JPS5823729B2 - 半導体コンデンサ用磁器 - Google Patents
半導体コンデンサ用磁器Info
- Publication number
- JPS5823729B2 JPS5823729B2 JP2872976A JP2872976A JPS5823729B2 JP S5823729 B2 JPS5823729 B2 JP S5823729B2 JP 2872976 A JP2872976 A JP 2872976A JP 2872976 A JP2872976 A JP 2872976A JP S5823729 B2 JPS5823729 B2 JP S5823729B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- oxide
- porcelain
- bismuth
- capacitors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチタン酸ストロンチウム（５ｒＴｉ０３ ）を
主体とする半導体磁器の粒界に高絶縁層を設けることに
より得られる半導体コンデンサ用磁器に関する。
主体とする半導体磁器の粒界に高絶縁層を設けることに
より得られる半導体コンデンサ用磁器に関する。
従来、半導体磁器の粒界を絶縁化ｇ−ｃることにより得
られるコンデンサ材料としてチタン酸バリウム系半導体
コンデンサ用磁器が知られている。
られるコンデンサ材料としてチタン酸バリウム系半導体
コンデンサ用磁器が知られている。
しかしながら、絶縁抵抗１０１１Ω−（７）、実効誘電
率５００００〜７００００と非常に大きな値が得られる
このチタン酸バリウム系半導体コンデンサ用磁器の欠点
として、２０℃を基準として、−３０℃〜＋８５℃の範
囲における静電容量の変化が±４０係程度であり、また
誘電損失（ｔａｎδ）も約５〜１０％と大きいことであ
る。
率５００００〜７００００と非常に大きな値が得られる
このチタン酸バリウム系半導体コンデンサ用磁器の欠点
として、２０℃を基準として、−３０℃〜＋８５℃の範
囲における静電容量の変化が±４０係程度であり、また
誘電損失（ｔａｎδ）も約５〜１０％と大きいことであ
る。
そこで近年、チタン酸ストロンチウムを主体とし、特に
静電容量の温度変化率を小さくせしめた半導体磁器コン
デンサが開発されてきている。
静電容量の温度変化率を小さくせしめた半導体磁器コン
デンサが開発されてきている。
このチタン酸ストロンチウムを主体とする半導体磁器コ
ンデンサに当初チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３
）に少量の二酸化マンガン（ＭｎＯ，）、酸化ケイ素（
Ｓｉｎ２）等を添加し、還元雰囲気中で焼結してなる半
導体磁器を、単に熱処理して粒界を再び酸化するか、二
酸化マンガン（ＭｎＯ□）、酸化ビスマス（Ｂ１２０３
）等を粒界に熱拡散させることにより得られていた。
ンデンサに当初チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３
）に少量の二酸化マンガン（ＭｎＯ，）、酸化ケイ素（
Ｓｉｎ２）等を添加し、還元雰囲気中で焼結してなる半
導体磁器を、単に熱処理して粒界を再び酸化するか、二
酸化マンガン（ＭｎＯ□）、酸化ビスマス（Ｂ１２０３
）等を粒界に熱拡散させることにより得られていた。
これらの特徴として、チタン酸バリウム系に比較して静
電容量の温度変化率が小さく、誘電損失（ｔａｎδ）の
値も小さいことがあげられる。
電容量の温度変化率が小さく、誘電損失（ｔａｎδ）の
値も小さいことがあげられる。
一方、実効誘電率がチタン酸バリウム系に比較して極め
て小さいことが欠点であった。
て小さいことが欠点であった。
そこで、実効誘電率の向上を目的として、チタン酸スト
ロンチウス（ＳｒＴｉ０３）に添加する不純物力λ・く
つか提案されている。
ロンチウス（ＳｒＴｉ０３）に添加する不純物力λ・く
つか提案されている。
たとえば、酸イレンタル（Ｔａ２０５）、酸化ニオブ（
Ｎｂ２０５）、酸化タングスステン（ｗ０３）等の半導
体化に必要な物質以外に酸化亜鉛（ＺｎＯ）、希土類酸
化物等を単一またはそれらを組み合わせて添加すること
により、実効誘電率４００００〜５００００程度、誘電
損失１％以下の半導体磁器コンデンサが得られるように
なり、一段と小型高性能化が計られてきている。
Ｎｂ２０５）、酸化タングスステン（ｗ０３）等の半導
体化に必要な物質以外に酸化亜鉛（ＺｎＯ）、希土類酸
化物等を単一またはそれらを組み合わせて添加すること
