NL185591C - Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van een eerste soort en van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van de voor de eerste soort complementaire tweede soort. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van een eerste soort en van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van de voor de eerste soort complementaire tweede soort.

Info

Publication number
NL185591C
NL185591C NLAANVRAGE7506288,A NL7506288A NL185591C NL 185591 C NL185591 C NL 185591C NL 7506288 A NL7506288 A NL 7506288A NL 185591 C NL185591 C NL 185591C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
prevention
sector
field effect
effect transistor
manufacturing
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7506288,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7506288A (nl
Original Assignee
Fairchild Camera Instr Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fairchild Camera Instr Co filed Critical Fairchild Camera Instr Co
Publication of NL7506288A publication Critical patent/NL7506288A/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL185591C publication Critical patent/NL185591C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO
    • H01L21/76213—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose
    • H01L21/76216—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose introducing electrical active impurities in the local oxidation region for the sole purpose of creating channel stoppers
    • H01L21/76218—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO introducing electrical inactive or active impurities in the local oxidation region, e.g. to alter LOCOS oxide growth characteristics or for additional isolation purpose introducing electrical active impurities in the local oxidation region for the sole purpose of creating channel stoppers introducing both types of electrical active impurities in the local oxidation region for the sole purpose of creating channel stoppers, e.g. for isolation of complementary doped regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
    • H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
    • H10D84/0165—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs the components including complementary IGFETs, e.g. CMOS devices
    • H10D84/0188—Manufacturing their isolation regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0123—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs
    • H10D84/0126—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs
    • H10D84/0165—Integrating together multiple components covered by H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integrating multiple IGBTs the components including insulated gates, e.g. IGFETs the components including complementary IGFETs, e.g. CMOS devices
    • H10D84/0191—Manufacturing their doped wells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/80—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs
    • H10D84/82—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components
    • H10D84/83—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of only field-effect components of only insulated-gate FETs [IGFET]
    • H10D84/85—Complementary IGFETs, e.g. CMOS
    • H10D84/858—Complementary IGFETs, e.g. CMOS comprising a P-type well but not an N-type well
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
NLAANVRAGE7506288,A 1974-06-03 1975-05-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van een eerste soort en van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van de voor de eerste soort complementaire tweede soort. NL185591C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US47535874A 1974-06-03 1974-06-03

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7506288A NL7506288A (nl) 1975-12-05
NL185591C true NL185591C (nl) 1990-05-16

Family

ID=23887225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7506288,A NL185591C (nl) 1974-06-03 1975-05-28 Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van een eerste soort en van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van de voor de eerste soort complementaire tweede soort.

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS5619746B2 (enrdf_load_stackoverflow)
CA (1) CA1017073A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE2523379C2 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR2275888A1 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB1499548A (enrdf_load_stackoverflow)
HK (1) HK27981A (enrdf_load_stackoverflow)
IT (1) IT1032951B (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL185591C (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5160466A (en) * 1974-11-22 1976-05-26 Hitachi Ltd Handotaisochino seizohoho
JPS5286083A (en) * 1976-01-12 1977-07-16 Hitachi Ltd Production of complimentary isolation gate field effect transistor
DE2945854A1 (de) * 1979-11-13 1981-05-21 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Ionenimplantationsverfahren
US4345366A (en) * 1980-10-20 1982-08-24 Ncr Corporation Self-aligned all-n+ polysilicon CMOS process
JPS5955054A (ja) * 1982-09-24 1984-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0636425B2 (ja) * 1983-02-23 1994-05-11 テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド Ｃｍｏｓ装置の製造方法
EP0123384A1 (en) * 1983-02-25 1984-10-31 Western Digital Corporation Complementary insulated gate field effect integrated circuit structure and process for fabricating the structure
JP2572653B2 (ja) * 1989-12-29 1997-01-16 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1104070B (de) * 1959-01-27 1961-04-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer eine eigenleitende oder nahezu eigenleitende Zone aufweisenden Halbleitertriode
US3356858A (en) * 1963-06-18 1967-12-05 Fairchild Camera Instr Co Low stand-by power complementary field effect circuitry
US3648225A (en) * 1969-12-04 1972-03-07 Sperry Rand Corp Digital sonar doppler navigator
NL160988C (nl) * 1971-06-08 1979-12-17 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
JPS49123287A (enrdf_load_stackoverflow) * 1973-03-28 1974-11-26

Also Published As

Publication number Publication date
FR2275888A1 (fr) 1976-01-16
JPS515969A (enrdf_load_stackoverflow) 1976-01-19
HK27981A (en) 1981-07-03
NL7506288A (nl) 1975-12-05
JPS5619746B2 (enrdf_load_stackoverflow) 1981-05-09
FR2275888B1 (enrdf_load_stackoverflow) 1981-08-21
CA1017073A (en) 1977-09-06
DE2523379C2 (de) 1986-10-02
GB1499548A (en) 1978-02-01
DE2523379A1 (de) 1975-12-11
IT1032951B (it) 1979-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7501529A (nl) Veldeffect halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL186355C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor met geŸsoleerde poort van een paar complementaire transistors.
NL7510336A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan.
NL182604C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste een paar complementaire veldeffecttransistoren met een stuurelektrode van polykristallijn of amorf silicium en een met de werkwijze vervaardigde geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL185483C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
CA959171A (en) Input transient protection for complementary insulated gate field effect transistor integrated circuit
NL7510328A (nl) Veldemissieinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan.
NL7613464A (nl) Halfgeleiderinrichting, bestand tegen hoge spanningen, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7701119A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de ver- vaardiging daarvan.
NL189327C (nl) Halfgeleiderinrichting met veldeffekt, geisoleerd stuurgebied en geheugenwerking en werkwijze voor de vervaardiging hiervan.
NL141710B (nl) Werkwijze voor het permanent wijzigen van de elektrische eigenschappen van ten minste een deel van een halfgeleiderlichaam van germanium of silicium door een ionenbombardement en halfgeleiderlichaam vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL180264B (nl) Bipolaire transistor voor een geintegreerde halfgeleiderschakeling en werkwijzen voor het vervaardigen daarvan.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL7713947A (nl) Vermogenstransistor en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL7510327A (nl) Halfgeleiderinrichting met ohms kontakt en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan.
NL185591C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van een eerste soort en van tenminste een veldeffecttransistor met een geisoleerde poortelektrode van de voor de eerste soort complementaire tweede soort.
JPS5224465A (en) Schottky barrier semiconductor device
NL7709870A (nl) Complementair geisoleerde veldeffecthalfgeleider- inrichting met poortwerking en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL7511259A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van microbedradingen voor het contacteren van halfgeleiderschakelkringen.
NL7408110A (nl) Halfgeleiderinrichting met complementaire tran- sistorstrukturen en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
NL160433C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde half- geleiderschakeling voorzien van ten minste een eerste en een tweede transistor van dezelfde soort, waarbij de eerste transistor een grote stroomversterkingsfactor heeft.
NL185044C (nl) Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7501990A (nl) Halfgeleiderinrichting, alsmede werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
JPS5275187A (en) Mos type semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent