KR950012471A - 불휘발성 반도체 기억 장치와 그 기록 특성 회복 방법 - Google Patents

불휘발성 반도체 기억 장치와 그 기록 특성 회복 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950012471A
KR950012471A KR1019940027857A KR19940027857A KR950012471A KR 950012471 A KR950012471 A KR 950012471A KR 1019940027857 A KR1019940027857 A KR 1019940027857A KR 19940027857 A KR19940027857 A KR 19940027857A KR 950012471 A KR950012471 A KR 950012471A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating film
gate insulating
stress
semiconductor memory
nonvolatile semiconductor
Prior art date
Application number
KR1019940027857A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0152318B1 (ko
Inventor
겐이찌 오야마
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR950012471A publication Critical patent/KR950012471A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0152318B1 publication Critical patent/KR0152318B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/344—Arrangements for verifying correct erasure or for detecting overerased cells
    • G11C16/3445—Circuits or methods to verify correct erasure of nonvolatile memory cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
    • G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/344—Arrangements for verifying correct erasure or for detecting overerased cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • G11C16/3495—Circuits or methods to detect or delay wearout of nonvolatile EPROM or EEPROM memory devices, e.g. by counting numbers of erase or reprogram cycles, by using multiple memory areas serially or cyclically

Abstract

목적 : EEPROM에 있어서, 기록/소거를 반복함으로써 터널 산화막의 열화를 수복하여 메모리의 수명을 연장시키기 위한 것이다.
구성 : 실리콘 기판(1)을 접지하고, 드레인 영역(7)에 전원 전압(Vcc)(5V)을, 제어게이트(5)에 고전압(Vpp)(10V)을 인가하여, 터널 데이트 전극(2)에 전압 스트레스를 걸어, 산화막(2)중에 포획되어 있는 전자를 부유 게이트(3)로 배출한다.

Description

불휘발성 반도체 기억 장치와 그 기록 특성 회복방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 제1, 제 2 의 실시예를 설명하기 위한 불휘발성 반도체 기억 장치의 블럭도,
제 2 도는 본 발명의 제 1 의 실시예의 효과를 설명하기 위한 메모리 셀의 단면도.

Claims (8)

  1. 소스 영역 및 드레인 영역을 갖고, 그들의 영역간의 채널 영역 상에, 제 1 의 게이트 절연막, 부유 게이트 전극, 제 2 의 게이트 절연막 및 제어 게이트 전극이 순서대로 적층된 구조를 갖는 전기적 소거가 가능한 메모리 셀을 복수개 구비하며, 기록 모드, 판독 모드, 소거 모드 및 스트레스 인가 모드에서 동작 가능한 불휘발성 반도체 기억 장치에 있어서, 스트레스 인가 모드시에는 채널 전류가 흐르지 않는 상태에서 상기 제 1 의 게이트 절연막에 전압 스트레스를 인가하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 스트레스 인가 모드시에는, 상기 제어 게이트 전압에 정(+)의 고전압을 인가하고, 기판에 접지 전위 또는 부전위를 제공하여 상기 제 1 의 게이트 절연막에 전압 스트레스를 인가하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 스트레스 인가 모드시에는, 상기 제어 게이트 전극에 정(+)의 고전압을 인가하고, 상기 드레인 영역에 정(+)의 중간 전위를 인가하여, 기판에 접지 전위 또는 부전위를 제공하여 상기 제 1 의 게이트 절연막에 전압 스트레스를 인가하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치.
  4. 소스 영역 및 드레인 영역을 갖고, 그들의 영역간의 채널 영역 상에, 제1 의 게이트 절연막, 부유 게이트 전극, 제 2 의 절연막 및 제어 게이트 전극이 순서대로 적층된 구조를 갖는 전기적 소거가 가능한 메모리 셀을 복수개 구비하는 불휘발성 반도체 기억 장치의 기록 특성 회보고 방법에 있어서, 상기 제 1 의 게이트 절연막에 포획된 전자를 채널 전류가 흐르지 않는 상태에서 상기 제 1 의 게이트 절연막에 전압 스트레스를 인가하여 배제하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치의 기록 특성 회복 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 전압 스트레스가 기판측이 부(-), 제어 게이트 전극측이 정(+)의 스트레스인것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치의 기록 특성 회복 방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 전압 스트레스가 1m초간 내지 20m초간 인가되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치의 기록 특성 회복 방법.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 전압 스트레스가 상기 제 1 의 게이트 절연막의 상기 드레인 영역 근처의 부분에 강화되어 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치의 기록 특성 회복 방법.
  8. 제 4 항에 있어서, 소거 조작을 행할 때 마다 소거 조작의 직전 또는 직후에 상기 제 1 의 게이트 절연막에 전압 스트레스를 인가하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억 장치의 기록 특성 회복 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940027857A 1993-10-28 1994-10-28 불휘발성 반도체 기억 장치와 그 기록 특성 회복 방법 KR0152318B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29155693A JP2725575B2 (ja) 1993-10-28 1993-10-28 不揮発性半導体記憶装置とその書き込み特性回復方法
JP93-291556 1993-10-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950012471A true KR950012471A (ko) 1995-05-16
KR0152318B1 KR0152318B1 (ko) 1998-12-01

Family

ID=17770450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940027857A KR0152318B1 (ko) 1993-10-28 1994-10-28 불휘발성 반도체 기억 장치와 그 기록 특성 회복 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5530669A (ko)
JP (1) JP2725575B2 (ko)
KR (1) KR0152318B1 (ko)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09320287A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置
TW365001B (en) * 1996-10-17 1999-07-21 Hitachi Ltd Non-volatile semiconductor memory apparatus and the operation method
EP1012846B1 (en) * 1998-06-12 2004-03-31 Macronix International Co., Ltd. Channel fn program/erase recovery scheme
KR100314644B1 (ko) 1998-12-28 2001-12-12 박종섭 리페어퓨즈셀의과소거확인회로
US6166955A (en) * 1999-07-09 2000-12-26 Macronix International Co., Ltd. Apparatus and method for programming of flash EPROM memory
JP4586219B2 (ja) * 1999-09-17 2010-11-24 ソニー株式会社 不揮発性半導体記憶装置の消去方法
TW498333B (en) * 2001-03-09 2002-08-11 Amic Technology Taiwan Inc Method for increasing application times of flash memory by using multi-erasement path
JP3857640B2 (ja) * 2002-11-29 2006-12-13 株式会社東芝 半導体記憶装置
US6721204B1 (en) * 2003-06-17 2004-04-13 Macronix International Co., Ltd. Memory erase method and device with optimal data retention for nonvolatile memory
JP2005197363A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリセル及びその製造方法
US7075828B2 (en) * 2004-04-26 2006-07-11 Macronix International Co., Intl. Operation scheme with charge balancing erase for charge trapping non-volatile memory
US7133313B2 (en) * 2004-04-26 2006-11-07 Macronix International Co., Ltd. Operation scheme with charge balancing for charge trapping non-volatile memory
JP2007257827A (ja) * 2007-04-27 2007-10-04 Spansion Llc 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性半導体記憶装置のデータ保持方法
KR101506336B1 (ko) * 2008-10-10 2015-03-27 삼성전자주식회사 산화막 복구 기능을 갖는 비휘발성 메모리 장치 그리고 그것의 블록 관리 방법
JP2010170591A (ja) * 2009-01-20 2010-08-05 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法
JP6581376B2 (ja) * 2015-03-26 2019-09-25 パイオニア株式会社 半導体装置及び撮像装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63249375A (ja) * 1987-04-06 1988-10-17 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置のデ−タ消去方法
JPS6423496A (en) * 1987-07-17 1989-01-26 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor storage device
JP2804066B2 (ja) * 1989-02-22 1998-09-24 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ装置
JP2907863B2 (ja) * 1989-04-26 1999-06-21 株式会社日立製作所 不揮発性半導体メモリの製造方法
US5272669A (en) * 1991-02-20 1993-12-21 Sundisk Corporation Method and structure for programming floating gate memory cells
US5357463A (en) * 1992-11-17 1994-10-18 Micron Semiconductor, Inc. Method for reverse programming of a flash EEPROM
US5357476A (en) * 1993-06-01 1994-10-18 Motorola, Inc. Apparatus and method for erasing a flash EEPROM

Also Published As

Publication number Publication date
JP2725575B2 (ja) 1998-03-11
KR0152318B1 (ko) 1998-12-01
US5530669A (en) 1996-06-25
JPH07122091A (ja) 1995-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100292361B1 (ko) 반도체불휘발성메모리의데이타기입방법
US6141250A (en) Non-volatile semiconductor memory device
KR950012471A (ko) 불휘발성 반도체 기억 장치와 그 기록 특성 회복 방법
US5790460A (en) Method of erasing a flash EEPROM memory
KR970004044A (ko) 불휘발성반도체기억장치
JP2010021572A (ja) ツインｍｏｎｏｓメモリアレイ構造
JPH0927560A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
US5862078A (en) Mixed mode erase method to improve flash eeprom write/erase threshold closure
US20020028547A1 (en) Flash memory programming method
KR100324191B1 (ko) 비휘발성반도체기억장치내에서의데이터소거방법
US6760270B2 (en) Erase of a non-volatile memory
US6049484A (en) Erase method to improve flash EEPROM endurance by combining high voltage source erase and negative gate erase
KR100655944B1 (ko) 신뢰성을 개선하기 위하여 ｅｅｐｒｏｍｓ을 소거하는동안 감소된 일정한 전계를 제공하는 방법
JPH06302828A (ja) 半導体不揮発性記憶装置
US6160740A (en) Method to provide a reduced constant E-field during erase of EEPROMs for reliability improvement
KR960011187B1 (ko) 불휘발성 반도체메모리
RU2168242C2 (ru) Электрически стираемая и программируемая энергонезависимая накопительная ячейка
JP2624716B2 (ja) 不揮発性半導体メモリ装置のしきい電圧設定方法
JP3106473B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置
KR100347548B1 (ko) 플래쉬 메모리 소자의 소거 방법
US6091638A (en) Method for programming, reading and erasing a flash memory
JP4254561B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置
JPH0320838B2 (ko)
KR19990021585A (ko) 비휘발성 반도체 기억 장치의 구동 방법
JPH03252994A (ja) 不揮発性半導体記憶装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040624

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee