RU2146304C1 - Устройство предварительного нагрева для печи инфильтрации и осаждения из газовой фазы, способ ввода газа-реагента в вышеназванную печь, фиксатор пористых структур и способ сборки фиксатора вместе с пористыми структурами - Google Patents

Устройство предварительного нагрева для печи инфильтрации и осаждения из газовой фазы, способ ввода газа-реагента в вышеназванную печь, фиксатор пористых структур и способ сборки фиксатора вместе с пористыми структурами Download PDF

Info

Publication number
RU2146304C1
RU2146304C1 RU97110202A RU97110202A RU2146304C1 RU 2146304 C1 RU2146304 C1 RU 2146304C1 RU 97110202 A RU97110202 A RU 97110202A RU 97110202 A RU97110202 A RU 97110202A RU 2146304 C1 RU2146304 C1 RU 2146304C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
specified
sealed
guide structure
porous
gas
Prior art date
Application number
RU97110202A
Other languages
English (en)
Other versions
RU97110202A (ru
Inventor
Лоуэлл Д. Бок
Марк Дж. Пэрди
Джеймс У. Рудолф
Original Assignee
Б.Ф.Гудрич Компэни
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Б.Ф.Гудрич Компэни filed Critical Б.Ф.Гудрич Компэни
Publication of RU97110202A publication Critical patent/RU97110202A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2146304C1 publication Critical patent/RU2146304C1/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
    • C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
    • C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
    • C04B35/83—Carbon fibres in a carbon matrix
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16D—COUPLINGS FOR TRANSMITTING ROTATION; CLUTCHES; BRAKES
    • F16D69/00—Friction linings; Attachment thereof; Selection of coacting friction substances or surfaces
    • F16D69/02—Composition of linings ; Methods of manufacturing
    • F16D69/023—Composite materials containing carbon and carbon fibres or fibres made of carbonizable material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относится к устройству для использования в процессах инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы. Сущность: в устройстве предварительного нагрева для печи инфильтрации и осаждения из газовой фазы направляющая конструкция размещена в печи и выполнена герметичной, а подогреватель также содержит герметичную канальную структуру, расположенную в печи и уплотненную с газовводом и впускным каналом направляющей конструкции. Способ ввода газа-реагента включает направление газа-реагента, вводимого из газоввода во впускной канал направляющей конструкции через указанную герметичную направляющую конструкцию с обеспечением поступления практически всего газа-реагента в герметичную направляющую конструкцию и прохождения через нее к выпускному каналу направляющей конструкции, фиксатор пористых структур для уплотнения внутри печи в процессе инфильтрации из газовой фазы имеет две пластины, базовую и верхнюю, распорную конструкцию, между пластинами размещен пакет пористых структур с кольцеобразной прокладкой между каждой парой соседних пористых структур, при этом базовая пластина, пакет и прокладка образуют закрытую полость, оканчивающуюся у верхней пластины. Изобретение особенно пригодно для одновременной технологической обработки посредством инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы большого числа авиационных тормозных дисков. 4 с. и 62 з.п. ф-лы, 24 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к устройству для использования в процессах инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы. Более конкретно настоящее изобретение относится к подогревателю газа-реагента внутри печи для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы и к фиксатору для осаждения матрицы в пакете пористых структур с помощью процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления.
Уровень техники
Инфильтрация газовой фазы химического вещества и химическое осаждение из газовой фазы является хорошо известным способом осаждения матрицы связующего материала в пористой структуре. Выражение "химическое осаждение из газовой фазы", как правило, относится к осаждению поверхностного покрытия, но это выражение также используют применительно к инфильтрации и осаждению матрицы связующего материала в пористой структуре. В этой заявке выражение "инфильтрация газовой фазы химического вещества и химическое осаждение из газовой фазы" относится к инфильтрации и осаждению матрицы связующего материала в пористой структуре. Эта технология особенно пригодна для получения высокотемпературных композиционных материалов путем осаждения углеродной или керамической матрицы в углеродной или керамической пористой структуре, позволяя получать в результате очень полезные структуры, например авиационные тормозные диски углерод/углерод и керамические компоненты камеры сгорания или турбины. Известные способы инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы могут быть разделены на четыре группы: изотермические, при температурном градиенте, при градиенте давления и при пульсирующем потоке. (См. работу В.В. Котленского, "Осаждение пиролитического углерода в пористых телах," 8 Chemistry and Physics of Carbon, 173, 190-203 (1973): В.Дж. Лаки, "Обзор, нынешнее состояние и будущее способа инфильтрации газовой фазы химического вещества для получения армированных волокном керамических композиционных материалов, " Ceram. Eng. Sci. Proc. 10[7-8] 577, 577-81 (1989) (В.Дж. Лаки ссылается на процесс при градиенте давления как на "изотермический принудительный поток"). В изотермическом способе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы газ-реагент проходит в подогреваемую пористую структуру при абсолютных давлениях порядка нескольких тысячных долей миллиметров ртутного столба. Этот газ диффундирует в пористую структуру под действием градиентов концентрации и разлагается для осаждения матрицы связующего материала. Этот способ известен так же как "стандартный" способ инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы. Пористую структуру нагревают до более или менее равномерной температуры (в связи с этим возник термин "изотермический"), но фактически это не соответствует действительности. Некоторые отклонения температуры в пористой структуре являются неизбежными вследствие неравномерного нагрева (по существу неизбежного в большинстве печей (тепловых узлов)), охлаждения некоторых частей в связи с потоком газа-реагента и нагрева или охлаждения других частей в связи с теплотой эффектов реакции. По существу термин "изотермический" означает то, что отсутствует попытка создания температурного градиента, который бы предпочтительно воздействовал на осаждение матрицы связующего материала. Этот способ хорошо пригоден для одновременного уплотнения большого числа пористых изделий и особенно пригоден для изготовления тормозных дисков углерод/углерод. При соответствующих технологических условиях может быть осаждена матрица, обладающая требуемыми физическими свойствами. Однако стандартный способ инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы может потребовать недель непрерывного осаждения для достижения приемлемой плотности и поверхность склонна уплотняться в первую очередь, приводя к образованию "герметичного покрытия", которое препятствует дальнейшей инфильтрации газа-реагента во внутренние области пористой структуры. Таким образом, эта технология, как правило, требует нескольких операций механической обработки поверхности, которые нарушают непрерывность процесса уплотнения.
В способе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при температурном градиенте пористую структуру нагревают так, чтобы создавать большие температурные градиенты, которые стимулируют осаждение в требуемой части пористой структуры. Температурные градиенты могут быть получены путем нагрева только одной поверхности пористой структуры, например путем размещения поверхности пористой структуры против стенки токоприемника, и могут быть увеличены охлаждением противоположной поверхности, например, путем размещения противоположной поверхности пористой структуры против стенки, охлаждаемой жидкостью. Осаждение матрицы связующего материала развивается от горячей поверхности к холодной поверхности. Необходимость создания температурного градиента усложняет, удорожает и затрудняет осуществление одновременного уплотнения (увеличения плотности) большого числа пористых структур.
В способе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления газ-реагент принуждают проходить через пористую структуру путем создания градиента давления от одной поверхности пористой структуры к противоположной поверхности пористой структуры. Скорость потока газа-реагента значительно больше скорости газа-реагента в изотермическом способе и способе, осуществляемом при температурном градиенте, что приводит к увеличению скорости осаждения матрицы связующего материала. Этот способ известен так же как способ инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы с "принудительным потоком". До разработки такого способа инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы одновременное уплотнение большого числа пористых структур было сложным, дорогим и трудным для осуществления. Пример способа, в котором создают градиент давления в продольном направлении вдоль пучка однонаправленных волокон, описан в работе С. Камуры, Н. Таказе, С. Касуи и Е. Язуды, "Растрескивание углеродного волокна/углеродного композиционного материала, полученного химическим осаждением из газовой фазы, " Carbon '80 (German Ceramic Society) (1980). Пример способа, в котором для уплотнения кольцеобразной стенки создают градиент давления только в радиальном направлении, описан в патентах США NN 4212906 и 4134360. Кольцеобразная пористая стенка, описанная в этих патентах, может быть образована из большого числа собранных в пакет кольцеобразных дисков (для изготовления дисковых тормозов) или может быть унитарной трубчатой конструкцией. Для толстостенных конструкционных композиционных материалов чисто радиальный градиент давления создает очень большой градиент плотности, начиная от внутренней цилиндрической поверхности до наружной цилиндрической поверхности кольцеобразной пористой стенки. Поверхность, подвергаемая воздействию высокого давления, склонна также очень быстро уплотняться, приводя к ее герметизации, что препятствует прохождению газа-реагента в области низкой плотности. Такое поведение значительно ограничивает полезность способа, осуществляемого при чисто радиальном градиенте давления.
И наконец процесс инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при пульсирующем потоке предусматривает быстрое и цикличное наполнение и откачку камеры, содержащей подогретую пористую структуру с газом-реагентом. Цикличное действие заставляет газ-реагент проникать в пористую структуру, а также удалять из пористой структуры побочные продукты разложения газа-реагента. Аппаратура для осуществления такого процесса сложна, дорога и неудобна в эксплуатации. Такой процесс очень трудно осуществлять для одновременного уплотнения большого числа пористых структур.
Многие разработчики в этой области техники комбинировали способ, осуществляемый при температурном градиенте, со способом, осуществляемым при градиенте давления, получая в результате способ, осуществляемый при температурном градиенте и при принудительном потоке. Комбинирование способов позволяет устранить недостатки, характерные для каждого отдельного способа, и дает в результате очень быстрое уплотнение пористых структур. Однако комбинирование способов увеличивает в два раза сложность, поскольку в этом случае должны быть обеспечены оборудование и технология, позволяющие создавать как температурный градиент, так и градиент давления с некоторой степенью регулирования. Способ уплотнения небольших дисков и труб, осуществляемый в соответствии с процессом при температурном градиенте и при принудительном потоке, описан в патенте США N 4580524 и в работе А.Дж. Капуто и В.Дж. Лаки, Получение армированных волокон керамических композиционных материалов путем инфильтрации газовой фазы химического вещества выполнено в OAK RIDGE NATIONAL LABORATORY для U. S. DEPARTMENT OF ENERGY по контракту N DE-AD05-840R21400 (1984). В соответствии с эти способом волокнистую заготовку располагали в водоохлаждаемой рубашке. Верхнюю часть заготовки нагревали и заставляли газ проходить через заготовку к нагретой части, где он разлагался и осаждал матрицу. Способ осаждения матрицы в трубчатой пористой структуре описан в патенте США N4895108. В соответствии с этим способом наружная цилиндрическая поверхность нагревается, а внутренняя цилиндрическая поверхность охлаждается водяной рубашкой. Газ-реагент подавали к внутренней цилиндрической поверхности. Аналогичные способы, осуществляемые при принудительном потоке и при температурном градиенте, предназначенные для получения различных изделий, описаны Т. Ханом, Ц.В. Буркландом и Б. Бустамантом в работе "Уплотнение толстых дисковых заготовок матрицей карбида кремния путем инфильтрации газовой фазы химического вещества", Ceram. Eng. Sci. Proc. 12 [9- 10] pp. 2005-2014(1991); Т.М. Бесманом, P.А. Лоуденом, Д.П. Стинтоном и Т.Л. Старром в работе "Способ быстрой инфильтрации газовой фазы керамических композиционных материалов", Journal De Physique, Colloque C5, supplement au n'5, Tome 50 (1989); Т.Д. Гульденом, Дж.Л. Кеем и К.П. Нортоном в работе "Инфильтрация газовой фазы (при принудительном потоке и при температурном градиенте) керамических матричных композиционных материалов", Proc.- Electrochemical Society (1990), 90-12 (Proc. Int.Conf.Chem.Vap. Deposition, 11th, 1990) 546-52. В каждой из этих работ описаны процессы уплотнения за один раз только одного пористого изделия, которые непрактичны для одновременной технологической обработки большого числа изделий из композиционных материалов, например тормозных дисков углерод/углерод.
Несмотря на описанные преимущества существует потребность в устройстве для осуществления улучшенных способов инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы в массовом производстве. Предпочтительно, чтобы такое устройство давало возможность одновременного уплотнения большого числа (например, сотен) отдельных пористых структур в процессе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы.
Сущность изобретения
В соответствии с аспектом настоящего изобретения заявляется подогреватель газа, предназначенный для использования в печи для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, в который подается газ-реагент из газоввода, содержащий герметичную направляющую конструкцию, расположенную в печи и имеющую впускной и выпускной каналы; и герметичную канальную структуру, расположенную в печи, уплотненную с газовводом по впускному каналу так, чтобы по существу весь газ-реагент, поступающий из газоввода, направлялся в герметичную направляющую конструкцию и проходил через нее к выпускному каналу.
В соответствии с другим аспектом настоящего изобретения заявляется способ ввода газа-реагента из газоввода в печь для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, предусматривающий подачу газа-реагента из газоввода в расположенный в печи подогреватель газа и направление газа-реагента, вводимого из газоввода во впускной канал направляющей конструкции подогревателя, через герметичную направляющую конструкцию и из выпускного канала.
В соответствии с еще одним аспектом настоящего изобретения заявляется фиксатор для уплотнения пористых структур внутри печи в процессе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления, содержащий:
пакет пористых структур, причем каждая из которых имеет сквозное отверстие;
базовую пластину, выполненную с возможностью крепления внутри печи, имеющая сквозное отверстие;
верхнюю пластину, отстоящую от базовой пластины и обращенную к ней;
распорную конструкцию, расположенную между базовой пластиной и верхней пластинами и соединенную с ними, при этом пакет пористых структур расположен между базовой пластиной и верхней пластиной, а одна из пористых пластин смежна базовой пластине, а другая - смежна верхней пластине; и,
по меньшей мере, одну кольцеобразную прокладку, расположенную в пакете пористых структур между каждой парой соседних пористых структур, причем кольцеобразные прокладки окружают отверстия соседних пористых структур; причем
базовая пластина, пакет пористых структур и, по меньшей мере, одна кольцеобразная прокладка образовывают закрытую полость, проходящую из отверстия базовой пластины, включающую в себя отверстие каждой пористой структуры и заканчивающуюся вблизи верхней пластины.
В соответствии с дополнительным аспектом настоящего изобретения является способ сборки фиксатора вместе с пористыми структурами для их уплотнения в процессе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, причем каждая пористая структура имеет сквозное отверстие, предусматривающий:
сборку множества пористых структур и кольцеобразных прокладок в пакет, причем каждую кольцеобразную прокладку располагают между каждой смежной парой пористых структур;
установку пакета пористых структур между базовой пластиной и верхней пластиной, причем базовая пластина имеет сквозное отверстие, при этом базовая пластина, пакет пористых структур и, по меньшей мере, одна кольцеобразная прокладка образовывают закрытую полость, проходящую от отверстия базовой пластины, включающую в себя отверстие каждой пористой структуры и заканчивающуюся вблизи верхней пластины;
установку распорной конструкции вокруг пакета пористых структур между базовой пластиной и верхней пластиной, причем распорная конструкция соединяется с базовой и верхней пластинами.
Перечень фигур чертежей
Фиг. 1 - схематическое сечение печи для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, имеющей устройство, соответствующее аспекту настоящего изобретения.
Фиг. 2 - изометрическое изображение подогревателя, соответствующего аспекту настоящего изобретения.
Фиг. 3 - сечение по линии 3-3, показанной на фиг. 2.
Фиг. 4 - изометрическое изображение другого подогревателя, соответствующего аспекту настоящего изобретения.
Фиг. 5 - вид сверху на подогреватель, показанный на фиг. 4.
Фиг. 6 - сечение по линии 6-6, показанной на фиг. 5.
Фиг. 7 - часть вида сбоку на подогреватель, показанный на фиг. 4.
Фиг. 8 - подробное изображение смежной пары перфорированных пластин.
Фиг. 9 - фиксатор с пакетом пористых структур, соответствующий аспекту настоящего изобретения.
Фиг. 10 - сечение по линии 10-10, показанной на фиг. 9.
Фиг. 11 - сечение по линии 11-11, показанной на фиг. 10.
Фиг. 12A-15B - компоновка уплотнения, соответствующая аспектам настоящего изобретения.
Фиг. 16 - способ и устройство для регулирования высоты пакета.
Фиг. 17 - альтернативные способ и устройство для регулирования высоты пакета.
Фиг. 18 - способ и устройство для регулирования высоты распорной конструкции.
Фиг. 19A - иллюстрирует способ сборки фиксатора, соответствующего аспекту настоящего изобретения.
Фиг. 19B - иллюстрирует способ сборки фиксатора, соответствующего аспекту настоящего изобретения.
Фиг. 20 - альтернативный фиксатор с пористой структурой, соответствующий аспекту настоящего изобретения.
Фиг. 21 - альтернативный фиксатор с пористой структурой, соответствующий аспекту настоящего изобретения.
Фиг. 22 - альтернативный фиксатор с пористой структурой, соответствующий аспекту настоящего изобретения, имеющий чередующиеся уплотнения по внутреннему диаметру и по наружному диаметру.
Фиг. 23 - альтернативный фиксатор с пористой структурой, соответствующий аспекту настоящего изобретения, имеющий все уплотнения по внутреннему диаметру.
Фиг. 24 - плоская крышка, имеющая набор перфораций, для использования с подогревателем, соответствующим аспекту настоящего изобретения.
Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения
Настоящее изобретение и различные варианты его осуществления представлены на фиг. 1-2, где аналогичные элементы указаны аналогичными ссылочными номерами и сопроводительным описанием. Используемое в этой заявке выражение "стандартный процесс инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы" относится к описанному выше способу изотермической инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы. Выражение "процесс инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления" относится к описанному выше способу инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления или к способу, осуществляемому при принудительном потоке, и предназначен для замены описанных выше способов, осуществляемых при температурном градиенте и при температурном градиенте и при принудительном потоке до той степени, в которой в этих способах используют преднамеренно создаваемый температурный градиент, который оказывает влияние на процесс осаждения.
На фиг. 1 приведено схематическое изображение печи 10 для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, имеющей подогреватель 50 газа, соответствующий аспекту настоящего изобретения. Печь 10 имеет кожух 13 печи, который определяет внутреннюю поверхность 12. Внутренняя поверхность 12 образует объем 14 печи. В печь 10 поступает газ-реагент из газоввода 16, как показано стрелкой 24. Подогреватель 50 расположен в печи 10 вместе с некоторым количеством пористых структур 22. Пористые структуры 22 поддерживаются фиксаторами (не показано), которые размещают пористые структуры с зазором в объеме печи. Приемлемые фиксаторы для уплотнения пористых структур с помощью стандартного процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы очень хорошо известны в этой области техники, причем для использования с подогревателем 50 может быть использован любой из них. В соответствии с другим аспектом настоящего изобретения фиксаторы могут быть специально приспособлены для уплотнения пористых структур 22 с помощью процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления, как будет более подробно описано со ссылкой на фиг. 9-24. Печь 10 может быть нагрета посредством индукционного нагрева, резистивного нагрева, СВЧ-нагрева или любым эквивалентным способом, известным в этой области техники. В соответствии с предпочтительным вариантом осуществления печь 10 имеет индукционный нагрев и содержит токоприемник 30, расположенный в печи 10. Токоприемник 30 предпочтительно содержит, как правило, цилиндрическую стенку 464 и основание 18. Первый индуктор 466, второй индуктор 468 и третий индуктор 470 окружают стенку 464 токоприемника. Между стенкой 464 токоприемника и индукторами 466, 468 и 470 расположен слой 31 изоляции. Токоприемник 30 имеет внутреннюю поверхность 86, которая ограничивает объем 88 реактора, находящийся в объеме 14 печи. Пористые структуры расположены в объеме 88 реактора и нагреваются главным образом излучением из токоприемника 30.
В подогреватель 50 подается газ и там повышается его температура перед вводом в остальной объем 88 реактора. Подогреватель 50 содержит герметичную направляющую конструкцию 58 и герметичную канальную структуру 52. Герметичная структура 58 имеет впускной 54 и выпускной 56 каналы. Герметичная канальная структура 52 уплотнена с газовводом 16 по впускному каналу 54 направляющей конструкции так, чтобы по существу весь газ-реагент, поступающий из газоввода, направлялся по герметичной направляющей конструкции 58 и проходил через нее к выпускному каналу 56, как показано стрелками 36. На практике подогреватель 50 может быть нагрет до температуры более 926,7oC (1700oF). При таких высоких температурах трудно сохранять хорошие уплотнения. Небольшая утечка допустима и ее трудно избежать. Выражение "по существу весь газ" предусматривает разрешение небольших утечек. По меньшей мере, 90% газа, а более предпочтительно 95% газа, проходит через направляющую конструкцию 58. Направляющая конструкция 58 может содержать набор стержней, трубок, перфорированных пластин или эквивалентную конструкцию для рассеивания потока и увеличения конвективной теплопередачи от направляющей конструкции 58 газу-реагенту.
После попадания в объем 88 реактора газ проходит вокруг и через пористые структуры 22 и выходит из объема 14 печи через выпускную трубу 32, как указано стрелкой 28. Газ проходит через пористые структуры 22 и осаждает матрицу связующего материала в каждой пористой структуре 22. Различные аспекты настоящего изобретения могут быть использованы для осаждения любого типа матрицы, осаждаемой с помощью инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, включая, но без ограничения приведенными матрицами, углеродную или керамическую матрицу, осажденную в пористых структурах 22 на основе углерода или керамики. Настоящее изобретение особенно полезно для осаждения углеродной матрицы в пористой структуре на основе углерода и особенно для получения композиционных структур углерод/углерод, например авиационных тормозных дисков. В соответствии с предпочтительным вариантом выполнения плоская крышка 60 расположена поверх выпускного канала 56 направляющей конструкции и имеет, по меньшей мере, одно отверстие 64. Плоская крышка предпочтительно уплотнена по выпускному каналу 56 направляющей конструкции так, чтобы по существу весь газ из выпускного канала 56 направлялся через, по меньшей мере, одно отверстие 64.
На фиг. 2 показан подогреватель 500, соответствующий предпочтительному варианту выполнения подогревателя. Подогреватель 500 содержит герметичную канальную структуру 502 и герметичную направляющую конструкцию 508. Герметичная канальная структура 502 опирается на основание 18 токоприемника и содержит элементы 516, 518, 520, 522 и 524, которые образуют уплотненные соединения 526, 528, 530, 532 и 534. Уплотненные соединения 526, 528, 530, 532 и 534 могут содержать эластичные уплотнительные прокладки и/или отверждаемый жидкий адгезивный или уплотнительный материал. На фиг. 3 показано сечение подогревателя 500 по линии 3- 3, показанной на фиг. 2. Герметичная направляющая конструкция 508 предпочтительно опирается на герметичную канальную структуру 502. Элементы 516, 518, 520 и 522 могут быть предусмотрены с уступами, например с уступами 536 и 538, которые контактируют с направляющей конструкцией 508. Газоввод 16 может быть уплотнен с нижним элементом 524. В соответствии с предпочтительным вариантом выполнения, герметичная направляющая конструкция 508 содержит разнесенные параллельные перфорированные пластины 540. Нижняя перфорированная пластина 540 содержит впускной канал 504 направляющей конструкции, а верхняя перфорированная пластина 540 содержит выпускной канал 506 направляющей конструкции. Каждая перфорированная пластина 540 имеет набор перфораций 542, причем набор перфораций 542 одной перфорированной пластины 540 не совмещен с набором перфораций 542 смежной перфорированной пластины 540. Направляющая конструкция 508 предпочтительно содержит матрицу собранных в пакет смежных перфорированных пластин 540, который определяет периметр 544 перфорированных пластин (показанный жирной черной линией). Первые эластичные уплотнительные прокладки 546 расположены по периметру 544 перфорированной пластины между каждой парой смежных перфорированных пластин 540 и служат для двух целей: для уплотнения перфорированных пластин 540 и для установления зазора между ними. Вторая эластичная уплотнительная прокладка 548 расположена между уступами 536 и 538 и герметичной направляющей конструкцией 508. Газ подается в подогреватель через газоввод 16, как указано стрелкой 24. Герметичная канальная структура 502 позволяет газу расширяться и рассеиваться, как показано стрелкой 550, и направляет газ во впускной канал 504 направляющей конструкции. По существу весь газ рассеивается через направляющую конструкцию 508 и выходит из выпускного канала 506, как показано стрелками 552. Как видно из фиг. 2, плоская крышка 510 может быть расположена поверх выпускного канала 508 направляющей конструкции и иметь, по меньшей мере, одно отверстие 514. Плоская крышка 510 предпочтительно уплотнена по выпускному каналу 508 так, чтобы по существу весь газ из выпускного канала 508 направлялся через, по меньшей мере, одно отверстие 514. Это может быть осуществлено удлинением герметичной канальной структуры на некоторое расстояние выше выпускного канала направляющей конструкции и размещением эластичной уплотнительной прокладки между плоской крышкой 510 и герметичной структурой 502.
На фиг. 4 показан подогреватель 100, который является предпочтительным вариантом выполнения подогревателя. Подогреватель 100 содержит герметичную канальную структуру 102 и герметичную направляющую конструкцию 108, расположенные в печи 10. В подогреватель 100 поступает газ из газоввода 16 (фиг. 1). В этом примере герметичная направляющая конструкция 108 содержит ряд разнесенных перфорированных пластин 128 и 129, включающих в себя нижнюю перфорированную пластину, содержащую впускной канал 104 направляющей конструкции, и верхнюю перфорированную пластину, содержащую выпускной канал 106 направляющей конструкции. Герметичная канальная структура 102 уплотнена с газовводом 16 (фиг. 1) по впускному каналу 104 направляющей конструкции так, чтобы по существу весь газ-реагент, поступающий из газоввода, направлялся в герметичную направляющую конструкцию 108 и проходил через нее в выпускной канал направляющей конструкции. Герметичная канальная структура 102 и герметичная направляющая конструкция 108 уплотнены друг с другом так, чтобы газ проходил через герметичную направляющую конструкцию 108 перед прохождением в остальной объем 88 реактора (фиг. 1). В представленном варианте выполнения герметичная канальная структура 102 уплотнена с основанием 18 токоприемника для предотвращения утечки газа из подогревателя 100 в объем 88 реактора без прохождения через герметичную направляющую конструкцию 108. По существу весь газ, вводимый в структуру 102 из газоввода 16, проходит в герметичную направляющую конструкцию 108.
