JPH03263328A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03263328A JPH03263328A JP6304190A JP6304190A JPH03263328A JP H03263328 A JPH03263328 A JP H03263328A JP 6304190 A JP6304190 A JP 6304190A JP 6304190 A JP6304190 A JP 6304190A JP H03263328 A JPH03263328 A JP H03263328A
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体基板上にベース層訃よびエミツタ層を
形成された半導体装置に関するものである。
形成された半導体装置に関するものである。
第２図１ａｌ〜１０）は従来のベース層およびエミツタ
層が形成された半導体装置の製造工程紫示す断面図であ
る。
層が形成された半導体装置の製造工程紫示す断面図であ
る。
図に訃いて、…はｎ型半導体基板、（２）はシリコン酸
化膜、：３１ ｕホトレジスト−、＋４１はベース開孔
部、１６）はベース層、［６）はホトレジスト、１７）
はエミッタ開孔部、（９）はエミツタ層である。
化膜、：３１ ｕホトレジスト−、＋４１はベース開孔
部、１６）はベース層、［６）はホトレジスト、１７）
はエミッタ開孔部、（９）はエミツタ層である。
次にその製造工程について説明する。
筐ず第２ｗｔａ＋に示すように、ｎ型半導体基板１１上
にシリコン酸化膜（２１金形戚し、次いで、シリコン酸
化膜（２）上にホトレジスト（３；を形成する。
にシリコン酸化膜（２１金形戚し、次いで、シリコン酸
化膜（２）上にホトレジスト（３；を形成する。
さらに第２図ｔａｌに示すようにホトレジスト・３）の
パターニング通りにシリコン酸化膜（２）をエツチング
しベース開孔部（４１乞形成する。次いで、ホトレジス
ト（３１を除去した後、シリコン酸化膜１２１の選択注
入効果を利用して、ｎ型半導体基板Ｉｌ＋と反対導電型
のｐ型不純物金注入拡散してベース層（５１を形成する
。
パターニング通りにシリコン酸化膜（２）をエツチング
しベース開孔部（４１乞形成する。次いで、ホトレジス
ト（３１を除去した後、シリコン酸化膜１２１の選択注
入効果を利用して、ｎ型半導体基板Ｉｌ＋と反対導電型
のｐ型不純物金注入拡散してベース層（５１を形成する
。
次に第２図＋ｂｌに示すように、シリコン酸化膜ｔｌｏ
ｌ 金形成し、その上にホトレジスト１６）を形成し、
第２図（０）に示すようにホトレジスト（６）のパター
ニング通りに、シリコン酸化膜ＬＩＯＩ ｋエツチング
し工□ツタ開孔部（７）を形成する。次いでホトレジス
ト（６）金除去した後、シリコン酸化膜１１０）の選択
注入効果金利用してｎ型不純物金注入拡散しエミッタｊ
ｊｉ ＋９１を形成する。
ｌ 金形成し、その上にホトレジスト１６）を形成し、
第２図（０）に示すようにホトレジスト（６）のパター
ニング通りに、シリコン酸化膜ＬＩＯＩ ｋエツチング
し工□ツタ開孔部（７）を形成する。次いでホトレジス
ト（６）金除去した後、シリコン酸化膜１１０）の選択
注入効果金利用してｎ型不純物金注入拡散しエミッタｊ
ｊｉ ＋９１を形成する。
従来の半導体装置は以上のように形成されていたので、
エミッタ直下のベース層＠を小さくすることが出来ず、
高周波性能乞高めることが出来ないという問題点があっ
た。
エミッタ直下のベース層＠を小さくすることが出来ず、
高周波性能乞高めることが出来ないという問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、エミッタ直下のベース層を選択的に浅くし、
速断周波数の高い南性能半導体装置金得ることを目的と
する。
たもので、エミッタ直下のベース層を選択的に浅くし、
速断周波数の高い南性能半導体装置金得ることを目的と
する。
この発明に係る半導体装置は、エミツタ層以外のベース
層は深く形成し、エミッタ直下のベース層は浅く形成す
るようにしたものである。
層は深く形成し、エミッタ直下のベース層は浅く形成す
るようにしたものである。
この発明にかける半導体装置は、半導体装置のエミツタ
層直下のベース層が浅く形成されているぴ〕で、キャリ
アの走行吃離が短かくなり速断周波数（ｆＴ）が高くな
り高周波特性が向上する。
層直下のベース層が浅く形成されているぴ〕で、キャリ
アの走行吃離が短かくなり速断周波数（ｆＴ）が高くな
り高周波特性が向上する。
以下、この発明の一実ＩＭＷＪ （ｌ−図について説明
する。
する。
第１図（＆）〜（０）はこの発明の一実施ｇＡＪｋ示す
半導体装置の電極の製造工程を示す断面図である。
半導体装置の電極の製造工程を示す断面図である。
なか、図中符号は前記従来のものと同一につき説明は省
略する。
略する。
次にその製造工程について説明する。
形成し、第１図（ａ、）に示すようにパターニング通り
にシリコン酸化膜；２）全エツチングし、エミッタ領域
以外のベース開孔部］４）を形成する。次いでホトレジ
スト（３）を除去した後、シリコン酸化膜（２）の選択
