiera krzem, podczas gdy człon nośny jest wykonany z PCB lub materiału ceramicznego. Różnice współczynników rozszerzalności cieplnej mogą łatwo skomplikować integrację tak różnych materiałów.
Artykuł „The first silicon-based micro-microphone” (Pierwszy miniaturowy mikrofon krzemowy), opublikowany w duńskim czasopiśmie Elektronik og Data, Nr 3, str. 4-8, 1998 r., opisuje jak można projektować i wykonywać krzemowe układy mikrofonowe. Artykuł opisuje trzywarstwowy układ mikrofonu, w którym przetwornik jest zamontowany za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, na pośredniej warstwie, łączącej przetwornik z urządzeniem elektronicznym, na przykład układem scalonym dostosowanym do zastosowania (ASIC). Przetwornik zawiera ruchomą diafragmę i w zasadzie sztywną płytę tylną. Po przeciwnej stronie przetwornika zamontowana jest krzemowa struktura, tworząca tylną komorę. Warto zauważyć, że aby połączyć elektrycznie układ mikrofonowy z otoczeniem, wymagane jest łączenie drutowe lub bezpośrednie lutowanie.
Celem niniejszego wynalazku jest zapewnienie układu czujnika, w którym różne elementy, tworzące układ czujnika są montowane za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, przy użyciu standardowych technik wsadowych.
Celem niniejszego wynalazku jest również zapewnienie w pełni funkcjonalnego i obudowanego układu czujnika, który może działać niezależnie od jego końcowego położenia, np. na PCB.
Jeszcze innym celem niniejszego wynalazku jest zapewnienie w pełni funkcjonalnego i obudowanego układu czujnika, który może być testowany przed końcowym montażem.
Jeszcze innym celem niniejszego wynalazku jest zapewnienie układu czujnika, odpowiedniego do montażu na np. PCB przy użyciu technologii montażu za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, lub montażu powierzchniowego, a zatem unikając łączenia drutowego lub skomplikowanej obróbki pojedynczego układu scalonego.
PL 209 935 B1
Jeszcze innym celem niniejszego wynalazku jest zapewnienie układu czujnika, w którym odległość między przetwornikiem a obwodem elektronicznym jest zmniejszona tak, że są zredukowane zakłócenia i zajmowana przestrzeń.
Według wynalazku, układ czujnika na bazie krzemu do mikrofonu, zawierający człon nośny mający dwie przeciwległe powierzchnie pierwszą i drugą, gdzie na pierwszej powierzchni są osadzone dwie grupy elementów kontaktowych pierwsza i druga, i zawierający przetwornik ciśnienia z zespołem aktywnym do pomiaru zmian ciśnienia, który to zespół aktywny jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym elementem kontaktowym przetwornika ciśnienia, oraz zawierający chip układu scalonego z zintegrowanym obwodem mającym przynajmniej jeden element kontaktowy, charakteryzuje się tym, że przetwornik ciśnienia jest zamontowany na członie nośnym za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, a przynajmniej jeden element kontaktowy przetwornika ciśnienia jest elektrycznie połączony z jednym z elementów kontaktowych pierwszej grupy elementów kontaktowych członu nośnego z utworzeniem elektrycznego kontaktu pomiędzy zespołem aktywnym przetwornika ciśnienia a członem nośnym, natomiast chip układu scalonego jest zamontowany na członie nośnym za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, przy czym przynajmniej jeden element kontaktowy chipu układu scalonego jest elektrycznie połączony z jednym elementem kontaktowym drugiej grupy elementów kontaktowych członu nośnego, a przy tym przetwornik ciśnienia i chip układu scalonego są usytuowane jeden w sąsiedztwie drugiego na pierwszej powierzchni członu nośnego z utworzeniem elektrycznego kontaktu między zintegrowanym obwodem a członem nośnym, a ponadto przynajmniej jeden z elementów kontaktowych pierwszej grupy elementów kontaktowych jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym z elementów kontaktowych drugiej grupy elementów kontaktowych z utworzeniem elektrycznego kontaktu pomiędzy zespołem aktywnym przetwornika ciśnienia i chipem układu scalonego.
Na drugiej powierzchni członu nośnego korzystnie są osadzone elementy kontaktowe, przy czym przynajmniej jeden z elementów kontaktowych pierwszej lub drugiej grupy elementów kontaktowych pierwszej powierzchni jest elektrycznie połączony z jednym z elementów kontaktowych osadzonych na drugiej powierzchni członu nośnego.
Powierzchnie pierwsza i druga członu nośnego są w zasadzie równoległe i usytuowane jedna naprzeciw drugiej.
Człon nośny może być członem nośnym na bazie krzemu.
Człon nośny korzystnie posiada wycięcie, które jest usytuowane naprzeciw zespołu aktywnego przetwornika ciśnienia.
Przetwornik ciśnienia zawiera wnękę, a zespołem aktywnym jest dno tej wnęki.
Między drugą powierzchnią członu nośnego a wycięciem korzystnie jest ukształtowany otwór.
Przetwornik ciśnienia jest na bazie krzemu.
Człon nośny, przetwornik ciśnienia i chip układu scalonego są na bazie krzemu.
Zespół aktywny przetwornika ciśnienia korzystnie stanowi kondensator, przy czym kondensator jest utworzony przez elastyczną diafragmę i w zasadzie sztywną płytę tylną.
Przetwornik ciśnienia może zawierać osłonę, przy czym osłona i zespół aktywny przetwornika ciśnienia tworzą ograniczenia górne i dolne wnęki.
Na przynajmniej części zewnętrznej powierzchni układu czujnika jest nałożona warstwa przewodząca.
Korzystnie warstwę przewodzącą stanowi warstwa metalu.
Warstwę przewodzącą stanowi warstwa przewodzącego polimeru.
Elementy kontaktowe może stanowić materiał lutowniczy, zwłaszcza Sn, SnAg, SnAu lub SnPb.
Przetwornik ciśnienia korzystnie jest hermetycznie uszczelniony za pomocą środka uszczelniającego.
W innej odmianie wynalazku ukł ad czujnika na bazie krzemu do mikrofonu, zawierają cy człon nośny mający dwie przeciwległe powierzchnie pierwszą i drugą, gdzie na pierwszej powierzchni są osadzone trzy grupy elementów kontaktowych pierwsza, druga i trzecia, i zawierający pierwszy przetwornik ciśnienia z zespołem aktywnym do pomiaru zmian ciśnienia, który to zespół aktywny jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym elementem kontaktowym pierwszego przetwornika ciśnienia, drugi przetwornik ciśnienia tego samego typu, z zespołem aktywnym do pomiaru zmian ciśnienia, który to zespół aktywny jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym elementem kontaktowym drugiego przetwornika ciśnienia, oraz zawierający chip układu scalonego z zintegrowanym obwodem mającym przynajmniej jeden element kontaktowy, charakteryzuje się tym, że pierwszy przetwornik
PL 209 935 B1 ciśnienia jest zamontowany na członie nośnym za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, a przynajmniej jeden element kontaktowy pierwszego przetwornika ciśnienia jest elektrycznie połączony z jednym z elementów kontaktowych pierwszej grupy elementów kontaktowych członu nośnego z utworzeniem elektrycznego kontaktu pomiędzy zespołem aktywnym pierwszego przetwornika ciśnienia i członem nośnym, a drugi przetwornik ciśnienia jest zamontowany na członie nośnym za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, a przynajmniej jeden element kontaktowy drugiego przetwornika ciśnienia jest elektrycznie połączony z jednym z elementów kontaktowych drugiej grupy elementów kontaktowych członu nośnego z usytuowaniem przetworników ciśnienia pierwszego i drugiego obok siebie na pierwszej powierzchni członu nośnego i z utworzeniem elektrycznego kontaktu pomiędzy zespołem aktywnym drugiego przetwornika ciśnienia i członem nośnym, natomiast chip układu scalonego jest zamontowany na członie nośnym za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, przy czym przynajmniej jeden element kontaktowy chipu układu scalonego jest połączony elektrycznie z jednym z elementów kontaktowych trzeciej grupy elementów kontaktowych członu noś nego, a przy tym chip układu scalonego jest usytuowany obok przetworników ciśnienia pierwszego i drugiego na pierwszej powierzchni członu nośnego z utworzeniem elektrycznego kontaktu między zintegrowanym obwodem a członem nośnym, a ponadto przynajmniej jeden z elementów kontaktowych pierwszej grupy elementów kontaktowych jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym z elementów kontaktowych trzeciej grupy elementów kontaktowych i przynajmniej jeden z elementów kontaktowych drugiej grupy elementów kontaktowych jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym z elementów kontaktowych trzeciej grupy elementów kontaktowych z utworzeniem elektrycznego kontaktu pomiędzy zespołem aktywnym pierwszego przetwornika ciśnienia i zintegrowanym obwodem oraz pomiędzy zespołem aktywnym drugiego przetwornika ciśnienia i zintegrowanym obwodem.
Korzystnie, na drugiej powierzchni członu nośnego są osadzone elementy kontaktowe, przy czym przynajmniej jeden z elementów kontaktowych pierwszej, drugiej lub trzeciej grupy elementów kontaktowych jest elektrycznie połączony z jednym z elementów kontaktowych osadzonych na drugiej powierzchni członu nośnego.
Powierzchnie pierwsza i druga członu nośnego są w zasadzie równoległe i usytuowane jedna naprzeciw drugiej.
Człon nośny może być członem nośnym na bazie krzemu.
Korzystnie, człon nośny posiada wycięcia pierwsze i drugie, przy czym pierwsze wycięcie jest usytuowane naprzeciw zespołu aktywnego pierwszego przetwornika ciśnienia, a drugie wycięcie jest usytuowane naprzeciw zespołu aktywnego drugiego przetwornika ciśnienia.
Każdy z przetworników ciśnienia, pierwszego i drugiego, zawiera wnękę, przy czym zespół aktywny przetworników ciśnienia, pierwszego i drugiego tworzy dno tej wnęki.
Przetworniki ciśnienia, pierwszy i drugi, mogą być na bazie krzemu.
Korzystnie, człon nośny, przetworniki ciśnienia, pierwszy i drugi, i chip układu scalonego są na bazie krzemu.
Zespół aktywny każdego przetwornika ciśnienia, pierwszego i drugiego, korzystnie stanowi kondensator, przy czym kondensator jest utworzony przez zestaw elastycznej diafragmy i w zasadzie sztywnej płyty tylnej.
Przetworniki ciśnienia, pierwszy i drugi, mogą zawierać osłonę, przy czym osłona i zespoły aktywne przetworników ciśnienia, pierwszego i drugiego, tworzą ograniczenia górne i dolne odpowiednich wnęk.
Na przynajmniej części zewnętrznej powierzchni układu czujnika może być nałożona warstwa przewodząca.
Korzystnie, warstwę przewodzącą stanowi warstwa metalu.
Warstwę przewodzącą może stanowić warstwa przewodzącego polimeru.
