KR980010531A - 액정 표시 장치의 쇼팅바 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치(TFT-LCD;Thin Film Transistor-Liquid Crystal Device)에 대한 것으로, 특히 ven, odd 라인의 쇼팅바의 저항을 균일하게 하여 불량 패널 검사의 정확도를 높일 수 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 액정 표시 장치의 쇼팅바는 소정 부분에 패드 영역을 갖춘 복수개의 오드 라인과 연결된 제1쇼팅바와, 상기 복수개의 오드 라인과 교차되어 있는 복수개의 이븐 라인과 연결된 제2쇼팅바와, 상기 제2쇼팅바와, 소정 부분에서 연결되어 제2쇼팅바의 저항을 낮게해주는 제3쇼팅바를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바의 제조 방법은 투명 절연 기판 상의 소정 영역에 게이트 라인 형성하는 단계; 상기 게이트 라인 상의 소정 영역에 커트 영역과 패드 영역을 제외한 부분에 양극 절연막과 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막의 소정 영역에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상의 소정 영역에 제2쇼팅바를 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 제2쇼팅바와 일측이 연결되는 제3쇼팅바를 형성하는 단계; 상기 패드 영역을 제외한 부분에 패시베이션층을 형성하는 단계; 상기 패드 영역 상에 콘택되도록 전도층을 형성하는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시 장치의 쇼팅바
본 발명은 액정표시장치(TFT-LCD;Thin Film Transistor-Liquid Crystal Device)에 대한 것으로, 특히 even, odd 라인의 쇼팅바의 저항을 균일하게하여 불량 패널 검사의 정확도를 높일 수 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치(TFT-LCD)는 복수개의 픽셀 영역이 매트릭스 형태로 배열되고 각 픽셀 마다 하나의 TFT와 하나의 화소 전극이 배열되어 있는 하판(Bottom plate)과, 색상을 나타내기위한 칼라 필터 및 공통 전극으로 구성된 상판(Top plate)과, 그리고 이 상판과 하판 사이에 채워져 있는 액정으로구성되어 있으며, 상판과 하판의 양쪽면에는 가시광선(자연광)을 선편광시켜주는 편광판이 각각 부착되어 있다.
액정 표시 장치의 쇼팅바는 소자를 제조하는동안 불량 패널 검사를 위해 쓰이며 소자의 제조가 끝나면 패드부만 남기고 제거해주게 된다.
종래는 액정 표시 장치의 제조시 쇼팅바는 차지하는 면적의 차이에 따라 저항의 차이가 심하여 화면의 전기적 특성 검사가 불균일해지므로 불량 패널을 장확하게 검출하기가 어려웠다. 이에 따라 개량된 액정 표시 장치의 쇼팅바가 요구되고 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바에 대한 평면도 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
도1은 종래의 액정 표시 장치의 쇼팅바에 대한 평면도이다.
도2는 도1의 A-A'를 자른 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 오드 라인의 공정 단면도이다.
도3은 도1의 B-B'를 자른 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 이븐 라인의 공정 단면도이다.
먼저 종래의 액정 표시 장치의 쇼팅바는 제1쇼팅바(1)에 오드(odd) 라인(4)과 이븐(even) 라인(5)이 각각 연결되었고 이븐 라인(5)은 커트 영역(6)으르 경계로 제1쇼팅바(1)와 분리된다. 제1쇼팅바(1)와 각 패드의 중간 영역에 반도체 라인(3)이 있고 제2쇼팅바(2)와 이븐 라인(5)의 소오스/드레인 영역이 크롬층으로 연결되어 있다. 종래의 액정 표시 장치의 쇼팅바 제조 방법을 나타낸 도2를 설명하면 도2a에서와 같이 투명 절연 기판(10)에 알루미늄 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트 라인(11)을 형성한다.
그리고 도2b에서와 같이 상기 게이트 라인(11)상에 감광막을 도포한 후 노광 및 현상 공정으로 패드 형성 부분만 감광막이 남도록 선택적으로 패터닝하고 상기의 패터닝된 감광막을 마스크로 이용하여 드러난 게이트 라인(11)에 양극 산화막(12)을 형성한 후 감광막을 제거한다.
