KR970707318A - 화학 증기 침투 및 화학 증착 공정용 장치(apparatus for use with cvi/cvd processes) - Google Patents

화학 증기 침투 및 화학 증착 공정용 장치(apparatus for use with cvi/cvd processes)

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KR970707318A
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마리 앤 투커
더 비. 에프. 굳드리치 컴패니
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Abstract

본 발명은 화학 증기 침투 및 증착법(CVI/CVD)에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 CVI/CVD노 내부의 반응 가스를 가열하기 위한 예열기와, 압력 증감 CVI/CVD 법에 의해 다공성 구조물 적층체내에 매트릭스를 증착시키기 위한 고정체에 관한 것이다. 본 발명은 다량의(수백의) 항공기 브레이크 디스크의 동시 CVI/CVD 처리에 특히 적합하다.

Description

화학 증기 침투 및 화학 증착 공정용 장치(APPARATUS FOR USE WITH CVI/CVD PROCESSES)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 장치를 포함한 CVI/CDV로의 개략적인 단면도를 나타낸다.

Claims (66)

  1. 가스 유입구로부터 반응 가스를 수용하는 CVI/CVD 노에서 사용하기 위한 가스 예열기에 있어서, 배플 구조물 유일구 및 배플 구조물 유출구를 갖고 노내에 배치되는 밀봉 배플 구조물과, 가스 유입구로부터 수용되는 모든 반응 가스가 상기 배플 구조물을 통해 상기 배플 구조물을 유출구로 유동되도록 보내지고 가압되는 가스 유입구와 상기 밀봉 배플 구조물 유입구의 주위에서 밀봉되고 노내에 배치되는 밀봉 덕트 구조물을 포함하는 가스 예열기.
  2. 제1항에 있어서, 천공 배열부를 갖고 상기 배플 구조물 유출구에 걸쳐 배치되는 덮개판을 더 포함하는 가스 예열기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 배플 구조물 유출구로부터 모든 가스가 하나 이상의 개구를 통해 보내지는 상기 배플 구조물 유출구의 주위에서 밀봉되고, 하나 이상의 개구를 갖고 상기 배플 구조물 유출구에 걸쳐 배치되는 덮개판을 더 포함하는 가스 예열기.
  4. 제1항에 있어서, 노가 서셉터 벽을 형성하는 서셉터를 포함하고, 상기 밀봉 배플 구조물의 부분이 상기 서셉터 벽에 근접하여 노출되는 가스 예열기.
  5. 제1항에 있어서, 노가 서셉터 바닥을 형성하는 서셉터를 포함하고, 상기 밀봉 덕트 구조물이 상기 서셉터 바닥에 얹혀 있는 가스 예열기.
  6. 제5항에 있어서, 가스 유입구가 상기 서셉터 바닥에 밀봉되고, 상기 밀봉 덕트 구조물이 상기 서셉터 바닥에 밀봉되는 가스 예열기.
  7. 제6항에 있어서, 상기 밀봉 덕트 구조물과 상기 서셉터 바닥 사이에 배치되는 압축성 가스킷을 더 포함하는 가스 예열기.
  8. 제1항에 있어서, 상기 밀봉 덕트 구조물이 다수의 밀봉 연결부를 형성하는 두 개 이상의 부품을 포함하는 가스 예열기.
  9. 제5항에 있어서, 상기 밀봉 배플 구조물이 상기 밀봉 덕트 구조물상에 얹혀 있는 가스 예열기.
  10. 제1항에 있어서, 노가 서셉터 바닥을 형성하는 서셉터를 포함하고, 상기 밀봉 덕트 구조물이 상기 서셉터 바닥에 얹히며 상기 밀봉 배플 구조물이 상기 밀봉 덕트 구조물상에 얹혀있고, 그리고 상기 배플 구조물 유출구로부터 모든 가스가 하나 이상의 개구를 통해 보내지는 상기 배플 구조물 유출구의 주위를 밀봉하고, 하나 이상의 개구를 갖고 상기 배플 구조물 유출구에 걸쳐 배치되며, 상기 밀봉 덕트 구조물상에 얹혀 있는 덮개 판을 더 포함하는 가스 예열기.
  11. 제1항에 있어서, 상기 밀봉 배플 구조물이 하나 이상의 천공 판을 포함하는 가스 예열기.
  12. . 제1항에 있어서, 상기 밀봉 배플 구조물이 다수의 평행 이격된 천공 판을 포함하는 가스 예열기.
  13. 제12항에 있어서, 한 천공 판의 천공 배열부가 인접한 천공 판의 천공 배열부와 어긋나 있는 천공 배열부를 각각의 천공 판이 갖는 가스 예열기.
  14. 제13항에 있어서, 상기 천공 판이 밀봉 경계부를 형성하는 가스 예열기.
  15. 제1항에 있어서, 상기 밀봉 배플 구조물이 빌봉 배플 구조물을 형성하는 쌓여진 공통 경계 천공 판의 배열부를 포함하고, 상기 밀봉 배플 구조물이 각 쌍의 인접한 천공 판 사이에서 상기 밀봉 배플 구조물 주위에 배치되는 압축성 가스킷을 더 포함하는 가스 예열기.
  16. 제5항에 있어서, 상기 밀봉 덕트 구조물이 상기 밀봉 배플 구조물이 얹히는 선반을 형성하고, 그리고 상기 밀봉 배플 구조물이, 각 쌍의 인접한 천공 판 사이에서 상기 밀봉 배플 구조물 주위에 배치되는 하나 이상의 제1압축성 가스킷을 갖으며 상기 선반과 상기 밀봉 배플 구조물 사이에 배치되는 하나 이상의 제2압축 성 가스킷을 갖는 밀봉 배플 구조물 주위부를 형성하는 쌓여진 공통 경계 천공 판의 배열부를 포함하는 가스 예열기.
  17. 제1항에 있어서, 하나 이상의 제2가스 유입구로부터 반응 가스를 수용하는 노는, 제2배플 구조물 유입구및 제2배플 구조물 유출구를 갖고, 노내에 배치되는 하나 이상의 제2밀봉 배플 구조물과, 제2가스 유입구로부터 수용되는 모든 반응 가스가 상기 제2밀봉 배플 구조물을 통해 상기 제2배플 구조물 유출구로 유동되도록 보내지고 가압되는, 제2가스 유입구와 상기 제2배플 구조물 유입구의 주위를 빌봉하고, 노내에 배치되는 하나 이상의 제2밀봉 덕트 구조물을 더 포함하는 가스 예열기.
  18. 제17항에 있어서, 천공 배열부를 갖고 상기 제2배플 구조물 유출구에 걸쳐 배치되는 하나 이상의 제2덮개판을 더 포함하는 가스 예열기.
  19. 제17항에 있어서, 상기 제2배플 구조물을 유출구로부터 모든 가스가 상기 제2덮개판내의 하나 이상의 개구를 통해 보내지는 상기 제2배플 구조물 유출구의 주위를 밀봉하고, 하나 이상의 개구를 갖고 상기 배플 구조물 유출구에 걸쳐 배치되는 하나 이상의 제2덮개판을 더 포함하는 가스 예열기.
  20. 가스 유입구로부터 CVI/CVD 노내로 반응 가스를 유입하기 위한 방법에 있어서, 배플 구조물 유입구 및 배플 구조물 유출구를 갖고 상기 CVI/CVD 노애에 배치되는 밀봉 배플 구조물과 가스 유입구와 상기 밀봉 배플 구조물 유입구의 주위에서 밀봉되는 밀봉 덕트 구조물을 포함하고, 상기 CVI/CVD 노내에 배치된 가스 예열기내로 상기 가스 유입구로부터 상기 반응 가스를 유입하는 단계와, 그리고 상기 가스 유입구로부터 유입된 상기 반응 가스를 상기 밀봉 배플 구조물을 통해 상기 밀봉 배플 구조물 유입구내로 그리고 상기 밀봉 배플 구조물 유출구 밖으로 보내는 단계를 포함하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 천공 배열부를 갖고 상기 배플 구조물 유출구에 걸쳐 배치되는 덮개판을 더 포함하고, 상기 천공 배열부를 통해 상기 반응 가스를 보내는 단계를 더 포함하는 방법.
  22. 제20항에 있어서, 상기 배플 구조물 유출구의 주위에서 밀봉되고, 하나 이상의 개구를 갖고 상기 배플 구조물 유출구에 걸쳐 배치되는 덮개판을 더 포함하고, 상기 하나 이상의 개구를 통해 상기 반응 가스를 보내는 단계를 더 포함하는 방법.
  23. 제20항에 있어서, 상기 노가 서셉터 벽을 형성하는 서셉터를 포함하고 상기 밀봉 배플 구조물의 부분이 상기 서셉터 벽에 근접하여 노출되는 방법.
  24. 제20항에 있어서, 상기 노가 서셉터 바닥을 형성하는 서셉터를 포함하고 상기 밀봉 덕트 구조물이 부분이 상기 서셉터 바닥에 얹혀 있는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 가스 유입구가 상기 서셉터 바닥에 밀봉되고, 상기 밀봉 덕트 구조물이 상기 서셉터 바닥에 밀봉되는 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 밀봉 덕트 구조물과 상기 서셉터 바닥 사이에 배치되는 압축성 가스킷을 더 포함하는 방법.
  27. 제20항에 있어서, 상기 밀봉 덕트 구조물이 다수의 밀봉 연결부를 형성하는 두 개 이상의 부품을 포함하는 방법.
  28. 제24항에 있어서, 상기 밀봉 배플 구조물이 상기 밀봉 덕트 구조물상에 얹혀 있는 방법.
  29. 제20항에 있어서, 상기 노가 서셉터 바닥을 형성하는 서셉터를 포함하고, 상기 밀봉 덕트 구조물이 상기 서셉터 바닥에 얹혀 있으며 상기 밀봉 배플 구조물이 상기 밀봉 덕트 구조물상에 얹혀 있고, 상기 배플 구조물 유출구의 주위를 밀봉하고 상기 밀봉 덕트 구조물상에 얹혀있는, 하나 이상의 개구를 갖고 상기 배플 구조물 유출구에 걸쳐 배치되는 덮개판을 더 포함하고, 그리고 상기 하나 이상의 개구를 통해 상기 배플 구조물 유출구로부터 상기 가스를 보내는 단계를 더 포함하는 방법.
  30. 제20항에 있어서, 상기 밀봉 배플 구조물이 하나 이상의 천공 판을 포함하는 방법.
  31. 제20항에 있어서, 상기 밀봉 배플 구조물이 다수의 평해 이격된 천공 판을 포함하는 방법.
  32. 제31항에 있어서, 하나의 천공 판의 천공 배열부가 인접한 천공 판의 천공 배열부와 어긋나 있는 천공 배열부를 각각의 천공 판이 갖는 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 천공 판이 밀봉 경계로 형성되는 방법.
