NL1010905C2

NL1010905C2 - Inductorinrichting op een siliciumsubstraat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Info

Publication number: NL1010905C2
Application number: NL1010905A
Authority: NL
Inventors: Jin Hyo Lee; Heung-Soo Rhee; Hyun Kyu Yu; Bo Woo Kim; Kee Soo Nam
Original assignee: Korea Electronics Telecomm
Priority date: 1997-12-27
Filing date: 1998-12-24
Publication date: 2004-05-03
Also published as: JPH11233727A; NL1010905A1; US6093599A; KR19990055422A

Description

Korte aanduiding: Inductorinrichting op een siliciumsub- straat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

ACHTERGROND VAN DE UITVINDING

1. Achtergrond van de uitvinding

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een inductor op een silicumsubstraat, in het bijzonder op een 5 inductorinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan voor het verbeteren van de kwaliteitsfactor van de inductor door het aanbrengen van sleuven op een siliciumsubstraat en door het vullen van de sleuven met polykristallijn polysili-cium dat niet met verontreinigingen is gedoteerd.

10 2. Beschrijving van de stand van de techniek

Bij het ontwerp van monolithische geïntegreerde schakelingen voor microgolven (MMIC = "monolithic microwave integrated circuits") zijn in het algemeen inductoren vereist 15 voor impedantie-aanpassing. De eigenschappen van een inductor worden niet alleen bepaald door diens inductantie maar ook diens kwaliteitsfactor. Recentelijk is het mogelijk geworden om een inductor op een substraat te integreren. De zogenaamde geïntegreerde inductor heeft het mogelijk gemaakt om een 20 silicium-MMIC te vervaardigen waarin zowel transistoren, die actieve inrichtingen zijn, als inductoren, die passieve inrichtingen zijn, op dezelfde chip zijn geïntegreerd. Eén van de moeilijkste problemen bij het implementeren van deze geïntegreerde inductoren is het feit dat de eigenschappen van 25 de inductor in hoge mate afhankelijk zijn van de soortelijke weerstand van het siliciumsubstraat waarop de inductor zich bevindt.

De inductorinrichtingen op een siliciumsubstraat volgens de stand van de techniek en een vervaardigingswerk-30 wijze daarvoor zullen onder verwijzing naar de Fig'n 1 en 3 worden beschreven.

De Fig'n IA en 1B zijn respectievelijk een bovenaanzicht en een aanzicht in doorsnede van de inductorinrichting volgens de stand van de techniek voor het vervaardigen van 35 een MMIC op een siliciumsubstraat.

1 m η η n c I Om de bovengenoemde inductorinrichting te vervaardi- I gen wordt een eerste isolatielaag 5 op een siliciumsubstraat 3 gevormd. Dan wordt een eerste metaallijn 2 van de inductor I op de eerste isolatielaag 5 gevormd. Een tweede isolatielaag I 56 wordt op de eerste metaallijn 2 gevormd en de eerste I metaallijn 2 wordt door middel van doorverbinding 4 in de tweede isolatielaag 6 met de tweede metaallijn 1 verbonden.

I De kwaliteitsfactor van de inductor wordt in hoge beïnvloed I door de capaciteit tussen de metaallijn van de inductor en 10 het siliciumsubstraat en door de weerstand van het silicium- I substraat.

Fig. 3 is een equivalente schakeling van de inductor H volgens de stand van de techniek waarin de capaciteit van de isolatielagen 6 en 5, die zich tussen de tweede metaallijn 1 15 van de inductor en het silicumsubstraat 3 bevindt, is aange- I duid met Cox, en de weerstand van het siliciumsubstraat 3 is aangeduid met Rsi. Om de kwaliteitsfactor van de inductor groot te maken moeten Cox klein zijn en moet Rsi zo groot mogelijk zijn. Isolatielagen zijn derhalve dik gemaakt of er I 20 zijn tot nog toe siliciumsubstraten met een hoge soortelijke I weerstand gebruikt. Indien de dikte van de isolatielaag verscheidene tot 10 μιη bedraagt is het moeilijk om actieve inrichtingen op dezelfde chip te integreren. Indien een siliciumsubstraat met een hoge soortelijke weerstand wordt 25 gebruikt is het ook moeilijk om actieve inrichtingen met de standaardwerkwijzen op dezelfde chip te integreren en zodoen- de zullen bewerkingskosten toenemen.

I SAMENVATTING VAN DE UITVINDING

30 Het is een oogmerk van de onderhavige uitvinding om een inductorinrichting en een vervaardigingswerkwijze te verschaffen die bestaat uit het vullen van een sleuf op het substraat onder de inductor met polykristallijn silicium en om actieve inrichtingen zoals bipolaire transistoren, MOS- 35 transistoren en passieve inrichtingen zoals een inductor tegelijkertijd te integreren om de eigenschappen van een silicium-MMIC te verbeteren en de vervaardigingskosten te H reduceren.

H Het is ook een oogmerk van de onderhavige uitvinding H 40 om een vervaardigingswerkwijze te verschaffen voor de verbin- 3 dingsvlakken en de hoog-frequente signaallijnen in de geïntegreerde schakelingen. De inductorinrichting die aan de bovengenoemde doeleinden beantwoordt omvat twee of meer sleuven welke op het siliciumsubstraat bij de onderste 5 gedeelten van inductor-metallijnen zijn aangebracht; een isolerende laag die de sleuven omgeeft; een polykristallijn siliciumgebied dat niet met verontreinigingen is gedoteerd en waarmee de sleuven zijn gevuld, omgeven door de isolerende laag; een isolerende laag die op het bovenste gedeelte van 10 het polykristallijne silicium en oppervlak van het substraat is aangebracht; een eerste metaallijn van de inductor die op geselecteerde gedeelten van het bovenste deel van de isolerende laag is gevormd; een isolerende laag die op de eerste metaallijn en het oppervlak van het substraat is aangebracht; 15 doorverbindingsgaten die door de geselecteerde gedeelten van de isolerende laag en op geselecteerde gedeelten van de eerste metaallijn zijn gevormd; en een tweede metaallijn die met de eerste metaallijn is verbonden door de doorverbindingsgaten met de tweede werkwijze te vullen.

20 De vervaardigingswerkwijze van de inductor overeen komstig de onderhavige uitvinding omvat de stappen van het vormen van een eerste isolerende laag op het siliciumsubstraat en het vervolgens vormen van een sleuvensubstraat met twee of meer sleuven, door middel van etsen van geselecteerde 25 gebieden in het siliciumsubstraat met gebruikmaking van een masker, en het vervolgens verwijderen van de eerste isolerende laag zodat het sleuvensubstraat wordt blootgelegd; het vormen van een tweede isolerende laag door het toepassen van een oxidatieproces op het sleuvensubstraat; het aanbrengen 30 van een niet-gedoteerd polykristallijn silicium op de totale structuur van het sleuvensubstraat, en het vervolgens polijsten van het polykristallijne silicium tot het oppervlak van de tweede isolerende laag door middel van een chemische en mechanische polijstwerkwijze; het achtereenvolgens aanbrengen 35 van een derde isolerende laag en een metaallaag op het sleuvensubstraat waar het polykristallijne silicium is opgevuld, en het vervolgens vormen van een eerste metaallijn door middel van een etsproces met gebruikmaking van een masker; en het aanbrengen van een vierde isolerende laag op 40 de eerste metaallijn, het vormen van doorverbindingsgaten : Π1 non r H door middel van een etsproces met gebruikmaking van een H masker op geselecteerde gebieden van de vierde isolerende I laag, het aanbrengen van een metaallaag, en het vervolgens vormen van een tweede metaallijn door middel van een etspro- I 5 ces met gebruikmaking van een masker.