В соответствии с предпочтительным вариантом выполнения герметичная канальная структура 102 содержит, по меньшей мере, два элемента, которые образуют уплотненные соединения. Этими элементами подогревателя 100, показанного на фиг. 4, являются опорные элементы 119, 120 и 121, верхнее кольцо 122 и нижнее кольцо 123, которые вместе образуют несколько герметичных стыков 124, 125, 166, 168, 170, 172 и 174. Опорные элементы 119, 120 и 121 и нижнее кольцо 123 предпочтительно поддерживают герметичную направляющую конструкцию 108. Стыки 166, 168, 170, 172 и 174 предпочтительно уплотнены с помощью жидкого адгезива, который затем отверждают. Стыки 124 и 125 соединений между верхним кольцом 122 и нижним кольцом 123 и герметичной направляющей конструкцией 108 предпочтительно уплотнены с помощью эластичных уплотнительных прокладок 126 и 138, как показано на фиг. 6. Стыки 166 и 174 между верхним кольцом 122 и опорными элементами 119 и 121 предпочтительно уплотнены с помощью эластичной уплотнительной прокладки 176, как показано на фиг. 7. Стык 172 соединения между нижним кольцом 123 и опорным элементом 121 предпочтительно уплотнен с помощью эластичного уплотнения 178, как показано на фиг. 7 (аналогичная уплотнительная прокладка предусмотрена между нижним кольцом 123 и опорным элементом 119). Как показано на фиг. 6, уплотнение между герметичной канальной структурой 102 и основанием 18 токоприемника может осуществляться эластичной уплотнительной прокладкой 118, расположенной по периметру структуры 102 у основания 18 токоприемника. Конкретно уплотнительная прокладка 118 может быть расположена между нижним кольцом и основанием 18 токоприемника и между опорными элементами 119, 120 и 121 и основанием 18 токоприемника. Жидкий адгезив может быть использован для улучшения уплотнения. Эластичный материал податливой уплотнительной прокладки особенно пригоден, поскольку он поглощает деформацию, возникающую в результате теплового расширения различных элементов герметичной канальной структуры 102.
Как показано на фиг. 4, плоская крышка 110 предпочтительно прилегает к герметичной структуре 102 и расположена поверх выпускного канала 106 направляющей конструкции. Плоская крышка 110 предназначена для поддерживания фиксаторов пористых структур. Она выполнена с возможностью применения в процессе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления и имеет отверстия 114 и 116. На фиг. 24 показана альтернативная плоская крышка 152, имеющая набор перфораций 153 и выполненная с возможностью применения в стандартном процессе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, где требуется по существу равномерное рассеивание газа по объему 88 реактора. Подогреватель, соответствующий настоящему изобретению, может быть равным образом использован как со стандартным процессом инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, так и с процессом инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления. Фиксаторы, которые удерживают пористые структуры 22, предпочтительно опираются на плоские крышки 110 или 152. Как также показано на фиг. 4, плоская крышка 110 предпочтительно уплотнена с выпускным каналом 106 направляющей конструкции. Таким образом, по существу весь газ из выпускного канала 106 направляющей конструкции направляется в отверстия 114 и 116. Плоская крышка 110 может быть уплотнена с герметичной канальной структурой 102 путем размещения эластичной уплотнительной прокладки 111 в соединении между структурой 102 и плоской крышкой 110, как показано на фиг. 5 и фиг. 6. В этом случае структура 102 выступает над герметичной направляющей конструкцией 108.
Как следует из фиг. 4, герметичная направляющая конструкция 108 содержит, по меньшей мере, одну перфорированную пластину 128. В соответствии с предпочтительным вариантом выполнения предусмотрено некоторое количество пластин 128 и 129, параллельных и разнесенных относительно друг друга. В соответствии с более предпочтительным вариантом выполнения пластины 128 и 129 являются смежными и расположены в пакете, который определяет периметр 132 направляющей конструкции (показанный на фиг. 5 и фиг. 6 жирной линией). Каждая пластина 128 герметичной направляющей конструкции содержит набор перфораций 130, причем набор перфораций 130 одной перфорированной пластины 128 не совмещен с набором перфораций 131 смежной перфорированной пластины 129, как показано на фиг. 8. Каждая перфорация пластины 128 предпочтительно окружена четырьмя перфорациями смежной пластины 129 и находится от них на одном расстоянии. Аналогичным образом каждая перфорация пластины 129 предпочтительно окружена четырьмя перфорациями смежной пластины 128 и находится от них на одном расстоянии. Как также следует из фиг. 4, по периметру 132 направляющей конструкции выполнено уплотнение и он образован наружными плоскими поверхностями каждой перфорированной пластины 128 и 129. По периметру 132 направляющая конструкция предпочтительно уплотнена путем размещения эластичной уплотнительной прокладки 134 по периметру 132 между каждой парой смежных перфорированных пластин 128 и 129, как показано на фиг. 5-7. Эластичная уплотнительная прокладка 134 служит для двух целей: уплотнению по периметру 132 и созданию зазора между отдельными перфорированными пластинами 128 и 129. Как показано на фиг. 6, часть 109 герметичной направляющей конструкции 108 расположена в непосредственной близости к стенке 464 токоприемника. Такое расположение значительно облегчает теплопередачу излучением от стенки 464 токоприемника непосредственно перфорированным пластинам 128 и 129. Вдоль пластин 128 и 129 тепло передается благодаря теплопроводности, а газу - принудительной конвекцией.
Как показано на фиг. 4, 6 и 7, герметичная канальная структура 102 предпочтительно имеет уступ 136, на который опирается указанная герметичная направляющая конструкция 108. В представленном варианте выполнения опорные элементы 119, 120 и 121 образовывают уступ в сочетании с нижним кольцом 123. Эластичная уплотнительная прокладка 138 расположена между уступом 136 и герметичной направляющей конструкцией 108, обеспечивая в соответствии с этим уплотнение между герметичной направляющей конструкцией 108 и канальной структурой 102. Как следует из фиг. 6, могут быть предусмотрены стойки 140, которые дополнительно поддерживают герметичную направляющую конструкцию 108. Каждая стойка 140 содержит утолщенную часть 142, которая определяет опорную поверхность 144. Каждая стойка 140 имеет резьбовое отверстие 146 в части стойки, которая проходит выше герметичной направляющей конструкции 108. В каждое резьбовое отверстие может быть ввинчен рым-болт, к которому может быть прикреплено соответствующее грузозахватное приспособление для подъема и перемещения герметичной направляющей конструкции 108. Подогреватель 100 газа собран путем точной установки опорных элементов 119, 120 и 121 и нижнего кольца 123 на основание 18 с соответствующими уплотнениями, как было указано выше. Герметичную направляющую конструкцию 108 затем монтируют на стойках с соответствующими уплотнениями и затем опускают в печь 10 и в контакт с уступом 136. После этого устанавливают верхнее кольцо 122 с соответствующими уплотнительными прокладками и адгезивом на верхней части направляющей конструкции 108. Плоскую крышку 110 или 152 опускают в печь 10 и устанавливают в контакте с герметичной канальной структурой 102. Плоская крышка 110 или 152 может быть предусмотрена с резьбовыми отверстиями 113, в которые могут быть установлены рым-болты. Для подъема и перемещения герметичной направляющей конструкции 108 и плоской крышки 110 или 152 к рым-болтам может быть прикреплено приемлемое грузозахватное приспособление. Стойки 140 могут обеспечивать дополнительную опору для плоской крышки 110 или 152, как показано на соответствующих чертежах. Как показано на фиг. 6, клиновидный элемент 148 может быть расположен между стенкой 464 токоприемника и герметичной структурой 102 для того, чтобы предотвращать перемещение верхнего и нижнего колец 122 и 123 от опорных элементов 119 и 121.
Различные элементы подогревателей 50, 100 и 500 предпочтительно выполнены из монолитного графита. Графитный цемент может быть использован в качестве жидкого адгезива там, где необходимо создавать или увеличивать уплотнения. Различные уплотнительные прокладки могут быть изготовлены из гибкого графита, например из гибкого листового графита семейства EGC Thermafoil или Thermabraid, и ленточных герметиков, поставляемых из EGC Enterprises Incorporated, Mentor, Clevelend. Ohio, U.S.A. Совместимые материалы могут быть поставлены из UCAR Carbon Company Inc., Clevelend, Ohio, U.S.A.
Процесс ввода газа из газоввода в печь для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, соответствующий аспекту настоящего изобретения, представлен на фиг. 6. Процесс начинается подачей газа из газоввода 16 в герметичную канальную структуру, как показано стрелками 24 и 34. Газоввод 16 предпочтительно имеет ветви 17 и 19, которые распределяют газ в герметичном структуре 102 перед входом в герметичную направляющую конструкцию 108. Затем по существу весь газ, поступающий из газоввода 16, направляется во впускной канал 104 направляющей конструкции, через герметичную направляющую конструкцию 108 и из выпускного канала 106 направляющей конструкции. Газ проходит через герметичную направляющую конструкцию 108 прежде, чем он достигает остального объема 88 реактора, благодаря герметичной конструкции подогревателя, как было описано выше. Таким образом, газ не может проходить непосредственно в объем реактора 88, т.к. он должен сначала пройти через герметичную направляющую конструкцию 108. В соответствии с предпочтительным вариантом выполнения газ проходит вперед и в сторону в герметичной направляющей конструкции 108 между несколькими перфорированными пластинами 128 и 129, как показано стрелками 36. Благодаря этому увеличивается конвекция тепла от перфорированных пластин 128 и 129 к газу и улучшается эффективность нагрева. При использовании процесса инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления плоская крышка 110 направляет поток газа из выпускного канала 106 направляющей конструкции через отверстие 114, как показано стрелкой 29. В плоской крышке 110, как показано на фиг. 4, может быть предусмотрено более чем одно отверстие. В соответствии с определенным вариантом выполнения поток газа-реагента 900 куб.футов в час (25485 дм3/ч) входит в подогреватель 100 при температуре приблизительно 426,7oC (800oF) и давлении в объеме реактора приблизительно 10 мм рт.ст. и выходит из подогревателя 100 через одно из отверстий 114 или 116 плоской крышки при температуре приблизительно 954,4-982,2oC (1750-1800oF) при времени пребывания в подогревателе приблизительно 0,06-0,07 с. Время пребывания газа-реагента в подогревателе, соответствующем настоящему изобретению, приблизительно находится в диапазоне 0,05-0,10 с.
Как следует из фиг. 1, если печь 10 имеет, по меньшей мере, второй газоввод 20, может быть предусмотрен, по меньшей мере, второй подогреватель 70 газа. Газ-реагент вводят в печь 10 через второй газоввод 20, как показано стрелкой 26. Так же как подогреватель 50 во втором подогревателе 70 повышается температура газа перед введением газа в остальной объем 88 реактора. Второй подогреватель 70 содержит вторую герметичную направляющую конструкцию 78 и вторую герметичную канальную структуру 72. Вторая направляющая конструкция 78 содержит впускной канал 74 и выпускной канал 76. Вторая герметичная канальная структура 72 уплотнена со вторым газовводом 20 по впускному каналу 74 второй направляющей конструкции так, чтобы по существу весь газ-реагент, поступающий из второго газоввода, направлялся к выпускному каналу 76 второй направляющей конструкции и проходил через него, как показано стрелками 37. Вторая направляющая конструкция 78 нагрета до более высокой температуры, чем газ-реагент впускного канала 74, и увеличивает температуру газа-реагента перед входом в остальной объем 88 реактора через выпускной канал 76 второй направляющей конструкции. После входа в объем 88 реактора газ проходит вокруг или через пористые структуры и выходит из объема 14 печи через выпускную трубу 32, как показано стрелкой 28. В соответствии с предпочтительным вариантом осуществления плоская крышка 80 расположена поверх выпускного канала 76 второй направляющей конструкции и имеет, по меньшей мере, одно отверстие 84. Плоская крышка предпочтительно уплотнена по выпускному каналу 76 второй направляющей конструкции так, чтобы по существу весь газ из выпускного канала 76 второй направляющей конструкции направлялся через, по меньшей мере, одно отверстие 84. Подогреватель 50 и второй подогреватель 70 предпочтительно изолированы друг от друга для того, чтобы препятствовать газопередаче между смежными подогревателями. Третий и дополнительный подогреватели могут быть расположены в разных местах в печи 10, причем они по существу аналогичны подогревателю 50 и второму подогревателю 70.
Дополнительные подогреватели могут быть расположены смежно подогревателю 100, а отдельные герметичные канальные структуры могут разделять конструкцию, расположенную между смежными подогревателями. Если печь является цилиндрической, наружные подогреватели могут иметь форму дугообразных сегментов, расположенных вокруг одного подогревателя многоугольной формы, расположенного в центре основания печи. Центральный подогреватель может иметь квадратную форму. Для каждой герметичной структуры могут быть предусмотрены отдельные газовводы.
