KR970077613A - 이중 포토레지스트층을 이용한 자기정합 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터의 조립 방법 및 장치 - Google Patents

이중 포토레지스트층을 이용한 자기정합 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터의 조립 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터 및 활성 에미터 접속 영역의 장해를 최소화하면서 공지된 방법보다 적은 공정 단계를 필요로하는 이중 포토레지스트를 이용하는 자기정합 베이스 금속 접속부를 갖춘 HBT 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 상기 포토레지스트는 에미터 메사를 형성하기 위해 사용된다. 에미터 메사 포토레지스트는 남아있고, 이때 이중 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 및 포토 레지스트층이 사용된다. 삼중 포토레지스트 조합부는 선택적 베이스 오믹 금속 퇴적 및 리프트 오프(rift off)를 허용하는 베이스 금속 접속부와 에미터 메사에 대한 비임계 측면 정합을 이루기 위해 패턴화된다. 마스킹을 위해 금속 또는 유전체와 대조적으로 이중 포토레지스트를 이용함으로써, 부가적인 포토리소그라피(photolithography) 단계 및 에칭 단계가 제거된다. 부가적인 에칭 단계의 요구를 제거함으로써, 반도체의 활성 영역은 에칭 단계에 노출되어 손상되는 것을 최대한 방지할 수 있다.

Description

이중 포토레지스트층을 이용한 자기정합 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터의 조립 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 오믹 접속부의 금속화를 예시하는 제7도의 유사 도면.

Claims (18)

  1. 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)를 제조하는 방법에 있어서, a) 기판층, 콜렉터 접속층, 콜렉터층, 베이스층, 에미터층을 갖춘 수직으로 집적된 형상을 갖는 구조를 제공하는 단계와, b) 사전결정된 상기 에미터층부를 이후에 형성되는 에미터 메사에 대한 사전결정된 돌출부를 제공하도록 크기화된 제1포토레지스트로 커버링하는 단계와, c) 상기 베이스층으로의 액세스 뿐만아니라 에미터 메사를 한정하는 포토마스크를 생성하는 단계와, d) 상기 포토마스크를 통하여 상기 제1포토레지스트를 노출 및 조성하는 단계와, e) 상기 베이스층의 사전결정된 영역을 노출 뿐만아니라 상기 에미터층을 에칭하여 상기 에미터 메사를 에칭하는 단계, 상기 남아있는 제1포토레지스트는 사전결정된 양만큼 상기 에미터 메사를 돌출하는 단계와, f) 상기 베이스층과 상기 제1포토레지스트의 상기 노출된 영역상에 제2포토레지스트를 제공하는 단계와, g) 상기 제2포토레지스트위에 제3포토레지스트를 제공하는 단계와, h) 상기 제3포토레지스트의 일부분을 제거할 수 있도록 제2포토레지스트층을 패턴화하기 위해 패턴화된 제3포토레지스트층을 이용하는 비임계 측면 정합으로 패턴화되는 포토마스크를 제공하는 단계와, i) 3개의 포토레지스트층을 제1포토레지스트 돌출부를 제어하는 제거 시간으로 제거하여 사전결정된 p-오믹 금속과 에미터 메사의 공간으로 제공하는 단계와, j) 상기 제1포토레지스트 및 상기 제3포토레지스트의 남아있는 부분을 코팅 뿐만아니라 상기 구조에 사전결정된 금속을 퇴적하여 자기정합 및 상기 에미터 메사로부터 격리되어 공간화되는 베이스 금속 접속부를 형성하는 단계와, k) 상기 금속 코팅 뿐만아니라 상기 제1 및 제2포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판층은 GaAs로 형성되는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 콜렉터 접속층은 N+ 재료로 형성되는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 콜렉터층은 N+ 재료로 형성되는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 베이스층은 p+ 재료로 형성되는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2포토레지스트는 폴리메틸마타크릴레이트(PMMA)인 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 사전결정된 금속은 p-오믹 금속인 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 에미터 메사에 대한 제1포토레지스트의 돌출부의 에칭을 조절하기 위해 상기 제2포토레지스트의 제거 시간을 조절하는 단계를 더 포함하는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2포토레지스트의 제거 시간은 조절되어, 상기 제1포토레지스트의 돌출부가 상기 에미터 메사에 대한 사전결정된 거리로 베이스 금속 접속부의 자기정합을 제공하는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 사전결정된 공간은 약 0.2㎛인 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법.
  11. 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)는, 기판층, 콜렉터 접속층, 콜렉터층, 베이스층 및 에미터층을 포함하는 다른 상부에 적층된 다수의 에피텍셜 성장층과, 상기 베이스층상에 형성된 에미터 메사와, 상기 베이스 에미터에 대한 사전결정된 거리로 공간화된 하나 이상의 베이스 금속 접속층을 포함하고, 상기 베이스 금속접속부는 상기 에미터 메사에 대한 베이스 금속 접속부의 자기정합을 제공하도록 구성된 제1포토레지스트 및 제2포토레지스트를 포함하는 이중층 포토레지스트를 통해 상기 에미터 메사와 공간화되는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1포토레지스트는 상기 에미터 메사에 대한 돌출부로서 형성되는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2이중 포토레지스트층은 상기 베이스층의 노출된 부분 뿐만아니라 상기 제1포토레지스트상에 배치되고, 인접하 상기 에미터 메사에 에칭되어 상기 베이스 금속 접속부의 자기정합을 제공하는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터.
  14. 제12항에 있어서, 상기 이중 포토레지스트는 폴리메틸메티크릴에이트(PMMA)와 포토레지스트 조합부인 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터.
  15. 제12항에 있어서, 상기 기판은 GaAs로 형성되는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터.
  16. 제12항에 있어서, 상기 콜렉터 접속층은 n+ 재료로 형성되는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터.
  17. 제12항에 있어서, 상기 콜렉터층은 n- 재료로 형성되는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터.
  18. 제12항에 있어서, 상기 베이스층은 P+ 재료로 형성되는 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970019102A 1996-05-13 1997-05-13 이중 포토레지스트층을 사용한 자기정렬 헤테로접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 및 장치 KR100264502B1 (ko)