I KORTE BESCHRIJVING VAN DE TEKENINGEN

De oogmerken, eigenschappen en voordelen van de onderhavige uitvinding zullen deskundigen duidelijk worden I 10 uit de volgende gedetailleerde beschrijving, samengenomen met de bijgevoegde tekeningen, waarin: I Fig. IA een bovenaanzicht is van de inductorinrich- I ting volgens de stand van de techniek die een siliciumsub- straat toepast; I 15 Fig. 1B een aanzicht in dwarsdoorsnede is van de H inductorinrichting volgens de stand van de techniek die een siliciumsubstraat toepast;

Fig. 2A een bovenaanzicht is van de inductor op een siliciumsubstraat overeenkomstig de onderhavige uitvinding; 20 Fig. 2B een aanzicht in doorsnede is van de inductor op een siliciumsubstraat overeenkomstig de onderhavige uitvinding;

Fig. 3 een equivalente schakeling is van de inductor H volgens de stand van de techniek die een siliciumsubstraat 25 toepast;

Fig. 4 een equivalente schakeling is van de inductor H volgens de onderhavige uitvinding die een silicumsubstraat H toepast;

Fig. 5A tot 5E aanzichten in doorsnede zijn die een H 30 eerste uitvoeringsvorm van de vervaardigingswerkwijze van de H inductor overeenkomstig de onderhavige uitvinding weergege- ven;

Fig. 6 een bovenaanzicht is dat de inductor van een tweede uitvoeringsvorm overeenkomstig de onderhavige uit- H 35 vinding weergeeft;

Fig. 7 een bovenaanzicht is dat de inductor van een H derde uitvoeringsvorm overeenkomstig de onderhavige uitvin- H ding weergeeft;

Fig. 8 een bovenaanzicht is dat een inductor van een 40 vierde uitvoeringsvorm overeenkomstig de onderhavige uitvin- 5 ding weergeeft; en

Fig. 9 een bovenaanzicht is dat vlakken en hoog-frequente signaallijnen weergeeft die de onderhavige uitvinding toepassen.

5 gedetailleerde beschrijving van de voorkeursuitvoeringsvorm

Nu volgt een gedetailleerde beschrijving van de onderhavige uitvinding, onder verwijzing naar de bijgevoegde tekeningen.

10 De Fig. 2A en 2B zijn respectievelijk een bovenaan zicht en een aanzicht in doorsnede van de inductor overeenkomstig de onderhavige uitvinding.

De inductor is opgebouwd uit een tweede isolerende laag 18, gevormd door geheel geoxideerde wanden tussen 15 sleuven 17 die in een siliciumsubstraat 13 zijn aangebracht, polykristallijn silicium 20 dat niet met verontreinigingen is gedoteerd en waarmee de sleuven 17 zijn gevuld, een derde isolerende laag 15 die op de totale structuur is gevormd, een eerste metaallijn 12 van de inductor die op een geselecteerd 20 gebied van de derde isolerende laag 15 is gevormd, een vierde isolerende laag 16 die op een geselecteerd gebied van de totale structuur is gevormd, doorverbindingsgaten 14 die op de eerste metaallijn 12 zijn gevormd, en een tweede metaallijn 11 die op een geselecteerd gebied van de doorverbin-25 dingsgaten 14 is gevormd, waarbij de tweede metaallijn 11 van de inductor door middel van de doorverbindingsgaten 14 is verbonden.

In het bijzonder wordt de afstand tussen de sleuven 17 in Fig. 2B klein gemaakt om het gemakkelijk te maken dat 30 het silicium daartussen geoxideerd wordt. De diepte van de sleuven wordt groot gemaakt, terwijl de breedte klein wordt gehouden, waardoor het mogelijk wordt alle sleuven over de diepte te vullen door slechts polykristallijn silicium aan te brengen dat ongeveer de halve breedte van de sleuf bezit. De 35 sleuven in Fig. 2A die zich onder de metaallijnen van de inductor bevinden hebben een grotere lengte dan breedte, en de lengte van de sleuven is groter dan de afmeting van de totale inductor.