Как также следует из фиг. 1, температуру первого газа потока газа-реагента измеряют вблизи выпускного канала 56 направляющей конструкции с помощью первого температурного датчика 490. Для достижения требуемой температуры газа может быть отрегулирована температура подогревателя путем увеличения или уменьшения нагрева подогревателя 50. Как следует из фиг. 1, стенка 464 токоприемника состоит из первой части 467 стенки токоприемника, второй части 469 и третьей части 471. Первый индуктор 466 индуктивно связан с первой частью 467 стенки токоприемника так, чтобы преобразовывать электрическую энергию первого индуктора 466 в тепловую энергию в первой части 467 стенки токоприемника. Аналогичные соображения относятся ко второй части 469 стенки токоприемника и второму индуктору 468, а также к третьей части 471 стенки токоприемника и к третьему индуктору 470. Подогреватель 50 нагрет главным образом тепловой энергией излучения от первой части 467 стенки токоприемника, которая смежна первому индуктору 466. Таким образом температура первого подогревателя может быть отрегулирована путем регулирования электрической мощности, подаваемой к первому индуктору 466. Электрическая мощность, подаваемая ко второму индуктору 468 и к третьему индуктору 470, может быть отрегулирована необходимым образом для поддержания требуемого температурного профиля пористой структуры по высоте печи. Первый подогреватель 50 предпочтительно расположен вблизи первой части 467 стенки токоприемника, что улучшает передачу тепловой энергии излучением. Температура, измеряемая первым температурным датчиком 490, может быть передана контроллеру 415 по линии 494 передачи данных измерения первого температурного датчика. Контроллер имеет необходимое ручное или автоматическое регулирование мощности, подаваемой к первому индуктору 466 для достижения требуемой температуры газового потока, когда он выходит из выпускного канала 56 направляющей конструкции. Второй температурный датчик 492 может быть аналогичным образом предусмотрен для измерения газа, выходящего из выпускного канала 76 второй направляющей конструкции. Температура, измеряемая вторым температурным датчиком 492, может быть передана контроллеру 415 по линии 496 передачи данных измерения второго температурного датчика. Как было описано выше, могут быть предусмотрены дополнительные подогреватели, окруженные другими подогревателями, которые находятся вблизи стенки 464 токоприемника и которые будут блокировать передачу тепловой энергии излучением к центральному подогревателю. В таком случае центральный подогреватель нагревается главным образом благодаря теплопроводности от смежных подогревателей, которые нагреты излучением. Таким образом, центральный подогреватель косвенно нагревается излучением от стенки токоприемника, а температура центрального подогревателя может регулироваться путем изменения электрической мощности, подаваемой к первому индуктору 466. Подогреватели могут также иметь резистивный нагрев, который позволит прямое регулирование тепловой энергии, подаваемой к каждому подогревателю. Представляется, что такие изменения соответствуют настоящему изобретению.
На фиг. 9 показан фиксатор 200 с пористыми структурами 22, предназначенными для уплотнения в печи для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления. Пористые структуры 22 собраны в пакет 202. Фиксатор содержит базовую пластину 204, распорную конструкцию 206 и верхнюю пластину 208. Верхняя пластина 208 может иметь отверстие 210, которое уплотнено плоской крышкой 212 с грузом 214. При таком устройстве уплотнение 213 плоской крышки предпочтительно расположено между плоской крышкой 212 и верхней пластиной 208 и окружает отверстие 210 верхней пластины. Каждая пористая структура 22 имеет отверстие 23. Фиксатор 200 с пористыми структурами 22 может быть расположен в объеме 88 реактора печи 10 для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы (фиг. 1). На фиг. 10 представлено сечение фиксатора 200 по линии 10 -10, показанной на фиг. 9. Базовая пластина 204 выполнена с возможностью крепления внутри печи 10 для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы (фиг. 1) к плоской крышке 110, которая предпочтительно уплотнена с подогревателем, например с подогревателем 100, как показано на фиг. 6. Из фиг. 10 также следует, что базовая пластина 204 имеет отверстие 216, сообщающееся с отверстием 114 или 116 плоской крышки. Базовая пластина предпочтительно установлена с помощью конических штырей 226, расположенных в сопряженных отверстиях 228 для конических штырей в плоской крышке 110. Базовая пластина 204 имеет сопряженные конические отверстия 230, которые совмещены с коническими штырями 226. Такое устройство облегчает совмещение отверстия 216 базовой пластины с отверстием 114 или 116 плоской крышки. Базовая пластина 204 предпочтительно уплотнена с отверстием 114 или 116 плоской крышки и для этой цели между ними может быть установлена эластичная уплотнительная прокладка. Фиксатор 200 может быть также использован аналогичным образом с другими герметичными подогревателями, включая подогреватель 500 (фиг. 2 и фиг. 3).
Верхняя пластина 208 отстоит от базовой пластины 204 и обращена к ней. Распорная конструкция 206 расположена между базовой пластиной 204 и верхней пластиной 208 и соединена с ними. В представленном варианте выполнения распорная конструкция содержит распорные стойки 218, расположенные вокруг пакета пористых структур, проходящие между базовой пластиной 204 и верхней пластиной 208. Каждая стойка 218 имеет штыри 220 на каждом торце, которые установлены в сопряженных отверстиях 224 в базовой пластине 204 и верхней пластине 208. Распорная конструкция 206 предпочтительно содержит, по меньшей мере, три стойки 218. Распорная конструкция 206 может быть также выполнена как один элемент, например, в виде перфорированного цилиндра или эквивалентной конструкции, а также возможны другие устройства для соединения базовой пластины 204 и верхней пластины 208, причем представляется, что любое из них соответствует настоящему изобретению.
Пакет 202 пористых структур расположен между базовой пластиной 204 и верхней пластиной 208, причем одна из пористых структур 22 расположена смежно базовой пластине 204, а другая пористая структура 22 - смежно верхней пластине 208. Между каждой парой соседних пористых структур 22 в пакете 202 расположена, по меньшей мере, одна кольцеобразная прокладка 234. Кольцеобразная прокладка 234 окружает соседние отверстия 23 пористых структур. По меньшей мере, одна из кольцеобразных прокладок 234 предпочтительно расположена между базовой пластиной 204 и смежной ей пористой структурой 22 и, по меньшей мере, одна из кольцеобразных прокладок 234 предпочтительно расположена между верхней пластиной 208 и смежной ей пористой структурой 22. Кольцевые конструкции, аналогичные кольцеобразным прокладкам 234, смежным базовой пластине 204 и верхней пластине 208, могут быть также образованы непосредственно в базовой пластине 204 и в верхней пластине 208, что исключает необходимость этих кольцеобразных прокладок. Базовая пластина 204, пакет 202 пористых структур и, по меньшей мере, одна кольцеобразная прокладка 234 образовывают закрытую полость 236, проходящую от отверстия 216 базовой пластины, включающую в себя каждое отверстие 23 пористых структур и заканчивающуюся вблизи верхней пластины 208. Плоская крышка 212 и уплотнение 213 плоской крышки закрывают закрытую полость 236, если верхняя пластина 208 имеет отверстие 210 на верхней части пакета 202.
Фиксатор 200 особенно пригоден для использования с процессом инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления, но может также найти применение с описанным выше процессом инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при температурном градиенте и принудительном потоке с использованием соответствующих водоохлаждаемых рубашек. Как показано на фиг. 10, газ в закрытую полость 236 входит через отверстие 114 или 116 плоской крышки, как показано стрелкой 29. Поток образуется благодаря перепаду давления между объемом 88 реактора (фиг. 1) и закрытой полостью 236. Газ проходит через полость 236 в направлении стрелки 242, в каждую пористую структуру, как показано стрелками 244, а из каждой пористой структуры, как показано стрелками 246, после чего он выходит из объема 14 печи через выпускную трубу 32 в направлении стрелки 28 (см. фиг. 1). Принудительное рассеивание или распределение газа через пористые структуры 22 предпочтительно создают уменьшением давления в объеме 14 печи и объеме 88 реактора до вакуумного давления и подачей газа-реагента при более высоком давлении в закрытую полость 236 через герметичную конструкцию подогревателя, как описано выше, что создает градиент давления на пористой структуре. Каждая кольцеобразная пористая структура 22 имеет площадь 238 поверхности (указанную на фиг. 10 и фиг. 11 жирной линией). Часть площади 238 поверхности закрыта кольцеобразными прокладками и не открыта для прохождения газа, когда он входит или выходит из пористой структуры 22. Предпочтительно, чтобы большая часть (по меньшей мере, 50%) площади 238 поверхности каждой пористой структуры 22 была открыта для газа, когда он входит и выходит из пористой структуры 22. Предпочтительно, чтобы площадь 238 поверхности была как можно больше открыта. На практике пористые структуры 22 и кольцеобразные прокладки могут иметь различные формы, например эллиптическую, квадратную, многоугольную и так далее, каждая из которых, как представляется, соответствует настоящему изобретению. Однако пористые структуры 22, предназначенные для изготовления авиационных тормозных дисков, предпочтительно имеют кольцеобразную форму с двумя плоскими противоположными поверхностями. Таким образом, как следует из фиг. 10, пакет 202 кольцеобразных пористых структур с фиксатором 200 образуют кольцеобразную пористую стенку 240, причем газ-реагент впускают в печь для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы и выпускают из нее на противоположных сторонах кольцеобразной пористой стенки.
На фиг. 11 представлено сечение по линии 11-11, показанной на фиг. 10. В соответствии с предпочтительным вариантом выполнения отверстие 23 каждой пористой структуры имеет внутренний диаметр 42, а каждая кольцеобразная прокладка имеет внутренний диаметр 235, причем внутренний диаметр 42 каждой пористой структуры меньше внутреннего диаметра 235 прокладки. Более предпочтительно, чтобы пористая структура 22 имела наружный диаметр 44, а внутренний диаметр 235 прокладки был немного меньше наружного диаметра 44 пористой структуры для того, чтобы открывать как можно большую площадь поверхности пористой структуры для прохождения газа-реагента. В таком случае кольцеобразная прокладка 234, как правило, смежна наружному диаметру 44 пористой структуры. Отличие внутреннего диаметра 235 прокладки и наружного диаметра пористой структуры должно быть достаточно большим для облегчения сборки, но в то же время должно быть небольшим для минимизации эксплуатационных усилий между кольцеобразной прокладкой и пористой структурой 22 в процессе уплотнения. Наружный диаметр 233 прокладки предпочтительно достаточно велик, чтобы облегчить удаление кольцеобразной прокладки 234 после процесса уплотнения, в то же время - достаточно небольшим, чтобы максимально использовать пространство печи. В соответствии с определенным вариантом выполнения наружный диаметр 233 прокладки составляет приблизительно 21,9 дюймов (556,26 мм), а внутренний диаметр 235 прокладки составляет 19,9 дюймов (505,46 мм) для обработки кольцеобразных пористых структур 22, имеющих наружный диаметр приблизительно 21 дюймов (533,4 мм). Кольцеобразные прокладки предпочтительно имеют толщину, по меньшей мере, 0,25 дюйма (6,35 мм).
На фиг. 14A и фиг. 14B приведено подробное изображение кольцеобразной прокладки 234 и как она расположена между парой соседних пористых структур 22. Каждая кольцеобразная прокладка 234 имеет две, как правило, две параллельные стороны 252 и 254, отстоящие друг от друга и обращенные к соседним пористым структурам 22. Если пористые структуры 22 являются податливыми, то соседние пористые структуры 22 могут быть прижаты к кольцу, как показано стрелками 250, которое немного деформирует пористые структуры 22 и создает уплотнение. Прижатие соседних пористых структур к кольцеобразной прокладке 234 уплотняет каждую пористую структуру и предотвращает утечку газа в объем реактора без прохождения через пористую структуру 22. Кольцеобразные прокладки 234, имеющие гладкие стороны 252 и 254, на которые нанесены плотные покрытия пиролитического углерода, являются отделяемыми от пористых структур 22 после осуществления процесса уплотнения. В соответствии с предпочтительным вариантом выполнения кольцеобразную прокладку 234 получают механической обработкой из монолитного графита, причем стороны 252 и 254 кольцеобразной прокладки имеют максимальную шероховатость поверхности 125 микродюймов (0,0032 мм) "RMS". Это было неожиданно, поскольку исключает необходимость в уплотнениях между прокладкой и пористыми структурами и значительно упрощает сборку пакета.
На фиг. 15A и фиг. 15B приведен альтернативный вариант выполнения кольцеобразной прокладки 234. В этом варианте, по меньшей мере, одно кольцеобразное эластичное уплотнение 256 и 258 расположено смежно каждой стороны 252 и 254 прокладки и каждое уплотнение 256 и 258 прижато к соседним пористым структурам 22, как показано стрелками 250, что деформирует эластичные уплотнения 256 и 258 кольцеобразной прокладки 234 и образует уплотнение. Этот вариант выполнения является предпочтительным, если пористые структуры 22 не являются податливыми (например, уже частично уплотненными) и прижатие пористых структур 22 к кольцеобразной прокладке 234, как показано на фиг. 14A и фиг. 14B, не дает достаточного уплотнения.