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5804487A (en) * 1996-07-10 1998-09-08 Trw Inc. Method of fabricating high βHBT devices
US5946582A (en) * 1997-01-07 1999-08-31 Telcordia Technologies, Inc. Method of making an InP-based heterojunction bipolar transistor with reduced base-collector capacitance
US6285044B1 (en) 1997-01-08 2001-09-04 Telcordia Technologies, Inc. InP-based heterojunction bipolar transistor with reduced base-collector capacitance
DE19834491A1 (de) * 1998-07-31 2000-02-03 Daimler Chrysler Ag Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines Heterobipolartransistors
DE19852852A1 (de) * 1998-11-11 2000-05-18 Inst Halbleiterphysik Gmbh Lithographieverfahren zur Emitterstrukturierung von Bipolartransistoren
US6255035B1 (en) 1999-03-17 2001-07-03 Electron Vision Corporation Method of creating optimal photoresist structures used in the manufacture of metal T-gates for high-speed semiconductor devices
US6541346B2 (en) 2001-03-20 2003-04-01 Roger J. Malik Method and apparatus for a self-aligned heterojunction bipolar transistor using dielectric assisted metal liftoff process
US6303477B1 (en) 2001-04-04 2001-10-16 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd Removal of organic anti-reflection coatings in integrated circuits
US6469581B1 (en) 2001-06-08 2002-10-22 Trw Inc. HEMT-HBT doherty microwave amplifier
US6864742B2 (en) * 2001-06-08 2005-03-08 Northrop Grumman Corporation Application of the doherty amplifier as a predistortion circuit for linearizing microwave amplifiers
US6569763B1 (en) 2002-04-09 2003-05-27 Northrop Grumman Corporation Method to separate a metal film from an insulating film in a semiconductor device using adhesive tape
US6924203B2 (en) * 2003-05-27 2005-08-02 Northrop Grumman Corporation Double HBT base metal micro-bridge
CN106952951B (zh) * 2017-03-17 2019-11-15 中国科学院微电子研究所 InP基异质结双极晶体管的制作方法
CN110862088B (zh) * 2019-10-30 2020-11-13 南京大学 一种超高深宽比的硅纳米针阵列的制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63276267A (ja) * 1987-05-08 1988-11-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5106766A (en) * 1989-07-11 1992-04-21 At&T Bell Laboratories Method of making a semiconductor device that comprises p-type III-V semiconductor material
DE69128123T2 (de) * 1990-08-31 1998-03-05 Texas Instruments Inc Verfahren zum Herstellen selbst-ausrichtender bipolarer Transistoren mit Heteroübergang
US5219713A (en) * 1990-12-17 1993-06-15 Rockwell International Corporation Multi-layer photoresist air bridge fabrication method
US5208184A (en) * 1991-04-30 1993-05-04 Texas Instruments Incorporated P-n junction diffusion barrier employing mixed dopants
FR2692721B1 (fr) * 1992-06-17 1995-06-30 France Telecom Procede de realisation de transistor bipolaire a heterojonction et transistor obtenu.
US5298439A (en) * 1992-07-13 1994-03-29 Texas Instruments Incorporated 1/f noise reduction in heterojunction bipolar transistors
FR2711451B1 (fr) * 1993-10-18 1995-11-17 Jackie Etrillard Procédé d'obtention de contacts conducteurs auto-alignés pour composants électroniques.
US5472886A (en) * 1994-12-27 1995-12-05 At&T Corp. Structure of and method for manufacturing an LED
US5665614A (en) * 1995-06-06 1997-09-09 Hughes Electronics Method for making fully self-aligned submicron heterojunction bipolar transistor

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US5892248A (en) 1999-04-06
DE69729346D1 (de) 2004-07-08
US5736417A (en) 1998-04-07
JPH1050722A (ja) 1998-02-20
KR100264502B1 (ko) 2000-10-02
DE69729346T2 (de) 2004-10-28
JP3020890B2 (ja) 2000-03-15
EP0810645B1 (en) 2004-06-02
EP0810645A3 (en) 1998-01-14
EP0810645A2 (en) 1997-12-03

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