Fig. 4 geeft de equivalente schakeling van de 40 inductorinrichting overeenkomstig de onderhavige uitvinding H weer.

Η De capaciteit van de isolerende lagen 16 en 15 H tussen de tweede metaallijn 11 van de inductor en het poly- H kristallijne silicium 20 wordt aangeduid door Coxl, en de H 5 capaciteit van de isolerende laag 18 tussen het polykristal- H lijne silicium 20 en het siliciumsubstraat 13 wordt aangeduid door Cox2. Cpoly geeft de capaciteit aan van de depletielaag H van electronen en gaten binnen het polykristallijne silicium, H Rpoly geeft de weerstand aan van het polykristallijne silici- 10 um, en Rsi geeft de weerstand van het siliciumsubstraat aan.

In het weergegeven geval van Fig. 4, is Cpoly klein terwijl H Rpoly groot is, aangezien polykristallijn silicium 20, dat niet met verontreinigingen is gedoteerd, de sleuven over enkele tot enkele tientallen micrometers opvult. Verder is 15 het silicium tussen de sleuven 17 volledig geoxideerd om de kwaliteitsfactor van de inductor te verbeteren.

Zoals getoond maakt de onderhavige uitvinding het mogelijk om een inductor met een hoge kwaliteitsfactor in I dezelfde chip te integreren terwijl substraten worden ge- I 20 bruikt met een lage weerstand, hetgeen de vervaardiging van standaard actieve inrichtingen, zoals bipolaire transistoren en MOS-transistoren, mogelijk maakt. De onderhavige uitvin- H ding is dus geschikt voor het implementeren van een rendabele silicium-MMIC met goede hoog-frequente eigenschappen.

I 25 De bovengenoemde inductor op het siliciumsubstraat I is samengesteld uit een substraat, waarbij sleuven in het siliciumsubstraat (hierna "sleuvensubstraat" genoemd) zijn I gevormd, een gebied dat binnen de sleuven van het sleuvensub- straat met polykristallijn silicium is gevuld, en een induc- I 30 tor-metaallijngebied, dat is samengesteld uit een isolerende I laag en een metaallijn over het polykristallijne silicium waarmee de sleuven van het sleuvensubstraat zijn gevuld.

I Fig. 5A tot 5E zijn aanzichten in doorsnede die een I eerste uitvoeringsvorm van de vervaardigingswijze van de I 35 inductor overeenkomstig de onderhavige uitvinding weergege- I ven.

Fig. 5A geeft de werkwijze voor het vervaardigen van I het sleuvensubstraat weer, waarbij Fig. 5A het aanzicht in I doorsnede toont van het sleuvensubstraat na de processen van I 40 het vormen van een eerste isolerende laag 19 op het silicium- 7 substraat 13, en het etsen van de eerste isolerende laag 19 en het siliciumsubstraat 13 over enkele tientallen micrometers om sleuven 17 te vormen, waardoor het sleuvensubstraat 13 wordt blootgelegd. Hier worden sleuven 17 in een zodanige 5 opstelling gevormd dat de afstand tussen de sleuven kleiner is dan de lengte van de sleuven, en dat de diepte van de sleuven groter is dan de breedte van de sleuven. Ook kan de lengte van de sleuven groter zijn dan de planaire lengte van de inductor die boven de sleuven is aangebracht en is samen-10 gesteld uit de eerste en tweede metaallijnen.

Fig. 5B toont het aanzicht in doorsnede van het sleuvensubstraat na het proces van het vormen van een tweede isolerende laag 18 die geoxideerd is tot een diepte d2 van ongeveer 0,5 tot 2 μπι door het oxideren van alle wanden 15 tussen de sleuven 17, zoals in Fig. 5A is getoond. Aangezien het silicium aan beide zijden van de sleufwand wordt geoxideerd, is het mogelijk om het oxidatieproces in een korte tijd tot stand te brengen.