注入効果を利用して、ｎ型半導体基板Ｉ１１と反対導電
型のｐ型不純物金注入拡散して第１ベース層、５）金形
酸する。
にシリコン酸化膜；２）全エツチングし、エミッタ領域
以外のベース開孔部］４）を形成する。次いでホトレジ
スト（３）を除去した後、シリコン酸化膜（２）の選択
注入効果を利用して、ｎ型半導体基板Ｉ１１と反対導電
型のｐ型不純物金注入拡散して第１ベース層、５）金形
酸する。
次いで第１図（ｂ＋ ＶＣ示すように、ホトレジスト（
６）を形成、パターニングし、パターン通りにシリコン
酸化膜ｆ２１をエツチングし、エミッタ開孔部７）を形
成する。次いでホトレジスト（６１の選択注入効果を利
用してｐ型不純物金注入拡散して、第１ベース層１５）
より浅くなるような第８ベース層（８）を注入拡散し形
成する。次いで、Ｎ型不純物金注入拡散してエミツタ層
（９）を形成する。
６）を形成、パターニングし、パターン通りにシリコン
酸化膜ｆ２１をエツチングし、エミッタ開孔部７）を形
成する。次いでホトレジスト（６１の選択注入効果を利
用してｐ型不純物金注入拡散して、第１ベース層１５）
より浅くなるような第８ベース層（８）を注入拡散し形
成する。次いで、Ｎ型不純物金注入拡散してエミツタ層
（９）を形成する。
なお、上記実ｉ列ではＮ型半導体基板＋１’ｌを用いた
Ｎｐｕ高周波′トランジスタの場合について説明したが
、ＮＰＮ高周波トランジスタに限定するものではなく、
他のあらゆる半導体素子ＶＣも適用することが出来るこ
とはいうまでもない。
Ｎｐｕ高周波′トランジスタの場合について説明したが
、ＮＰＮ高周波トランジスタに限定するものではなく、
他のあらゆる半導体素子ＶＣも適用することが出来るこ
とはいうまでもない。
以上のようにこの発明によれば、半導体基板に形成され
たベース層に於いてエミッタ直下のベース層深さを浅く
したので、キャリアの走行時間を小さく出来、鴫断周波
数の高い高性能の半導体装置が得られるという効果があ
る。
たベース層に於いてエミッタ直下のベース層深さを浅く
したので、キャリアの走行時間を小さく出来、鴫断周波
数の高い高性能の半導体装置が得られるという効果があ
る。
第１図（８Ｌ１〜（０）はこの発明の一実施例による半
導体装置の製造工程金石す断面図、第２図ｔａ＋〜１０
ｉは従来の半導体装置の製造工程金石す断面図である。 国にかいて、田はｎ型半導体基板、１２１はシリコン酸
化膜、（３）はホトレジスｌ−、１４１はベース開孔部
、１５）は第１ベース層、（６）はホトレジスト。 ７）はエミッタ開孔部、（８）は第ｚベース層、＋９１
Ｆｉミニミッタを示す。 なか、図中、同一符号は回−１又は相当部分會小す。 第１図 Ｉｎ型牛劃側桂 ２゛シリコン負笈イし■更 ３：ホトレジスト ４、ベース開孔部 ｆ：弁１へ゛−ス雀 乙・ホトレジスト 第２図
導体装置の製造工程金石す断面図、第２図ｔａ＋〜１０
ｉは従来の半導体装置の製造工程金石す断面図である。 国にかいて、田はｎ型半導体基板、１２１はシリコン酸
化膜、（３）はホトレジスｌ−、１４１はベース開孔部
、１５）は第１ベース層、（６）はホトレジスト。 ７）はエミッタ開孔部、（８）は第ｚベース層、＋９１
Ｆｉミニミッタを示す。 なか、図中、同一符号は回−１又は相当部分會小す。 第１図 Ｉｎ型牛劃側桂 ２゛シリコン負笈イし■更 ３：ホトレジスト ４、ベース開孔部 ｆ：弁１へ゛−ス雀 乙・ホトレジスト 第２図
Claims (1)
- 半導体基板上にベース層を形成する半導体装置におい
て、エミッタ層直下のベース層のみを浅くしたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6304190A JPH03263328A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6304190A JPH03263328A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263328A true JPH03263328A (ja) | 1991-11-22 |
Family
ID=13217852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6304190A Pending JPH03263328A (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03263328A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020077734A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP6304190A patent/JPH03263328A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020077734A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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