Elementy kontaktowe może stanowić materiał lutowniczy, zwłaszcza Sn, SnAg, SnAu lub SnPb.
Osłona zewnętrznej powierzchni czujnika zapewnia ochronę przetwornika np. przed cząsteczkami lub wilgocią. Osłona i zespół aktywny przetwornika mogą tworzyć górne i dolne ograniczenie wnęki, odpowiednio. Ponadto, przynajmniej jedna powierzchnia zewnętrzna układu czujnika może zawierać warstwę przewodzącą.
Układ krzemowego czujnika do mikrofonów według wynalazku, jest odpowiedni do produkcji masowej. Kombinacja różnych elementów układu czujnika tworzących mikrofon jest bardziej elastyczna niż dowolny inny układ opisany dotychczas. Niniejszy wynalazek umożliwia bardzo dobry interfejs z otoczeniem, np. przez otwór w jednym boku ukł adu. Otwór moż e zostać przykryty przez membranę
PL 209 935 B1 lub filtr, chroniący przed zanieczyszczeniem lub pogorszeniem charakterystyk mikrofonu przez kurz, wilgoć i inne zanieczyszczenia. Elektryczne połączenia między różnymi elementami układu czujnika mikrofonowego są ustalane ekonomicznie i niezawodnie przez krzemowy człon nośny przy użyciu technologii montażu za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip.
Niniejszy wynalazek wykorzystuje chip elektroniczny układu scalonego, korzystnie typu ASIC, który może zostać zaprojektowany i wykonany oddzielnie i niezależnie od projektowania i produkcji przetwornika mikrofonu. Jest to korzystne, ponieważ techniki i procesy wytwarzania chipów elektronicznych układów scalonych są inne niż stosowane przy wytwarzaniu elementów przetwarzających i każdy etap produkcji może zostać w ten sposób niezależnie zoptymalizowany. Ponadto, testowanie elementów przetwarzających i układów typu ASIC może być wykonywane na poziomie chipu.
Kompletny układ czujnika może zostać elektrycznie połączony z zewnętrznym podłożem przy pomocy technologii montażu powierzchniowego, z kontaktami zwróconymi w jedną stronę układu, to jest nie wprowadzającymi zakłóceń we wspomnianym interfejsie z otoczeniem. Pozwala to użytkownikowi zastosować proste i wydajne techniki montażu powierzchniowego do montażu całego układu.
Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym Fig. 1 przedstawia ogólną konstrukcję układu czujnika krzemowego. Fig. 2 przedstawia ogólną konstrukcję układu czujnika krzemowego z osłoną. Fig. 3 przedstawia konstrukcję mikrofonu opartą na układzie czujnika krzemowego. Fig. 4 przedstawia obudowaną konstrukcję mikrofonu. Fig. 5 przedstawia powiększenie bocznego doprowadzenia i pierścienia uszczelniającego. Fig. 6 przedstawia konstrukcję mikrofonu kierunkowego opartą na układzie czujnika krzemowego, zaś Fig. 7 przedstawia konstrukcję drugiego mikrofonu kierunkowego, opartą na układzie czujnika krzemowego.
Proces użyty do wytwarzania różnych elementów układu czujnika krzemowego obejmuje głównie znane technologie w dziedzinie mikrotechnologii.
Na Fig. 1 pokazano krzemowy człon nośny 2, zawierający jeden lub więcej wytrawionych, pionowych otworów przelotowych 20. Człon nośny 2, który jest krzemem krystalicznym, ma elementy kontaktowe w postaci punktów lutowniczych 8 na jego pierwszej powierzchni i elementy kontaktowe w postaci punktów lutowniczych 22 na jego drugiej powierzchni. Sygnał elektryczny jest przesyłany z pierwszej powierzchni do drugiej powierzchni przez linie doprowadzające 23 w pionie. Na członie nośnym 2, na jego pierwszej powierzchni, jest zamontowany za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, co najmniej jeden przetwornik ciśnienia 1 zamocowany i połączony swoimi stykami z pierwszą grupą elementów kontaktowych w postaci punktów lutowniczych 8. Również na pierwszej powierzchni jest zamontowane za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, na krzemowym członie nośnym 2 co najmniej jedno urządzenie elektroniczne, takie jak chipy układów scalonych 3, połączone i zamocowane za pomocą drugiej grupy elementów kontaktowych, takich jak punkty lutownicze 8. Materiałem punktów lutowniczych 8 jest zwykle Sn, SnAg, SnAu lub SnPb, ale inne metale mogą zostać również zastosowane.
Lutowniczy pierścień uszczelniający 9 zapewnia uszczelnienia dla przetwornika 1. W tym przypadku, pionowe linie doprowadzające 23 są używane do przenoszenia sygnałów elektrycznych od przetwornika 1, pod pierścieniem uszczelniającym 9, do urządzenia elektronicznego w postaci chipa układu scalonego 3. Jest to pokazane dokładniej na Fig. 5. Sygnał może być również przenoszony do obwodu elektronicznego innymi ścieżkami przewodzącymi.
Przewodzące elektryczność ścieżki są również tworzone wewnątrz członu nośnego, np. przez wytrawienie otworów 20, a następnie ich metalizację. Trawienie można wykonać techniką mokrego trawienia chemicznego lub suchego trawienia plazmowego. Ścieżka jest zwana pionowym doprowadzeniem i może być używana do przekazywania sygnału elektrycznego albo od przetwornika 1, albo urządzenia elektronicznego w postaci chipa układu scalonego 3, do drugiej powierzchni członu nośnego.
Druga powierzchnia jest wyposażona w elementy kontaktowe w postaci punktów lutowniczych 22 do montażu powierzchniowego np. na PCB lub innym członie nośnym.
Fig. 2 przedstawia układ jak na Fig. 1, ale w tym przykładzie wykonania urządzenie elektroniczne na przykład w postaci chipa układu scalonego 3 zostało połączone i zamocowane przez jedną grupę elementów kontaktowych w postaci punktów lutowniczych 8, jak również inne środki, na przykład wypełnienie lub klej 21. Ponadto, układ jest chroniony przez osłonę 5, która jest przymocowana do zamontowanego piętrowo przetwornika 1 lub urządzenia elektronicznego w postaci chipa układu scalonego 3 lub obu. Osłona 5 ma otwór 4, dostarczający dobre połączenie z otoczeniem, np. siatka przenosząca dźwięk lub filtr, jako ochrona mikrofonu przed cząsteczkami lub wilgocią. Osłona 5 może
PL 209 935 B1 zostać wykonana oddzielnie, np. z metalu lub polimeru, przez wytłaczanie lub formowanie wtryskowe, odpowiednio.
Na Fig. 3 i 4 pokazana jest konstrukcja mikrofonu. W tych przykładach wykonania, przetwornik 1 jest mikrofonem, zaś w członie nośnym 2 jest wytrawione wycięcie 11 tworzące komorę tylną została. Wycięcie 11 jest wytrawione w krzemowym członie nośnym w procesie mokrego trawienia, przy użyciu takich reagentów jak KOH, TMAH lub EDP lub w procesie suchego trawienia, takim jak trawienie biernymi jonami. Wycięcie 11 może być trawione w tym samym etapie, co otwory 20.
Różnica między Fig. 3 i 4 polega na tym, że konstrukcja na Fig. 4 zawiera osłonę 5 w postaci filtra i posiada warstwę przewodzącą 16 w celu dostarczenia ekranowania EMI. Tworząca ekran warstwa przewodząca 16 jest warstwą przewodzącego polimeru, taką jak srebrna żywica epoksydowa lub warstwa metalu, na przykład nałożona galwanicznie lub naparowana warstwa Cu lub Au. Ponadto, urządzenie elektroniczne w postaci chipa układu scalonego 3 i osłona 5 na Fig. 4 zostały połączone i przymocowane przy pomocy dodatkowych środków, takich jak wypełnienie lub klej 21.
Działanie mikrofonu jest następujące. Otwór 4 działa jako wlot dźwięku i ciśnienie dźwięku z otoczenia dostaje się przez filtr osłony 5, przykrywającej otwór 4 do wnęki 10, działającej jak przednia komora dla mikrofonu. Ciśnienie dźwięku odchyla diafragmę 12, która powoduje ucieczkę powietrza spomiędzy diafragmy 12 i płyty tylnej 13 przez perforacje 19.
Diafragma 12 może zostać skonstruowana i wykonana w różny sposób. Dla przykładu, diafragma 12 może zostać skonstruowana jako struktura trójwarstwowa, mająca dwie zewnętrzne warstwy zawierające azotek krzemu i pośrednią warstwę zawierającą krzem polikrystaliczny. Polikrystaliczny krzem zawarty w warstwie pośredniej jest domieszkowany borem (B) lub fosforem (P). Płyta tylna 13 również zawiera azotek krzemu i krzem polikrystaliczny domieszkowany borem lub fosforem. Wycięcie 11 działa jako tylna komora mikrofonu.
Kiedy diafragma 12 jest odchylana w odpowiedzi na odbierane ciśnienie dźwięku, pojemność elektryczna elektrycznego kondensatora utworzonego przez diafragmę 12 i płytę tylną 13 zmienia się w odpowiedzi na ciśnienie odbieranego dźwięku. Obwód na chipie układu scalonego 3 urządzenia elektronicznego jest elektrycznie połączony z diafragmą 12 i płytą tylną 13 przez punkty lutownicze 8. Obwód jest przystosowany do wykrywania zmian pojemności elektrycznej kondensatora utworzonego przez diafragmę 12 i płytę tylną 13. Obwód ma połączenia elektryczne przez punkty lutownicze 8 i pionowe linie doprowadzające 23 z punktami lutowniczymi 22 w celu elektrycznego połączenia go z zasilaniem i innymi obwodami elektronicznymi w na przykład aparacie słuchowym.
Podczas pracy kondensatora utworzonego przez diafragmę 12 i płytę tylną 13, płyta tylna 13 jest połączona ze stałym napięciem zasilającym w celu polaryzacji płyty tylnej 13. Kiedy pojemność zmienia się w wyniku zmian odległości między diafragmą 12 a płytą tylną 13 w odpowiedzi na zmienne ciśnienie dźwięku, na dostarczane napięcie stałe jest nakładane napięcie zmienne. Amplituda napięcia zmiennego jest miarą zmiany pojemności, a zatem również miarą ciśnienia dźwięku na diafragmie.
Fig. 5 przedstawia powiększenie bocznej linii doprowadzającej 24 i pierścienia uszczelniającego 9. Boczna linia doprowadzająca 24 jest elektrycznie izolowana od pierścienia uszczelniającego 9 i członu nośnego 2 przez warstwy izolujące 25. Warstwy izolujące 25 podobnie izolują punkty lutownicze 8 przetwornika 1 od członu nośnego 2. Punkty lutownicze 8 przetwornika 1 i punkty lutownicze 8 chipu urządzenia elektronicznego 3 są elektrycznie połączone boczną linią doprowadzającą 24.
Fig. 6 przedstawia mikrofon podobny do mikrofonu przedstawionego na Fig. 3. Jednakże w wycięciu 11 został utworzony otwór 26. Otwór 26 powoduje odchylenie membrany, które odzwierciedla gradient ciśnienia na diafragmie, zapewniając czułość kierunkową mikrofonu.
Fig. 7 przedstawia mikrofon podobny do mikrofonu przedstawionego na Fig. 3. Jednakże dodany został dodatkowy przetwornik tak, że mikrofon posiada teraz dwa przetworniki 1, przy czym oba zawierają diafragmę 12 i płytę tylną 13. Oba przetworniki 1 są połączone z krzemowym członem nośnym 2 przez punkty lutownicze 8 i pierścień uszczelniający 9 poprzez wycięcie 11 dla każdego przetwornika 1. Oba przetworniki 1 umożliwiają pomiar różnicy fazy odbieranej fali akustycznej, dzięki czemu uzyskuje się kierunkową czułość mikrofonu.
Jest oczywiste dla specjalisty, że można zwiększyć liczbę czujników z dwóch (jak pokazano na Fig. 7) do dowolnej liczby czujników - na przykład rozmieszczonych w układzie kolumn i rzędów.

Claims (30)

1. Ukł ad czujnika na bazie krzemu do mikrofonu, zawierają cy czł on noś ny mają cy dwie przeciwległe powierzchnie pierwszą i drugą, gdzie na pierwszej powierzchni są osadzone dwie grupy elementów kontaktowych pierwsza i druga, i zawierający przetwornik ciśnienia z zespołem aktywnym do pomiaru zmian ciśnienia, który to zespół aktywny jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym elementem kontaktowym przetwornika ciśnienia, oraz zawierający chip układu scalonego z zintegrowanym obwodem mającym przynajmniej jeden element kontaktowy, znamienny tym, że przetwornik ciśnienia (1) jest zamontowany na członie nośnym (2) za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, a przynajmniej jeden element kontaktowy przetwornika ciśnienia (1) jest elektrycznie połączony z jednym z elementów kontaktowych pierwszej grupy elementów kontaktowych członu nośnego (2) z utworzeniem elektrycznego kontaktu pomiędzy zespołem aktywnym przetwornika ciśnienia (1) a członem nośnym (2), natomiast chip układu scalonego (3) jest zamontowany na członie nośnym (2) za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, przy czym przynajmniej jeden element kontaktowy chipu układu scalonego (3) jest elektrycznie połączony z jednym elementem kontaktowym drugiej grupy elementów kontaktowych członu nośnego (2), a przy tym przetwornik ciśnienia © i chip układu scalonego (3) są usytuowane jeden w sąsiedztwie drugiego na pierwszej powierzchni członu nośnego (2) z utworzeniem elektrycznego kontaktu między zintegrowanym obwodem a członem nośnym, a ponadto przynajmniej jeden z elementów kontaktowych pierwszej grupy elementów kontaktowych jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym z elementów kontaktowych drugiej grupy elementów kontaktowych z utworzeniem elektrycznego kontaktu pomiędzy zespołem aktywnym przetwornika ciśnienia © i chipem układu scalonego (3).
2. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że na drugiej powierzchni członu nośnego (2) są osadzone elementy kontaktowe, przy czym przynajmniej jeden z elementów kontaktowych pierwszej lub drugiej grupy elementów kontaktowych pierwszej powierzchni jest elektrycznie połączony z jednym z elementów kontaktowych osadzonych na drugiej powierzchni członu nośnego (2).
3. Układ według zastrz. 2, znamienny tym, że powierzchnie pierwsza i druga członu nośnego (2) są w zasadzie równoległe i usytuowane jedna naprzeciw drugiej.
4. Układ według zastrz. 3, znamienny tym, że człon nośny (2) jest członem nośnym na bazie krzemu.
5. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że człon nośny (2) posiada wycięcie (11), które jest usytuowane naprzeciw zespołu aktywnego przetwornika ciśnienia (1).
6. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że przetwornik ciśnienia (1) zawiera wnękę (10), a zespołem aktywnym jest dno tej wnęki (10).
7. Układ według zastrz. 5, znamienny tym, że między drugą powierzchnią członu nośnego (2) a wycięciem (11) jest ukształtowany otwór (26).
8. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że przetwornik ciśnienia (1) jest na bazie krzemu.
9. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że człon nośny (2), przetwornik ciśnienia © i chip układu scalonego (3) są na bazie krzemu.
10. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że zespół aktywny przetwornika ciśnienia (1) stanowi kondensator, przy czym kondensator jest utworzony przez elastyczną diafragmę (12) i w zasadzie sztywną płytę tylną (13).
11. Układ według zastrz. 6, znamienny tym, że przetwornik ciśnienia (1) zawiera osłonę (5), przy czym osłona © i zespół aktywny przetwornika ciśnienia (1) tworzą ograniczenia górne i dolne wnęki (10).
12. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że na przynajmniej części zewnętrznej powierzchni układu czujnika jest nałożona warstwa przewodząca (16).
13. Układ według zastrz. 12, znamienny tym, że warstwę przewodzącą (16) stanowi warstwa metalu.
14. Układ według zastrz. 12, znamienny tym, że warstwę przewodzącą (16) stanowi warstwa przewodzącego polimeru.
15. Układ czujnika według zastrz. 1, znamienny tym, że elementy kontaktowe stanowi materiał lutowniczy, zwłaszcza Sn, SnAg, SnAu lub SnPb.
16. Układ według zastrz. 6, znamienny tym, że przetwornik ciśnienia © jest hermetycznie uszczelniony za pomocą środka uszczelniającego.
