KR980005016A - 플래쉬 메모리 소자의 소거방법 - Google Patents

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KR980005016A
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erasing
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erase
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송복남
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits

Landscapes

  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 플래쉬 메모리소자의 소거방법을 제공하는 것으로, 메모리 셀의 소거시 처음에는 저전압을 드레인에 인가하고, 다음으로 정상적인 소거가 이루어지도록 고전압을 인가하므로써 BTBT전류를 감소시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

플래쉬 메모리 소자의 소거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플래쉬 메모리 셀의 구조를 도시한 단면도.
제2도는 본 발명에 따라 드레인에 인가되는 전압조건을 시간에 대하여 도시한 그래프도.
제3도는 드레인 전압에 따른 BTBT전류의 양을 도시한 그래프도.

Claims (4)

  1. 플래쉬 메모리 소자의 소거방법에 있어서, 소정시간 동안 소프트 소거를 실시하여 BTBT전류를 감소시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 소정시간 후 메인소거를 실시하여 메모리 셀을 정상적으로 소거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 소거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소프트 소거는 컨트롤 게이트 단자에 -13V의 전압을 인가하고, 드레인 및 소스단자를 접지시켜 실시되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 소거방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 메인소거는 컨트롤 게이트 단자에 -13V를 인가하고, 드레인 단자에 고전압을 인가하며 소스단자를 풀로팅시켜 실시되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 소거방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 고전압은 4내지 5V인 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 소자의 소거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960025553A 1996-06-29 1996-06-29 플래쉬 메모리 소자의 소거방법 KR980005016A (ko)

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