На фиг. 12A и фиг. 12B приведено подробное изображение кольцеобразной прокладки 234 смежной либо базовой пластине 204, либо верхней пластине 208. Верхняя пластина 208, базовая пластина 204 и кольцеобразная прокладка выполнены из неподатливого материала. По этой причине кольцеобразное эластичное уплотнение 260 расположено между кольцеобразной прокладкой 234 и верхней пластиной 208 или нижней пластиной 204. Если пористая структура 22 является податливой, она может быть прижата к кольцеобразной прокладке 234, как показано стрелками 250, что деформирует пористую структуру 22 и создает уплотнение. Прижатие пористой структуры 22 к кольцеобразной прокладке 234 эффективно предотвращает утечку газа из закрытой полости 236 в объем реактора без прохождения через пористую структуру 22. На фиг. 13A и фиг. 13B приведен альтернативный вариант выполнения. Этот вариант является предпочтительным, если пористая структура 22 является относительно жесткой и неподатливой. Дополнительное кольцеобразное эластичное уплотнение 262 расположено между кольцеобразной прокладкой 234 и пористой структурой 22 и впоследствии подвергается сжатию, как показано стрелками 250.
Различные элементы фиксатора 200, соответствующего настоящему изобретению, предпочтительно получены механической обработкой заготовки из монолитного графита. Различные эластичные уплотнения могут быть выполнены из гибкого графита, например гибкого листового графита семейства EGC Thermafoil, и ленточных герметиков, поставляемых из EGC Enterprises Incorporated, Mentor, Clevelend, Ohio, U.S.A. Совместимые материалы могут быть поставлены из UCAR Carbon Company Inc., Clevelend, Ohio, U.S.A. В практике применения настоящего изобретения могут быть использованы другие типы уплотнений, например графитовый или керамический цементы и пасты. Однако уплотнения, описанные в этой заявке, являются экономически целесообразными и облегчают сборку фиксатора 200 и пакета 202 пористых структур перед уплотнением и разборку фиксатора 200 и пакета 202 пористых структур после уплотнения. Пакет 202 пористых структур образован с помощью описанных уплотнений и сжат между базовой пластиной 204 и верхней пластиной 208. После уплотнения верхняя пластина 208 может быть удалена и пакет разобран для дополнительной технологической обработки пористых структур 22. Кольцеобразные прокладки 234 и другие элементы фиксатора 200 могут быть впоследствии повторно использованы для уплотнения других пористых структур 22.
На фиг. 19A и фиг. 19B иллюстрируется предпочтительный способ сборки фиксатора 200. В соответствии с предпочтительным вариантом выполнения распорная конструкция 206 отдельно соединяется с верхней пластиной 208, позволяя тем самым верхней пластине 208 перемещаться от распорной конструкции. В фиксаторе 200 это осуществляют с помощью распорных стоек 218, имеющих штыри 220, посредством выполнения верхней пластины 208 с отверстиями 224, в которые устанавливают штыри 220, как описано выше. Штыри 220 входят в отверстия 224 верхней пластины по скользящей посадке, так что верхняя пластина 208 может свободно перемещаться от распорной конструкции 206. Распорная конструкция 206 и пакет 202 пористых структур расположены так, что пакет определяет высоту A от верхней поверхности базовой пластины 204 перед установкой верхней пластины 208 (перед размещением пакета 202 между противоположными пластинами 204 и 208), распорная конструкция определяет высоту В относительно верхней поверхности базовой пластины 204, при этом А больше В. Верхнюю пластину 208 устанавливают на пакет 202 пористых структур и прикладывают усилие по направлению к базовой пластине 204 до тех пор, пока она не станет опираться на распорную конструкцию 206, как показано на фиг. 19B, что приводит к сжатию пакета 202 пористых структур на заданную величину до высоты B. Верхняя пластина 208 доходит до упора, определяемого стойкой 218. Таким образом, способ сборки фиксатора 200 с пакетом 202 пористых структур предусматривает размещение пакета пористых структур 22 в сжатом состоянии между противоположными пластинами 204 и 208, заставляя противоположные пластины 204 и 208 переместиться на расстояние (A минус B) в направлении друг к другу, чтобы уменьшить высоту A пакета путем сжатия. Сжатие пакета 202 вызывает уплотнение полости 236 благодаря устройствам, описанным со ссылкой на фиг. 12A-15B. Как следует из фиг. 19A и фиг. 19B, базовая пластина 204, распорная конструкция 206 и верхняя пластина 208 предпочтительно ориентированы так, чтобы сила тяжести действовала на верхнюю пластину 208 в направлении к базовой пластине 204 и препятствовала смещению верхней пластины 208 от распорной конструкции 206. Груз 214 может быть устанавливаться на верхней пластине 208, имеющей или не имеющей отверстие 210, если верхняя пластина не имеет достаточной массы для сжатия пакета 202 до высоты В. Плоская крышка 212 может быть использована, если верхняя пластина 208 имеет отверстие 210, как было описано выше. Груз 214 и/или плоская крышка 212 опираются на верхнюю пластину 208 и удерживаются силой тяжести. Груз 214 может быть выполнен из куска графита, тугоплавкого металла или другого материала, имеющего приемлемую термостойкость. Плоская пластина 212 может иметь форму тарелки для размещения груза 214.
Расстояние (A минус B), на которое сжимается пакет 202, предпочтительно является заданным и способ сборки фиксатора 200 предусматривает регулирование этого расстояния (A минус B) для достижения требуемого сжатия. Высота B может быть отрегулирована путем регулирования упора 264 с помощью регулировочных шайб 266, как показано на фиг. 18. Регулировочные шайбы 266 предпочтительно имеют кольцеобразную форму, если в распорной конструкции 206 использованы цилиндрические стойки 218. Регулировочные шайбы могут быть одеты на штыри 220 на одном или обоих концах стойки 218. Для точной регулировки высоты B могут быть использованы регулировочные шайбы разной толщины или множество регулировочных шайб, собранных в пакет. Высота A может быть отрегулирована установкой более одной кольцеобразной прокладки 234 между парой соседних пористых структур 22, как показано на фиг. 16. Эластичное кольцеобразное уплотнение 268 может быть расположено между смежными кольцеобразными прокладками 234 для обеспечения адекватного уплотнения. Кольцеобразная прокладка 270 и кольцеобразная прокладка 234, имеющие различную толщину, как показано на фиг. 17, могут также быть использованы для регулировки высоты A. Для обеспечения точной заданной величины сжатия могут быть отрегулированы как высота A, так и высота B. В соответствии с предпочтительным вариантом выполнения распорную конструкцию 206 применяют с пакетом, имеющим известную высоту A. Регулирование расстояния (A-B) в этом случае ограничено регулировкой упора 264 с помощью регулировочных шайб. Этот метод значительно упрощает процесс сборки фиксатора 200 с пакетом 202. В соответствии с определенным вариантом выполнения расстояние (A-B) составляет приблизительно 0,25 дюйма (6,35 мм) для размера B примерно 16 дюймов (406,4 мм).
На фиг. 20 показан предпочтительный фиксатор 201 для одновременного уплотнения большого числа пористых структур 22 посредством инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления. Распорная конструкция 207 содержит, по меньшей мере, одну промежуточную пластину 272, расположенную между базовой пластиной 204 и верхней пластиной 208, которая разделяет пакет пористых структур 203. В других отношениях фиксатор 201 по существу идентичен фиксатору 200. Каждая промежуточная пластина 272 имеет сквозное отверстие 274, расположенное между парой пористых структур 22. Закрытая полость 236 включает в себя отверстие 274 каждой промежуточной пластины. По меньшей мере, одна из кольцеобразных прокладок 234 расположена на каждой стороне промежуточной пластины 272 между ней и пористыми структурами 22 и может использовать уплотнительные устройства, показанные на фиг. 12A - фиг. 13B. Фиксаторы 201 могут быть собраны в пакет. В этом случае базовая пластина 204 из одного фиксатора 201 контактирует с верхней пластиной 208 нижнего фиксатора 201, причем отверстие 216 базовой пластины верхнего фиксатора сообщается с отверстием 210 верхней пластины нижнего фиксатора. Таким образом, закрытая полость проходит из одного фиксатора 201 в следующий до тех пор, пока не закончится плоской крышкой 212, расположенной поверх отверстия 210 самой верхней пластины.
На фиг. 21 показан фиксатор 199, посредством которого первый и второй или более пакеты пористых структур могут быть расположены смежно друг другу. Смежные пакеты 202 пористых структур расположены между верхней пластиной 209 и базовой пластиной 205 вместе с распорной конструкцией 282. Распорная конструкция 282 содержит много стоек 218. Верхняя пластина 209 может иметь отверстие 211 для каждого пакета 202, которое может быть уплотнено плоской крышкой 212 и грузами 214. Базовая пластина 205 и плоская крышка 110 имеют отверстия 217 и 114 соответственно для каждого пакета 202. В других отношениях фиксатор 199 очень похож на фиксатор 200 и предпочтительно собран таким же образом, как описано со ссылкой на фиг. 19A и фиг. 19B. Кроме того, распорная конструкция 282 может содержать промежуточные пластины, которые делят пакеты 202, а групповые фиксаторы 199 могут быть поставлены один на другой, как описано в отношении фиксатора 201, показанного на фиг. 20. Таким образом, элементы фиксаторов 199 и 201 могут быть скомбинированы необходимым образом для обеспечения возможности выполнения уплотнения при градиенте давления очень большого числа пористых структур 22.
На фиг. 22 показан альтернативный фиксатор 300 для уплотнения при градиенте давления пакета 302 пористых структур. Фиксатор 300 по существу идентичен фиксатору 200, за исключением того, что пакет 302 содержит кольцеобразные прокладки 234 по наружному диаметру, расположенные вокруг наружного диаметра каждой пористой структуры 22, чередующиеся с кольцеобразными прокладками 284 по внутреннему диаметру, расположенными вокруг внутреннего диаметра каждой пористой структуры. Кольцеобразные прокладки 234 по наружному диаметру предпочтительно имеют внутренний диаметр 233, немного меньший наружного диаметра 44 пористой структуры. Кольцеобразные прокладки 284 по внутреннему диаметру предпочтительно имеют наружный диаметр 556, немного больший внутреннего диаметра 42 пористой структуры, и внутренний диаметр 554, который почти совпадает с внутренним диаметром 42 пористой структуры. При наличии кольцеобразных прокладок 284 по внутреннему диаметру наружный диаметр 44 пористой структуры больше наружного диаметра 556 кольцеобразной прокладки 284. Толщину стенки каждой кольцеобразной прокладки 234 и 284 предпочтительно минимизируют для того, чтобы обеспечить максимальное воздействие на площадь поверхности пористой структуры газа-реагента по мере того, как он входит или выходит из каждой пористой структуры 22. На фиг. 23 показан альтернативный фиксатор 301 для уплотнения (при градиенте давления) пакета 303 пористых структур. Фиксатор 301 по существу идентичен фиксатору 200 за исключением того, что все кольцеобразные прокладки пакета 303 являются кольцеобразными прокладками 284 по внутреннему диаметру, расположенными вокруг внутреннего диаметра каждой пористой структуры. Устройство, показанное на фиг. 23, может быть также использовано с фиксаторами 199 и 201. Различные соединения в фиксаторах 300 и 301 могут быть уплотнены, как было описано выше со ссылкой на фиг. 12A-15B. Высота пакета и распорная конструкция могут быть отрегулированы так, как описано со ссылкой на фиг. 16-19B.
Очевидно, что возможны многие изменения без отклонения от объема настоящего изобретения, как определено в формуле изобретения, приведенной ниже.

Claims (66)

1. Устройство предварительного нагрева для печи инфильтрации и осаждения из газовой фазы, в частности подогреватель газа-реагента, поступающего из газоввода, для использования в печи для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, содержащий направляющую конструкцию, имеющую впускной и выпускной каналы, отличающееся тем, что указанная направляющая конструкция расположена в печи и выполнена герметичной, а подогреватель содержит также герметичную канальную структуру, расположенную в печи и уплотненную с газовводом и с впускным каналом направляющей конструкции с обеспечением поступления практически всего газа-реагента в указанную герметичную направляющую конструкцию и прохождения через нее к указанному выпускному каналу направляющей конструкции.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит плоскую крышку, расположенную над указанным выпускным каналом направляющей конструкции и имеющую набор перфораций.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит плоскую крышку, расположенную над указанным выпускным каналом направляющей конструкции и имеющую, по меньшей мере, одно отверстие, причем указанная плоская крышка уплотнена с указанным выпускным каналом направляющей конструкции с обеспечением прохождения практически всего газа из указанного выпускного канала через указанное, по меньшей мере, одно отверстие.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в печи установлен токоприемник, имеющий стенку, в зоне которой часть указанной герметичной направляющей конструкции выполнена открытой.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в печи установлен токоприемник, имеющий основание, на котором установлена указанная герметичная канальная структура.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что указанные газоввод и герметичная канальная структура уплотнены с указанным основанием токоприемника.
7. Устройство по п.6, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит уплотнительную прокладку, расположенную между указанными герметичной канальной структурой и основанием токоприемника и выполненную с возможностью сжатия.
8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что указанная герметичная канальная структура содержит, по меньшей мере, два элемента, образующие уплотненные соединения.
9. Устройство по п.5, отличающееся тем, что указанная герметичная направляющая конструкция опирается на указанную герметичную канальную структуру.
10. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в печи установлен токоприемник, имеющий основание, на которое опирается герметичная канальная структура, а указанная герметичная направляющая конструкция опирается на указанную герметичную канальную структуру, при этом подогреватель дополнительно содержит плоскую крышку, расположенную над указанным выпускным каналом направляющей конструкции и имеющую, по меньшей мере, одно отверстие, причем указанная плоская крышка уплотнена с указанным выпускным каналом направляющей конструкции с обеспечением прохождения практически всего газа из указанного выпускного канала направляющей конструкции через указанное, по меньшей мере, одно отверстие, причем указанная плоская крышка опирается на указанную герметичную канальную структуру.
11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что указанная герметичная направляющая конструкция содержит, по меньшей мере, одну перфорированную пластину.
12. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что указанная герметичная направляющая конструкция содержит разнесенные параллельные перфорированные пластины.
13. Устройство по п. 12, отличающееся тем, что каждая перфорированная пластина содержит набор перфораций, причем указанные перфорации одной перфорированной пластины не совмещены с перфорациями смежной перфорированной пластины.
14. Устройство по п.13, отличающееся тем, что указанные перфорированные пластины уплотнены по периметру.
15. Устройство по п.1, отличающееся тем, что указанная герметичная направляющая конструкция содержит набор собранных в пакет смежных перфорированных пластин, определяющих периметр герметичной направляющей конструкции, а также уплотнительные сжимаемые прокладки, установленные по указанному периметру между каждой парой смежных перфорированных пластин.
16. Устройство по п.5, отличающееся тем, что указанная герметичная канальная структура имеет уступ, на который опирается указанная герметичная направляющая конструкция, при этом указанная герметичная направляющая конструкция содержит набор собранных в пакет смежных перфорированных пластин, определяющих периметр герметичной направляющей конструкции, с, по меньшей мере, первой уплотнительной сжимаемой прокладкой, установленной по указанному периметру между каждой парой смежных перфорированных пластин, и с, по меньшей мере, второй уплотнительной сжимаемой прокладкой, установленной между указанными уступом и герметичной направляющей конструкцией.
17. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно имеет, по меньшей мере, второй газоввод для подачи газа-реагента в печь, а подогреватель дополнительно содержит, по меньшей мере, расположенную в печи вторую герметичную направляющую конструкцию, имеющую впускной и выпускной каналы, и, по меньшей мере, расположенную в печи вторую герметичную канальную структуру, уплотненную с вторым газовводом и указанным впускным каналом второй герметичной направляющей конструкции, с обеспечением прохождения практически всего газа-реагента, поступающего из второго газоввода в указанную вторую направляющую конструкцию и через нее к указанному выпускному каналу второй направляющей конструкции.
18. Устройство по п.17, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит, по меньшей мере, вторую плоскую крышку, расположенную над указанным выпускным каналом второй направляющей конструкции и имеющую набор перфораций.
19. Устройство по п.17, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит, по меньшей мере, вторую плоскую крышку, расположенную над указанным выпускным каналом направляющей конструкции и имеющую, по меньшей мере, одно отверстие, причем указанная вторая плоская крышка уплотнена с указанным выпускным каналом направляющей конструкции с обеспечением прохождения практически всего газа из указанного выпускного канала направляющей конструкции через указанное, по меньшей мере, одно отверстие в указанной второй плоской крышке.
20. Способ ввода газа-реагента из газоввода в печь для инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, включающий в себя ввод газа-реагента из указанного газоввода в подогреватель газа, расположенный в указанной печи и имеющий направляющую конструкцию с впускным и выпускным каналами, отличающийся тем, что направляющую конструкцию подогревателя располагают в указанной печи с уплотнением, а подогреватель снабжают герметичной канальной структурой с уплотнением с указанными газовводом и впускным каналом направляющей конструкции, при этом способ включает в себя направление указанного газа-реагента, вводимого из указанного газоввода в указанный впускной канал направляющей конструкции, через указанную герметичную направляющую конструкцию и из указанного выпускного канала направляющей конструкции.
21. Способ по п.20, отличающийся тем, что дополнительно устанавливают плоскую крышку над указанным выпускным каналом направляющей конструкции, имеющую набор перфораций, через который направляют указанный газ-реагент.
22. Способ по п.20, отличающийся тем, что дополнительно устанавливают плоскую крышку над указанным выпускным каналом направляющей конструкции, имеющую, по меньшей мере, одно отверстие, через которое направляют указанный газ-реагент, причем указанную плоскую крышку уплотняют с указанным выпускным каналом направляющей конструкции.
23. Способ по п.20, отличающийся тем, что в печи устанавливают токоприемник, имеющий стенку, в зоне которой часть указанной герметичной направляющей конструкции оставляют открытой.
24. Способ по п.20, отличающийся тем, что в печи устанавливают токоприемник, имеющий основание, на которое помещают указанную герметичную канальную структуру.
25. Способ по п.24, отличающийся тем, что указанные газоввод и герметичную канальную структуру уплотняют с указанным основанием токоприемника.
26. Способ по п.25, отличающийся тем, что между указанными герметичной канальной структурой и основанием токоприемника устанавливают уплотнительную сжимаемую прокладку.
27. Способ по п.20, отличающийся тем, что указанная герметичная канальная структура содержит, по меньшей мере, два элемента, образующие уплотненные соединения.
28. Способ по п.24, отличающийся тем, что указанную герметичную направляющую конструкцию помещают на указанную герметичную канальную структуру.
29. Способ по п.20, отличающийся тем, что в печи устанавливают токоприемник, имеющий основание, на которое опирается указанная герметичная канальная структура, а указанная герметичная направляющая конструкция опирается на указанную герметичную канальную структуру, при этом устанавливают плоскую крышку над указанным выпускным каналом направляющей конструкции, имеющую, по меньшей мере, одно отверстие, через которое направляют газ из указанного выпускного канала направляющей конструкции, причем указанную плоскую крышку уплотняют с указанным выпускным каналом, и она опирается на указанную герметичную канальную структуру.
30. Способ по п.20, отличающийся тем, что указанная герметичная направляющая конструкция содержит, по меньшей мере, одну перфорированную пластину.
31. Способ по п.20, отличающийся тем, что указанную герметичную направляющую конструкцию снабжают разнесенными параллельными перфорированными пластинами.
32. Способ по п.31, отличающийся тем, что каждая перфорированная пластина содержит набор перфораций, причем указанные перфорации одной перфорированной пластины не совмещены с указанными перфорациями смежной перфорированной пластины.
33. Способ по п.32, отличающийся тем, что указанные перфорированные пластины уплотняют по периметру.
34. Способ по п.20, отличающийся тем, что указанная герметичная направляющая конструкция содержит набор собранных в пакет смежных перфорированных пластин, определяющих периметр герметичной направляющей конструкции, при этом устанавливают уплотнительные сжимаемые прокладки, расположенные по указанному периметру герметичной направляющей конструкции между каждой парой смежных перфорированных пластин.
35. Способ по п.24, отличающийся тем, что указанная герметичная канальная структура имеет уступ, на который опирается указанная герметичная направляющая конструкция, содержащая набор собранных в пакет смежных перфорированных пластин, определяющих периметр герметичной направляющей конструкции, при этом устанавливают, по меньшей мере, первую уплотнительную сжимаемую прокладку, расположенную по указанному периметру между каждой парой смежных перфорированных пластин и, по меньшей мере, вторую уплотнительную сжимаемую прокладку, расположенную между указанными уступом и герметичной направляющей конструкцией.
36. Способ по п.20, отличающийся тем, что предусматривают, по меньшей мере, второй газоввод для подачи газа-реагента в указанную печь, а способ дополнительно включает в себя ввод указанного газа-реагента из указанного второго газоввода в, по меньшей мере, расположенный в печи второй подогреватель газа, имеющий вторую герметичную направляющую конструкцию с впускным и выпускным каналами, расположенную в указанной печи, и вторую герметичную канальную структуру, уплотненную с указанными вторым газовводом и впускным каналом второй направляющей конструкции, при этом направляют указанный газ-реагент, вводимый из второго газоввода, в указанный впускной канал второй направляющей конструкции, через указанную вторую герметичную направляющую конструкцию и из указанного выпускного канала второй направляющей конструкции.
37. Способ по п. 36, отличающийся тем, что устанавливают, по меньшей мере, вторую плоскую крышку над указанным выпускным каналом второй направляющей конструкции, имеющую набор перфораций.
38. Способ по п. 36, отличающийся тем, что устанавливают, по меньшей мере, вторую плоскую крышку над указанным выпускным каналом второй направляющей конструкции, имеющую, по меньшей мере, одно отверстие и уплотненную с указанным выпускным каналом с обеспечением прохождения практически всего газа из указанного выпускного канала второй направляющей конструкции через указанное, по меньшей мере, одно отверстие.
39. Фиксатор пористых структур для уплотнения внутри печи в процессе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы при градиенте давления, выполненных в виде пакета пористых структур, каждая из которых имеет сквозное отверстие, содержащий скрепленные между собой распорными элементами пластины, отличающийся тем, что он включает в себя базовую пластину, выполненную с возможностью крепления внутри печи и имеющую сквозное отверстие, верхнюю пластину, отстоящую от указанной базовой пластины и обращенную к ней, распорную конструкцию, расположенную между указанными базовой и верхней пластинами и соединенную с ними, при этом между указанными базовой и верхней пластинами установлен указанный пакет пористых структур, одна из которых смежна указанной базовой пластине, а другая - указанной верхней пластине, причем имеется также, по меньшей мере, одна кольцеобразная прокладка, расположенная в указанном пакете пористых структур между каждой парой соседних пористых структур и окружающая отверстия соседних пористых структур, при этом указанные базовая пластина, пакет пористых структур и, по меньшей мере, одна кольцеобразная прокладка образуют закрытую полость, проходящую от указанного отверстия базовой пластины, включающую в себя отверстие каждой пористой структуры и заканчивающуюся вблизи указанной верхней пластины.
40. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одна из указанных кольцеобразных прокладок расположена вокруг указанного отверстия базовой пластины между этой пластиной и смежной к ней указанной пористой структурой.
41. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одна из указанных кольцеобразных прокладок расположена между указанной верхней пластиной и смежной к ней пористой структурой.
42. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что указанная верхняя пластина имеет сквозное отверстие, он дополнительно содержит плоскую крышку, закрывающую выполненное в верхней пластине отверстие, и уплотнение, расположенное между указанными плоской крышкой и верхней пластиной и окружающее указанное отверстие верхней пластины, причем указанные плоская крышка и уплотнение расположены у конца указанной закрытой полости.
43. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что каждая кольцеобразная прокладка имеет две, как правило, параллельные кольцевые стороны, отстоящие друг от друга и обращенные к соседним выполненным податливыми пористым структурам, прижатым к указанной кольцеобразной прокладке.
44. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что каждая кольцеобразная прокладка имеет две параллельные кольцевые стороны, отстоящие друг от друга и обращенные к указанным соседним пористым структурам, и он дополнительно содержит эластичные графитовые уплотнения, по меньшей мере, одно из которых расположено смежно каждой кольцевой стороне, и каждое уплотнение прижато к указанной соседней кольцеобразной прокладке.
45. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что указанный пакет выполненных податливыми пористых структур расположен в сжатом состоянии между указанными базовой и верхней пластинами.
46. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что указанная распорная конструкция содержит стойки, расположенные вокруг пакета пористых структур и проходящие между указанными базовой и верхней пластинами.
47. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что указанная распорная конструкция выполнена с возможностью раздельного соединения с верхней пластиной для обеспечения выдвижения этой пластины из указанной распорной конструкции, при этом указанные базовая пластина, распорная конструкция и верхняя пластина установлены с обеспечением действия силы тяжести на указанную верхнюю пластину по направлению к указанной базовой пластине без смещения указанной верхней пластины из указанной распорной конструкции.
48. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что он дополнительно содержит груз, опирающийся на указанную верхнюю пластину.
49. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что он дополнительно скрепляет, по меньшей мере, второй пакет пористых структур, каждая из которых имеет сквозное отверстие, при этом указанная базовая пластина имеет, по меньшей мере, второе отверстие, а между указанными базовой и верхней пластинами расположен указанный второй пакет пористых структур, одна из которых смежна указанной базовой пластине, а другая - указанной верхней пластине, причем в указанном пакете пористых структур между каждой парой соседних вторых пористых структур расположена, по меньшей мере, одна вторая кольцеобразная прокладка, окружающая указанные отверстия соседних вторых пористых структур, при этом указанные базовая пластина, второй пакет пористых структур и, по меньшей мере, одна вторая кольцеобразная прокладка образуют вторую закрытую полость, проходящую от указанного отверстия базовой пластины, включающую в себя каждое отверстие вторых пористых структур и заканчивающуюся вблизи указанной верхней пластины.
50. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что указанная распорная конструкция содержит, по меньшей мере, одну промежуточную пластину, расположенную между указанными базовой и верхней пластинами и разделяющую пакет пористых структур, причем каждая промежуточная пластина расположена между парой пористых структур и имеет сквозное отверстие, образующее часть указанной закрытой полости.
51. Фиксатор по п.50, отличающийся тем, что он дополнительно содержит, по меньшей мере, одну из указанных кольцеобразных прокладок, расположенных на каждой стороне указанными промежуточной пластины между указанными промежуточной пластиной и пористыми структурами.
52. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что наружный диаметр, по меньшей мере, одной пористой структуры больше наружного диаметра, по меньшей мере, одной кольцеобразной прокладки.
53. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что внутренний диаметр отверстия пористой структуры меньше внутреннего диаметра отверстия, по меньшей мере, одной кольцеобразной прокладки.
54. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что внутренний диаметр каждой пористой структуры меньше внутреннего диаметра прокладки.
55. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что внутренний диаметр прокладки меньше наружного диаметра пористой структуры.
56. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что каждая пористая структура выполнена кольцеобразной с наружным и внутренним диаметрами, а в указанном пакете пористых структур установлены кольцеобразные прокладки по внутреннему диаметру, чередующиеся с кольцеобразными прокладками по наружному диаметру, причем каждая кольцеобразная прокладка по наружному диаметру имеет внутренний диаметр, несколько меньший наружного диаметра пористой структуры, и наружный диаметр, равный наружному диаметру пористой структуры, а каждая кольцеобразная прокладка по внутреннему диаметру имеет наружный диаметр, больший внутреннего диаметра пористой структуры, и внутренний диаметр, равный внутреннему диаметру пористой структуры.
57. Фиксатор по п.39, отличающийся тем, что каждая пористая структура выполнена кольцеобразной с внутренним диаметром, а в указанном пакете пористых структур установлены все кольцеобразные прокладки по внутреннему диаметру, каждая из которых имеет наружный диаметр, больший внутреннего диаметра пористой структуры, и внутренний диаметр, равный внутреннему диаметру пористой структуры.
58. Способ сборки фиксатора вместе с пористыми структурами, имеющими сквозное отверстие, для уплотнения в процессе инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы, включающий в себя сборку указанных пористых структур и кольцеобразных прокладок в пакет, отличающийся тем, что каждую кольцеобразную прокладку располагают между каждой смежной парой пористых структур, а способ включает в себя установку указанного пакета пористых структур между базовой и верхней пластинами, первая из которых имеет сквозное отверстие, при этом указанные базовая пластина, пакет пористых структур и, по меньшей мере, одна кольцеобразная прокладка образуют закрытую полость, проходящую от указанного отверстия базовой пластины, включающую в себя отверстие каждой пористой структуры и заканчивающуюся вблизи указанной верхней пластины, а также установку распорной конструкции вокруг указанного пакета пористых структур между указанными базовой и верхней пластинами, причем указанная распорная конструкция соединяется с указанными базовой и верхней пластинами.
59. Способ по п.58, отличающийся тем, что кольцеобразная прокладка содержит кольцо, смежное наружному диаметру пористой структуры.
60. Способ по п.58, отличающийся тем, что размещают указанный пакет выполненных податливыми пористых структур сжатым между указанными противоположными пластинами со смещением этих пластин на расстояние по направлению друг к другу, что уменьшает высоту пакета пористых структур.
61. Способ по п.60, отличающийся тем, что указанной распорной конструкцией образуют упор с ограничением указанного расстояния.
62. Способ по п. 61, отличающийся тем, что осуществляют регулировку указанного заданного расстояния посредством регулировки указанного упора.
63. Способ по п.62, отличающийся тем, что регулировку указанного упора осуществляют с помощью регулировочных шайб.
64. Способ по п. 58, отличающийся тем, что каждую пористую структуру выполняют кольцеобразной с наружным диаметром, а в указанном пакете пористых структур устанавливают все кольцеобразные прокладки по наружному диаметру, причем каждая кольцеобразная прокладка имеет внутренний диаметр, меньший наружного диаметра пористой структуры, и наружный диаметр, равный наружному диаметру пористой структуры.
65. Способ по п. 58, отличающийся тем, что каждая пористая структура выполнена кольцеобразной и имеет наружный и внутренний диаметры, а в указанном пакете пористых структур установлены кольцеобразные прокладки по внутреннему диаметру, чередующиеся с кольцеобразными прокладками по наружному диаметру, причем каждая кольцеобразная прокладка по наружному диаметру имеет внутренний диаметр, меньший наружного диаметра пористой структуры, и наружный диаметр, равный наружному диаметру пористой структуры, и каждая кольцеобразная прокладка по внутреннему диаметру имеет наружный диаметр, больший внутреннего диаметра пористой структуры, и внутренний диаметр, равный внутреннему диаметру пористой структуры.
66. Способ по п. 58, отличающийся тем, что каждая пористая структура выполнена кольцеобразной и имеет внутренний диаметр, а в указанном пакете пористых структур установлены все кольцеобразные прокладки по внутреннему диаметру, причем каждая кольцеобразная прокладка по внутреннему диаметру имеет наружный диаметр, больший внутреннего диаметра пористой структуры, и внутренний диаметр, равный внутреннему диаметру пористой структуры.
RU97110202A 1994-11-16 1995-11-16 Устройство предварительного нагрева для печи инфильтрации и осаждения из газовой фазы, способ ввода газа-реагента в вышеназванную печь, фиксатор пористых структур и способ сборки фиксатора вместе с пористыми структурами RU2146304C1 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/340677 1994-11-16
US08/340,677 US5480678A (en) 1994-11-16 1994-11-16 Apparatus for use with CVI/CVD processes
US08/340,677 1994-11-16
PCT/US1995/015501 WO1996015288A2 (en) 1994-11-16 1995-11-16 Apparatus for use with cvi/cvd processes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU97110202A RU97110202A (ru) 1999-05-27
RU2146304C1 true RU2146304C1 (ru) 2000-03-10

Family

ID=23334475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU97110202A RU2146304C1 (ru) 1994-11-16 1995-11-16 Устройство предварительного нагрева для печи инфильтрации и осаждения из газовой фазы, способ ввода газа-реагента в вышеназванную печь, фиксатор пористых структур и способ сборки фиксатора вместе с пористыми структурами

Country Status (13)

Country Link
US (2) US5480678A (ru)
EP (2) EP0792385B1 (ru)
JP (2) JP3759166B2 (ru)
KR (1) KR100389503B1 (ru)
CN (2) CN1136335C (ru)
AT (2) ATE202805T1 (ru)
AU (1) AU4370996A (ru)
CA (1) CA2205139C (ru)
DE (2) DE69511573T2 (ru)
DK (1) DK0792385T3 (ru)
ES (1) ES2137561T3 (ru)
RU (1) RU2146304C1 (ru)
WO (1) WO1996015288A2 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2682902C2 (ru) * 2014-03-14 2019-03-22 Сафран Серамикс Установка для уплотнения cvi, содержащая зону предварительного нагрева большой производительности
RU2724260C1 (ru) * 2016-10-14 2020-06-22 АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН Устройство для отбора повторным нагреванием для газофазного процесса

Families Citing this family (110)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69526259T2 (de) * 1994-11-16 2002-11-07 Goodrich Co B F Vorrichtung zur Druckfeld CVD/CVI, Verfahren und Produkt
FR2733254B1 (fr) * 1995-04-18 1997-07-18 Europ Propulsion Procede d'infiltration chimique en phase vapeur pour la densification de substrats poreux disposes en piles annulaires
US5916633A (en) * 1995-05-19 1999-06-29 Georgia Tech Research Corporation Fabrication of carbon/carbon composites by forced flow-thermal gradient chemical vapor infiltration
US5743967A (en) * 1995-07-13 1998-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co. Low pressure CVD apparatus
US5908792A (en) 1995-10-04 1999-06-01 The B. F. Goodrich Company Brake disk having a functional gradient Z-fiber distribution
US6083560A (en) * 1995-11-16 2000-07-04 Alliant Techsystems Inc Process for controlled deposition profile forced flow chemical vapor infiltration
FR2754813B1 (fr) * 1996-10-18 1999-01-15 Europ Propulsion Densification de substrats poreux disposes en piles annulaires par infiltration chimique en phase vapeur a gradient de temperature
DE19646094C2 (de) 1996-11-08 1999-03-18 Sintec Keramik Gmbh Verfahren zur chemischen Gasphaseninfiltration von refraktären Stoffen, insbesondere Kohlenstoff und Siliziumkarbid, sowie Verwendung des Verfahrens
US6161500A (en) * 1997-09-30 2000-12-19 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions
US6440220B1 (en) 1998-10-23 2002-08-27 Goodrich Corporation Method and apparatus for inhibiting infiltration of a reactive gas into porous refractory insulation
US6352430B1 (en) 1998-10-23 2002-03-05 Goodrich Corporation Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace
US7476419B2 (en) * 1998-10-23 2009-01-13 Goodrich Corporation Method for measurement of weight during a CVI/CVD process
US6669988B2 (en) 2001-08-20 2003-12-30 Goodrich Corporation Hardware assembly for CVI/CVD processes
US6062851A (en) * 1998-10-23 2000-05-16 The B. F. Goodrich Company Combination CVI/CVD and heat treat susceptor lid
US6162298A (en) * 1998-10-28 2000-12-19 The B. F. Goodrich Company Sealed reactant gas inlet for a CVI/CVD furnace
KR20000046418A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 추호석 브레이크 디스크의 제조방법
US6499425B1 (en) * 1999-01-22 2002-12-31 Micron Technology, Inc. Quasi-remote plasma processing method and apparatus
EP1065294B1 (en) 1999-06-04 2003-10-15 Goodrich Corporation Method and apparatus for pressure measurement in a CVI/CVD furnace
DE60024524T2 (de) 1999-06-04 2006-08-31 Goodrich Corp. Verfahren und Vorrichtung zum Kühlen von einem CVI/CVD-Ofen
DE60013208T2 (de) 1999-06-04 2005-08-11 Goodrich Corp. Suzeptordeckel sowohl für Gasphaseninfiltration bzw. -Beschichtung als auch Wärmebehandlung
US7378362B2 (en) * 2000-09-29 2008-05-27 Goodrich Corporation Boron carbide based ceramic matrix composites
ATE350358T1 (de) 2000-09-29 2007-01-15 Goodrich Corp Verbundwerkstoffe mit keramischer matrix auf borcarbidbasis
US6878206B2 (en) * 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
FR2821859B1 (fr) * 2001-03-06 2004-05-14 Snecma Moteurs Procede pour la densification par infiltration chimique en phase vapeur de substrats poreux ayant un passage central
US6758909B2 (en) 2001-06-05 2004-07-06 Honeywell International Inc. Gas port sealing for CVD/CVI furnace hearth plates
KR100400044B1 (ko) * 2001-07-16 2003-09-29 삼성전자주식회사 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드
US6793966B2 (en) 2001-09-10 2004-09-21 Howmet Research Corporation Chemical vapor deposition apparatus and method
US7017514B1 (en) * 2001-12-03 2006-03-28 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for plasma optimization in water processing
US6953605B2 (en) * 2001-12-26 2005-10-11 Messier-Bugatti Method for densifying porous substrates by chemical vapour infiltration with preheated gas
US20040250763A1 (en) * 2002-01-11 2004-12-16 Ovshinsky Stanford R. Fountain cathode for large area plasma deposition
FR2834713B1 (fr) 2002-01-15 2004-04-02 Snecma Moteurs Procede et installation pour la densification de substrats par infiltration chimique en phase vapeur
US6572371B1 (en) * 2002-05-06 2003-06-03 Messier-Bugatti Gas preheater and process for controlling distribution of preheated reactive gas in a CVI furnace for densification of porous annular substrates
JP4338355B2 (ja) * 2002-05-10 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6657905B1 (en) * 2002-05-17 2003-12-02 Micron Technology, Inc. Clamping circuit for the Vpop voltage used to program antifuses
US20050121143A1 (en) * 2002-05-23 2005-06-09 Lam Research Corporation Pump baffle and screen to improve etch uniformity
FR2842193B1 (fr) * 2002-07-12 2004-10-01 Messier Bugatti Procede et installation pour le traitement thermique a haute temperature et la densification par infiltration chimique en phase vapeur de textures en carbone
US20040253377A1 (en) * 2002-10-24 2004-12-16 Bok Lowell D. Batch and continuous CVI densification furnace
UA84862C2 (en) * 2003-03-03 2008-12-10 Месье-Бугатти Substrate
US7335397B2 (en) * 2004-02-16 2008-02-26 Goodrich Corporation Pressure gradient CVI/CVD apparatus and method
US20060029804A1 (en) * 2004-08-03 2006-02-09 Klett James W Continuous flow closed-loop rapid liquid-phase densification of a graphitizable carbon-carbon composite
US7332195B2 (en) * 2004-08-26 2008-02-19 Honeywell International Inc. Chemical vapor deposition method
US20060054090A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Applied Materials, Inc. PECVD susceptor support construction
US20060054758A1 (en) * 2004-09-16 2006-03-16 Simpson Allen H Fixture for holding a preform during a heating process
US7572340B2 (en) * 2004-11-29 2009-08-11 Applied Materials, Inc. High resolution substrate holder leveling device and method
FR2882064B1 (fr) * 2005-02-17 2007-05-11 Snecma Propulsion Solide Sa Procede de densification de substrats poreux minces par infiltration chimique en phase vapeur et dispositif de chargement de tels substrats
US20060194059A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Honeywell International Inc. Annular furnace spacers and method of using same
US20060194060A1 (en) * 2005-02-25 2006-08-31 Honeywell International Furnace spacers for spacing preforms in a furnace
US20060254162A1 (en) * 2005-04-21 2006-11-16 Deslauriers, Inc. Shim having through openings
US8057855B1 (en) 2005-05-31 2011-11-15 Goodrich Corporation Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method
US7442443B2 (en) 2005-05-31 2008-10-28 Goodrich Corporation Chromium-nickel stainless steel alloy article having oxide coating formed from the base metal suitable for brake apparatus
US7691443B2 (en) * 2005-05-31 2010-04-06 Goodrich Corporation Non-pressure gradient single cycle CVI/CVD apparatus and method
US20070014990A1 (en) * 2005-07-14 2007-01-18 Honeywell International Inc. Support structure for radiative heat transfer
KR100792396B1 (ko) * 2005-10-11 2008-01-08 주식회사 유진테크 파티션 구조형 가열유닛과 이를 이용한 히팅장치
US8673188B2 (en) * 2006-02-14 2014-03-18 Goodrich Corporation Carbon-carbon parts and methods for making same
US7811085B2 (en) * 2006-05-04 2010-10-12 Honeywell International Inc. Gas preheater for chemical vapor processing furnace
US20070269597A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 Honeywell International Inc. Modified CVD cooling loop
US7771194B2 (en) * 2006-05-26 2010-08-10 Honeywell International Inc. Gas preheater for chemical vapor processing furnace having circuitous passages
EP2052100B1 (de) * 2006-08-07 2014-05-21 Behr GmbH & Co. KG Verfahren zum herstellen von bauteilen in einem mediumkreislauf, wie insbesondere eines wärmeübertragers
FR2919309B1 (fr) * 2007-07-25 2011-07-22 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif d'infiltration d'une structure en materiau poreux par depot chimique en phase vapeur.