PL 209 935 B1
17. Układ czujnika na bazie krzemu do mikrofonu, zawierający człon nośny mający dwie przeciwległe powierzchnie pierwszą i drugą, gdzie na pierwszej powierzchni są osadzone trzy grupy elementów kontaktowych pierwsza, druga i trzecia, i zawierający pierwszy przetwornik ciśnienia z zespołem aktywnym do pomiaru zmian ciśnienia, który to zespół aktywny jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym elementem kontaktowym pierwszego przetwornika ciśnienia, drugi przetwornik ciśnienia tego samego typu, z zespołem aktywnym do pomiaru zmian ciśnienia, który to zespół aktywny jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym elementem kontaktowym drugiego przetwornika ciśnienia, oraz zawierający chip układu scalonego z zintegrowanym obwodem mającym przynajmniej jeden element kontaktowy, znamienny tym, że pierwszy przetwornik ciśnienia (1) jest zamontowany na członie nośnym (2) za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, a przynajmniej jeden element kontaktowy pierwszego przetwornika ciśnienia (1) jest elektrycznie połączony z jednym z elementów kontaktowych pierwszej grupy elementów kontaktowych członu nośnego (2) z utworzeniem elektrycznego kontaktu pomiędzy zespołem aktywnym pierwszego przetwornika ciśnienia (1) i członem nośnym (2), a drugi przetwornik ciśnienia jest zamontowany na członie nośnym (2) za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, a przynajmniej jeden element kontaktowy drugiego przetwornika ciśnienia (1) jest elektrycznie połączony z jednym z elementów kontaktowych drugiej grupy elementów kontaktowych członu nośnego (2) z usytuowaniem przetworników ciśnienia pierwszego (1) i drugiego obok siebie na pierwszej powierzchni członu nośnego (2) i z utworzeniem elektrycznego kontaktu pomiędzy zespołem aktywnym drugiego przetwornika ciśnienia i członem nośnym (2), natomiast chip układu scalonego (3) jest zamontowany na członie nośnym (2) za pomocą kontaktów sferycznych, typu flip-chip, przy czym przynajmniej jeden element kontaktowy chipu układu scalonego (3) jest połączony elektrycznie z jednym z elementów kontaktowych trzeciej grupy elementów kontaktowych członu nośnego (2), a przy tym chip układu scalonego (3) jest usytuowany obok przetworników ciśnienia pierwszego (1) i drugiego na pierwszej powierzchni członu nośnego (2) z utworzeniem elektrycznego kontaktu między zintegrowanym obwodem a członem nośnym (2), a ponadto przynajmniej jeden z elementów kontaktowych pierwszej grupy elementów kontaktowych jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym z elementów kontaktowych trzeciej grupy elementów kontaktowych i przynajmniej jeden z elementów kontaktowych drugiej grupy elementów kontaktowych jest elektrycznie połączony z przynajmniej jednym z elementów kontaktowych trzeciej grupy elementów kontaktowych z utworzeniem elektrycznego kontaktu pomiędzy zespołem aktywnym pierwszego przetwornika ciśnienia (1) i zintegrowanym obwodem oraz pomiędzy zespołem aktywnym drugiego przetwornika ciśnienia (1) i zintegrowanym obwodem.
18. Układ według zastrz. 17, znamienny tym, że na drugiej powierzchni członu nośnego (2) są osadzone elementy kontaktowe, przy czym przynajmniej jeden z elementów kontaktowych pierwszej, drugiej lub trzeciej grupy elementów kontaktowych jest elektrycznie połączony z jednym z elementów kontaktowych osadzonych na drugiej powierzchni członu nośnego (2).
19. Układ według zastrz. 18, znamienny tym, że powierzchnie pierwsza i druga członu nośnego (2) są w zasadzie równoległe i usytuowane jedna naprzeciw drugiej.
20. Układ według zastrz. 17, znamienny tym, że człon nośny (2) jest członem nośnym na bazie krzemu.
21. Układ według zastrz. 17, znamienny tym, że człon nośny (2) posiada wycięcia pierwsze (11) i drugie, przy czym pierwsze wycięcie (11) jest usytuowane naprzeciw zespołu aktywnego pierwszego przetwornika ciśnienia (1), a drugie wycięcie jest usytuowane naprzeciw zespołu aktywnego drugiego przetwornika ciśnienia (1).
22. Układ według zastrz. 17, znamienny tym, że każdy z przetworników ciśnienia (1), pierwszego i drugiego, zawiera wnękę (10), przy czym zespół aktywny przetworników ciśnienia (1), pierwszego i drugiego tworzy dno tej wnęki (10).
23. Układ według zastrz. 17, znamienny tym, że przetworniki ciśnienia (1), pierwszy i drugi, są na bazie krzemu.
24. Układ według zastrz. 17, znamienny tym, że człon nośny (2), przetworniki ciśnienia (1), pierwszy i drugi, i chip układu scalonego (3) są na bazie krzemu.
25. Układ według zastrz. 17, znamienny tym, że zespół aktywny każdego przetwornika ciśnienia (1), pierwszego i drugiego, stanowi kondensator, przy czym kondensator jest utworzony przez zestaw elastycznej diafragmy (12) i w zasadzie sztywnej płyty tylnej (13).
26. Układ według zastrz. 17, znamienny tym, że przetworniki ciśnienia (1), pierwszy i drugi, zawierają osłonę (5), przy czym osłona (5) i zespoły aktywne przetworników ciśnienia (1), pierwszego i drugiego, tworzą ograniczenia górne i dolne odpowiednich wnęk (10).
PL 209 935 B1
27. Układ według zastrz. 26, znamienny tym, że na przynajmniej części zewnętrznej powierzchni układu czujnika jest nałożona warstwa przewodząca (16).
28. Układ według zastrz. 27, znamienny tym, że warstwę przewodzącą (16) stanowi warstwa metalu.
29. Układ według zastrz. 27, znamienny tym, że warstwę przewodzącą (16) stanowi warstwa przewodzącego polimeru.
30. Układ według zastrz. 17, znamienny tym, że elementy kontaktowe stanowi materiał lutowniczy, zwłaszcza Sn, SnAg, SnAu lub SnPb.
PL354095A 1999-09-06 2000-09-06 Układ czujnika na bazie krzemu do mikrofonu PL209935B1 (pl)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DKPA199901254 1999-09-06
US39162899A 1999-09-07 1999-09-07
US09/570,434 US6522762B1 (en) 1999-09-07 2000-05-12 Silicon-based sensor system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL354095A1 PL354095A1 (pl) 2003-12-29
PL209935B1 true PL209935B1 (pl) 2011-11-30

Family

ID=27221189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL354095A PL209935B1 (pl) 1999-09-06 2000-09-06 Układ czujnika na bazie krzemu do mikrofonu

Country Status (10)

Country Link
EP (1) EP1214864B1 (pl)
JP (2) JP4459498B2 (pl)
CN (1) CN1203726C (pl)
AT (1) ATE242587T1 (pl)
AU (1) AU6984100A (pl)
CA (1) CA2383740C (pl)
DE (1) DE60003199T2 (pl)
DK (1) DK1214864T3 (pl)
PL (1) PL209935B1 (pl)
WO (1) WO2001019134A2 (pl)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6859542B2 (en) 2001-05-31 2005-02-22 Sonion Lyngby A/S Method of providing a hydrophobic layer and a condenser microphone having such a layer
US6696645B2 (en) * 2002-05-08 2004-02-24 The Regents Of The University Of Michigan On-wafer packaging for RF-MEMS
US7142682B2 (en) 2002-12-20 2006-11-28 Sonion Mems A/S Silicon-based transducer for use in hearing instruments and listening devices
US7466835B2 (en) 2003-03-18 2008-12-16 Sonion A/S Miniature microphone with balanced termination
JP2004356708A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Hosiden Corp 音響検出機構及びその製造方法
CN100515119C (zh) * 2003-08-12 2009-07-15 中国科学院声学研究所 一种用于硅微电容传声器中的芯片及其制备方法
CN100499877C (zh) * 2003-12-17 2009-06-10 中国科学院声学研究所 具有高灵敏度的用于硅微电容传声器的芯片及其制备方法
DE102004011203B4 (de) * 2004-03-04 2010-09-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung
JP4553611B2 (ja) * 2004-03-15 2010-09-29 三洋電機株式会社 回路装置
JP4539450B2 (ja) * 2004-11-04 2010-09-08 オムロン株式会社 容量型振動センサ及びその製造方法
DE102005008511B4 (de) 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
DE102005053767B4 (de) 2005-11-10 2014-10-30 Epcos Ag MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
DE102005053765B4 (de) 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
DE102005056759A1 (de) * 2005-11-29 2007-05-31 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Struktur zum Empfang und/oder zur Erzeugung von akustischen Signalen, Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Struktur und Verwendung einer mikromechanischen Struktur
CN101005718B (zh) * 2006-01-16 2011-04-20 财团法人工业技术研究院 微型声学传感器及其制造方法
JP4771290B2 (ja) * 2006-07-19 2011-09-14 ヤマハ株式会社 圧力センサの製造方法
JP2010514172A (ja) * 2006-12-22 2010-04-30 パルス・エムイーエムエス・アンパルトセルスカブ 低い熱膨張係数を有するアンダーフィル剤を用いるマイクロフォン組立品
JP4893380B2 (ja) * 2007-03-09 2012-03-07 ヤマハ株式会社 コンデンサマイク装置
US7557417B2 (en) 2007-02-21 2009-07-07 Infineon Technologies Ag Module comprising a semiconductor chip comprising a movable element
DE102007008518A1 (de) * 2007-02-21 2008-08-28 Infineon Technologies Ag Modul mit einem ein bewegliches Element umfassenden Halbleiterchip
US8767983B2 (en) 2007-06-01 2014-07-01 Infineon Technologies Ag Module including a micro-electro-mechanical microphone
JP2009081624A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Rohm Co Ltd 半導体センサ装置
TWI336770B (en) * 2007-11-05 2011-02-01 Ind Tech Res Inst Sensor
TWI365525B (en) * 2007-12-24 2012-06-01 Ind Tech Res Inst An ultra thin package for a sensor chip of a micro electro mechanical system
EP2094028B8 (en) * 2008-02-22 2017-03-29 TDK Corporation Miniature microphone assembly with solder sealing ring
WO2010045107A2 (en) * 2008-10-14 2010-04-22 Knowles Electronics, Llc Microphone having multiple transducer elements
CN102428711A (zh) * 2009-05-18 2012-04-25 美商楼氏电子有限公司 具有降低的振动灵敏度的麦克风
KR101609270B1 (ko) 2009-08-12 2016-04-06 삼성전자주식회사 압전형 마이크로 스피커 및 그 제조 방법
DE102009047592B4 (de) * 2009-12-07 2019-06-19 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Siliziumzwischenträgers
IT1397976B1 (it) * 2009-12-23 2013-02-04 St Microelectronics Rousset Trasduttore di tipo microelettromeccanico e relativo procedimento di assemblaggio.
JP2013093637A (ja) * 2010-02-24 2013-05-16 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
TWI491009B (zh) 2010-10-08 2015-07-01 晶片級電磁干擾屏蔽結構及製造方法
CN102456669B (zh) * 2010-10-25 2015-07-22 环旭电子股份有限公司 芯片级电磁干扰屏蔽结构及制造方法
US9108840B2 (en) * 2010-12-30 2015-08-18 Goertek Inc. MEMS microphone and method for packaging the same
JP5721452B2 (ja) * 2011-01-27 2015-05-20 ローム株式会社 静電容量型memsセンサ
JP5799619B2 (ja) 2011-06-24 2015-10-28 船井電機株式会社 マイクロホンユニット
DE102011086722A1 (de) * 2011-11-21 2013-05-23 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Funktionsvorrichtung, insbesondere Lautsprechervorrichtung, und entsprechendes Herstellungsverfahren
US20130147040A1 (en) * 2011-12-09 2013-06-13 Robert Bosch Gmbh Mems chip scale package
DE102012203373A1 (de) * 2012-03-05 2013-09-05 Robert Bosch Gmbh Mikromechanische Schallwandleranordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren
US20140090485A1 (en) * 2012-10-02 2014-04-03 Robert Bosch Gmbh MEMS Pressure Sensor Assembly
JP6426620B2 (ja) * 2012-12-18 2018-11-21 Tdk株式会社 トップポートmemsマイクロフォン及びその製造方法
US20140312439A1 (en) * 2013-04-19 2014-10-23 Infineon Technologies Ag Microphone Module and Method of Manufacturing Thereof
ITTO20130350A1 (it) * 2013-04-30 2014-10-31 St Microelectronics Srl Assemblaggio a livello di fetta di un dispositivo sensore mems e relativo dispositivo sensore mems
US9264832B2 (en) * 2013-10-30 2016-02-16 Solid State System Co., Ltd. Microelectromechanical system (MEMS) microphone with protection film and MEMS microphonechips at wafer level
GB2529134B (en) * 2014-06-10 2017-09-13 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Packaging for MEMS transducers
WO2016043738A1 (en) * 2014-09-17 2016-03-24 Intel Corporation DIE WITH INTEGRATED MICROPHONE DEVICE USING THROUGH-SILICON VIAS (TSVs)
CN104780490A (zh) * 2015-04-20 2015-07-15 歌尔声学股份有限公司 一种mems麦克风的封装结构及其制造方法
TWI660466B (zh) * 2017-04-26 2019-05-21 矽品精密工業股份有限公司 封裝結構及其製法
CN111711903B (zh) * 2020-06-24 2021-10-01 歌尔微电子有限公司 微型麦克风防尘装置及mems麦克风

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4533795A (en) * 1983-07-07 1985-08-06 American Telephone And Telegraph Integrated electroacoustic transducer
US5490220A (en) * 1992-03-18 1996-02-06 Knowles Electronics, Inc. Solid state condenser and microphone devices
US5889872A (en) * 1996-07-02 1999-03-30 Motorola, Inc. Capacitive microphone and method therefor
US5856914A (en) * 1996-07-29 1999-01-05 National Semiconductor Corporation Micro-electronic assembly including a flip-chip mounted micro-device and method
US5870482A (en) * 1997-02-25 1999-02-09 Knowles Electronics, Inc. Miniature silicon condenser microphone

Also Published As

Publication number Publication date
CN1387741A (zh) 2002-12-25
JP4459498B2 (ja) 2010-04-28
WO2001019134A3 (en) 2001-09-07
DE60003199D1 (de) 2003-07-10
JP2007028671A (ja) 2007-02-01
ATE242587T1 (de) 2003-06-15
PL354095A1 (pl) 2003-12-29
EP1214864A2 (en) 2002-06-19
CA2383740C (en) 2005-04-05
DE60003199T2 (de) 2004-07-01
JP2003508998A (ja) 2003-03-04
DK1214864T3 (da) 2003-08-25
AU6984100A (en) 2001-04-10
JP4303742B2 (ja) 2009-07-29
WO2001019134A2 (en) 2001-03-15
EP1214864B1 (en) 2003-06-04
CA2383740A1 (en) 2001-03-15
CN1203726C (zh) 2005-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL209935B1 (pl) Układ czujnika na bazie krzemu do mikrofonu
US10597287B2 (en) Multi-chamber transducer module, apparatus including the multi-chamber transducer module and method of manufacturing the multi-chamber transducer module
US7221767B2 (en) Surface mountable transducer system
EP1219136B1 (en) A pressure transducer
US6732588B1 (en) Pressure transducer
US10531204B2 (en) Multi-device transducer module, apparatus including the transducer module and method of manufacturing the transducer module
EP2352311B1 (en) Microphone
US8625832B2 (en) Packages and methods for packaging microphone devices
US20150117681A1 (en) Acoustic Assembly and Method of Manufacturing The Same
US8999757B2 (en) Top port MEMS cavity package and method of manufacture thereof
CN109644307B (zh) 麦克风和压力传感器封装件以及制造麦克风和压力传感器封装件的方法
CN109845294B (zh) 压力传感器,特别是具有改进布局的麦克风
JP2009038053A (ja) 半導体センサ装置
JP2005127750A (ja) 半導体センサおよびその製造方法
CN218320777U (zh) 一种封装结构和电子设备
CN114125674A (zh) Mems传感器的封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
RECP Rectifications of patent specification