JP3822092B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般に半導体装置に関するものであり、より特定的には、抵抗帯領域のCMP(機械的化学的研磨)の過研磨および後工程での加工プロセスのマージン劣化を防止することができるように改良された半導体装置の製造方法に関する。この発明はまた、そのような方法によって得られた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
抵抗帯は回路的に電位を変更したい場合に用いられる。微細化および高速化による各配線の低抵抗化に伴い、最近はソース・ドレイン(S/D)を抵抗帯に用いているデバイスは多い。
【0003】
図15〜図17は、従来技術により抵抗帯を形成する方法の工程を平面図で示したものである。図18〜図25は、従来技術により抵抗帯を形成する方法を、断面図で示したものである。図18〜図24は、図15におけるA−A線に沿う断面図である。
【0004】
図15は、従来技術により、活性領域2,3(抵抗帯になる)を形成したときの平面図である。図16は、従来技術によりトランスファゲート(TG)4を形成したときの平面図である。図3は、従来技術によりコンタクトホール(CH)5,6,9,10,12を形成したものである。これらの図において、参照番号1は、抵抗帯領域を表している。参照番号7は、密集パターン部の活性領域を表している。参照番号8は、密集パターン部のTGを表している。参照番号11は、密集パターン部を表している。参照番号31は、分離酸化膜領域を表している。
【0005】
より詳細に説明する。
図18を参照して、従来のSTI(Shadow Trench Isolation)技術により、シリコン基板13の表面に、酸化膜14および窒化膜15を成膜し、活性領域2,3のパターニングを行なう。
【0006】
図19を参照して、シリコン基板13に入ったエッチングダメージを取除くため、トレンチの表面を酸化し、酸化膜161を形成する。この酸化は、トレンチ上部コーナおよび下部コーナを丸める働きもある。しかし、この酸化により、トレンチ側壁が酸化されるため、活性領域2,3の幅もパターニング時より狭くなる。
【0007】
図20を参照して、トレンチ内部を、酸化膜16で埋める。埋込酸化膜16としては、HDP(高密度プラズマ)を用いて形成したSiO2膜が用いられる。
【0008】
その後、窒化膜15の上の酸化膜16を除去するため、機械的化学的研磨(CMP)を行なう。ここで、CMPは窒化膜15でストップされるように行なうが、図15に示すような抵抗帯のパターンでは、周囲が分離酸化膜31である領域が多いため、CMPが窒化膜15でストップしにくく、図21で示すように、抵抗帯領域1は大きく過研磨されてしまう。このような過研磨は、抵抗帯領域1に対して抵抗帯(活性領域)2の面積割合(占有率)が低いほど起りやすい。特に、10μm□当りの活性領域の占有率が20%以下では、過研磨は著しく起る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
過研磨が起ると、抵抗帯領域1の周囲のパターンも、図21のように、過研磨の被害を被る。その問題点を、以下説明する。
【0010】
図22は、CMP後、窒化膜15、酸化膜14を除去したものである。窒化膜15および酸化膜14の除去に伴い、埋込酸化膜16の表面の下方に落ち込み、抵抗帯近傍の活性領域3のトレンチの上部コーナ18も露出する。
【0011】
図23は、さらにゲート酸化膜(図示せず)、TG17を成膜し、これをパターニングしたものである。
【0012】
図24を参照して、ソース/ドレイン注入19を行ない、トランジスタのソース/ドレイン領域(図示せず)および抵抗帯2の導電部20を形成する。
【0013】
図23と図24を参照して、トレンチの上部コーナ18は、TG17によって、その上部・側壁部が覆われる構造となるため、この部分で電解集中しやすくなり、逆ナロウチャネル効果が起る。このために、トランジスタのしきい値電圧(Vth)は設計値より低下してしまうという問題が発生する。
【0014】
図17におけるB−B線に沿う断面図が、図25におけるB−B線に沿う断面図に対応している。
【0015】
図25は、ソース/ドレイン領域を形成後、層間酸化膜21を成膜し、コンタクトホール22、23を、従来技術により、開口したものである。ここで、抵抗帯領域1では、CMP過研磨により、CMP過研磨されていない密集パターン11よりは、埋め込み酸化膜16の高さが低くなってしまう。また、抵抗帯領域1では、TGの占有率が低いために、TGの占有率が高い密集パターン11との間で、段差24が発生する。段差24は、CMP過研磨とTGの占有率の差によって発生したものである。この段差24により、コンタクトホール22,23の写真製版は、デフォーカスしやすくなる。この写真製版マージンの劣化は、後工程の加工プロセスでも発生してしまう。また、後工程でのエッチング時のエッチング残も発生しやすくなる。
