JPS5823730B2 - 半導体コンデンサ用磁器 - Google Patents
半導体コンデンサ用磁器Info
- Publication number
- JPS5823730B2 JPS5823730B2 JP2873076A JP2873076A JPS5823730B2 JP S5823730 B2 JPS5823730 B2 JP S5823730B2 JP 2873076 A JP2873076 A JP 2873076A JP 2873076 A JP2873076 A JP 2873076A JP S5823730 B2 JPS5823730 B2 JP S5823730B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- oxide
- porcelain
- strontium titanate
- mol
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明にチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）を主
体とする半導体磁器の粒界に高絶縁層を設けることによ
り得られる半導体コンデンサ用磁器に関する。
体とする半導体磁器の粒界に高絶縁層を設けることによ
り得られる半導体コンデンサ用磁器に関する。
従来、半導体磁器の粒界を絶縁化させることにより得ら
れるコンデンサ材料としてチタン酸バリウム系半導体コ
ンデンサ用磁器が知られている。
れるコンデンサ材料としてチタン酸バリウム系半導体コ
ンデンサ用磁器が知られている。
しかしながら、絶縁抵抗１０１１Ω−ｍ−実効誘電率５
００００〜７００００と非常に大きな値が得られるこの
チタン酸バリウム系半導体コンデンサ用磁器の欠点とし
て、２０℃を基準として、−３０℃〜＋８５°Ｃの範囲
における静電容量の変化が±４０係程度であり、また誘
電損失（ｔａｎδ）も約５〜ｌＯ％と大きいことである
。
００００〜７００００と非常に大きな値が得られるこの
チタン酸バリウム系半導体コンデンサ用磁器の欠点とし
て、２０℃を基準として、−３０℃〜＋８５°Ｃの範囲
における静電容量の変化が±４０係程度であり、また誘
電損失（ｔａｎδ）も約５〜ｌＯ％と大きいことである
。
そこで近年、チタン酸ストロンチウムを主体とし、特に
静電容量の温度変化率を小さくせしめた半導体磁器コン
デンサが開発されてきている。
静電容量の温度変化率を小さくせしめた半導体磁器コン
デンサが開発されてきている。
このチタン酸ストロンチウムを主体とする半導体磁器コ
ンデンサは当初チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３
） に少量の二酸化マンガン（ＭｎＯ２）。
ンデンサは当初チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３
） に少量の二酸化マンガン（ＭｎＯ２）。
酸化ケイ素（Ｓｉ０２等を添加し、還元雰囲気中で焼結
してなる半導体磁器を、単に熱処理して粒界を再び酸化
するか、二酸化マンガン（ＭｎＯ２） 、酸化ビスマス
（Ｂｉ ２ｏ３）等を粒界に熱拡散させることにより得
られていた。
してなる半導体磁器を、単に熱処理して粒界を再び酸化
するか、二酸化マンガン（ＭｎＯ２） 、酸化ビスマス
（Ｂｉ ２ｏ３）等を粒界に熱拡散させることにより得
られていた。
これらの特徴として、チタン酸バリウム系に比較して静
電容量の温度変化率が小さく、誘電損失（ｔａｎδ）の
値も小さいことがあげられる。
電容量の温度変化率が小さく、誘電損失（ｔａｎδ）の
値も小さいことがあげられる。
一方、実効誘電率がチタン酸バリウム系に比較して極め
て小さいことが欠点であった。
て小さいことが欠点であった。
そこで、実効誘電率の向上を目的として、チタン酸スト
ロンチウム（ＳｒＴｉ０３）に添加する不純物がいくつ
か提案されている。
ロンチウム（ＳｒＴｉ０３）に添加する不純物がいくつ
か提案されている。
たとえば、酸化タンタル（Ｔａ２０５）、酸化ニオブ（
Ｎ′ｂ２０ｓ） ％酸化タングステス（ＷＯ３）等の半
導体化に必要な物質以外に酸化亜鉛（ＺｎＯ）、希土類
酸化物等を単一またはそれらを組み合わせて添加するこ
とにより。
Ｎ′ｂ２０ｓ） ％酸化タングステス（ＷＯ３）等の半
導体化に必要な物質以外に酸化亜鉛（ＺｎＯ）、希土類
酸化物等を単一またはそれらを組み合わせて添加するこ
とにより。
実効誘電率４０．０００〜５０．０００程度、誘電損失
１係以下の半導体磁器コンデンサが得られるようになり
、一段と小型高性能化が計られてきている。
１係以下の半導体磁器コンデンサが得られるようになり
、一段と小型高性能化が計られてきている。
しかしながら、このように小型高性能な素子においては
、高性能な故に問題点もある。
、高性能な故に問題点もある。
その一つに拡散物を塗布する場合の塗布量のバラツキの
与える特性への影響が大きく、工程管理が極めて難しい
欠点があった。
与える特性への影響が大きく、工程管理が極めて難しい
欠点があった。
さらに、電気的特性においてもより高性能化への努力が
なされているが、特に周囲温度の変化に対する静電容量
変化を小さくせしめることについては、チタン酸バリウ
ム系に比較して小さくなったとはいえ、いまだに十分と
はいえない。
なされているが、特に周囲温度の変化に対する静電容量
変化を小さくせしめることについては、チタン酸バリウ
ム系に比較して小さくなったとはいえ、いまだに十分と
はいえない。
本発明は上述のごとき拡散工程による素子特性のバラツ
キを極めて小さくせしめ、ざらに誘電率の温度変化を極
めて小さくせしめるものである。
キを極めて小さくせしめ、ざらに誘電率の温度変化を極
めて小さくせしめるものである。
以下、実施例に基つき、本発明の詳細な説明する。
チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ １０３）に酸化ビス
マス（Ｂ ｌ ２ ｏｓ ） ｏ、 ｔ〜２モル係及び
酸化ニオブ（Ｎｂ、０５） ０．１〜２モル係の範囲で
添加し、十分に混合した後、１５ｍｍφＸ ０．７ｍｍ
ｔの円板状に加圧成型する。
マス（Ｂ ｌ ２ ｏｓ ） ｏ、 ｔ〜２モル係及び
酸化ニオブ（Ｎｂ、０５） ０．１〜２モル係の範囲で
添加し、十分に混合した後、１５ｍｍφＸ ０．７ｍｍ
ｔの円板状に加圧成型する。
この後、水素１〜１０係、窒素９９〜９０％からなる雰
囲気中で１３７０°Ｃ〜１４６０℃で２〜４時間焼成す
る。
囲気中で１３７０°Ｃ〜１４６０℃で２〜４時間焼成す
る。
しかる後に、焼結体の片面に拡散用物質を公知の適当な
バインダー（たとえば、ポリビニルアルコール）を用い
て塗布し。
バインダー（たとえば、ポリビニルアルコール）を用い
て塗布し。
１０５０°Ｃ−１２００℃で２時間程度熱処理する。
このようにして得られた焼結体の両面に銀電極を設ける
。
。
第１表は拡散用物質として酸化鋼（Ｃｕ２０）、二酸化
マンガン（ＭｎＯ２）からなる種々の組成の混合物を上
記焼結体に塗布し、拡散せしめたときの各種２０枚の電
気的特性の平均値を示す。
マンガン（ＭｎＯ２）からなる種々の組成の混合物を上
記焼結体に塗布し、拡散せしめたときの各種２０枚の電
気的特性の平均値を示す。
ただし、このときの酸化ビスマス（Ｂｉ２０ｇ） 及び
酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）の添加量はそれぞれ０．２モ
ル係、また焼成は温度１４００℃で４時間、雰囲気条件
は水素ｌＯ％、窒素９０％であり、さらに熱処理は温度
１１００℃で２時間行ったものである。
酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）の添加量はそれぞれ０．２モ
ル係、また焼成は温度１４００℃で４時間、雰囲気条件
は水素ｌＯ％、窒素９０％であり、さらに熱処理は温度
１１００℃で２時間行ったものである。
尚、表中の実効誘電率ε及び誘電損失ｔａｎδは周波数
Ｉ ＫＨｚ ｔ Ｉ ＶＡ 、 Ｃにて測定した値であ
り、絶縁抵抗は５０ ＶＤ 、Ｃの電圧で３０秒間充電
した後に測定した値である。
Ｉ ＫＨｚ ｔ Ｉ ＶＡ 、 Ｃにて測定した値であ
り、絶縁抵抗は５０ ＶＤ 、Ｃの電圧で３０秒間充電
した後に測定した値である。
また、第１図Ａ、ＢＵ上述試料の特性を図示したもので
ある。
ある。
図中、斜線をほどこした領域に全ての試料の特性が含ま
れ、領域の上限の曲線は試料の特性の最大値を示し、下
限の曲線は試料の特性の最小値を示す。
れ、領域の上限の曲線は試料の特性の最大値を示し、下
限の曲線は試料の特性の最小値を示す。
これらの表と図から明らかなごとく、試料の特性は酸化
銅（ＣｕｚＯ）または二酸化マンガン（Ｍｎ０２）を単
一で塗布し一拡散せしめた場合よりも酸化銅（Ｃｕ２０
） ９５〜５０モル％、二酸化マンガン（Ｍｎ０２）５
〜５０モル％の組成の範囲で組み合わせて拡散せしめた
方が緒特性の向上が見られるばかりで々く、バラツキの
小さいことが認められる。
銅（ＣｕｚＯ）または二酸化マンガン（Ｍｎ０２）を単
一で塗布し一拡散せしめた場合よりも酸化銅（Ｃｕ２０
） ９５〜５０モル％、二酸化マンガン（Ｍｎ０２）５
〜５０モル％の組成の範囲で組み合わせて拡散せしめた
方が緒特性の向上が見られるばかりで々く、バラツキの
小さいことが認められる。
また、第２図Ａ、Ｂは上記実施例の焼結体を用いて拡散
物質の塗布量を０．３〜／ｃｒｌ、０．５へ’ｔｃｒ？
、及び１．０ ｍｌｉ／Ｃｒｒ？ とじたときの特性
値を示したものであり、図中曲線ａ、ｂ及びＣばそれぞ
れの塗布量に対応する特性曲線である。
物質の塗布量を０．３〜／ｃｒｌ、０．５へ’ｔｃｒ？
、及び１．０ ｍｌｉ／Ｃｒｒ？ とじたときの特性
値を示したものであり、図中曲線ａ、ｂ及びＣばそれぞ
れの塗布量に対応する特性曲線である。
この図から明らかなごとく、塗布量の電気的緒特性へ与
える影響は酸化銅（Ｃｕ２０）またに二酸化マンガン（
Ｍｎ０２）の単一塗布に比較して、それぞれの組み合わ
せの方がより小さいことがわかる。
える影響は酸化銅（Ｃｕ２０）またに二酸化マンガン（
Ｍｎ０２）の単一塗布に比較して、それぞれの組み合わ
せの方がより小さいことがわかる。
６また、この図から第１図における特性のバラツ阜は塗
布量の差異の影響であることが明白である。
布量の差異の影響であることが明白である。
次に、第３図に上記実施例の焼結体を用いて構成される
半導体コンデンサ用磁器において、２０°Ｃを基準とし
て一２５°Ｃ及び＋８５℃における静電容量の変化率を
示す。
半導体コンデンサ用磁器において、２０°Ｃを基準とし
て一２５°Ｃ及び＋８５℃における静電容量の変化率を
示す。
この図から明らかなごとく、酸化銅（Ｃｕ２０ ）及び
二酸化マンガン（Ｍｎ０２）のそれぞれ９５〜５０モル
％、５〜５０モル％の範囲で非常に誘電率の温度依存性
が小さいことが認められる。
二酸化マンガン（Ｍｎ０２）のそれぞれ９５〜５０モル
％、５〜５０モル％の範囲で非常に誘電率の温度依存性
が小さいことが認められる。
特に、 Ｃｕ２Ｏ２０モル％、ＭｎＯ２８０モ／ｌ／％
の組成点においては一２５℃で＋２．０係、＋８５°Ｃ
で＋０．４係と極めて小さい値を示した。
の組成点においては一２５℃で＋２．０係、＋８５°Ｃ
で＋０．４係と極めて小さい値を示した。
尚、チタン酸ストロンチウム（５ｒＴｉ ０３ ）に、
酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）を添加することにより、添
加しない場合に比較して焼結体の微結晶粒子の成長が促
進され、また均一であるため、さらに特性のバラツキが
小さくなり、特に実効誘電率の向上が見られる。
酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）を添加することにより、添
加しない場合に比較して焼結体の微結晶粒子の成長が促
進され、また均一であるため、さらに特性のバラツキが
小さくなり、特に実効誘電率の向上が見られる。
第２表は上記三者の特性の差異を代表例で示したもので
あり、表中、ＡＨチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ
３） に酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）を１モル係添加し
て他は上記と同一条件で焼成した焼結体に酸化銅（Ｃｕ
２０ ） ９０モル係、二酸化マンガンｌＯモル％から
なる組成物を上記実施例と同様にして塗布し、拡散せし
めた磁器、Ｂはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３
）に酸化ニオブ（Ｎｂ２０． ） ０．１モル係、酸化
ビスマス（Ｂ １２０ ｓ ）１．５モル係添加し、以
下Ａと同条件で処理した磁器を示す。
あり、表中、ＡＨチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ
３） に酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）を１モル係添加し
て他は上記と同一条件で焼成した焼結体に酸化銅（Ｃｕ
２０ ） ９０モル係、二酸化マンガンｌＯモル％から
なる組成物を上記実施例と同様にして塗布し、拡散せし
めた磁器、Ｂはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３
）に酸化ニオブ（Ｎｂ２０． ） ０．１モル係、酸化
ビスマス（Ｂ １２０ ｓ ）１．５モル係添加し、以
下Ａと同条件で処理した磁器を示す。
この表から明らかなように酸化ビスマス
（Ｂｉ２０３）をチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０
３）にあらかじめ添加することにより、本発明の効果は
一段と高められているといえる。
３）にあらかじめ添加することにより、本発明の効果は
一段と高められているといえる。
以上述べたように、本発明のごとく、チタン酸ストロン
チウム（ＳｒＴｉ０３）に半導体化に必要な酸化ニオブ
（Ｎ′ｂ２０．）を少なくとも０．１〜２モル係含係合
さらに酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）を少なくとも０．１
〜２．０モル係合む半導体磁器に、酸化銅（Ｃｕ２０）
、二酸化マンガン（Ｍｎ０２）を単一に粒界に拡散せし
めるのでになく、それらをそれぞれ９５〜５モル係、５
〜５０モル係からなる組成物の形で塗布し、拡散せしめ
ることにより、従来になく、製造上バラツキの少ない、
しかも静電容量の温度変化率の小さい極めてすぐれた半
導体コンデンサ用磁器を提供することが可能であり、産
業的価値は甚大である。
チウム（ＳｒＴｉ０３）に半導体化に必要な酸化ニオブ
（Ｎ′ｂ２０．）を少なくとも０．１〜２モル係含係合
さらに酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）を少なくとも０．１
〜２．０モル係合む半導体磁器に、酸化銅（Ｃｕ２０）
、二酸化マンガン（Ｍｎ０２）を単一に粒界に拡散せし
めるのでになく、それらをそれぞれ９５〜５モル係、５
〜５０モル係からなる組成物の形で塗布し、拡散せしめ
ることにより、従来になく、製造上バラツキの少ない、
しかも静電容量の温度変化率の小さい極めてすぐれた半
導体コンデンサ用磁器を提供することが可能であり、産
業的価値は甚大である。
尚、実施例においては銀電極を用いたが、その他の公知
σ電極材料を用いてもよいことにいうまでもない。
σ電極材料を用いてもよいことにいうまでもない。
また、焼成に水素１〜１０％、窒素９９〜９０係からな
る雰囲気中に限ることもなく、試料が十分に半導体化さ
れうる雰囲気中であればよいことも周知のごとくである
。
る雰囲気中に限ることもなく、試料が十分に半導体化さ
れうる雰囲気中であればよいことも周知のごとくである
。
さらに、実施例で半導体化の目的で添加した酸化ニオブ
（Ｎｂ２０．）の代わりに、酸化タンタル（Ｔａ２０５
）を用いてもよく、実験結果では酸化タンタル（’ｒａ
２ｏ、）は酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）に比較して蒸発し
にくいという若干の差異はあるが、これは添加量に比し
てほとんど無視し得る範囲内のオーダである。
（Ｎｂ２０．）の代わりに、酸化タンタル（Ｔａ２０５
）を用いてもよく、実験結果では酸化タンタル（’ｒａ
２ｏ、）は酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）に比較して蒸発し
にくいという若干の差異はあるが、これは添加量に比し
てほとんど無視し得る範囲内のオーダである。
たとえば、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）に
酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）を０．２モル係添加し、水素
１０％、窒素９０係からなる雰囲気中で、１４００’Ｃ
で４時間焼成して得られる半導体磁器の比抵抗ＵＯ，５
Ω−錆であり、平均結晶粒径Ｕ１２．５μｍであるのに
対し、酸化タンタル（Ｔａ２０５）の添加量を０．１８
モル係とし、他の条件は同条件とすると、比抵抗０．５
Ω−錆、平均結晶粒径１２．３μｍの半導体磁器が得ら
れる。
酸化ニオブ（Ｎｂ２０．）を０．２モル係添加し、水素
１０％、窒素９０係からなる雰囲気中で、１４００’Ｃ
で４時間焼成して得られる半導体磁器の比抵抗ＵＯ，５
Ω−錆であり、平均結晶粒径Ｕ１２．５μｍであるのに
対し、酸化タンタル（Ｔａ２０５）の添加量を０．１８
モル係とし、他の条件は同条件とすると、比抵抗０．５
Ω−錆、平均結晶粒径１２．３μｍの半導体磁器が得ら
れる。
通常、ニオブ（Ｎｂ）及びタンタル（Ｔａ）Ｕバナジウ
ム族元素と呼ばれる同族の元素であり、またその中でも
この２つの元素はランタノイド収縮にエリ共有結合半径
がほとんど同じ（１，３４オングストローム）であるた
め、同時に産出され、化学的性質はほとんど同じである
ことば周知である。
ム族元素と呼ばれる同族の元素であり、またその中でも
この２つの元素はランタノイド収縮にエリ共有結合半径
がほとんど同じ（１，３４オングストローム）であるた
め、同時に産出され、化学的性質はほとんど同じである
ことば周知である。
この２つの５価の元素はチタン酸ストロンチウム
（５ｒＴｉ ０３ ）のＴｉ元素の共有結合半径（１，
３２オングストローム）とほぼ一致するため、比較的置
換が容易に行われ、 ５ｒＴｉ０３＋Ｎｂ２０ｙ（またＨ Ｔａ２０５ ）−
ＣｒＴｉ、−δＮｂ１（またば５ｒＴｉ、−δＴａδＯ
）十δｅ−として自由電子が放出され、チタン酸ストロ
ンチウム（ＳｒＴｉ０３）に半導体化される。
３２オングストローム）とほぼ一致するため、比較的置
換が容易に行われ、 ５ｒＴｉ０３＋Ｎｂ２０ｙ（またＨ Ｔａ２０５ ）−
ＣｒＴｉ、−δＮｂ１（またば５ｒＴｉ、−δＴａδＯ
）十δｅ−として自由電子が放出され、チタン酸ストロ
ンチウム（ＳｒＴｉ０３）に半導体化される。
ここで、δは置換したＮｂ（またはＴａ）元素の原子数
、ｅ−に電子を表わす。
、ｅ−に電子を表わす。
このような半導体化の方法ｉ 一般に原子価制御の方法
と呼ばれている。
と呼ばれている。
したがって、上記実施例における酸化ニオブ（Ｎｂ２０
．）を酸化タンタル（Ｔａ２０．）に置換することによ
り、同等の結果が得られることにいうまでもないもので
ある。
．）を酸化タンタル（Ｔａ２０．）に置換することによ
り、同等の結果が得られることにいうまでもないもので
ある。
第１図ＡＵ本発明の半導体コンデンサ用磁器の拡散物質
組成と実効誘電率ε及び誘電損失（ｔａｎδ）との関係
を示す図、第１図Ｂｉ本発明の半導体コンデンサ用磁器
の拡散物質組成と絶縁抵抗との関係を示す図、第２図Ａ
は本発明の半導体コンデンサ用磁器における拡散物質塗
布量をパラメータにしたときの拡散物質組成と実効誘電
率ε及び誘電損失（ｔａｎδ）との関係を示す図、第２
図ＢＨ本発明の半導体コンデンサ用磁器における拡散物
質塗布量をパラメータにしたときの拡散物質組成と絶縁
抵抗との関係を示す図、第３図は本発明の半導体コンデ
ンサ用磁器の拡散物質組成と静電容量の温度変化率との
関係を示す図である。
組成と実効誘電率ε及び誘電損失（ｔａｎδ）との関係
を示す図、第１図Ｂｉ本発明の半導体コンデンサ用磁器
の拡散物質組成と絶縁抵抗との関係を示す図、第２図Ａ
は本発明の半導体コンデンサ用磁器における拡散物質塗
布量をパラメータにしたときの拡散物質組成と実効誘電
率ε及び誘電損失（ｔａｎδ）との関係を示す図、第２
図ＢＨ本発明の半導体コンデンサ用磁器における拡散物
質塗布量をパラメータにしたときの拡散物質組成と絶縁