Fig. 5C en 5D geven processen weer van het opvullen 20 van de sleuf met polykristallijn silicium, waarbij de aanzichten van het sleuvensubstraat in doorsnede worden getoond na het proces van het aanbrengen van polykristallijn silicium 20, dat niet met verontreinigingen is gedoteerd, teneinde de sleuven in het sleuvensubstraat geheel met polykristallijn 25 silicium op te vullen, en het vervolgens afsnijden van het polykristallijne silicium 20 tot het oppervlak van de tweede isolatielaag 18 door een chemisch en mechanisch polijsten.

Fig. 5e geeft het proces van het vervaardigen van de inductor-metaallijnen weer. Na het aanbrengen van een derde 30 isolerende laag 15 van 0,2 tot 1 μπι over het binnen het sleuvensubstraat met polykristallijn silicium 20 gevulde gebied, wordt metaal aangebracht met een dikte van 0,5 tot 1 μπι, waarop etsen wordt uitgevoerd om de eerste metaallijn 12 te vormen. Na het aanbrengen van een vierde isolatielaag 16 35 van 0,5 tot 2 μπι over de eerste metaallijn 12, worden door-verbindingsgaten gevormd door etsen met gebruikmaking van een masker. Vervolgens wordt metaal 11 met een dikte van 0,5 tot 5 μπι aangebracht, waarop etsen wordt uitgevoerd met gebruikmaking van een masker om de tweede metaallijn 11 te vormen. 4 0 Op dit moment wordt de tweede metaallijn in een spiraalvorm Η Η gevormd. De metaallijn kan in meer dan drie lagen worden gevormd.

Fig. 6 geeft de inductor weer van een tweede uitvoe- ringsvorm overeenkomstig de onderhavige uitvinding, waarin 5 onder de metaallijn aangebrachte sleuven een cirkelvorm H hebben of een vorm waarbij de lengte en de breedte van de sleuven overeenkomstig is. De vervaardigingswerkwijze van deze uitvoeringsvorm is dezelfde als welke onder verwijzing naar de eerste uitvoeringsvorm is beschreven.

10 Fig. 7 geeft de inductor weer van een derde uitvoe- ringsvorm overeenkomstig de onderhavige uitvinding, in bovenaanzicht, waarin onder de metaallijn aangebracht sleuven een zodanige structuur hebben dat de metaallijn van de inductor de sleuven kruist. De vervaardigingswerkwijze van 15 deze uitvoeringsvorm is dezelfde als welke met de betrekking tot de eerste uitvoeringsvorm is beschreven.

Fig. 8 geeft in bovenaanzicht de inductor van een vierde uitvoeringsvorm overeenkomstig de onderhavige uitvin- ding weer, waarin onder de metaallijn aangebrachte sleuven I 20 een rechthoekige vorm bezitten. De vervaardigingswerkwijze I van deze uitvoeringsvorm is dezelfde als welke met betrekking I tot de eerste uitvoeringsvorm is beschreven.

Fig. 9 geeft in bovenaanzicht het resultaat weer van het toepassen van het sleuvenproces overeenkomstig de onder- I 25 havige uitvinding op de vervaardiging van verbindingsvlakken van hoog-frequente geïntegreerde schakelingen en hoog-fre- quente signaallijnen van interne schakelingen. Het heeft de I eigenschap van het verbeteren van de eigenschappen van de H hoog-frequente werking en het reduceren van het energiever- I 30 bruik, aangezien het de parasitaire capaciteit tussen de verbindingsvlakken, hoog-frequente signaallijnen en het I siliciumsubstraat kan reduceren. De vervaardigingswerkwijze is dezelfde als welke met betrekking tot de eerste uitvoe- I ringsvorm is beschreven.