【0016】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、抵抗領域のCMP過研磨を防止しつつ、活性領域による抵抗帯を形成することができるように改良された半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0017】
この発明の他の目的は、加工プロセスのマージン劣化を防止しつつ、活性領域による抵抗帯を形成することができるように改良された半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0018】
この発明の他の目的は、そのような方法によって得られた半導体装置を提供することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の半導体装置は、不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置に係る。当該装置は、半導体基板を備える。上記半導体基板に、少なくともその表面の一部が活性領域とされた、上記抵抗帯を形成すべき抵抗帯領域を形成する。上記抵抗帯領域内の活性領域上に抵抗帯が設けられている。上記抵抗帯領域を囲むように分離領域が設けられている。上記半導体基板の上に、上記抵抗帯の周囲を取囲むように、トランスファーゲート層が配置されている。上記抵抗帯領域において、10μm□当りの上記活性領域の占有率は40%以上にされている。
【0020】
請求項2に記載の半導体装置は、請求項1に記載の半導体装置において、上記抵抗帯は、トランスファーゲート層に取囲まれたソースドレイン不純物拡散層であることを特徴とする。
【0021】
請求項3に記載の半導体装置は、請求項1に記載の半導体装置において、上記活性領域の占有率は100%であることを特徴とする。
【0022】
請求項4に記載の半導体装置は、請求項3に記載の半導体装置において、上記トランスファーゲート層は、上記抵抗帯の周囲のみでなく、上記抵抗帯領域全面に広がって配置されている。
【0023】
請求項5に記載の半導体装置は、不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置に係る。当該装置は、半導体基板を備える。上記半導体基板に、少なくともその表面の一部が活性領域とされた、上記抵抗帯を形成すべき抵抗帯領域が形成されている。上記抵抗帯領域内に、その周囲が分離領域で囲まれた抵抗帯が設けられている。上記分離領域内に、活性領域ダミーが配置されている。
【0024】
請求項6に記載の半導体装置は、請求項5に記載の半導体装置において、上記分離領域内に配置されたトランスファーゲートダミーをさらに備えることを特徴とする。
【0025】
請求項7に記載の半導体装置は、不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置に係る。当該装置は、半導体基板を備える。上記半導体基板に、少なくともその表面の一部が活性領域とされた、上記抵抗帯を形成すべき抵抗帯領域が形成されている。上記抵抗帯領域内に、その周囲が分離領域で囲まれた抵抗帯が設けられる。上記分離領域内にトランスファーゲートダミーが配置されている。
【0026】
請求項8に係る発明は、抵抗帯領域内に形成した不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置の製造方法に係る。まず、半導体基板の上に、第1の酸化膜と窒化膜を順次形成する。上記抵抗帯領域内に形成されるべき活性領域上に上記酸化膜および上記窒化膜のパターンが残り、分離酸化膜領域において、上記半導体基板の表面が露出するように、上記酸化膜および上記窒化膜をパターニングする。露出した上記分離酸化膜領域における上記半導体基板の表面をエッチングし、トレンチを形成する。上記トレンチの側壁を酸化する。上記トレンチを埋めるように上記半導体基板の上に上記第2の酸化膜を形成する。上記第2の酸化膜を、上記窒化膜の表面が露出するまで機械的化学的研磨し、上記トレンチ内に分離酸化膜を形成する。上記第1の第1の酸化膜と窒化膜を除去するのに伴い、第2の酸化膜の上部を除去する。上記抵抗帯を形成すべき部分を取囲むように、上記抵抗帯領域内にトランスファーゲート層を形成する。上記抵抗帯領域内に形成された活性領域上であって、上記抵抗帯を形成すべき部分に不純物を注入し、それによって、上記不純物拡散層からなる上記抵抗帯を形成する。上記抵抗帯領域において、10μm□当りの活性領域の占有率が40%以上になるように、上記第1の酸化膜と上記窒化膜をパターニングする。
【0027】
請求項9に記載の半導体装置の製造方法は、請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、上記トランスファーゲート層を、上記抵抗帯の周囲のみでなく、上記抵抗帯領域全面に広がって形成することを特徴とする。
【0028】
請求項10に係る発明は、抵抗帯領域内に形成した不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置の製造方法に係る。まず、半導体基板の上に、第1の酸化膜と窒化膜を順次形成する。上記抵抗帯領域内に形成されるべき活性領域の上に、上記酸化膜および上記窒化膜のパターンが残り、分離酸化膜領域において、上記半導体基板の表面が露出するように、上記酸化膜および上記窒化膜をパターニングする。露出した上記分離酸化膜領域における上記半導体基板の表面をエッチングし、トレンチを形成する。上記トレンチの側壁を酸化する。上記トレンチを埋めるように上記半導体基板の上に、第2の酸化膜を形成する。上記第2の酸化膜を、上記窒化膜の表面が露出するまで機械的化学的研磨し、上記トレンチ内に分離酸化膜を形成する。上記第1の酸化膜と窒化膜を除去するのに伴い、第2の酸化膜の上部を除去する。上記抵抗帯領域内の分離領域上にトランスファーゲートダミーを形成する。上記抵抗帯領域内に形成された活性領域上であって、上記抵抗帯を形成すべき部分に不純物を注入し、それによって、上記不純物拡散層からなる上記抵抗帯を形成する。上記抵抗帯領域において、10μm□当りの活性領域の占有率が40%以上になるように、上記第1の酸化膜と上記窒化膜をパターニングする。
また、上述の請求項1〜4に係る発明のトランスファーゲート層は、接地電位またはしきい値電圧より低い電位に固定されていることが望ましい。
【0029】
【実施例】
以下、この発明の実施例を、図を用いて説明する。
【0030】
実施例1
図1〜図3は、実施例1に係る方法の工程を平面図で示したものである。図4〜図11は、実施例1に係る方法を断面図で示したものである。
【0031】
図1および図2におけるC−C線に沿う断面図は、図4〜図10のC−Cに対応している。
【0032】
図1を参照して、抵抗帯領域1の全面が、活性領域25とされている。図2を参照して、抵抗帯27の周囲をTG26が取囲むように、TG26をパターニングする。図中、参照番号31で示す領域は、分離酸化膜領域を表している。
【0033】
以上の工程を、断面図を用いて説明する。
図4および図5を参照して、従来例と同様に、活性領域25,3をパターニングにより形成する。
【0034】
図5を参照して、エッチングダメージを取除くため、トレンチの側壁に酸化膜16を形成する。
【0035】
図6を参照して、従来例と同様に、トレンチ内を埋込むように、埋込酸化膜16を成膜する。
【0036】
図7を参照して、窒化膜15上の酸化膜16を除去するために、CMPを行なう。このとき、分離酸化膜領域31の面積が、従来例より、小さくなるため、CMP過研磨は起りにくくなり、窒化膜15上で研磨をストップさせることができる。このときの10μm□当りの活性領域25の占有率は、全面が活性領域のため、100%になる。なお、抵抗帯領域において、10μm□当りの活性領域の占有率が40%以上にされていると、CMP過研磨は充分に起りにくくなる。
【0037】
図7と図8を参照して、CMP後、窒化膜15および酸化膜14を除去する。本実施例によれば、従来例では起っていた、トレンチ上部コーナ18の落ち込みも発生しない。
【0038】
図9を参照して、基板13の上に、ゲート酸化膜(図示せず)およびTG26(抵抗帯を形成するためのワード線)とTG17をパターニングにより形成する。
【0039】
図10を参照して、基板13の表面に、ソース/ドレイン領域を形成するためのイオン注入19を行ない、トランジスタのソース/ドレイン領域(図示せず)および抵抗帯27の導電部20とソース/ドレイン注入部32を形成する。導電部20は、TG26で囲まれた領域に形成されたことになる。
【0040】
従来例では、抵抗帯はトレンチエッチングのダメージ改善のために酸化を行なっていたので、抵抗帯の幅は狭くなっていた。しかし、本実施例においては、抵抗帯27として、TG26をパターニングして形成するのみであるので、抵抗帯27を設計値通りに形成することが可能である。
【0041】
また、トレンチの上部コーナ18は落ち込みがないため、TG17によって側壁部が覆われることはなく、逆ナロウチャネル効果も抑制できる。これにより、トランジスタのしきい値電圧も設計値通りに作製することが可能となる。また、抵抗帯導電部20とソース/ドレイン注入部32およびTG26で、構造的にトランジスタが形成されることになるので、TG26の電位がフローティングだと、抵抗帯導電部20とソース/ドレイン注入部32が繋がる危険性がある。それを防ぐためには、TG26の電位を固定する必要がある。固定電位は、GND(0V)またはしきい値電圧より十分低い電圧とするのが望ましい。
【0042】
その後、図3を参照して、コンタクトホール5,6,9,10を形成して、抵抗帯27が完成する。このときのD−D線に沿う断面図が、図11のD−D断面図に対応している。
【0043】
従来例では、抵抗帯領域と密集パターン部11との間で段差が発生していたが、本実施例によれば、抵抗帯1にTG26が存在するため、この段差を低減することができる。これにより、従来例で見られるような加工プロセスの劣化を改善させることができる。このときの抵抗帯領域での、TG占有率は30〜40%程度である。
【0044】
本実施例により、抵抗帯領域のCMPの過研磨および後工程での加工プロセスのマージン劣化を防止しつつ、活性領域により抵抗帯を形成することが可能となる。
【0045】
実施例2
実施例2は、実施例1の1変形例である。
【0046】
図12は、実施例2に係る半導体装置の平面図である。
本実施例によれば、抵抗帯27を囲むTG26のパターンを、抵抗帯21の周囲のみでなく、抵抗帯領域全面に拡大している。これにより、実施例1と同等の効果が得られるだけでなく、抵抗帯領域でTGの占有率が、実施例1よりも向上するため、後工程での段差低減効果は、実施例1よりも大きくなる。このときの抵抗帯領域での、TG占有率は、80%程度まで改善することが可能である。
【0047】
実施例3
図13は、実施例3に係る半導体装置の平面図である。図13の中に示された抵抗帯2は、従来例と同様なレイアウトであるが、抵抗帯領域1の分離領域31に活性領域ダミー28が配置されている。本実施例により、抵抗帯領域の活性領域占有率は従来例より改善されるので、CMP過研磨や逆ナロウチャネル効果を抑制することができる。このときの活性領域ダミー−抵抗帯マージン33は、抵抗帯間の分離幅34と同等の寸法が必要となり、活性領域占有率は40%程度である。また、後工程での段差も、CMPによる過研磨が抑制される分だけは、段差低減が可能である。
【0048】
実施例4
実施例3の変形例である。図14を参照して、抵抗帯2は従来例と同様なレイアウトであるが、抵抗帯領域1の分離領域31上にTGダミー29が配置されている。本実施例により、抵抗帯領域1のTG占有率は、従来例より改善されるので、後工程での段差を低減することができる。このときのTGダミー29−抵抗帯のマージン30は、写真製版の重ね合わせ精度レベルにもよるが、0.1μm程度まで詰めることが可能であり、そして抵抗帯間の分離幅34にもTGダミー29を配置できる。これにより、抵抗帯領域のTG占有率は70%程度まで改善できる。
【0049】
実施例5
本実施例は、実施例3のさらなる変形例である。本実施例は、実施例3と実施例4を組合せたものである。図示しないが、抵抗帯は従来例と同様なレイアウトをしているが、抵抗帯領域の分離領域に活性領域ダミーとTGダミーの双方を配置したものである。これにより、実施例3と実施例4の双方の効果が得られる。
【0050】
なお、上記実施例において、抵抗帯はN型、P型を問わない。
また、上記実施例において、同一または相当する部分には同一の参照番号が付けられている。
【0051】
今回開示された実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0052】
【発明の効果】
以上説明したとおり、この発明によれば、CMPによる過研磨を防止することができ、後工程での段差低減の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第1の工程における半導体装置の平面図である。
【図2】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第2の工程における半導体装置の平面図である。
【図3】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第3の工程における半導体装置の平面図である。
【図4】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第1の工程における半導体装置の断面図である。
【図5】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第2の工程における半導体装置の断面図である。
【図6】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第3の工程における半導体装置の断面図である。