  34. 제20항에 있어서, 상기 밀봉 배플 구조물이 밀봉 배플 구조물을 형성하는 쌓여진 공통 경계 천공 판의 배열부를 포함하고, 상기 밀봉 배플 구조물이 각 쌍의 인접한 천공 판 사이에서 상기 밀봉 배플 구조물 주위에 배치되는 압축성 가스킷을 더 포함하는 방법.
  35. 제24항에 있어서, 상기 밀봉 덕트 구조물이 상기 밀봉 배플 구조물이 얹히는 선반을 형성하고, 그리고 상기 밀봉 배플 구조물이, 각 쌍의 인접한 서셉터 판 사이에서 상기 밀봉 배플 구조물 주위에 배치되는 하나 이상의 제1압축성 가스킷을 갖으며 상기 선반과 상기 밀봉 배플 구조물 사이에 배치되는 하나 이상의 제2압축성 가스킷을 갖는 배플 구조물 주위부를 형성하는 쌓여진 공통 경계 천공 판의 배열부를 포함하는 방법.
  36. 제20항에 있어서, 하나 이상의 제2가스 유입구로부터 반응 가스를 수용하는 상기 노는, 제2배플 구조물 유입구 및 제2배플 구조물 유출구를 갖고 상기 CVI/CVD 노내에 배치되는 제2밀봉 배플 구조물과 상기 제2가스 유입구와 상기 제2배플 구조물 유입구의 주위에서 밀봉되는 제2밀봉 덕트 구조물을 포함하고, 상기 CVI/CVD 노내에 배치된 하나 이상의 제2가스 예열기내로 상기 가스 유입구로부터 상기 반응 가스를 유입하는 단계와, 그리고 상기 제2가스 유입구로부터 유입된 상기 반응 가스를 상기 제2밀봉 배플 구조물을 통해 상기 제2배플 구조물 유입구내로 그리고 상기 제2배플 구조물 유출구 밖으로 보내는 단계를 더 포함하는 방법.
  37. 제36항에 있어서, 천공 배열부를 갖고 상기 제2배플 구조물 유출구에 걸쳐 배치되는 하나 이상의 제2덮개판을 더 포함하는 방법.
  38. 제36항에 있어서, 상기 제2배플 구조물 유출구로부터 모든 가스가 하나 이상의 개구를 통해 보내지는 상기 제2배플 구조물 유출구의 주위를 밀봉하고, 하나 이상의 개구를 갖고 상기 제2배플 구조물 유출구에 걸쳐 배치되는 하나 이상의 제2덮개판을 더 포함하는 방법.
  39. 각각이 개구를 갖는 다공성 구조물의 적층체와, 기저 판 개구를 갖는 노 내부에 고정되기에 적합한 기저판과, 상기 기저 판을 향하고 이격되어 있는 상단 판과, 상기 기저 판과 상기 상단 판과 접촉하고 상기 기저 판과 상기 상단 판 사이에 배치되는 이격 구조물과, 그리고 이웃한 다공성 구조물 개구를 둘러싸고 각 쌍의 이웃한 다공성 구조물 사이에서 상기 다공성 구조물 적층체내에 배치되는 하나 이상의 링식 스페이서를 포함하고, 상기 다공성 구조물의 적층체가 상기 기저 판에 인접한 상기 다공성 구조물 중의 하나와 상기 상단 판에 인접한 상기 다공성 구조물중의 다른 하나를 갖는 상기 기저 판과 상기 상단 판 사이에 배치되는, 노 내부에 밀도를 높이는 경사진 CVI/CVD가 가압되도록 다공성 구조물을 갖는 고정체에 있어서, 상기 기저 판, 상기 다공성 구조물 적층체, 및 상기 하나 이상의 링식 스페이서는 상기 기저 판 개구로부터 연장되어 상기 상단 판에 인접한 곳에서 종료되는 공동을 포함하며 상기 공동은 각 다공성 구조물의 구멍을 포함하고 있는 고정체.
  40. 제39항에 있어서, 하나 이상의 상기 링식 스페이서가 상기 상단 판과 상기 기저 판에 인접한 상기 다공성 구조물 사이에서 상기 기저 판 개구 둘레에 배치되는 고정체.
  41. 제39항에 있어서, 하나 이상의 상기 스페이서가 상기 상단 판과 상기 상단판에 인접한 다공성 구조물 사이에 배치되는 고정체.
  42. 제39항에 있어서, 상기 상단 판이 상단 판 개구를 갖고, 상기 상단 판 개구를 덮는 덮개 판 및 상기덮개 판과 상기 상단 판 개구를 둘러싸는 상기 상단 판 사이에 배치되는 덮개 판 밀봉부를 더 포함하고, 상기 덮개 판과 상기 덮개 판 밀봉부는 상기 둘러쌓인 공동을 종료시키는 고정체.
  43. 제39항에 있어서, 상기 다공성 구조물이 가요성이 있고 각각의 링식 스페이서는 상기 링식 스페이서에 대해 가압되는 상기 이웃한 다공성 구조물을 항하며 서로 이격된 두 개의 평행한 면을 포함하는 고정체.
  44. 제39항에 있어서, 각각의 링식 스페이서가 상기 이웃한 다공성 구조물을 항하며 서로 이격된 두 개의 평행한 면을 포함하고 다수의 가요성 그래파이트 가스킷을 더 포함하며 하나 이상의 가스킷이 각 링면에 인접하게 배치되고, 각 기스킷은 상기 인접한 다공성 구조물에 대해 가압되는 고정체.