US8105649B1 (en) 2007-08-09 2012-01-31 Imaging Systems Technology Fabrication of silicon carbide shell
JP5208128B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-12 フルテック株式会社 加圧ガスパルス制御処理方法及び加圧ガスパルス制御処理装置
US8132442B2 (en) * 2008-09-22 2012-03-13 Siemens Energy, Inc. Compressible ceramic seal
KR20110097908A (ko) * 2008-11-28 2011-08-31 볼커 프로브스트 반도체 층 또는 원소 셀레늄 및/또는 황으로 처리된 코팅 기판, 특히 평면 기판의 제조 방법
US8293013B2 (en) * 2008-12-30 2012-10-23 Intermolecular, Inc. Dual path gas distribution device
KR200475462Y1 (ko) * 2009-03-27 2014-12-03 램 리써치 코포레이션 플라즈마 처리 장치의 교체 가능한 상부 챔버 섹션
US10655219B1 (en) * 2009-04-14 2020-05-19 Goodrich Corporation Containment structure for creating composite structures
US10689753B1 (en) * 2009-04-21 2020-06-23 Goodrich Corporation System having a cooling element for densifying a substrate
US9076634B2 (en) * 2009-09-10 2015-07-07 Lam Research Corporation Replaceable upper chamber parts of plasma processing apparatus
US20110064891A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-17 Honeywell International Inc. Methods of rapidly densifying complex-shaped, asymmetrical porous structures
US9449859B2 (en) * 2009-10-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
CN101831623B (zh) * 2010-05-28 2011-12-07 湖南金博复合材料科技有限公司 化学气相增密炉炉膛
US20120052189A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-01 Litian Liu Vapor deposition system
JP2012195565A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US9644285B2 (en) 2011-08-22 2017-05-09 Soitec Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods
US20130052806A1 (en) * 2011-08-22 2013-02-28 Soitec Deposition systems having access gates at desirable locations, and related methods
TWI505400B (zh) * 2011-08-26 2015-10-21 Lg Siltron Inc 基座
FR2980486B1 (fr) * 2011-09-28 2013-10-11 Snecma Propulsion Solide Dispositif de chargement pour la densification par infiltration chimique en phase vapeur en flux dirige de substrats poreux de forme tridimensionnelle
CN102363878B (zh) * 2011-11-10 2014-09-10 西安航空制动科技有限公司 一种化学气相沉积炉预热装置
DE102012100176B4 (de) 2012-01-10 2016-11-17 Cvt Gmbh & Co. Kg Verfahren zur chemischen Gasphaseninfiltration von wenigstens einem refraktären Stoff
FR2993044B1 (fr) * 2012-07-04 2014-08-08 Herakles Dispositif de chargement et installation pour la densification de preformes poreuses tronconiques et empilables
FR2993555B1 (fr) * 2012-07-19 2015-02-20 Herakles Installation d'infiltration chimique en phase vapeur a haute capacite de chargement
US11326255B2 (en) * 2013-02-07 2022-05-10 Uchicago Argonne, Llc ALD reactor for coating porous substrates
US10107506B2 (en) * 2013-04-03 2018-10-23 Trane International Inc. Heat exchanger with differentiated resistance flowpaths
US9964333B2 (en) 2013-05-28 2018-05-08 Trane International Inc. System and method for furnace fluid flow management
FR3007511B1 (fr) * 2013-06-19 2017-09-08 Herakles Installation pour traitements thermiques de produits en materiau composite comprenant des moyens de mesure de temperature delocalises
US9605345B2 (en) * 2013-08-23 2017-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vertical furnace for improving wafer uniformity
KR102162366B1 (ko) * 2014-01-21 2020-10-06 우범제 퓸 제거 장치
US9964332B2 (en) * 2014-03-27 2018-05-08 Lam Research Corporation Systems and methods for bulk vaporization of precursor
CN104034159B (zh) * 2014-06-06 2016-01-20 西安航空制动科技有限公司 一种c/c复合材料沉积炉
MY190445A (en) 2015-08-21 2022-04-21 Flisom Ag Homogeneous linear evaporation source
TWI624554B (zh) * 2015-08-21 2018-05-21 弗里松股份有限公司 蒸發源
US9963779B2 (en) 2016-02-29 2018-05-08 Goodrich Corporation Methods for modifying pressure differential in a chemical vapor process
US10407769B2 (en) * 2016-03-18 2019-09-10 Goodrich Corporation Method and apparatus for decreasing the radial temperature gradient in CVI/CVD furnaces
RU2665860C2 (ru) * 2016-11-30 2018-09-04 Вячеслав Максимович Бушуев Способ металлирования крупногабаритных заготовок в реакторе установки для объемного металлирования, конструкция реактора и способ его изготовления
FR3059679B1 (fr) * 2016-12-07 2021-03-12 Safran Ceram Outillage de conformation et installation pour l'infiltration chimique en phase gazeuse de preformes fibreuses
RU2665646C2 (ru) * 2016-12-26 2018-09-03 Вячеслав Максимович Бушуев Футеровка корпуса реактора установок для металлирования заготовок
CN108680009A (zh) * 2018-05-07 2018-10-19 西安航空制动科技有限公司 一种碳/碳复合材料的防氧化涂层热处理设备及方法
KR102576220B1 (ko) * 2018-06-22 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 처리 장치 및 박막 처리 방법
FR3084672B1 (fr) * 2018-08-03 2020-10-16 Safran Ceram Procede de densification par infiltration chimique en phase gazeuse de substrats annulaires poreux
CN109279908B (zh) * 2018-10-30 2021-06-01 中南大学 一种制备超薄碳/碳复合材料面板的夹具
IT201800009953A1 (it) 2018-10-31 2020-05-01 Petroceramics Spa Metodo ed un assieme di infiltrazione e la deposizione rapida da fase vapore di componenti porosi
EP3647459A1 (en) 2018-10-31 2020-05-06 Petroceramics S.p.A. Method and an assembly by chemical vapor infiltration of porous components
KR20240008416A (ko) * 2018-11-30 2024-01-18 페로텍 (유에스에이) 코포레이션 전자빔 소스 코팅용 도가니 커버
US11111578B1 (en) 2020-02-13 2021-09-07 Uchicago Argonne, Llc Atomic layer deposition of fluoride thin films
US11691924B2 (en) 2020-02-21 2023-07-04 Raytheon Technologies Corporation CVI matrix densification process
CN113248272B (zh) * 2021-05-11 2022-06-21 广州三的投资管理企业（有限合伙） 一种碳陶摩擦材料的制备方法和应用
US11932941B1 (en) 2021-12-29 2024-03-19 Rolls-Royce High Temperature Composites, Inc. Load assemblies for loading parts in a furnace
US11901169B2 (en) 2022-02-14 2024-02-13 Uchicago Argonne, Llc Barrier coatings
CN115094402B (zh) * 2022-06-24 2023-04-11 清华大学 一种立式双温区-双通道化学气相沉积设备
US11993548B2 (en) 2022-09-30 2024-05-28 Rtx Corporation Minimization of chemical vapor infiltration tooling hole length through windows

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3895084A (en) * 1972-03-28 1975-07-15 Ducommun Inc Fiber reinforced composite product
US3991248A (en) * 1972-03-28 1976-11-09 Ducommun Incorporated Fiber reinforced composite product
GB1586959A (en) * 1976-08-11 1981-03-25 Dunlop Ltd Method and apparatus for the production of carbon/carbon composite material
US4580524A (en) * 1984-09-07 1986-04-08 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Process for the preparation of fiber-reinforced ceramic composites by chemical vapor deposition
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
US4612077A (en) * 1985-07-29 1986-09-16 The Perkin-Elmer Corporation Electrode for plasma etching system
JPS63295476A (ja) * 1987-05-28 1988-12-01 Nippon Steel Corp 炭素繊維強化炭素材料の製造方法
US4895108A (en) * 1988-06-22 1990-01-23 The Babcock & Wilcox Company CVD apparatus and process for the preparation of fiber-reinforced ceramic composites
JPH0273624A (ja) * 1988-09-08 1990-03-13 Fujitsu Ltd Ｃｖｄ用ガス導入装置
JPH0373527A (ja) * 1989-08-14 1991-03-28 Fujitsu Ltd 化学気相成長装置
JP2849606B2 (ja) * 1990-08-29 1999-01-20 京セラ株式会社 気相含浸法およびその装置
FR2671797B1 (fr) * 1991-01-18 1994-02-25 Propulsion Ste Europeenne Procede de densification d'un substrat poreux par une matrice contenant du carbone.
US5362228A (en) * 1991-11-04 1994-11-08 Societe Europeenne De Propulsion Apparatus for preheating a flow of gas in an installation for chemical vapor infiltration, and a densification method using the apparatus
US5447568A (en) * 1991-12-26 1995-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Chemical vapor deposition method and apparatus making use of liquid starting material
US5389152A (en) * 1992-10-09 1995-02-14 Avco Corporation Apparatus for densification of porous billets
US5348774A (en) * 1993-08-11 1994-09-20 Alliedsignal Inc. Method of rapidly densifying a porous structure
JP3468859B2 (ja) * 1994-08-16 2003-11-17 富士通株式会社 気相処理装置及び気相処理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2682902C2 (ru) * 2014-03-14 2019-03-22 Сафран Серамикс Установка для уплотнения cvi, содержащая зону предварительного нагрева большой производительности
RU2724260C1 (ru) * 2016-10-14 2020-06-22 АйЭйчАй КОРПОРЕЙШН Устройство для отбора повторным нагреванием для газофазного процесса

Also Published As

Publication number Publication date
EP0792385A2 (en) 1997-09-03
EP0846787A1 (en) 1998-06-10
US5480678A (en) 1996-01-02
WO1996015288A2 (en) 1996-05-23
JP2006097136A (ja) 2006-04-13
ATE183552T1 (de) 1999-09-15
DE69511573T2 (de) 2000-05-04
EP0846787B1 (en) 2001-07-04
CN1528949A (zh) 2004-09-15
DE69521630T2 (de) 2002-05-16
CN1298888C (zh) 2007-02-07
WO1996015288A3 (en) 1996-08-08
US6109209A (en) 2000-08-29
DE69511573D1 (de) 1999-09-23
ATE202805T1 (de) 2001-07-15
KR970707318A (ko) 1997-12-01
CN1170442A (zh) 1998-01-14
DE69521630D1 (de) 2001-08-09
CA2205139C (en) 2007-07-31
JP3759166B2 (ja) 2006-03-22
EP0792385B1 (en) 1999-08-18
KR100389503B1 (ko) 2003-10-30
AU4370996A (en) 1996-06-06
ES2137561T3 (es) 1999-12-16
JPH10512925A (ja) 1998-12-08
CA2205139A1 (en) 1996-05-23
DK0792385T3 (da) 2000-01-24
CN1136335C (zh) 2004-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2146304C1 (ru) Устройство предварительного нагрева для печи инфильтрации и осаждения из газовой фазы, способ ввода газа-реагента в вышеназванную печь, фиксатор пористых структур и способ сборки фиксатора вместе с пористыми структурами
EP0832863B1 (en) Pressure gradient CVI/CVD apparatus, process, and product
EP1718783B1 (en) Pressure gradient cvi/cvd apparatus and method
RU2315821C2 (ru) Подогреватель газа
UA78733C2 (en) Method and device for densifying of porous substrate by gaseous phase infiltration
RU2173354C2 (ru) Способ и устройство инфильтрации газовой фазы химического вещества и химического осаждения из газовой фазы (варианты), изделие, получаемое этим способом, устройство для подачи первого газа-реагента в печь для инфильтрации и осаждения из газовой фазы и фрикционный диск