다음으로 도2c에서와 같이 전면에 실리콘 질화막(SiNx)(13)을 증착하고 차례로 감광막을 도포한 후 양극 산화막(12) 상에만 실리콘 질화막(SiNx)(13)이 형성되도록 감광막을 선택적으로 제거하여 남은 감광막을 마스크로 이용하여 실리콘 질화막(13)을 식각한다. 그리고 전면에 비정질 실리콘층(a-Si：H(14)을 증착한 후에 차례로 감광막을 도포한다. 그리고 감광막을 제1쇼팅바와 오드 라인(4)이 연결되는 중간 영역만 남도록 노광 및 현상 공정으로 제거한 후 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 비정질 실리콘층(14)을 식각한다.
그리고 도2d에서와 같이 전면에 크롬층을 증착한 후 차례로 감광막을 도포하고 노광 및 현상 공정으로 도포된 감광막을 비정질 실리콘층(14)의 소정 영역(15a)과 패드 영역(15b)상만 남기고 선택적으로 제거한 뒤 남은 감광막을 마스크로 크롬층을 식각한다. 패드 영역(15b)상의 크롬층은 소오스/드레인 영역과 같은 크롬층이다.
다음으로 도2C에서와 같이 전면에 패시베이션층(16)(Passivation)을 증착한 후 패드 영역(15b)상의 크롬층만 제외하고 선택적으로 패시베이션층(16)을 제거한다. 이어서 전면에 도전층으로 ITO막을 증착한 후 패드 영역만 ITO막(17)이 남도록 패터닝한다.
다음으로 종래의 이븐 라인(5)과 제2쇼팅바와의 공정 단면도를 나타낸 도3에 도시된 바와 같이 도3a에서와 같이 투명 절연 기판(10)에 알루미늄 금속을 증착하고 패터닝하여 게이트 라인(11)을 형성한다.
그리고 도3b에서와 같이 전면에 감광막을 도포하고 노광 및 현상 공정으로 제1쇼팅바(1)와 이븐 라인(5)의 연결 부분에 커트 영역(Cut)과 패드 형성 부분만 감광막이 남도록 선택적으로 감광막을 제거한다. 그리고 패턴 되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 드러나 게이트 라인(11)에 양극 산화막(12)을 형성한다.
다음으로 도3c에서와 같이 전면에 실리콘 질화막(13)을 증착하고 그 위에 차례로 감광막을 증착한 후 노광 및 현상 공정으로 양극 산화막(12) 상에만 감광막이 남도록 선택적으로 감광막을 제거한다. 그리고 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 실리콘 질화막(13)을 제거한다. 이후에 전면에 비정질 실리콘층(14)을 증착하고 제1쇼팅바와 패드 영역 사이의 질화막 상의 소정 영역에만 남도록 선택적으로 제거한다.
이어서 도3d에서와 같이 전면에 크롬(Cr)층을 증착하고 패드 형성 부분 양측의 비정질 실리콘층(14)과 실리콘 질화막(13)에 걸치도록 크롬층을 패턴하여 제2쇼팅바(15a)와 패드 영역(15b)상에 크롬층을 형성한다.
그리고 도3e에서와 같이 전면에 감광막을 도포하여 제1쇼팅바(1) 형성 부분과 비정질 실리콘층(14) 사이에 커트 영역(6)을 형성하기 위하여 제1쇼팅바(1) 형성 영역과 비정질 실리콘층(14) 형성 영역 사이의 게이트 라인(11) 부분상의 감광막만 선택적으로 제거하여 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 드러난 게이트 라인(11)을 식각한다. 그리고 감광막을 제거한후 전면에 패시베이션층(16)을 증착하고 패드 영역 상에 형성된 패시베이션층(16)만 제거하고 전면에 도전층으로 ITO막을 증착한 후 패드 영역(15b)상의 크롬층만 남기고 선택적으로 제거하여 ITO층(17)을 형성한다.
종래의 액정 표시 장치의 쇼팅바는 다음과 같은 문제점이 있다.
이븐 라인의 쇼팅바가 오드 라인의 쇼팅바에 비해서 훨씬 얇아짐에 따라 이븐 라인의 저항이 오드 라인의 저항을 무시할 정도로 커져서 화면의 전기적 특성을 검사하기 위한 IPT검사가 매우 불균일하다. 이에 따라 이븐 라인의 정확한 불량 검출이 매우 어렵다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로써 불량 패널 검사를 원활히 할 수 있는 액정 표시 장치의 쇼팅바를 제공하는데 그 목적이 있다.
도1은 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바에 대한 평면도.
도2는 도1의 A-A'를 자른 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 오드라인의 공정 단면도.
도3은 도1의 B-B'를 자른 종래 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 이븐라인의 공정 단면도.
도4는 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바에 대한 평면도.
도5는 도4의 C-C'를 자른 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 오드 라인의 공정 단면도.
도6은 도4의 D-D'를 자른 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 이븐 라인의 공정 단면도.
도7은 도4의 E-E'를 자른 본 발명 액정 표시 장치의 제2쇼팅바와 제3쇼팅바와의 연결 부분을 나타낸 공정 단면도.
＊ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : 제1쇼팅바 21a, 35a : 제2쇼팅바
21a, 35c : 제3쇼팅바 22 : 반도체 라인
23 : 오드 라인 24 : 이븐 라인
25 : 커트 영역 30 : 투명 절연 기판
31 : 게이트 라인 32 : 양극 산화막
33 : 실리콘 질화막 34 : 수소화 비정질 실리콘
35b : 패드 영역 35d : 쇼팅바 연결층
36 : 패시베이션층 37 : ITO막
본 발명의 액정 표시 장치의 쇼팅바는 소정 부분에 패드 영역을 갖춘 복수개의 오드 라인과 연결된 제1쇼팅바와, 상기 복수개의 오드 라인과 교차되어 있는 복수개의 이븐 라인과 연결된 제2쇼팅바와, 상기 제2쇼팅바와 소정 부분에서 연결되어 제2쇼팅바의 저항을 낮게해주는 제3쇼팅바를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바의 제조 방법은 투명 절연 기판 상의 소정 영역에 게이트 라인 형성하는 단계; 상기 게이트 라인 상의 소정 영역에 커트 영역과 패드 영역을 제외한 부분에 양극 절연막과 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막의 소정 영역에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상의 소정 영역에 제2쇼팅바를 형성하는 단계; 상기 절연막 상에 제2쇼팅바와 일측이 연결되는 제3쇼팅바 형성하는 단계; 상기 패드 영역을 제외한 부분에 패시베이션층을 형성하는 단계; 상기 패드 영역 상에 콘택되도록 전도층을 형성하는 단게를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도4는 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바에 대한 평면도이다.
도5는 도4의 C-C'를 자른 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 오드 라인의 공정 단면도이다.
도6은 도4의 D-D'를 자른 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 이븐 라인의 공정 단면도이다.
도7은 도4의 E-E'를 자른 본 발명 액정 표시 장치의 제2쇼팅바와 제3쇼팅바와의 연결부분을 나타낸 공정 단면도이다.
본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바에 대한 평면도를 나타낸 도4를 설명하면 제1쇼팅바(20)와 교차 연겨로디 오드 라인(23)과 이븐 라인(24)이 있고 이븐 라인(24)은 커트 영역(25)에 의해서 제1쇼팅바(20)와 단절된다. 그리고 이븐 라인(24)은 제2쇼팅바(21a)와 연결되고 제2쇼팅바(21a)는 제3쇼팅바(21b)와 소정 부분에서 연결된다. 여기서 제2쇼팅바(21a)의 형성을 패드 영역과 같은 금속층으로 형성한다.
도4의 C-C'를 자른 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 오드 라인(23)의 공정 단면도를 나타낸 도5를 설명하면 도5a에서와 같이 투명 절연 기판(30)에 알루미늄 금속을 증착하여 게이트 라인(31)을 형성한다.
그리고 도5b에서와 같이 전면에 감광막을 증착하여 노광 및 현상 공정으로 오드라인의 패드 형성 부분의 감광막만 남도록 선택적으로 제거한다.
이후에 도5c에서와 같이 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 드러난 게이트 라인(31)상에 양극 산화막(32)을 형성한다. 그리고 감광막을 제거한다. 다음으로 전면에 실리콘 질화막(33)을 증착한 뒤 감광막을 도포하고 노광 및 현상 공정으로 양극 산화막(32)상에만 감광막이 남도로 패턴한 후 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 패드를 형성할 영역 상의 실리콘 질화막(33)을 제거한다. 그리고 전면에 비정질 실리콘(34)을 증착한 뒤 감광막을 도포한다. 이어서 제1쇼팅바와 패드 영역 사이의 실리콘 질화막(33)의 소정 영역에만 감광막이 남도록 하여 남은 감광막을 이용하여 비정질 실리콘 (34)을 형성한 후 감광막을 제거한다.