  45. 제39항에 있어서, 상기 다공성 구조물이 가요성이 있고 상기 다공성 구조물 적층체가 상기 기저 판과 상기 상단 판 사이에 압축되어 배치되는 고정체.
  46. 제39항에 있어서, 상기 이격 구조물이 상기 기저 판과 상기 상단 판 사이에서 연장되는 다공성 구조물 적층체에 배치되는 다수의 기둥을 포함하는 고정체.
  47. 제39항에 있어서, 상기 이격 구조물이 상기 상단 판이 상기 이격 구조물에서 분리되도록 상기 상단 판에 분리 가능하게 접촉하고, 그리고 상기 기저 판, 상기 이격 구조물 및 상기 상단 판이 상기 이격 구조물로부터 상기 상단 판이 분리되지 않도록 상기 기저 판쪽으로 상기 상단 판을 중력 가압하는 방향으로 방향이 정해지는 고정체.
  48. 제39항에 있어서, 상기 상단 판상에 얹히는 추를 더 포함하는 고정체.
  49. 제39항에 있어서, 각각이 제2다공성 구조물 개구를 갖는 하나 이상의 제2다공성 구조물의 적층체를 더 포함하고, 그리고 상기 기저 판이 하나 이상의 제2기저 판 개구를 갖고, 상기 제2다공성 구조물의 적층체가 상기 기저 판에 인접한 상기 제2다공성 구조물중의 하나와 상기 상단 판에 인접한 상기 제2다공성 구조물중의 다른 하나를 갖는 상기 상단 판과 상기 기저 판 사이에 배치되고, 그리고 이웃한 제2다공성 구조물 개구를 둘러싸고 각 쌍의 이웃한 제2다공성 구조물 사이에서 상기 제2다공성 구조물 적층체내에 배치되는 하나 이상의 제2링식 스페이서를 포함하고, 상기 기저 판, 상기 제2다공성 구조물 적층체 및 상기 하나 이상의 제2링식 스페이서가 상기 기저 판 개구로부터 연장되는 제2둘러쌓인 공동을 형성하고 각 제2다공성 구조물 적층체를 포함하고 인접한 상기 상단 판을 종료시키는 고정체.
  50. 제39항에 있어서, 상기 이격 구조물이 다공성 구조물 적층체를 분할하는 상기 상단 판과 상기 기저 판 사이에 배치되는 하나 이상의 중간 판을 포함하고, 각 중간 판을 한 쌍의 다공성 구조물 사이에 끼워지고 개구를 갖고, 그리고 각 중간 판 개구는 상기 둘러쌓인 공동의 일부를 형성하는 고정체.
  51. 제50항에 있어서, 상기 중간 판과 상기 다공성 구조물 사이에서 상기 중간판의 어느 한 쪽면상에 배치되는 하나 이상의 상기 링식 스페이서를 더 포함하는 고정체.
  52. 제39항에 있어서, 각각의 다공성 구조물이 다공성 구조물 외측 직경을 형성하고 각각의 링식 스페이서는 스페이서 외측 직경을 형성하고 하나 이상의 다공성 구조물의 상기 다공성 구조물 외측 직경이 하나 이상의 링식 스페이서의 상기 스페이서 외측 직경보다 작은 고정체.
  53. 제39항에 있어서, 각각의 다공성 구조물이 다공성 구조물 내측 직경을 형성하고 각각의 링식 스페이서는 스페이서 내측 직경을 형성하고 상기 다공성 구조물 내측 직경이 하나 이상의 링식 스페이서의 상기 스페이서 내측 직경보다 작은 고정체.
  54. 제39항에 있어서, 각각의 다공성 구조물이 다공성 구조물 내측 직경을 형성하고 각각의 링식 스페이서는 스페이서 내측 직경을 형성하고 각각의 다공성 구조물 내측 직경이 상기 스페이서 내측 직경보다 작은 고정체.
  55. 제40항에 있어서, 각각의 다공성 구조물이 다공성 구조물 외측 직경을 형성하고 상기 스페이서 내측 직경은 상기 다공성 구조물 외측 직경보다 미세하게 작은 고정체.
  56. 제39항에 있어서, 각각의 다공성 구조물이 환상형이고 다공성 구조물 외측 및 내측 직경을 형성하고 그리고 상기 다공성 구조물 적층체가 외측 직경 링식 스페이서와 교대하는 내측 직경 링식 스페이서를 포함하고, 각각의 외측 직경 링식 스페이서는 다공성 구조물 외측 직경보다 미세하게 작은 내측 직경을 갖고 외측 직경은 다공성 구조물 외측 직경과 공통 경계이고, 각각의 내측 직경 링식 스페이서는 다공성 구조물 내측 직경보다 미세하게 큰 외측 직경을 갖고 내측 직경은 다공성 구조물 내측 직경과 공통 경계인 고정체.