により、実効誘電率４００００〜５００００程度、誘電
損失１％以下の半導体磁器コンデンサが得られるように
なり、一段と小型高性能化が計られてきている。
しかしながら、このように小型高性能な素子においては
、高性能な故に問題点もある。
、高性能な故に問題点もある。
その一つに拡散物を塗布する場合の塗布量のバラツキの
与える特性への影響が大きく、工程管理が極めて難しい
欠点があった。
与える特性への影響が大きく、工程管理が極めて難しい
欠点があった。
さらに、電気的特性においてもより高性能化への努力が
なされているが、特に周囲温度の変化に対する静電容量
変化を小さくせしめることについては、チタン酸バリウ
ム系に比較して小さくなったとはいえ、いまだに十分と
ばいえない。
なされているが、特に周囲温度の変化に対する静電容量
変化を小さくせしめることについては、チタン酸バリウ
ム系に比較して小さくなったとはいえ、いまだに十分と
ばいえない。
本発明に上述のごとき拡散工程による素子特性のバラツ
キを極めて小さくせしめ、さらに誘電率の温度変化を極
めて小すくせしめるものである。
キを極めて小さくせしめ、さらに誘電率の温度変化を極
めて小すくせしめるものである。
以下、実施例に基つき、本発明の詳細な説明する。
〈実施例〉
チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）に酸化ビスマ
ス（Ｂｉ２０３） ０．１〜５．０モル係及び酸化ニオ
ブ（Ｎｂ２０５ ） ０．１〜２モル係の範囲で添加し
、十分に混合した後、１５ｍｍφＸ Ｏ，７ｍｍ ｔの
円板状に加圧成型する。
ス（Ｂｉ２０３） ０．１〜５．０モル係及び酸化ニオ
ブ（Ｎｂ２０５ ） ０．１〜２モル係の範囲で添加し
、十分に混合した後、１５ｍｍφＸ Ｏ，７ｍｍ ｔの
円板状に加圧成型する。
この後、水素１〜１０係、窒素９９〜９０チからなる雰
囲気中で１３７０℃〜１４６０℃で２〜４時間焼成する
。
囲気中で１３７０℃〜１４６０℃で２〜４時間焼成する
。
しかる後に、焼結体の片面に拡散用物質を公知の適当な
バインダー（たとえば、ポリビニルアルコール）を用い
て塗布し、１０５０℃〜１２００℃で２時間程度熱処理
する。
バインダー（たとえば、ポリビニルアルコール）を用い
て塗布し、１０５０℃〜１２００℃で２時間程度熱処理
する。
このようにして得られた焼結体の両面に銀電極を設ける
。
。
第１表は拡散用物質として酸化ビスマス
（Ｂｉ２０３）、二酸化マンガン（Ｍｎ Ｏ、）からな
る種々の組成の混合物を上記焼結体に塗布し、拡散せし
めたときの各種２０枚の電気的特性の平均値を示す。
る種々の組成の混合物を上記焼結体に塗布し、拡散せし
めたときの各種２０枚の電気的特性の平均値を示す。
ただし、このときの酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）及び酸
化ニオブ（Ｎｂ２０． ）の添加量にそれぞれ０．２モ
ル係、また焼成、は温度１４００℃で４時間。
化ニオブ（Ｎｂ２０． ）の添加量にそれぞれ０．２モ
ル係、また焼成、は温度１４００℃で４時間。
雰囲気条件は水素１０％、窒素９０係であり、さらに熱
処理は温度１１００℃で２時間行ったものである。
処理は温度１１００℃で２時間行ったものである。
尚、表中の実効誘電率ε及び誘電損失ｔａｎδは周波数
１１ｄ（ｚ ｔ Ｉ Ｖ Ａ 、Ｃにて測定した値であ
り。
１１ｄ（ｚ ｔ Ｉ Ｖ Ａ 、Ｃにて測定した値であ
り。
絶縁抵抗は５０ＶＤ、Ｃの電圧で３０秒間充電し□
た後に測定した値である。
また、第１図Ａ、Ｂは上述試料の特性を図示したもので
ある。
ある。
図中、斜線をほどこした領域に全ての試料の特性が含ま
れ、領域の上限の曲線に試料の特性の最大値を示し、下
限の曲線は試料の特性の最小値を示す。
れ、領域の上限の曲線に試料の特性の最大値を示し、下
限の曲線は試料の特性の最小値を示す。
これらの表と図から明らかなごとく、試料の特性は酸化
ビスマス（Ｂ１２０３）またに二酸化マンガン（■迫、
）を単一で塗布し、拡散せしめた場合よりも酸化ビスマ
ス（Ｂｉ２０３）５０〜９５モル係、二係止二酸化マン
ガンＯ□）５０〜５モル係の組成の範囲で組み合わせて
拡散せしめた方が諸行性の向上が見られるばかりでなく
、バラツキの小さいことが認められる。
ビスマス（Ｂ１２０３）またに二酸化マンガン（■迫、
）を単一で塗布し、拡散せしめた場合よりも酸化ビスマ
ス（Ｂｉ２０３）５０〜９５モル係、二係止二酸化マン
ガンＯ□）５０〜５モル係の組成の範囲で組み合わせて
拡散せしめた方が諸行性の向上が見られるばかりでなく
、バラツキの小さいことが認められる。
また、第２図Ａ、Ｂは上記実施例ノ焼結体を用いて拡散
物質の塗布量を０．３−１０．５■／ｃｒ１．及び１．
０〜／ｉとしたときの特性値を示したものであり、図中
曲線ａ、ｂ及びＣばそれぞれの塗布量に対応する特性曲
線である。
物質の塗布量を０．３−１０．５■／ｃｒ１．及び１．
０〜／ｉとしたときの特性値を示したものであり、図中
曲線ａ、ｂ及びＣばそれぞれの塗布量に対応する特性曲
線である。
この図から明らかなごとく、塗布量の電気的緒特性へ与
える影響は酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）またに二酸化マ
ンガン（ＭｎＯ２）の単一塗布に比較して、それぞれの
組み合わせの方がより小さいことがわかる。
える影響は酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）またに二酸化マ
ンガン（ＭｎＯ２）の単一塗布に比較して、それぞれの
組み合わせの方がより小さいことがわかる。
また、この図から第１図における特性のバラツキは塗布
量の差異の影響であることが明白である。
量の差異の影響であることが明白である。
次に、第３図に上記実施例の焼結体を用いて構成される
半導体コンデンサ用磁器において、２０℃を基準として
一２５°Ｃ及び＋８５℃における静電容量の変化率を示
す。
半導体コンデンサ用磁器において、２０℃を基準として
一２５°Ｃ及び＋８５℃における静電容量の変化率を示
す。
この図から明らかなごとく、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３
）及び二酸化マンガン（Ｍｎ０２）のそれぞれ５０〜９
５モル係、５０〜５モル係の範囲で非常に誘電率の温度
依存性が小さいことが認められる。
）及び二酸化マンガン（Ｍｎ０２）のそれぞれ５０〜９
５モル係、５０〜５モル係の範囲で非常に誘電率の温度
依存性が小さいことが認められる。
特に、Ｂｉ２Ｏ３：２０モル係、ＭｎＯ２： ８０モル
係の組成点においてに一２５℃で＋１，６係、＋８５℃
で＋０．３係と極めて小さい値を示した。
係の組成点においてに一２５℃で＋１，６係、＋８５℃
で＋０．３係と極めて小さい値を示した。
尚、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）に、酸化
ビスマス（Ｂｉ２０３ ）を添加することにより、添加
しない場合に比較して焼結体の微結晶粒子の成長が促進
され、また均一であるた戦さらに特性のバラツキが小さ
くなり、特に実効誘電率の向上が見られる。
ビスマス（Ｂｉ２０３ ）を添加することにより、添加
しない場合に比較して焼結体の微結晶粒子の成長が促進
され、また均一であるた戦さらに特性のバラツキが小さ
くなり、特に実効誘電率の向上が見られる。
第２表は上記三者の特性の差異を代表例で示したもので
あり、表中ＡＨチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３
）に酸化ニオブ（Ｎｂ２ｏ５ ）を１モル％添加して
他に上記と同一条件で焼成した焼結体に酸化ビスマス（
Ｂ１２０３ ） ｓ ５モル係。
あり、表中ＡＨチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３
）に酸化ニオブ（Ｎｂ２ｏ５ ）を１モル％添加して
他に上記と同一条件で焼成した焼結体に酸化ビスマス（
Ｂ１２０３ ） ｓ ５モル係。
二酸化マンガン（Ｍｎ０２） １５モル係からなる組成
物を上記実施例と同様にして塗布し、拡散せしめた磁器
、ＢＵチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）に酸化
ニオブ（Ｎｂ２０． ） ０．１モル係、酸化ビスマ
ス（Ｂｉ２０３）１５モル％添加し、以下Ａと同条件で
処理した磁器を示す。
物を上記実施例と同様にして塗布し、拡散せしめた磁器
、ＢＵチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）に酸化
ニオブ（Ｎｂ２０． ） ０．１モル係、酸化ビスマ
ス（Ｂｉ２０３）１５モル％添加し、以下Ａと同条件で
処理した磁器を示す。
この表から明らかなように酸化ビスマス
（Ｂｉ２０３）をチタン酸ストロンチウム（５ｒＴｉ０
３）にあらかじめ添加することにエリ、本発明の効果は
一段と高められているといえる。
３）にあらかじめ添加することにエリ、本発明の効果は
一段と高められているといえる。