抵抗との関係を示す図、第３図は本発明の半導体コンデ
ンサ用磁器の拡散物質組成と静電容量の温度変化率との
関係を示す図である。
Claims (1)
- １ チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３） ９３
．０〜９９．８モル係、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）
０．１〜５．０モル係、酸化ニオブ（Ｎｂ２０５）また
は酸化タンタル（Ｔａ２０．） ０．１〜２．０モル係
からなる多結晶半導体磁器の粒界に、銅成分及びマンガ
ン成分が偏在し、その銅成分及びマンガン成分のモル比
が９５〜５０：５〜５０であることを特徴とする半導体
コンデンサ用磁器。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2873076A JPS5823730B2 (ja) | 1976-03-16 | 1976-03-16 | 半導体コンデンサ用磁器 |
| CA269,514A CA1095704A (en) | 1976-01-20 | 1977-01-12 | Semiconductive ceramics |
| NLAANVRAGE7700357,A NL169723C (nl) | 1976-01-20 | 1977-01-14 | Werkwijze voor het vervaardigen van een polykristallijne keramische halfgeleider. |
| GB1797/77A GB1526152A (en) | 1976-01-20 | 1977-01-17 | Semiconductive ceramics |
| US05/759,807 US4143207A (en) | 1976-01-20 | 1977-01-17 | Semiconductive ceramics |
| AU21430/77A AU490459B2 (en) | 1977-01-19 | Semiconductive ceramics | |
| FR7701402A FR2339235A1 (fr) | 1976-01-20 | 1977-01-19 | Ceramiques semiconductrices |
| DE2702071A DE2702071C2 (de) | 1976-01-20 | 1977-01-19 | Verfahren zur Herstellung einer Kondensatorkeramik auf Strontiumtitanatbasis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2873076A JPS5823730B2 (ja) | 1976-03-16 | 1976-03-16 | 半導体コンデンサ用磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52111700A JPS52111700A (en) | 1977-09-19 |
| JPS5823730B2 true JPS5823730B2 (ja) | 1983-05-17 |
Family
ID=12256539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2873076A Expired JPS5823730B2 (ja) | 1976-01-20 | 1976-03-16 | 半導体コンデンサ用磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823730B2 (ja) |
-
1976
- 1976-03-16 JP JP2873076A patent/JPS5823730B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52111700A (en) | 1977-09-19 |
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