  57. 제39항에 있어서, 각각의 다공성 구조물이 환상형이고 다공성 구조물 내측 직경을 형성하고 그리고 상기 다공성 구조물 적층체가 모든 내측 직경 링식 스페이서를 포함하고, 각각의 내측 직경 링식 스페이서는 다공성 구조물 내측 직경보다 미세하게 큰 외측 직경을 갖고 내측 직경은 다공성 구조물 내측 직경과 공통 경계인 고정체
  58. CVI/CVD 밀도가 높여지도록 고정체 및 각각이 개구를 갖는 다수의 다공성 구조물을 조립하기 위한 방법에 있어서, 각각의 인접한 쌍의 다공성 구조물 사이에서 링식 스페이서를 갖는 적층체내의 링식 스페이서와 상기 다수의 다공성 구조물을 조립하는 단계와, 기저 판 개구를 갖는 기저 판과 상단 판의 사이에 다공성 구조물 적층체를 배치하는 단계와, 상기 기저 판과 상기 상단 판에 접촉하고 상기 기저 판과 상기 상단 판 사이에서 다공성 구조물 적층체 주위에 이격 구조물을 배치하는 단계를 포함하고, 상기 기저 판, 상기 다공성 구조물 적층체 및 상기 하나 이상의 링식 스페이서가 상기 기저 판 개구로부터 연장되는 둘러쌓인 공동을 형성하고 각 다공성 구조물 적층체를 포함하고 인접한 상기 상단 판을 종료시키는 방법.
  59. 제58항에 있어서, 각각의 다공성 구조물이 외측 직경을 형성하고 각각의 링식 스페이서는 상기 외측 직경과 공동 경계인 링을 포함하는 방법.
  60. 제58항에 있어서, 상기 다공성 구조물 적층체가 가요성이 있고 상기 다공성 구조물이 상기 대향 판 사이에 다공성 구조물 적층체가 배치되기 전에 적층체 높이를 형성하고, 상기 대향 판 사이의 거리가 압축에 의해 감소하도록 가압함으로써 상기 대향 판 사이에서 상기 다공성 구조물 적층체가 압축되는 단계를 더 포함하는 방법.
  61. 제60항에 있어서, 상기 이격 구조물이 상기 거리를 제한하는 정지부를 형성하는 방법.
  62. 제61항에 있어서, 상기 거리가 예정되어 있고 상기 거리에 이르도록 상기 정지부를 조정하는 단계를 더 포함하는 방법.
  63. 제62항에 있어서, 심을 갖는 상기 정지부를 조절하는 단계를 더 포함하는 방법.
  64. 제58항에 있어서, 각각의 다공성 구조물이 환상형이고 다공성 구조물 외측 직경을 형성하고 그리고 상기 다공성 구조물 적층체가 모든 외측 직경 링식 스페이서를 포함하고, 각각의 외측 직경 링식 스페이서는 다공성 구조물 외측 직경보다 미세하게 작은 내측 직경을 갖고 외측 직경은 다공성 구조물 외측 직경과 공통 경계인 방법.
  65. 제58항에 있어서, 각각의 다공성 구조물이 환상형이고 다공성 구조물 외측 및 내측 직경을 형성하고 그리고 상기 다공성 구조물 적층체가 외측 직경 링식 스페이서와 교대하는 내측 직경 링식 스페이서를 포함하고, 각각의 외측 직경 링식 스페이서는 다공성 구조물 외측 직경보다 미세하게 작은 내측 직경을 갖고 외측 직경은 다공성 구조물 외측 직경과 공통 경계이고, 각각의 내측 직경 링식 스페이서는 다공성 구조물 내측 직경보다 미세하게 큰 외측 직경을 갖고 내측 직경은 다공성 구조물 내측 직경과 공통 경계인 방법.
  66. 제58항에 있어서, 각각의 다공성 구조물이 환상형이고 다공성 구조물 내측 직경을 형성하고 그리고 상기 다공성 구조물 적층체가 모든 내측 직경 링식 스페이서를 포함하고, 각각의 내측 직경 링식 스페이서는 다공성 구조물 내측 직경보다 미세하게 큰 외측 직경을 갖고 내측 직경은 다공성 구조물 내측 직경과 공통 경계인 방법.
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Families Citing this family (112)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3754450B2 (ja) * 1994-11-16 2006-03-15 グッドリッチ・コーポレイション 圧力勾配ｃｖｉ／ｃｖｄ法
FR2733254B1 (fr) * 1995-04-18 1997-07-18 Europ Propulsion Procede d'infiltration chimique en phase vapeur pour la densification de substrats poreux disposes en piles annulaires
US5916633A (en) * 1995-05-19 1999-06-29 Georgia Tech Research Corporation Fabrication of carbon/carbon composites by forced flow-thermal gradient chemical vapor infiltration
US5743967A (en) * 1995-07-13 1998-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co. Low pressure CVD apparatus
US5908792A (en) 1995-10-04 1999-06-01 The B. F. Goodrich Company Brake disk having a functional gradient Z-fiber distribution
US6083560A (en) * 1995-11-16 2000-07-04 Alliant Techsystems Inc Process for controlled deposition profile forced flow chemical vapor infiltration
FR2754813B1 (fr) * 1996-10-18 1999-01-15 Europ Propulsion Densification de substrats poreux disposes en piles annulaires par infiltration chimique en phase vapeur a gradient de temperature
DE19646094C2 (de) * 1996-11-08 1999-03-18 Sintec Keramik Gmbh Verfahren zur chemischen Gasphaseninfiltration von refraktären Stoffen, insbesondere Kohlenstoff und Siliziumkarbid, sowie Verwendung des Verfahrens
US6161500A (en) * 1997-09-30 2000-12-19 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions
US6440220B1 (en) * 1998-10-23 2002-08-27 Goodrich Corporation Method and apparatus for inhibiting infiltration of a reactive gas into porous refractory insulation
US6669988B2 (en) 2001-08-20 2003-12-30 Goodrich Corporation Hardware assembly for CVI/CVD processes
US7476419B2 (en) * 1998-10-23 2009-01-13 Goodrich Corporation Method for measurement of weight during a CVI/CVD process
US6352430B1 (en) 1998-10-23 2002-03-05 Goodrich Corporation Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace
US6062851A (en) * 1998-10-23 2000-05-16 The B. F. Goodrich Company Combination CVI/CVD and heat treat susceptor lid
US6162298A (en) * 1998-10-28 2000-12-19 The B. F. Goodrich Company Sealed reactant gas inlet for a CVI/CVD furnace
KR20000046418A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 추호석 브레이크 디스크의 제조방법
US6499425B1 (en) * 1999-01-22 2002-12-31 Micron Technology, Inc. Quasi-remote plasma processing method and apparatus
DE60005888T2 (de) 1999-06-04 2004-07-29 Goodrich Corp. Verfahren und Vorrichtung zur Druckmessung in einer CVD/CVI-Kammer
DE60013208T2 (de) 1999-06-04 2005-08-11 Goodrich Corp. Suzeptordeckel sowohl für Gasphaseninfiltration bzw. -Beschichtung als auch Wärmebehandlung
EP1063319B1 (en) 1999-06-04 2005-12-07 Goodrich Corporation Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace
US7378362B2 (en) * 2000-09-29 2008-05-27 Goodrich Corporation Boron carbide based ceramic matrix composites
JP2004510674A (ja) 2000-09-29 2004-04-08 グッドリッチ・コーポレイション 炭化ホウ素をベースとしたセラミックマトリックス複合材料
US6878206B2 (en) * 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
