KR980006408A - 마스크 롬의 제조방법 - Google Patents

마스크 롬의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR980006408A
KR980006408A KR1019960026333A KR19960026333A KR980006408A KR 980006408 A KR980006408 A KR 980006408A KR 1019960026333 A KR1019960026333 A KR 1019960026333A KR 19960026333 A KR19960026333 A KR 19960026333A KR 980006408 A KR980006408 A KR 980006408A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
impurity
forming
region
mask rom
transistor
Prior art date
Application number
KR1019960026333A
Other languages
English (en)
Inventor
신진
Original Assignee
김주용
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019960026333A priority Critical patent/KR980006408A/ko
Publication of KR980006408A publication Critical patent/KR980006408A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00Read-only memory [ROM] devices
    • H10B20/27ROM only
    • H10B20/30ROM only having the source region and the drain region on the same level, e.g. lateral transistors
    • H10B20/38Doping programmed, e.g. mask ROM
    • H10B20/383Channel doping programmed

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명의 전류 레벨을 증가시킬 수 있는 마스크 롬의 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 종래와 같이 마스크 롬에 기판과 동일한 타입의 이온을 주입하여 형성되는 컴펜세이션 트랜지스터를 형성하는 공정 대신, 노말 N모스 트랜지스터 중 선택되는 트랜지스터에 소오스, 드레인과 동일한 타입의 셀 코딩 이온을 미리 형성 시킨 채널과 접하여지도록 주입하여, 노말리 턴온되는 트랜지스터를 형성한다. 이로써, 컴펜세이션 트랜지스터를 형성하는 공정으로 인한 전류 레벨의 감소를 방지하여, 소자의 셀 전류를 증가 시킨다.

Description

마스크 롬의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1a 도 및 제 1c 도는 종래의 낸드형 마스크 롬 제조방법을 설명하기 위하여 나타낸 마스크 롬의 단면도.
제 2a 도 내지 제 2c 도는 본 발명의 낸드형 마스크 롬의 제조방법을 설명하기 위한 각 공정별 단면도.

Claims (4)

  1. 제1전도 타입의 반도체 기판의 소정 부분에 제2전도 타입의 제1불순물을 소정 깊이로 이온 주입하는 단계; 상기 제1불순물이 주입된 영역 상부에 게이트를 형성하는 단계; 상기 게이트를 도핑 마스크로하여 제1불순물의 주입 영역보다는 얕은 깊이를 갖도록 제2전도 타입의 소오스, 드레인을 형성하는 단계; 상기 전체 구조물 상부에 디플리션 트랜지스터가 형성되어질 영역이 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 노출된 부분에 제2전도 타입의 제2불순물을 제1불순물 영역과 소오스, 드레인 영역 사이에 투사되도록 이온 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 롬의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트는, 제1불순물의 주입 영역의 폭보다 소정 부분 적은 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 롬의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1불순물은 As 원자 인 것을 특징으로 하는 마스크 롬의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2불순물은 P31 원자 인 것을 특징으로 하는 마스크 롬의 제조방법.
KR1019960026333A 1996-06-29 1996-06-29 마스크 롬의 제조방법 KR980006408A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960026333A KR980006408A (ko) 1996-06-29 1996-06-29 마스크 롬의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960026333A KR980006408A (ko) 1996-06-29 1996-06-29 마스크 롬의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR980006408A true KR980006408A (ko) 1998-03-30

Family

ID=66241525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960026333A KR980006408A (ko) 1996-06-29 1996-06-29 마스크 롬의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR980006408A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160076671A (ko) 2014-12-23 2016-07-01 강민선 책 넘김이 용이한 독서대

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160076671A (ko) 2014-12-23 2016-07-01 강민선 책 넘김이 용이한 독서대

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0172793B1 (ko) 반도체소자의 제조방법
KR970013402A (ko) 플래쉬 메모리장치 및 그 제조방법
KR950034842A (ko) 저 접합 누설 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터
KR960015811A (ko) 표면 채널 피모스소자의 쇼트채널 성능을 향상시키기 위하여 인을 사용하는 활성영역 주입방법
KR970077166A (ko) 반도체 기판에 삼중웰을 형성하는 방법
KR970077399A (ko) 보상 주입을 가진 반도체 컴포넌트 및 그 제조 방법
KR980006408A (ko) 마스크 롬의 제조방법
KR100532367B1 (ko) 보호 다이오드를 내재한 수평형 확산 모스 트랜지스터 및 그 제조방법
KR960006045A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970008643A (ko) 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
KR100304974B1 (ko) 모스트랜지스터제조방법
TW363207B (en) Manufacture of semiconductor device with self-aligned doping
KR100214854B1 (ko) 마스크 롬의 제조방법
KR0172763B1 (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조 방법
KR980005882A (ko) 모스 트랜지스터 및 그의 제조방법
KR950006489B1 (ko) 씨모오스 트랜지스터의 제조방법
KR20010057381A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
KR100327419B1 (ko) 반도체소자제조방법
KR0162692B1 (ko) 반도체 트랜지스터 소자와 그 제조방법
KR100268924B1 (ko) 반도체소자의제조방법
KR930008897B1 (ko) Mosfet 제조방법
KR950007352B1 (ko) 모스형 전계효과 트랜지스터소자의 제조방법
KR0156103B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR19980040803A (ko) 박막 트랜지스터의 제조방법
JPH0251278A (ja) 二重拡散型電界効果半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid