KR980005410A - 반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자에서의 폴리실피콘 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 폴리실리콘막으로 부터의 불순물 확산을 방지할 수 있는 반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 기판과 접촉되는 1차 폴리실리콘막의 불순물 유량을 낮게하여 폴리실리콘막이 증착되고, 2차 폴리실리콘막의 불순물 유량은 폴리실리콘막이 전도체로 동작될 수 있는 만큼의 불순물을 포함하도록 불순물이 도핑되고, 3차 폴리실리콘막은 외부로 불순물들이 확산되지 않도록 낮은 유량 범위로 도핑시키므로써, 기판 또는 외부로의 불순물 확산이 방지되고, 이로써, 반도체 소자의 특성이 개선된다.

Description

반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 소자의 폴리실리콘 형성방법에 있어서, 상기 폴리실리콘막은 불순물의 유량을 달리하여 다단계로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘막은, 불순물의 유량을 달리하여 3단계로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법.
  3. 제1항에 또는 제2항에 있어서, 상기 폴리실리콘막은 불순물의 유량이 낮은 제1폴리실리콘막을 형성하는 단계; 제1폴리실리콘막 상부에 불순물 유량이 높은 제2폴리실리콘막을 형성하는 단계; 및 제2폴리실리콘막 상부에 제1폴리실리콘막과 동일한 유량을 갖는 제3폴리실리콘막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 불순물은 PH3인 것을 특징으로 하는 반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1폴리실리콘막 및 제3폴리실리콘막의 불순물 유량은, 28 내지 30 SCCM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2폴리실리콘막의 불순물 유량은 150 내지 170 SCCM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3폴리실리콘막을 구성하는 SiH4의 유량은 모두 SiH4양을 280 내지 320 SCCM 정도인 것을 특징으로 하는 반도체 소자에서의 폴리실리콘 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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