【図7】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第4の工程における半導体装置の断面図である。
【図8】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第5の工程における半導体装置の断面図である。
【図9】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第6の工程における半導体装置の断面図である。
【図10】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第7の工程における半導体装置の断面図である。
【図11】 実施例1に係る半導体装置の製造方法の順序の第8の工程における半導体装置の断面図である。
【図12】 実施例2に係る半導体装置の平面図である。
【図13】 実施例3に係る半導体装置の平面図である。
【図14】 実施例4に係る半導体装置の平面図である。
【図15】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第1の工程における半導体装置の平面図である。
【図16】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第2の工程における半導体装置の平面図である。
【図17】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第3の工程における半導体装置の平面図である。
【図18】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第1の工程における半導体装置の断面図である。
【図19】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第2の工程における半導体装置の断面図である。
【図20】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第3の工程における半導体装置の断面図である。
【図21】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第4の工程における半導体装置の断面図である。
【図22】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第5の工程における半導体装置の断面図である。
【図23】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第6の工程における半導体装置の断面図である。
【図24】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第7の工程における半導体装置の断面図である。
【図25】 従来の半導体装置の製造方法の順序の第8の工程における半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
1 抵抗帯領域、2 抵抗帯(活性領域)、3 活性領域(抵抗帯近傍)、4TG(抵抗帯近傍)、5 コンタクトホール(抵抗帯上)、6 コンタクトホール(抵抗帯近傍TG上)、7 活性領域(密集パターン部)、8 TG(密集パターン部)、9 CH(密集パターン部活性領域上)、10 CH(密集パターン部TG上)、11 密集パターン部、12 CH(抵抗帯近傍活性領域上)、13 シリコン基板、14 酸化膜、15 窒化膜、16 酸化膜、17 TG、18 電解集中部、19 ソース/ドレイン注入、20 抵抗帯導電部、21 層間酸化膜、22 CH(抵抗帯上)、23 CH(密集パターン部活性領域上)、25 活性領域(抵抗帯領域全面)、26 抵抗帯を形成するためのTG(ワード線)、27 抵抗帯(TGで囲まれた領域)、28 活性領域ダミー、29 TGダミー、30 活性領域−TGマージン、31 分離酸化膜領域、32 ソース/ドレイン注入部、33 活性領域ダミー−抵抗帯マージン、34抵抗帯間分離幅。
Claims (11)
- 不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、かつ少なくともその表面の一部が活性領域とされた、前記抵抗帯を形成すべき抵抗帯領域と、
前記抵抗帯領域内の活性領域上に設けられた抵抗帯と、
前記抵抗帯領域を囲むように設けられた分離領域と、
前記半導体基板の上であって、かつ前記抵抗帯の周囲を取囲むように配置されたトランスファーゲート層と、を備え、
前記抵抗帯領域において、10μm□当りの前記活性領域の占有率は40%以上にされている半導体装置。 - 前記抵抗帯は、前記トランスファーゲート層に取囲まれたソースドレイン不純物拡散層である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記活性領域の占有率は100%である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記トランスファーゲート層は、前記抵抗帯の周囲のみでなく、前記抵抗帯領域全面に広がって配置されている、請求項3に記載の半導体装置。
- 不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、かつ少なくともその表面の一部が活性領域とされた、前記抵抗帯を形成すべき抵抗帯領域と、
前記抵抗帯領域内に設けられ、かつ、その周囲が分離領域で囲まれた抵抗帯と、
前記分離領域内に配置された活性領域ダミーと、を備えた半導体装置。 - 前記分離領域内に配置されたトランスファーゲートダミーをさらに備える、請求項5に記載の半導体装置。
- 不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、かつ少なくともその表面の一部が活性領域とされた、前記抵抗帯を形成すべき抵抗帯領域と、
前記抵抗帯領域内に設けられ、かつ、その周囲が分離領域で囲まれた抵抗帯と、
前記分離領域内に配置されたトランスファーゲートダミーと、を備えた半導体装置。 - 抵抗帯領域内に形成した不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の上に、第1の酸化膜と窒化膜を順次形成する工程と、
前記抵抗帯領域内に形成されるべき活性領域上に前記酸化膜および前記窒化膜のパターンが残り、分離酸化膜領域において、前記半導体基板の表面が露出するように、前記酸化膜および前記窒化膜をパターニングする工程と、
露出した前記分離酸化膜領域における前記半導体基板の表面をエッチングし、トレンチを形成する工程と、
前記トレンチの側壁を酸化する工程と、
前記トレンチを埋めるように前記半導体基板の上に、第2の酸化膜を形成する工程と、
前記第2の酸化膜を、前記窒化膜の表面が露出するまで機械化学的研磨し、前記トレンチ内に分離酸化膜を形成する工程と、
前記第1の酸化膜と窒化膜を除去するのに伴い、前記第2の酸化膜の上部を除去する工程と、
前記抵抗帯を形成すべき部分を取囲むように、前記抵抗帯領域内にトランスファーゲート層を形成する工程と、
前記抵抗帯領域内に形成された活性領域上であって、前記抵抗帯を形成すべき部分に不純物を注入し、それによって、前記不純物拡散層からなる前記抵抗帯を形成する工程と、を備え、
前記抵抗帯領域において、10μm□当りの活性領域の占有率が40%以上になるように前記第1の酸化膜と前記窒化膜をパターニングする、半導体装置の製造方法。 - 前記トランスファーゲート層を、前記抵抗帯の周囲のみでなく、前記抵抗帯領域全面に広がって形成する、請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 抵抗帯領域内に形成した不純物拡散層を抵抗帯として用いた半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の上に、第1の酸化膜と窒化膜を順次形成する工程と、
前記抵抗帯領域内に形成されるべき活性領域の上に、前記酸化膜および前記窒化膜のパターンが残り、分離酸化膜領域において、前記半導体基板の表面が露出するように、前記酸化膜および前記窒化膜をパターニングする工程と、
露出した前記分離酸化膜領域における前記半導体基板の表面をエッチングし、トレンチを形成する工程と、
前記トレンチの側壁を酸化する工程と、
前記トレンチを埋めるように前記半導体基板の上に、第2の酸化膜を形成する工程と、
前記第2の酸化膜を、前記窒化膜の表面が露出するまで機械化学的研磨し、前記トレンチ内に分離酸化膜を形成する工程と、
前記第1の酸化膜と窒化膜を除去するのに伴い、前記第2の酸化膜の上部を除去する工程と、
前記抵抗帯領域内の分離領域上にトランスファーゲートダミーを形成する工程と、
前記抵抗帯領域内に形成された活性領域上であって、前記抵抗帯を形成すべき部分に不純物を注入し、それによって、前記不純物拡散層からなる前記抵抗帯を形成する工程と、を備え、
前記抵抗帯領域において、10μm□当りの活性領域の占有率が40%以上になるように前記第1の酸化膜と前記窒化膜をパターニングする、半導体装置の製造方法。 - 前記トランスファーゲート層は、接地電位またはしきい値電圧より低い電位に固定されている、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
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