FR2821859B1 (fr) * 2001-03-06 2004-05-14 Snecma Moteurs Procede pour la densification par infiltration chimique en phase vapeur de substrats poreux ayant un passage central
US6758909B2 (en) 2001-06-05 2004-07-06 Honeywell International Inc. Gas port sealing for CVD/CVI furnace hearth plates
KR100400044B1 (ko) * 2001-07-16 2003-09-29 삼성전자주식회사 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드
US6793966B2 (en) 2001-09-10 2004-09-21 Howmet Research Corporation Chemical vapor deposition apparatus and method
US7017514B1 (en) * 2001-12-03 2006-03-28 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for plasma optimization in water processing
US6953605B2 (en) * 2001-12-26 2005-10-11 Messier-Bugatti Method for densifying porous substrates by chemical vapour infiltration with preheated gas
US20040250763A1 (en) * 2002-01-11 2004-12-16 Ovshinsky Stanford R. Fountain cathode for large area plasma deposition
FR2834713B1 (fr) * 2002-01-15 2004-04-02 Snecma Moteurs Procede et installation pour la densification de substrats par infiltration chimique en phase vapeur
US6572371B1 (en) * 2002-05-06 2003-06-03 Messier-Bugatti Gas preheater and process for controlling distribution of preheated reactive gas in a CVI furnace for densification of porous annular substrates
JP4338355B2 (ja) * 2002-05-10 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6657905B1 (en) * 2002-05-17 2003-12-02 Micron Technology, Inc. Clamping circuit for the Vpop voltage used to program antifuses
US20050121143A1 (en) * 2002-05-23 2005-06-09 Lam Research Corporation Pump baffle and screen to improve etch uniformity
FR2842193B1 (fr) * 2002-07-12 2004-10-01 Messier Bugatti Procede et installation pour le traitement thermique a haute temperature et la densification par infiltration chimique en phase vapeur de textures en carbone
EP1452624B1 (en) * 2002-10-24 2008-06-11 Goodrich Corporation Process and apparatus for batch and continuous densification by chemical vapor infiltration (CVI)
UA84862C2 (en) * 2003-03-03 2008-12-10 Месье-Бугатти Substrate
US7335397B2 (en) * 2004-02-16 2008-02-26 Goodrich Corporation Pressure gradient CVI/CVD apparatus and method
US20060029804A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Klett James W Continuous flow closed-loop rapid liquid-phase densification of a graphitizable carbon-carbon composite
US7332195B2 (en) * 2004-08-26 2008-02-19 Honeywell International Inc. Chemical vapor deposition method
US20060054090A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Applied Materials, Inc. PECVD susceptor support construction
US20060054758A1 (en) * 2004-09-16 2006-03-16 Simpson Allen H Fixture for holding a preform during a heating process
US7572340B2 (en) * 2004-11-29 2009-08-11 Applied Materials, Inc. High resolution substrate holder leveling device and method
FR2882064B1 (fr) * 2005-02-17 2007-05-11 Snecma Propulsion Solide Sa Procede de densification de substrats poreux minces par infiltration chimique en phase vapeur et dispositif de chargement de tels substrats
US20060194059A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Honeywell International Inc. Annular furnace spacers and method of using same
US20060194060A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Honeywell International Furnace spacers for spacing preforms in a furnace
US20060254162A1 (en) * 2005-04-21 2006-11-16 Deslauriers, Inc. Shim having through openings
US7442443B2 (en) 2005-05-31 2008-10-28 Goodrich Corporation Chromium-nickel stainless steel alloy article having oxide coating formed from the base metal suitable for brake apparatus
US7691443B2 (en) * 2005-05-31 2010-04-06 Goodrich Corporation Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method
US8057855B1 (en) 2005-05-31 2011-11-15 Goodrich Corporation Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method
US20070014990A1 (en) * 2005-07-14 2007-01-18 Honeywell International Inc. Support structure for radiative heat transfer
KR100792396B1 (ko) * 2005-10-11 2008-01-08 주식회사 유진테크 파티션 구조형 가열유닛과 이를 이용한 히팅장치
US8673188B2 (en) * 2006-02-14 2014-03-18 Goodrich Corporation Carbon-carbon parts and methods for making same
US7811085B2 (en) * 2006-05-04 2010-10-12 Honeywell International Inc. Gas preheater for chemical vapor processing furnace
US20070269597A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 Honeywell International Inc. Modified CVD cooling loop
US7771194B2 (en) * 2006-05-26 2010-08-10 Honeywell International Inc. Gas preheater for chemical vapor processing furnace having circuitous passages
WO2008017382A2 (de) * 2006-08-07 2008-02-14 Behr Gmbh & Co. Kg Verfahren zum herstellen von bauteilen in einem mediumkreislauf, wie insbesondere eines wärmeübertragers und solche bauteile
FR2919309B1 (fr) * 2007-07-25 2011-07-22 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif d'infiltration d'une structure en materiau poreux par depot chimique en phase vapeur.
US8105649B1 (en) 2007-08-09 2012-01-31 Imaging Systems Technology Fabrication of silicon carbide shell
JP5208128B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-12 フルテック株式会社 加圧ガスパルス制御処理方法及び加圧ガスパルス制御処理装置
WO2010060646A1 (de) * 2008-11-28 2010-06-03 Volker Probst Verfahren zum herstellen von halbleiterschichten bzw. von mit elementarem selen und/oder schwefel behandelten beschichteten substraten, insbesondere flächigen substraten
US8132442B2 (en) * 2008-09-22 2012-03-13 Siemens Energy, Inc. Compressible ceramic seal
US8293013B2 (en) * 2008-12-30 2012-10-23 Intermolecular, Inc. Dual path gas distribution device
KR200475462Y1 (ko) * 2009-03-27 2014-12-03 램 리써치 코포레이션 플라즈마 처리 장치의 교체 가능한 상부 챔버 섹션
US10655219B1 (en) * 2009-04-14 2020-05-19 Goodrich Corporation Containment structure for creating composite structures
US10689753B1 (en) * 2009-04-21 2020-06-23 Goodrich Corporation System having a cooling element for densifying a substrate
US9076634B2 (en) * 2009-09-10 2015-07-07 Lam Research Corporation Replaceable upper chamber parts of plasma processing apparatus
US20110064891A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-17 Honeywell International Inc. Methods of rapidly densifying complex-shaped, asymmetrical porous structures
WO2011044451A2 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
CN101831623B (zh) * 2010-05-28 2011-12-07 湖南金博复合材料科技有限公司 化学气相增密炉炉膛
WO2012030792A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-08 First Solar, Inc. Vapor deposition system
JP2012195565A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US20130052806A1 (en) * 2011-08-22 2013-02-28 Soitec Deposition systems having access gates at desirable locations, and related methods
US9644285B2 (en) 2011-08-22 2017-05-09 Soitec Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods
TWI505400B (zh) * 2011-08-26 2015-10-21 Lg Siltron Inc 基座
FR2980486B1 (fr) * 2011-09-28 2013-10-11 Snecma Propulsion Solide Dispositif de chargement pour la densification par infiltration chimique en phase vapeur en flux dirige de substrats poreux de forme tridimensionnelle
CN102363878B (zh) * 2011-11-10 2014-09-10 西安航空制动科技有限公司 一种化学气相沉积炉预热装置
DE102012100176B4 (de) 2012-01-10 2016-11-17 Cvt Gmbh & Co. Kg Verfahren zur chemischen Gasphaseninfiltration von wenigstens einem refraktären Stoff
FR2993044B1 (fr) * 2012-07-04 2014-08-08 Herakles Dispositif de chargement et installation pour la densification de preformes poreuses tronconiques et empilables
FR2993555B1 (fr) 2012-07-19 2015-02-20 Herakles Installation d'infiltration chimique en phase vapeur a haute capacite de chargement
US11326255B2 (en) * 2013-02-07 2022-05-10 Uchicago Argonne, Llc ALD reactor for coating porous substrates
US10107506B2 (en) * 2013-04-03 2018-10-23 Trane International Inc. Heat exchanger with differentiated resistance flowpaths
US9964333B2 (en) 2013-05-28 2018-05-08 Trane International Inc. System and method for furnace fluid flow management
FR3007511B1 (fr) * 2013-06-19 2017-09-08 Herakles Installation pour traitements thermiques de produits en materiau composite comprenant des moyens de mesure de temperature delocalises
US9605345B2 (en) * 2013-08-23 2017-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vertical furnace for improving wafer uniformity
KR102162366B1 (ko) * 2014-01-21 2020-10-06 우범제 퓸 제거 장치
FR3018526B1 (fr) 2014-03-14 2021-06-11 Herakles Installation de densification cvi comprenant une zone de prechauffage a forte capacite
US9964332B2 (en) * 2014-03-27 2018-05-08 Lam Research Corporation Systems and methods for bulk vaporization of precursor
CN104034159B (zh) * 2014-06-06 2016-01-20 西安航空制动科技有限公司 一种c/c复合材料沉积炉
WO2017033053A1 (en) 2015-08-21 2017-03-02 Flisom Ag Homogeneous linear evaporation source
TWI624554B (zh) * 2015-08-21 2018-05-21 弗里松股份有限公司 蒸發源
US9963779B2 (en) 2016-02-29 2018-05-08 Goodrich Corporation Methods for modifying pressure differential in a chemical vapor process
US10407769B2 (en) * 2016-03-18 2019-09-10 Goodrich Corporation Method and apparatus for decreasing the radial temperature gradient in CVI/CVD furnaces
RU2724260C1 (ru) * 2016-10-14 2020-06-22 АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН Устройство для отбора повторным нагреванием для газофазного процесса