이어서 도5d에서와 같이 전면에 크롬층(Cr)을 증착한 뒤 감광막을 차례로 도포한다. 그리고 노광 및 현상 공정으로 제1쇼팅바(20)상의 (도4 참고)실리콘 질화막(33) 위와 비정질 실리콘(34)상의 소정 영역과 패들 형성시킬 영역의 감광막만 남도록 선택적으로 제거한다. 그리고 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 크롬층(Cr)을 함으로써 제3쇼팅바(35c)와 제2쇼팅바(35a)와 패드 영역(35b)을 형성하고 감광막을 제거한다.
그리고 도5e에서와 같이 전면에 패시베이션층(36)을 형성하고 패드 영역(35b) 상의 패시베이션층(36)만 선택적으로 제거한다. 이어서 전면에 도전층으로 ITO층을 증착한 뒤 감광막을 도포하여 노광 및 현상 공정으로 패드영역(35b)을 제외한 부분의 감광막을 선택적으로 제거하고 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 ITO층을 제거하여 패드 영역(35b) 상에 ITO막(37)을 형성한다.
다음으로 도4의 D-D'를 자른 본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바와 연결된 이븐 라인(24)의 공정 단면도를 나타낸 도6을 설명하면 도6a에서와 같이 투명 절연 기판(30) 상에 알루미늄 금속층을 증착하여 게이트 라인(31)을 형성한다.
그리고 도6b에서와 같이 전면에 감광막을 도포하고 제1쇼팅바(20)(도4 참고)와 이븐 라인(24)(도4 참고)의 연결 부분 중 커트(Cut)영역(25)(도4 참고)과 패드 형성 영역에 감광막이 남도록 노광 및 현상 공정으로 선택적으로 제거한다. 이후에 감광막을 마스크로 이용하여 드러난 게이트 라인(31)상에 양극 산화막(32)을 형성한다. 이후에 감광막을 제거한다.
다음으로 도6c에서와 같이 전면에 실리콘 질화막(33)을 증착한 뒤 감광막을 도포하여 노광 및 현상 공정으로 양극 산화막(32) 상부만 감광막을 남기고 선택적으로 제거한다. 그리고 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 실리콘 질화막(33)을 제거한 후 감광막을 제거한다. 그리고 전면에 비정질 실리콘층(34)을 증착하고 비정질 실리콘층(34) 상에 감광막을 도포하여 노광 및 현상 공정으로 커트 영역(25)(도4 참고)과 패드 영역 사이의 실리콘 질화막(33) 상에만 감광막이 남도록 선택적으로 제거하여 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 비정질 실리콘(34)을 제거한 후 감광막을 제거한다.
이어서 도6d에서와 같이 전면에 크롬층을 증착한 후에 크롬층 상에 차례로 감광막을 도포하여 노광 및 현상 공정으로 제1쇼팅바(20)(도4 참고)상부의 실리콘 질화막(33)상과 비정질 실리콘(34) 패드 형성 영역 상에만 감광막이 남도록 선택적으로 제거한다. 그리고 제거되고 남은 감광막을 마스크로 이용하여 크롬층을 식각한 후 감광막을 제거하여 제2쇼팅바(35a)와 패드 영역(35b)에 크롬층을 형성한다.
그리고 도6e에서와 같이 전면에 감광막을 도포하고 드러나 투명 절연 기판(30)상만 감광막을 제거하여 남은 감광막을 마스크로 이용하여 투명 절연 기판(30)을 식각한 후 감광막을 제거한다. 이어서 전면에 패시베이션층(36)을 증착한 후 패드 영역(35b) 상부의 패시베이션층(36)만 선택적으로 제거한다. 이어서 전면에 도전층으로 ITO층을 증착한 후 패드 영역(35b)상에만 ITO막(37)이 형성되도록 선택적으로 제거한다.
