KR970072092A - 콘택홀 매립방법 - Google Patents
콘택홀 매립방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970072092A KR970072092A KR1019960012521A KR19960012521A KR970072092A KR 970072092 A KR970072092 A KR 970072092A KR 1019960012521 A KR1019960012521 A KR 1019960012521A KR 19960012521 A KR19960012521 A KR 19960012521A KR 970072092 A KR970072092 A KR 970072092A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- contact holes
- impurities
- silicon layer
- polycrystalline silicon
- layer doped
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
반도체소자 제조시 콘택홀 매립방법에 관하여 기재하고 있다. 이는 불순물이 도우프되지 않은 다결정실리콘층과 불순물이 도우프된 다결정실리콘층을 다층으로 교대로 침적하여 콘택홀을 매립하는 것을 특징으로 한다. 따라서 접촉저항 증가를 방지함과 동시에, 스토리지 전극 형성시에는 커패시터의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명의 일 실시예에 따른 콘택홀 매립방법을 설명하기 위해 도시한 도면들이다.
Claims (1)
- 반도체 소자 제조시 콘택홀 매립방법에 있어서, 불순물이 도우프되지 않은 다결정실리콘층과 불순물이 도우프된 다결정실리콘층을 다층으로 교대로 침적하여 콘택홀을 매립하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 매립방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012521A KR970072092A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 콘택홀 매립방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012521A KR970072092A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 콘택홀 매립방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072092A true KR970072092A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66216659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960012521A KR970072092A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 콘택홀 매립방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072092A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447107B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-09-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 플러그 폴리-실리콘막의 구조 |
-
1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012521A patent/KR970072092A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447107B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2004-09-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 플러그 폴리-실리콘막의 구조 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970060496A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR970023743A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR930005121A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| EP1189262A3 (en) | Semiconductor device comprising a capacitor and method of manufacturing the same | |
| KR900003896A (ko) | 반도체 메모리와 그 제조방법 | |
| KR940027149A (ko) | 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR910003813A (ko) | 적층된 캐패시터 및 매립된 측방향 접촉부를 갖는 dram 셀 | |
| KR970008413A (ko) | 반도체집적회로장치 및 그의 제조방법 | |
| KR950034786A (ko) | 캐패시터, 전극 또는 배선 구조물 및 반도체 디바이스 | |
| KR970063592A (ko) | 다층 패드를 구비하는 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR950028136A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR900008658A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR970072428A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR910013507A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR960027004A (ko) | 반도체 장치의 측면콘택 형성방법 | |
| KR970072092A (ko) | 콘택홀 매립방법 | |
| KR950021526A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| KR970072381A (ko) | 이에스디(esd) 보호회로의 구조 및 제조방법 | |
| KR960032739A (ko) | 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법 | |
| KR910008850A (ko) | 반도체 디바이스 | |
| KR850002683A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR920015464A (ko) | 반도체 장치의 전극배선층 및 그 제조방법 | |
| KR970008640A (ko) | 반도체 장치 | |
| KR960039154A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR960032687A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |