NL169723C - Werkwijze voor het vervaardigen van een polykristallijne keramische halfgeleider. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een polykristallijne keramische halfgeleider.

Info

Publication number
NL169723C
NL169723C NLAANVRAGE7700357,A NL7700357A NL169723C NL 169723 C NL169723 C NL 169723C NL 7700357 A NL7700357 A NL 7700357A NL 169723 C NL169723 C NL 169723C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
polycrystalline ceramic
ceramic semiconductor
semiconductor
polycrystalline
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7700357,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7700357A (nl
NL169723B (nl
Original Assignee
Matsushita Electric Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP51005648A external-priority patent/JPS5828726B2/ja
Priority claimed from JP51008730A external-priority patent/JPS5827649B2/ja
Priority claimed from JP51015016A external-priority patent/JPS5830731B2/ja
Priority claimed from JP51015017A external-priority patent/JPS5823922B2/ja
Priority claimed from JP2872976A external-priority patent/JPS5823729B2/ja
Priority claimed from JP2873076A external-priority patent/JPS5823730B2/ja
Priority claimed from JP2872876A external-priority patent/JPS5826650B2/ja
Priority claimed from JP4055376A external-priority patent/JPS5946085B2/ja
Application filed by Matsushita Electric Ind Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Ind Co Ltd
Publication of NL7700357A publication Critical patent/NL7700357A/nl
Publication of NL169723B publication Critical patent/NL169723B/nl
Publication of NL169723C publication Critical patent/NL169723C/nl
Application granted granted Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
    • H01G4/1281—Semiconductive ceramic capacitors with grain boundary layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/913—Material designed to be responsive to temperature, light, moisture

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
NLAANVRAGE7700357,A 1976-01-20 1977-01-14 Werkwijze voor het vervaardigen van een polykristallijne keramische halfgeleider. NL169723C (nl)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51005648A JPS5828726B2 (ja) 1976-01-20 1976-01-20 半導体コンデンサ用磁器
JP51008730A JPS5827649B2 (ja) 1976-01-28 1976-01-28 半導体コンデンサ用磁器
JP51015017A JPS5823922B2 (ja) 1976-02-13 1976-02-13 半導体コンデンサ用磁器
JP51015016A JPS5830731B2 (ja) 1976-02-13 1976-02-13 半導体コンデンサ用磁器
JP2872976A JPS5823729B2 (ja) 1976-03-16 1976-03-16 半導体コンデンサ用磁器
JP2873076A JPS5823730B2 (ja) 1976-03-16 1976-03-16 半導体コンデンサ用磁器
JP2872876A JPS5826650B2 (ja) 1976-03-16 1976-03-16 半導体コンデンサ用磁器
JP4055376A JPS5946085B2 (ja) 1976-04-10 1976-04-10 半導体コンデンサ用磁器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7700357A NL7700357A (nl) 1977-07-22
NL169723B NL169723B (nl) 1982-03-16
NL169723C true NL169723C (nl) 1982-08-16

Family

ID=27571559

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7700357,A NL169723C (nl) 1976-01-20 1977-01-14 Werkwijze voor het vervaardigen van een polykristallijne keramische halfgeleider.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4143207A (nl)
CA (1) CA1095704A (nl)
DE (1) DE2702071C2 (nl)
FR (1) FR2339235A1 (nl)
GB (1) GB1526152A (nl)
NL (1) NL169723C (nl)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1095704A (en) * 1976-01-20 1981-02-17 Gen Itakura Semiconductive ceramics
DE2736688C2 (de) * 1977-08-16 1986-02-20 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur Herstellung eines Dielektrikums mit Perowskitstruktur
DE2839976A1 (de) * 1977-09-16 1979-03-29 Murata Manufacturing Co Halbleiterkeramik fuer grenzschichtkondensatoren
JPS5517965A (en) * 1978-07-25 1980-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Porcelain dielectric substance and method of fabricating same
US4284521A (en) * 1979-03-26 1981-08-18 Ferro Corporation Reduced alkaline earth metal powders and process for producing same
US4337162A (en) * 1979-03-26 1982-06-29 University Of Illinois Foundation Internal boundary layer ceramic compositions
US4237084A (en) * 1979-03-26 1980-12-02 University Of Illinois Foundation Method of producing internal boundary layer ceramic compositions
US4403236A (en) * 1979-10-09 1983-09-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Boundary layer type semiconducting ceramic capacitors with high capacitance
US4309295A (en) * 1980-02-08 1982-01-05 U.S. Philips Corporation Grain boundary barrier layer ceramic dielectrics and the method of manufacturing capacitors therefrom
JPS56144522A (en) * 1980-04-11 1981-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Grain boundary dielectric layer type semiconductor porcelain composition
JPS5739520A (en) * 1980-08-20 1982-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Grain boundary dielectric layer type semiconductor porcelain composition
DE3035793C2 (de) * 1980-09-23 1985-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto Verfahren zur Herstellung von Grenzschicht-Halbleiterkeramik-Kondensatoren
US4347167A (en) * 1980-10-01 1982-08-31 University Of Illinois Foundation Fine-grain semiconducting ceramic compositions
US4367265A (en) * 1981-04-06 1983-01-04 North American Philips Corporation Intergranular insulation type semiconductive ceramic and method of producing same
US4419310A (en) * 1981-05-06 1983-12-06 Sprague Electric Company SrTiO3 barrier layer capacitor
US4415531A (en) * 1982-06-25 1983-11-15 Ford Motor Company Semiconductor materials
JPS5935402A (ja) * 1982-08-24 1984-02-27 太陽誘電株式会社 電圧依存非直線抵抗特性を有する半導体磁器物質
DE3235886A1 (de) * 1982-09-28 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung einer sperrschicht-keramik
FR2550375B1 (fr) * 1983-08-05 1986-06-20 Haussonne Francois Condensateur comportant comme dielectrique une ceramique a base de titanate de strontium
DE3435806A1 (de) * 1984-09-28 1986-04-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von korngrenzsperrschicht-vielschicht-kondensatoren aus strontiumtitanat
US4889837A (en) * 1986-09-02 1989-12-26 Tdk Corporation Semiconductive ceramic composition
US5458867A (en) * 1994-09-09 1995-10-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Process for the chemical preparation of bismuth telluride
KR100401943B1 (ko) * 2000-11-17 2003-10-17 홍국선 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 유전체 세라믹의 제조방법
JP5483028B2 (ja) * 2011-02-24 2014-05-07 株式会社村田製作所 粒界絶縁型半導体セラミック、半導体セラミックコンデンサ、及び半導体セラミックコンデンサの製造方法
EP2551988A3 (en) * 2011-07-28 2013-03-27 General Electric Company Dielectric materials for power transfer system
EP2551250B1 (en) * 2011-07-28 2016-12-07 General Electric Company Dielectric materials for power tranfer system
KR102183425B1 (ko) * 2015-07-22 2020-11-27 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
CN115368131B (zh) * 2022-09-06 2023-08-01 南京工业大学 钛酸锶铋基无铅弛豫铁电薄膜、制备方法及应用

