KR980006413A - 낸드셀 어레이 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 집적도를 크게 향상시킬 수 있는 낸드셀로세, 워드라인과 액티브 영역을 양방향 즉 X 방향 및 Y 방향으로 배열하여, X 방향의 워드라인에 예로서 Vcc를 인가하여 동작될 때는 Y 방향의 워드라인에는 -Vcc를 인가하여 Y 방향 워드라인 밑에 있는 모든 트랜지스터를 오프시켜서 전류 패스를 차단하고, Y 방향의 워드라인에 Vcc를 인가하여 동작될 때는 X 방향의 워드라인에는 -Vcc를 인가하여 X 방향 워드라인 밑에 있는 모든 트랜지스터를 오프시켜서 전류 패스를 차단한다.

Description

낸드셀 어레이
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 낸드셀의 레이아웃도.
제5도는 본 발명의 낸드셀의 구성요소를 대응하는 위치에 회로기호를 사용하여 도시한 회로도.

Claims (10)

  1. 반도체 메모리의 낸드셀 어레이에 있어서, 다수의 모스트랜지스터가 직렬로 연결되어 구성된 낸드셀 다수개가 제1방향과 제2방향으로 서로 직교하도록 배열된 것이 특징인 낸드셀 어레이.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1방향 낸드셀은 두 개씩 짝을 이루어 하나의 비트라인에 연결되고, 상기 제2방향 낸드셀들도 두 개씩 짝을 이루어 하나의 비트라인에 연결되는 것이 특징인 낸드셀 어레이.
  3. 제1항에 있어서, 상기 낸드셀들은 구성하는 트랜지스터들은 엔모스 인핸스먼트트랜지스터 또는 엔모스 디플리션트랜지스터이며 디플리션트랜지스터는 쓰레쉬홀드 전압은 대략 -1 볼트인 것이 특징인 낸드셀 어레이.
  4. 반도체 메모리의 낸드셀 어레이를 형성하는 방법에 있어서, (1) 스트라이프 형상의 액티브 영역이 제1방향과 제2방향으로 서로 교차하며 배열되도록 필드 절연막을 형성하는 단계;
    (2) 디를리션트랜지스터가 형성될 부위에 불순물 영역을 형성하는 단계;
    (3) 제1방향으로 게이트라인을 형성하는 단계;
    (4) 절연층을 형성한 후 제1방향과는 직교하는 방향으로 제2게이트라인을 형성하는 단계;
    (5) 제1게이트라인과 제2게이트라인의 측면에 위치하는 모든 액티브 영역에 불순물을 주입하여 소오스 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것이 특징인 낸드셀 어레이 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제(1)단계에서 액티브 영역의 일측 단부는 필드 절연막이 형성되지 아니하여서 액티브 영역 두 개씩 서로 단부에서 연결되도록 형성하는 것이 특징인 낸드셀 어레이 형성방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제(2)단계에서 쓰레쉬홀드 전압 조절용 이온 주입을 행한 후에 디플리션트랜지스터 형성을 위한 불순물을 이온 주입 공정으로 실시하는 것이 특징인 낸드셀 어레이 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제(2)단계에서 낸드셀에 데이터를 코딩하기 위한 이온 주입 공정까지 실시하는 것이 특징인 낸드셀 어레이 형성방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 제(4)단계 후에 낸드셀에 데이터를 코딩하기 위한 이온 주입 공정을 추가로 실시하는 것이 특징인 낸드셀 어레이 형성방법.
  9. 제4항에 있어서, 상기 제(4)단계 후에 절연층을 형성하고 콘택홀을 연 후, 도전 물질을 데포지션하여 패터닝하여 배선을 형성하는 단계를 추가로 실시하는 것이 특징인 낸드셀 어레이 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 산화막으로 형성하고, 도전물질은 메탈을 사용하며, 절연층을 형성하고 콘택을 열도 도전층을 형성한 후 패터닝하여 배선층을 형성하는 과정을 2번 되풀이하여 제1배선층과 제2배선층을 형성하는 것이 특징인 낸드셀 어레이 형성방법.
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