以上述べたように、本発明のごとく、チタン酸ストロン
チウム（ＳｒＴｉ０３）に半導体化に必要な酸化ニオブ
（Ｎｂ２０．）を少なくとも０．１〜２モル係含係合さ
らに酸化ビスマス（Ｂｉ、０３）を少なくとも０．１〜
５．０モル係合む半導体磁器に、酸化ビスマス（Ｂｉ２
０３）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）を単一に粒界に拡
散せしめるのでになく、それらをそれぞれ５０〜９５モ
ル係、５０〜５モルチからなる組成物の形で塗布し、拡
散せしめることにより、従来になく製造上バラツキの少
ない、しかも静電容量の温度変化率の小さい極めてすぐ
れた半導体コンデンサ用磁器を提供することが可能であ
り、産業的価値は甚大である。
チウム（ＳｒＴｉ０３）に半導体化に必要な酸化ニオブ
（Ｎｂ２０．）を少なくとも０．１〜２モル係含係合さ
らに酸化ビスマス（Ｂｉ、０３）を少なくとも０．１〜
５．０モル係合む半導体磁器に、酸化ビスマス（Ｂｉ２
０３）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）を単一に粒界に拡
散せしめるのでになく、それらをそれぞれ５０〜９５モ
ル係、５０〜５モルチからなる組成物の形で塗布し、拡
散せしめることにより、従来になく製造上バラツキの少
ない、しかも静電容量の温度変化率の小さい極めてすぐ
れた半導体コンデンサ用磁器を提供することが可能であ
り、産業的価値は甚大である。
尚、実施例においてに銀電極を用いたが、その他の公知
の電極材料を用いてもよいことはいうまでもない。
の電極材料を用いてもよいことはいうまでもない。
また、焼成は水素１〜１０％、窒素９９〜９０係からな
る雰囲気中に限ることもなく、試料が十分に半導体化さ
れうる雰囲気中であればよいことも周知のごとくである
。
る雰囲気中に限ることもなく、試料が十分に半導体化さ
れうる雰囲気中であればよいことも周知のごとくである
。
さらに、実施例で半導体化の目的で添加した酸化ニオ７
”（Ｎｂ２０．）の代わりに、−化タンタル（Ｔａ、０
５）を用いてもよく、実験結果では酸化タンタル（Ｔａ
２０５）は酸化ニオフ責Ｎｂ２０５）Ｋ比較して蒸発し
にくいという若干の差異はあるが、これは添加量は比し
てほとんど無視し得る範囲内のオーダである。
”（Ｎｂ２０．）の代わりに、−化タンタル（Ｔａ、０
５）を用いてもよく、実験結果では酸化タンタル（Ｔａ
２０５）は酸化ニオフ責Ｎｂ２０５）Ｋ比較して蒸発し
にくいという若干の差異はあるが、これは添加量は比し
てほとんど無視し得る範囲内のオーダである。
たとえば、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯｓ）に
酸化ニオフ責Ｎｂ２Ｏ，）を０．２モル％添加し、水素
１０チ、窒素９０係からなる雰囲気中で、１４００℃で
４時間焼成して得られる半導体磁器の比抵抗は０．５Ω
−ｍであり、平均結晶粒径は１２．５μｍであるのに対
し、酸化タンタル（Ｔａ２０５）７）添加量を０．１８
モル係とし、他の条件は同条件とすると、比抵抗０．５
Ω−（７）、平均結晶粒径１２．３μｍの半導体磁器が
得られる。
酸化ニオフ責Ｎｂ２Ｏ，）を０．２モル％添加し、水素
１０チ、窒素９０係からなる雰囲気中で、１４００℃で
４時間焼成して得られる半導体磁器の比抵抗は０．５Ω
−ｍであり、平均結晶粒径は１２．５μｍであるのに対
し、酸化タンタル（Ｔａ２０５）７）添加量を０．１８
モル係とし、他の条件は同条件とすると、比抵抗０．５
Ω−（７）、平均結晶粒径１２．３μｍの半導体磁器が
得られる。
通常、ニオブ（Ｎｂ）及びタンタル（Ｔａ）ｉバナジウ
ム族元素と呼ばれる同族の元素であり、またその中でも
この２つの元素はランタノイド収縮により共有結合半径
がほとんど同じ（１，３４ｉングストローム）であるた
め、同時に産出され、化学的性質はほとんど同じである
ことば周知である。
ム族元素と呼ばれる同族の元素であり、またその中でも
この２つの元素はランタノイド収縮により共有結合半径
がほとんど同じ（１，３４ｉングストローム）であるた
め、同時に産出され、化学的性質はほとんど同じである
ことば周知である。
この２つの５価の元素はチタン酸ストロンチウム
（ＳｒＴｉ０３ ）のＴｉ元素の共有結合半径（１，３
２オングストローム）とほぼ一致するため、比較的置換
が容易に行われ、 ５ｒＴｉＯ８−１−Ｎｂ２０５（またはＴａ２０３）→
５ｒＴｉ１−δメδ０３（またば５ｒＴｉ１−δＴｇ０
３）＋δｅ− として自由電子が放出され、チタン酸ストロンチウム（
ＳｒＴｉＯｓ）は半導体化される。