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB861346A (en) * 1957-11-29 1961-02-15 Nat Res Dev Dielectric ceramic compositions and the method of production thereof
US3074804A (en) * 1957-11-29 1963-01-22 Nat Res Dev Intergranular barrier layer dielectric ceramic compositions and the method of production thereof
US3069276A (en) * 1961-06-19 1962-12-18 British Dielectric Res Ltd Ceramic dielectric materials and capacitors incorporating such materials
US3294688A (en) * 1962-12-06 1966-12-27 Precht Walter Thermoelectric converter composition
US3427173A (en) * 1964-06-08 1969-02-11 Tdk Electronics Co Ltd Ceramic dielectrics
GB1186116A (en) * 1966-12-19 1970-04-02 Nippon Telegraph & Telephone Improvements in or relating to the Production of High Dielectric Ceramics
US4014822A (en) * 1968-08-13 1977-03-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor ceramic composition
US3673119A (en) * 1968-10-11 1972-06-27 Tdk Electronics Co Ltd Semiconducting ceramic compositions
US3764529A (en) * 1972-02-17 1973-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing fine grain ceramic barium titanate
US4022716A (en) * 1973-04-27 1977-05-10 Tdk Electronics Company, Limited Semiconducting ceramics containing vanadium oxide
US4058404A (en) * 1973-12-10 1977-11-15 Tdk Electronics Co., Ltd. Sintered ceramic dielectric body
US4061583A (en) * 1974-03-13 1977-12-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Preparation of titanates
US3995300A (en) * 1974-08-14 1976-11-30 Tdk Electronics Company, Limited Reduction-reoxidation type semiconducting ceramic capacitor
CA1095704A (en) * 1976-01-20 1981-02-17 Gen Itakura Semiconductive ceramics

Also Published As

Publication number Publication date
DE2702071C2 (de) 1982-08-26
FR2339235B1 (nl) 1982-12-31
DE2702071A1 (de) 1977-07-21
FR2339235A1 (fr) 1977-08-19
US4143207A (en) 1979-03-06
CA1095704A (en) 1981-02-17
AU2143077A (en) 1978-02-23
GB1526152A (en) 1978-09-27
NL7700357A (nl) 1977-07-22
NL169723B (nl) 1982-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL169723C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een polykristallijne keramische halfgeleider.
NL187508C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL182289C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een poreus filter van keramiek.
NL187505C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm.
NL189633C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een monolithische, geintegreerde micro-elektronische halfgeleiderketen.
NL183869B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een semipermeabel membraan.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7709501A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van luchtbanden.
NL167405C (nl) Werkwijze voor het bereiden van een samenstelling voor het vervaardigen van keramische halfgeleiders.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL7713004A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgelei- derinrichtingen.
NL7701497A (nl) Werkwijze voor het sinteren van keramisch mate- riaal.
NL186667B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een kristallijn lichaam.
NL168990B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een monolithische keramische condensator.
NL7607558A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van soft-ice.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7510411A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van poreuze gips- lichamen.
NL7707654A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van massieve vormstukken.
NL186933C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugenschakeling van het ladinggekoppelde type.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7710635A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL164070B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van polylaurinelactam- vormlichamen.
NL7713114A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfge- leiderinrichtingen.
NL7709411A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 19950801