KR0152971B1 - 자기정압을 이용한 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
자기정압을 이용한 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조방법Info
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Abstract
내용 없음
Description
제1도의 (a) 내지 (i)는 종래 바이폴라 트랜지스터의 제조에 대한 공정도.
제2도의 (a) 내지 (j)는 본 발명 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조에 대한 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21, 23, 26, 29 : 산화막 22 : 감광막
24 : 질화막 25 : P+폴리실리콘
27 : 베이스영역 28 : n+폴리실리콘
30 : 에미터영역 31 : 금속층
32 : 베이스 33 : 에미터
본 발명은 바이폴라(bipolar) 트랜지스터의 제조에 관한 것으로, 특히 자기정합(self-align)방법을 사용하여 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조에 적당하도록한 자기정합을 이용한 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
종래의 바이폴라 트랜지스터는 제1도 (a)(b)에 도시한 바와같이, SiO2로된 산화막(1), Si3N4로된 질화막(2)을 형성한후 P+폴리실리콘(p+polysilicon)(3)을 증착하여 베이스영역을 확보하고, 제1도(c)에 도시한 바와같이, P+폴리실리콘(3)위에 산화막(4)을 형성하며, 이때 질화막(2)위에는 산화막(4)이 형성되지 않게된다.
이후 제1도(d)에 도시한 바와같이, 질화막(2), 산화막(1)을 과다식각(over etching)하여 베이스영역(7)을 정의하며, 이때 P+폴리실리콘(3) 아래부분의 과다식각부분이 베이스콘택트(ase contact)크기로 정의된다. 이와같이하여 제1도(e)에 도시한 바와같이, 베이스콘택트(7)부위에 P+폴리실리콘(5)을 재증착한후 제1도(f)에 도시한 바와같이 식각하고, 산화막(6)을 증착하여 분리막을 형성함에 따라 베이스영역(7)이 형성된다.
이후 제1도(g)(h)에 도시한 바와같이, 도우핑(doping) 되지않은 폴리실리콘(11)을 증착한 후 식각 및 상이온주입에 의해 n+폴리실리콘(8)을 형성하고, 제1도(i)에 도시한 바와같이, n+폴리실리콘(8), P+폴리실리콘(3)에금속층(6)을 접촉한후 베이스영역(7), 에미터영역(10)을 개방함에 따라 바이폴라 트랜지스터가 제조되엇다.
그런데 상기와 같은 종래의 바이폴라 트랜지스터의 제조에 있어서는 질화막, 산화막이 과다식각에 의해 베이스영역의 크기를 조정하므로 베이스패턴의 크기 및 콘택트 크기의 조정이 부정확하게 되었으며, P+폴리실리콘이 2중으로 증착되므로 공정이 증가되는 문제점이 있었다.
본 발명은 이와같은 종래의 문제점을 해결하기 위해, 자기정합방법을 이용하여 폴리실리콘의 증착공정수를 줄이고 베이스영역의 콘택트 크기를 정확하게 조정하면서도 고집적화에 적당하도록한 자기정합을 이용한 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조방법을 창안한 것으로, 이하 첨부한 도면에 의해 상세히 설명한다.
제2도의 (a) 내지 (j)는 본 발명 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조에 대한 공정도로서, 제2도(a)에 도시한 바와같이 SiO2로된 산화막(21)을 성장시킨 상태에서 감광막(photo resist)(22)을 마스크로한후 B 이온주입하여 진성베이스(intrinsic base) 성장하고, 제2도 (b)(c)에 도시한 바와같이 상기 감광막(22)을 제거하여 얇은 산화막(23)을 성장한후 Si3N4 로된 질화막(24)을 증착하고, 이후 제2도(d)에 도시한 바와같이 상기 질화막(24), 산화막(23)을 식각하여 에미터영역을 확보한후 제2도(e)에 도시한 바와같이 P+ 폴리실리콘(25)을 증착한다. P+폴리실리콘을 포토(Photo)식각하여 P+ 폴리실리콘(25)과 질화막(24)은 겹치지 않게 하며, P+폴리실리콘(25)의 접합부분이 베이스콘택영역(27)이 된다.
이후 제2도(f)에 도시한 바와같이 베이스, 에미터영역의 분리를 위해 산화막(26)을 형성하여, P+폴리실리콘(25)을 산화시킨 뒤 제2도(g)에 도시한 바와같이 질화막(24), 산화막(23)을 식각하여 에미터 콘택트를 형성하고, 제2도(h)에 도시한 바와같이, n+폴리실리콘(28)을 증착한후 제2도(i)에 도시한 바와같이 n+폴리실리콘(28)을 산화시켜 유전체(29)층을 형성시키며, 이때 확산에 의해 에미터영역(30)이 형성된다.
이와같이하여 제2도(j)에 도시한 바와같이, P+폴리실리콘(25), n+폴리실리콘(28)위에 금속층(31)을 증착하여 베이스, 에미터(32)(33)를 전극을 형성함에 따라 고집적 바이폴라 트랜지스터가 제조된다.
이상에서 상세히 설명한 바와같이 본 발명은 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조가 가능하면서도 폴리 실리콘의 공정수가 3회에서 2회로 줄고, 베이스 콘택트 크기도 정확히 정의되므로 공정의 단순화 및 정밀화를 실현할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 반도체 기판위에 산화막을 형성하여 산화막의 두께가 두꺼운 제1영역과 산화막의 두께가 얇은 제2영역을 형성하는 공정과 상기 제2영역내의 산화막위에 질화막을 증착하는 공정과, 상기 제2영역내의 상기 산화막과 질화막을 패터닝(pattering)하여 마스크(mask)를 형성하는 공정과, 상기 제1영역내의 산화막상부와 제2영역내의 기판상에 제1전도체를 형성하되 상기 제2영역내의 패터닝된 상기 마스크와 겹치지 않도록 형성하는 공정과, 상기 제1전도체 상부와 마스크사이의 반도체 기판상에 제2산화막을 형성하는 공정과, 상기 마스크를 제거하고 제2전도체를 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 자기정합을 이용한 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
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