RU2665860C2 (ru) * 2016-11-30 2018-09-04 Вячеслав Максимович Бушуев Способ металлирования крупногабаритных заготовок в реакторе установки для объемного металлирования, конструкция реактора и способ его изготовления
FR3059679B1 (fr) * 2016-12-07 2021-03-12 Safran Ceram Outillage de conformation et installation pour l'infiltration chimique en phase gazeuse de preformes fibreuses
RU2665646C2 (ru) * 2016-12-26 2018-09-03 Вячеслав Максимович Бушуев Футеровка корпуса реактора установок для металлирования заготовок
CN108680009A (zh) * 2018-05-07 2018-10-19 西安航空制动科技有限公司 一种碳/碳复合材料的防氧化涂层热处理设备及方法
KR102576220B1 (ko) * 2018-06-22 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 처리 장치 및 박막 처리 방법
FR3084672B1 (fr) * 2018-08-03 2020-10-16 Safran Ceram Procede de densification par infiltration chimique en phase gazeuse de substrats annulaires poreux
CN109279908B (zh) * 2018-10-30 2021-06-01 中南大学 一种制备超薄碳/碳复合材料面板的夹具
IT201800009953A1 (it) 2018-10-31 2020-05-01 Petroceramics Spa Metodo ed un assieme di infiltrazione e la deposizione rapida da fase vapore di componenti porosi
EP3647459A1 (en) 2018-10-31 2020-05-06 Petroceramics S.p.A. Method and an assembly by chemical vapor infiltration of porous components
EP3887562A4 (en) * 2018-11-30 2022-08-24 Ferrotec (USA) Corporation CRUCIBLE LID FOR COATING WITH AN ELECTRON BEAM SOURCE
US11111578B1 (en) 2020-02-13 2021-09-07 Uchicago Argonne, Llc Atomic layer deposition of fluoride thin films
US11691924B2 (en) 2020-02-21 2023-07-04 Raytheon Technologies Corporation CVI matrix densification process
CN113248272B (zh) * 2021-05-11 2022-06-21 广州三的投资管理企业（有限合伙） 一种碳陶摩擦材料的制备方法和应用
US11932941B1 (en) 2021-12-29 2024-03-19 Rolls-Royce High Temperature Composites, Inc. Load assemblies for loading parts in a furnace
US11901169B2 (en) 2022-02-14 2024-02-13 Uchicago Argonne, Llc Barrier coatings
CN115094402B (zh) * 2022-06-24 2023-04-11 清华大学 一种立式双温区-双通道化学气相沉积设备
US11993548B2 (en) 2022-09-30 2024-05-28 Rtx Corporation Minimization of chemical vapor infiltration tooling hole length through windows

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3991248A (en) * 1972-03-28 1976-11-09 Ducommun Incorporated Fiber reinforced composite product
US3895084A (en) * 1972-03-28 1975-07-15 Ducommun Inc Fiber reinforced composite product
GB1586959A (en) * 1976-08-11 1981-03-25 Dunlop Ltd Method and apparatus for the production of carbon/carbon composite material
US4580524A (en) * 1984-09-07 1986-04-08 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Process for the preparation of fiber-reinforced ceramic composites by chemical vapor deposition
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
US4612077A (en) * 1985-07-29 1986-09-16 The Perkin-Elmer Corporation Electrode for plasma etching system
JPS63295476A (ja) * 1987-05-28 1988-12-01 Nippon Steel Corp 炭素繊維強化炭素材料の製造方法
US4895108A (en) * 1988-06-22 1990-01-23 The Babcock & Wilcox Company CVD apparatus and process for the preparation of fiber-reinforced ceramic composites
JPH0273624A (ja) * 1988-09-08 1990-03-13 Fujitsu Ltd Ｃｖｄ用ガス導入装置
JPH0373527A (ja) * 1989-08-14 1991-03-28 Fujitsu Ltd 化学気相成長装置
JP2849606B2 (ja) * 1990-08-29 1999-01-20 京セラ株式会社 気相含浸法およびその装置
FR2671797B1 (fr) * 1991-01-18 1994-02-25 Propulsion Ste Europeenne Procede de densification d'un substrat poreux par une matrice contenant du carbone.
US5362228A (en) * 1991-11-04 1994-11-08 Societe Europeenne De Propulsion Apparatus for preheating a flow of gas in an installation for chemical vapor infiltration, and a densification method using the apparatus
US5447568A (en) * 1991-12-26 1995-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Chemical vapor deposition method and apparatus making use of liquid starting material
US5389152A (en) * 1992-10-09 1995-02-14 Avco Corporation Apparatus for densification of porous billets
US5348774A (en) * 1993-08-11 1994-09-20 Alliedsignal Inc. Method of rapidly densifying a porous structure
JP3468859B2 (ja) * 1994-08-16 2003-11-17 富士通株式会社 気相処理装置及び気相処理方法

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Publication number Publication date
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EP0846787A1 (en) 1998-06-10

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