２オングストローム）とほぼ一致するため、比較的置換
が容易に行われ、 ５ｒＴｉＯ８−１−Ｎｂ２０５（またはＴａ２０３）→
５ｒＴｉ１−δメδ０３（またば５ｒＴｉ１−δＴｇ０
３）＋δｅ− として自由電子が放出され、チタン酸ストロンチウム（
ＳｒＴｉＯｓ）は半導体化される。
ここで、δは置換したＮｂ（またばＴａ ）元素の原子
数、ｅは電子を表わす。
数、ｅは電子を表わす。
このような半導体化の方法は一般に原子価衝御の方法と
呼ばれている。
呼ばれている。
したがって。上記実施例における酸化ニオブ（Ｎｂ２０
．） を酸化タンタル（Ｔａ２０．）に置換することに
より、同等の結果が得られることばいうまでもないもの
である。
．） を酸化タンタル（Ｔａ２０．）に置換することに
より、同等の結果が得られることばいうまでもないもの
である。
第１図は本発明の半導体コンデンサ用磁器の拡散物質組
成と実効誘電率ε及び誘電損失（ｔａｎδ）との関係を
示す図、第１図Ｂは本発明の半導体コンデンサ用磁器の
拡散物質組成と絶縁抵抗との関係を示す図、第２図ＡＨ
本発明の半導体コンデンサ用磁器における拡散物質塗布
量をパラメータにしたときの拡散物質組成と実効誘電率
ε及び誘電損失（ｔａｎδ）との関係を示す図、第２図
ＢＵ本発明の半導体コンデンサ用磁器における拡散物質
塗布量をパラメータにしたときの拡散物質組成と絶縁抵
抗との関係を示す図、第３図は本発明の半導体コンデン
サ用磁器の拡散物質組成と静電容量の温度変化率との関
係を示す図である。
成と実効誘電率ε及び誘電損失（ｔａｎδ）との関係を
示す図、第１図Ｂは本発明の半導体コンデンサ用磁器の
拡散物質組成と絶縁抵抗との関係を示す図、第２図ＡＨ
本発明の半導体コンデンサ用磁器における拡散物質塗布
量をパラメータにしたときの拡散物質組成と実効誘電率
ε及び誘電損失（ｔａｎδ）との関係を示す図、第２図
ＢＵ本発明の半導体コンデンサ用磁器における拡散物質
塗布量をパラメータにしたときの拡散物質組成と絶縁抵
抗との関係を示す図、第３図は本発明の半導体コンデン
サ用磁器の拡散物質組成と静電容量の温度変化率との関
係を示す図である。
Claims (1)
- １ チタン酸ストロンチウム（Ｓ ｒＴ １ｏ３） ９
９．８〜９３．０モル％、酸化ビスマス（Ｂｉ２０３）
０．１〜５．０モル係、酸化ニオブ（Ｎｂ２ｏ、 ）ま
たは酸化タンタル（Ｔａ２０．） ｏ、 １〜２．０モ
ル係からなる多結晶半導体磁器の粒界に、ビスマス成分
及びマンガン成分が偏在し、そのビスマス成分とマンガ
ン成分のモル比が５０〜９５：５０〜５であることを特
徴とする半導体コンデンサ用磁器。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2872976A JPS5823729B2 (ja) | 1976-03-16 | 1976-03-16 | 半導体コンデンサ用磁器 |
| CA269,514A CA1095704A (en) | 1976-01-20 | 1977-01-12 | Semiconductive ceramics |
| NLAANVRAGE7700357,A NL169723C (nl) | 1976-01-20 | 1977-01-14 | Werkwijze voor het vervaardigen van een polykristallijne keramische halfgeleider. |
| GB1797/77A GB1526152A (en) | 1976-01-20 | 1977-01-17 | Semiconductive ceramics |
| US05/759,807 US4143207A (en) | 1976-01-20 | 1977-01-17 | Semiconductive ceramics |
| AU21430/77A AU490459B2 (en) | 1977-01-19 | Semiconductive ceramics | |
| FR7701402A FR2339235A1 (fr) | 1976-01-20 | 1977-01-19 | Ceramiques semiconductrices |
| DE2702071A DE2702071C2 (de) | 1976-01-20 | 1977-01-19 | Verfahren zur Herstellung einer Kondensatorkeramik auf Strontiumtitanatbasis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2872976A JPS5823729B2 (ja) | 1976-03-16 | 1976-03-16 | 半導体コンデンサ用磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52111699A JPS52111699A (en) | 1977-09-19 |
| JPS5823729B2 true JPS5823729B2 (ja) | 1983-05-17 |
Family
ID=12256511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2872976A Expired JPS5823729B2 (ja) | 1976-01-20 | 1976-03-16 | 半導体コンデンサ用磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823729B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372491B2 (ja) * | 1983-11-22 | 1991-11-18 | Honda Motor Co Ltd |
-
1976
- 1976-03-16 JP JP2872976A patent/JPS5823729B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0372491B2 (ja) * | 1983-11-22 | 1991-11-18 | Honda Motor Co Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52111699A (en) | 1977-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0524646B2 (ja) | ||
| SE432097B (sv) | Sintrad kropp av halvledande keramikmaterial, forfarande for tillverkning av kroppen samt en anvendning av kroppen | |
| JPH0226775B2 (ja) | ||
| JPS5823729B2 (ja) | 半導体コンデンサ用磁器 | |
| JPS5828726B2 (ja) | 半導体コンデンサ用磁器 | |
| JP2614228B2 (ja) | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー | |
| JPS5823922B2 (ja) | 半導体コンデンサ用磁器 | |
| JP2934387B2 (ja) | 半導体磁器の製造方法 | |
| JPS5823730B2 (ja) | 半導体コンデンサ用磁器 | |
| JPS5830731B2 (ja) | 半導体コンデンサ用磁器 | |
| JPS5827649B2 (ja) | 半導体コンデンサ用磁器 | |
| KR940011059B1 (ko) | 입계형 반도성 자기콘덴서 | |
| JP2576973B2 (ja) | セラミツク形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサ− | |
| JPS6032344B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ材料 | |
| JPS5946085B2 (ja) | 半導体コンデンサ用磁器 | |
| JPS6057213B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 | |
| KR790001508B1 (ko) | 다결정성 자기반도체 입계(粒界) 절연형 조성물 | |
| JPS6126207B2 (ja) | ||
| JPS5826650B2 (ja) | 半導体コンデンサ用磁器 | |
| KR790001318B1 (ko) | 다결정성 자기반도체 입계(粒界)절연형 조성물 | |
| JP2679065B2 (ja) | 半導体磁器物質 | |
| KR810002052B1 (ko) | 다결정성 자기반도체 입계절연형 조성물 | |
| JPS6217368B2 (ja) | ||
| JP2605314B2 (ja) | 半導体磁器物質 | |
| KR830000439B1 (ko) | 반도체 세라믹 재료의 소결체 |