KR970072314A - 금속배선의 형성방법 - Google Patents

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KR970072314A
KR970072314A KR1019960010282A KR19960010282A KR970072314A KR 970072314 A KR970072314 A KR 970072314A KR 1019960010282 A KR1019960010282 A KR 1019960010282A KR 19960010282 A KR19960010282 A KR 19960010282A KR 970072314 A KR970072314 A KR 970072314A
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metal wiring
metal
plug
wirings
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KR1019960010282A
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김성훈
한봉석
Original Assignee
문정환
Lg 반도체주식회사
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Abstract

본 발명은 금속배선의 형성방법에 관한 것으로 반도체의 금속배선에 있어서 확장영역(dogbone)을 제거하여 금속배선간의 스페이스를 최대로 확보하면서 배선간에 단락되는 것을 방지하고, 레이아웃의 면적을 줄이도록한 금속배선의 형성방법에 관한 것이다.
이와같은 본 발명의 금속배선 형성방법은 기판상에 콘택홀을 갖는 절연막을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀내에 플러그를 형성하는 단계, 그리고 상기 절연막 위의 플러그를 지나고 동일한 폭으로 금속배선을 형성하는 단계를 포함하여 구성한 것이다.

Description

금속배선의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 금속배선의 레이아웃도.

Claims (1)

  1. 기판상에 콘택홀을 갖는 절연막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀내에 프러그를 형성하는 단계; 그리고, 상기 절연막 위의 플러그를 지나고 동일한 폭으로 금속배선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019960010282A 1996-04-04 1996-04-04 금속배선의 형성방법 KR970072314A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100824200B1 (ko) * 2006-09-29 2008-04-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속배선

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100824200B1 (ko) * 2006-09-29 2008-04-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속배선
US7495340B2 (en) 2006-09-29 2009-02-24 Hynix Semiconductor Inc. Metal layer structure of semiconductor device

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