KR970077141A - 반도체소자의 금속막 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 금속막 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 실리콘기판과 금속간의 상호 확산을 억제하는 능력이 우수한 배리어 금속막 형성방법에 관한 것으로, 실리콘기판상에 형성된 절연막의 소정영역에 도전층간 접속을 위한 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함한 절연막 전면에 Ti와 제1배리어 금속을 연속적으로 증착하는 단계와, 상기 Ti막 및 제1배리어 금속막을 경화시키는 단계, 및 상기 제1배리어 금속막상에 제2배리어 금속을 증착하는 단계를 포함하는 반도체소자의 금속막 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체소자의 금속막 형성방법을 도시한 공정순서도이다.
Claims (10)
- 실리콘기판상에 형성된 절연막의 소정영역에 도전층간 접속을 위한 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함한 절연막 전면에 Ti와 제1배리어 금속을 연속적으로 증착하는 단계, 상기 Ti막 및 제1배리어 금속막을 강화시키는 단계, 및 상기 제1배리어 금속막상에 제2배리어 금속을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ti는 100-400A 두께로 증착화는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1배리어 금속 및 제2배리어 금속은 TiN임을 특징으로 하는 반도체소자의 금속막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1배리어 금속은 상기 제1 및 제2배리어 금속막으로 이루어지는 전체 배리어 금속막 두께의 50-90%에 해당하는 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속막 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1배리어 금속막의 두께는 800-1500A정도로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속막 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제1배리어 금속막은 500-1000A정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2배리어 금속은 상기 제1 및 제2배리어 금속막으로 이루어지는 전체 배리어 금속막 두께의 10-50%에 해당하는 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Ti막 및 제1배리어 금속막의 경화는 400-500℃의 온도에서 10-40분간 O2및N2분위기에서 열처리하는 공정임을 특징으로 하는 반도체소자의 금속막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2배리어 금속을 증착한 후, 대기에 노출시켜 상기 제2배리어 금속막 표면에 얇은 산화층이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2배리어 금속을 증착하는 단계후에 상기 제2배리어 금속막상에 Ti엣팅막을 형성하는 단계와, 상기 Ti엣팅막상에 제1금속층을 형성하는 단계, 및 상기 제1금속층상에 상기 콘택홀이 매립되도록 제2금속층을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018363A KR970077141A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체소자의 금속막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018363A KR970077141A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체소자의 금속막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077141A true KR970077141A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66284517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960018363A KR970077141A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체소자의 금속막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077141A (ko) |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018363A patent/KR970077141A/ko not_active IP Right Cessation
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