I 35 Zoals in het bovenstaande is beschreven, verandert I de onderhavige uitvinding fysiek de parasitaire capaciteit en I weerstand tussen het siliciumsubstraat en de metaallijn van de inductor, waardoor de kwaliteitsfactor van de inductor wordt verbeterd. Deze verschaft dus een inrichting en een I 40 werkwijze die het mogelijk maken om silicium-MMIC's te 9 ontwerpen en te vervaardigen welke met een hoge productiviteit gebruikt kunnen worden in het GHz-gebied en waarin inductor, en condensatoren en actieve inrichtingen in dezelfde chip zijn geïntegreerd.

5 De onderhavige uitvinding reduceert ook de parasi taire capaciteit tussen verbindingsvlakken, hoog-frequente signaallijnen en het siliciumsubstraat, waardoor de werkings-snelheid van hoog-frequente digitale en analoge geïntegreerde schakelingen wordt verbeterd en het energiegebruik wordt 10 verminderd.

Zoals in bovenstaande is beschreven is het, overeenkomstig de onderhavige uitvinding, mogelijk om de weerstand van het substraat op eenvoudige wijze slechts in de lokale gedeelten te verminderen waar de inductor wordt geïntegreerd, 15 waardoor het mogelijk wordt om een zogenaamde geïntegreerde inductor te implementeren. Het is ook mogelijk om een silici-um-MMIC te vervaardigen waarin transsistoren als actieve inrichtingen en een inductor als passieve inrichting in dezelfde chip kan worden geïntegreerd. Als gevolg kan een 20 aanzienlijke verbetering worden verkregen van de eigenschappen en kosten van de silicium-MMIC, aangezien het mogelijk is om geïntegreerde hoog-frequente schakelingen te vervaardigen met actieve inrichtingen, zoals bipolaire transistoren en MOS-transistoren, en passieve inrichtingen, zoals inductoren, 25 door de weerstand van het substraat te differentiëren.

1010905

Claims

2. Inductorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de sleuven in een zodanig structuur zijn aange- I bracht dat de afstand tussen de sleuven kleiner is dan de lengte van de sleuven. I 30 3. Inductorinrichting volgens conclusie 1, met het I kenmerk, dat de sleuven in een zodanige structuur zijn aange- bracht dat de dikte van de sleuven groter is dan de breedte I van de sleuven.
4. Inductorinrichting volgens conclusie 1, met het I 35 kenmerk, dat wanden tussen de sleuven de structuur van een I isolerende laag bezitten.
5. Inductorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de sleuven in een zodanige structuur zijn aangebracht dat de lengte van de sleuven groter is dan de breedte van de sleuven die zich onder de metaallijn van de inductor bevinden, en dat de lengte groter is dan de planaire 5 lengte van de inductor die samengesteld is uit de eerste en tweede metaallijnen op de sleuven.
6. Inductorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de sleuven onder de metaallijn van de inductor een cirkelvorm bezitten of een vorm waarbij de lengte en de 10 breedte van de sleuven overeenkomstig is.
7. Inductorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de sleuven een zodanige structuur bezitten dat de metaallijn van de inductor de sleuven die zich onder de metaallijn van de inductor bevinden kruist.
8. Inductorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de sleuven een zodanige structuur hebben dat de zich onder de metaallijn van de inductor bevindende sleuven een rechthoekige vorm bezitten.
9. Inductorinrichting volgens één van de conclusies 20 1 tot 8, met het kenmerk dat het sleuvensubstraat waarop de sleuven zijn gevormd wordt gebruikt voor verbindingsvlakken en hoog-frequente signaalverbindingslijnen in geïntegreerde schakelingen.
10. Inductorinrichting volgens conclusie 1, met het 25 kenmerk, dat de tweede metaallijn een spiraalstructuur bezit.
11. Inductorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de metaallijn uit meer dan drie lagen is samengesteld .
12. Vervaardigingswerkwij ze van een inductor op een 30 silicumsubstraat, gekenmerkt door: het vormen van een eerste isolatielaag op het siliciumsubstraat en het vervolgens vormen van een sleuvensubstraat met twee of meer sleuven door het etsen van geselecteerde gedeelten in het siliciumsubstraat met gebruikma-35 king van een masker, en het vervolgens verwijderen van de eerste isolerende laag zodat het sleuvensubstraat wordt blootgelegd; het vormen van een tweede isolerende laag door het toepassen van een oxidatieproces op het sleuvensubstraat; 40 het aanbrengen van niet-gedoteerd polykristallijn Η Η silicium op de gehele structuur van het sleuvensubstraat, en H het vervolgens polijsten van het polykristallijne silicium H tot het oppervlak van de tweede isolerende laag door de H chemische en mechanische polijstwerkwijze; H 5 het achtereenvolgens aanbrengen van een derde H isolerende laag en een metaallaag op het sleuvensubstraat H waar het polykristallijne silicium is opgevuld, en het H vervolgens vormen van een eerste metaallijn door middel van H een etswerkwijze met gebruikmaking van een masker; en 10 het aanbrengen van een vierde isolerende laag op de H eerste metaallijn, het vormen van doorverbindingsgaten door middel van een etsproces met gebruikmaking van een masker op H geselecteerde gebieden van de vierde isolatielaag, het H aanbrengen van een metaallaag, en het vervolgens vormen van 15 de tweede metaallijn door middel van een etsproces met gebruikmaking van een masker.
13. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de sleuven in een zodanige structuur worden aangebracht dat de afstand tussen de sleuven kleiner 20 is dan de lengte van de sleuven.
14. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de sleuven zodanig worden aangebracht dat de diepte van de sleuven groter is dan de breedte van de sleuven. I 25 15. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat alle siliciumwanden tussen de sleuven door middel van een oxidatieproces tot een isolerende laag I worden gevormd.
16. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, I 30 met het kenmerk, dat de sleuven in een zodanige structuur I worden aangebracht dat de lengte van de sleuven groter is dan I de breedte van de sleuven die zich onder de metaallijn van de H inductor bevinden, en dat die lengte groter is dan de planai- I re lengte van de inductor die samengesteld is uit de eerste H 35 en tweede metaallijnen op de sleuven.
17. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, I met het kenmerk, dat de sleuven die zich onder de metaallijn I van de inductor bevinden in cirkelvorm bezitten of een vorm I waarbij de lengte en de breedte van de sleuven overeenkomstig 40 is.
18. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de sleuven een zodanige structuur bezitten dat de metaallijn van de inductor de zich onder de metaallijn van de inductor bevindende sleuven kruist.
19. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de sleuven een zodanige structuur bezitten dat de zich onder de metaallijn van de inductor bevindende sleuven een rechthoekige vorm bezitten.
20. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusies 12 10 tot 19 met het kenmerk, dat het sleuvensubstraat waarop de sleuven zijn gevormd gebruikt wordt voor verbindingsvlakken en hoog-frequente signaalverbindingslijnen in geïntegreerde schakelingen.
21. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, 15 met het kenmerk, dat de tweede metaallijn een spiraal structuur bezit.
22. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk dat de metaallijn uit meer dan drie lagen is samengesteld.
23. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de tweede en vierde isolatielaag maximaal 0,5 tot 2 μπι worden geoxideerd.
24. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de derde isolatielaag maximaal 0,2 tot 1 25 μπι wordt geoxideerd.
25. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, met het kenmerk, dat de eerste metaallijn maximaal 0,5 tot 1 μπι wordt aangebracht.
26. Vervaardigingswerkwijze volgens conclusie 12, 30 met het kenmerk, dat de tweede metaallijn maximaal 0,5 tot 5 μπι wordt aangebracht.