다음으로 도4E-E'를 자른 본 발명 액정 표시 장치의 제2쇼팅바와 제3쇼팅바와의 연결 관계를 나타낸 제7도를 설명하면 도7a에서와 같이 투명 절연 기판(30)에 알루미늄 금속층을 형성하여 게이트 라인(31)을 형성한다.
그리고 도7b에서와 같이 전면에 감광막을 도포하고(도시하지 않았음) 드러난 게이트 라인(31)에 양극 산화막(32)을 형성한다. 그리고 양극 산화막(32)상에 실리콘 질화막(33)을 증착한다. 그리고 전면에 비정질 실리콘(34)을 증착한 후 감광막을 차례로 도포하여 노광 및 현상 공정으로 제2쇼팅바(35a) 형성 부분 상에만 감광막이 남도록 선택적으로 제거하여 남은 감광막을 마스크로 이용하여 비정질 실리콘(34)을 식각한다. 그리고 전면에 크롬층을 증착하여 제2쇼팅바(35a)와 제3쇼팅바(35c) 및 이 둘을 연결하는 연결층(35d)을 형성한다.
다음으로 도7c에서와 같이 전면에 패시베이션층(36)을 형성한다. 패시베이션층(36)은 패드 영역만 제외하고 형성한다. (도면에는 도시하지 않았음)
여기서 제2쇼팅바(35a)와 이븐 라인의 패드 영역과 제3쇼팅바(35c)는 크롬층으로 같이 형성해주고 제2쇼팅바(35a)의 저항을 낮추기 위하여 제3쇼팅바(35c)를 제2쇼팅바의 일측과 서로 연결 시켰다.
본 발명 액정 표시 장치의 쇼팅바는 다음과 같은 효과가 있다.
종래의 이븐 라인과 연결된 쇼팅바는 오드 라인에 연결된 쇼팅바에 비하여 상대적으로 두께가 얇아 저항이 커서 화면의 전기적인 특성 검사가 매우 불균일했으며 이븐 라인의 불량 검출도 매우 어려웠는데 본 발명의 액정 표시 장치의 쇼팅바는 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 이븐 라인과 연결된 제2쇼팅바와 연결된 제3쇼팅바를 사용함으로써 이븐 라인에 연결된 제2쇼팅바의 저항을 낮추어줌으로써 오드 라인에 연결된 제1쇼팅바의 저항과 이븐 라인에 연결된 제2쇼팅바의 저항을 비슷하게하여 화면의 전기적인 특성 검사를 균일하게 할 수 있다. 이에 따라 정확한 불량 패널 검사를 할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다.

Claims (6)

  1. 소정 부분에 패드 영역을 갖춘 복수개의 오드 라인과 연결된 제1쇼팅바와 상기 복수개의 오드 라인과 교차되어 있는 복수개의 이븐 라인과 연결된 제2쇼팅바와 상기 제2쇼팅바와 소정 부분에서 연결되어 제2쇼팅바의 저항을 낮게해주는 제3쇼팅바를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오드 라인의 패드 영역과 상기 제2쇼팅바와 제3쇼팅바는 크롭층으로 구성됨을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바.
  3. (1) 투명 절연 기판 상의 소정 영역에 게이트 라인 형성하는 4단계; (2) 상기 게이트 라인 상의 소정 영역에 커트 영역과 패드 영역을 제외한 부분에 양극 절연막과 절연막을 형성하는 단계; (3) 상기 절연막의 소정 영역에 반도체층을 형성하는 단계; (4) 상기 반도체층 상의 소정 영역에 제2쇼팅바를 형성하는 단계; (5) 상기 절연막 상에 제2쇼팅바와 일측이 연결되는 제3쇼팅바 형성하는 단계; (6) 상기 패드 영역을 제외한 부분에 패시베에이층을 형성하는 단계; (7) 상기 패드 영역 상에 콘택되도록 전도층을 형성하는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바.
  4. 제3항에 있어서, 제(2)단계에서 상기 절연막은 실리콘 질화막을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바.
  5. 제3항에 있어서, 제(7)단계에서 상기 도전층은 ITO층을 사용하여 제조하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바.
  6. 제3항에 있어서, 상기 패드 영역과 상기 제2쇼팅바와 상기 제3쇼팅바는 크롬으로 같이 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 쇼팅바.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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