KR970071098A - 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법과 액정 표시 장치 - Google Patents

액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법과 액정 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970071098A
KR970071098A KR1019970007049A KR19970007049A KR970071098A KR 970071098 A KR970071098 A KR 970071098A KR 1019970007049 A KR1019970007049 A KR 1019970007049A KR 19970007049 A KR19970007049 A KR 19970007049A KR 970071098 A KR970071098 A KR 970071098A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
active matrix
signal line
matrix substrate
substrate
forming
Prior art date
Application number
KR1019970007049A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100248593B1 (ko
Inventor
요시노리 시마다
유끼노부 나까따
아끼히로 야마모또
Original Assignee
쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=14146038&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR970071098(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 쯔지 하루오, 샤프 가부시끼가이샤 filed Critical 쯔지 하루오
Publication of KR970071098A publication Critical patent/KR970071098A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100248593B1 publication Critical patent/KR100248593B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

액티브 매트릭스 기판의 제조 공정에 있어서, 열 경화성수지로 이루어진 층간 절연막에 콘택트 홀을 형성해서 열 경화할 경우에, 실온으로부터 소성 온도로의 가열시의 온도 구배를 10℃분/이하로 한다. 이것에 의해 콘택트 홀의 경사면의 경사 각도θ가 45°~60°의 범위로 제한된다.

Description

액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법과 액정 표시 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 제1도의 액정 셀에서의 B-B'선을 따라 절단한 단면도.

Claims (12)

  1. 스위칭 소자가 매트릭스 형태로 배치되고, 상기 스위칭 소자에 주사 신호를 공급하는 게이트 신호선 및 스위칭 소자에 데이타 신호를 공급하는 소스 신호선이 서로 직교해서 형성되며, 상기 스위칭 소자, 게이트 신호선, 및 소스 신호선의 상층에 층간 절연막이 형성되고, 상기 층간 절연막 상에 형성된 화소 전극이 상기 층간절연막을 관통하는 콘택트 홀을 개재해서 트레인 전극과 접속된 액티브 매트릭스 기판에 있어서, 상기 콘택트 홀의 경사면이 경사각이 45°~60°인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막의 막두께가 2㎛이상인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막이 감광성을 갖는 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막이 아크릴 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  5. 제1항에 있어서, 상기 콘택트 홀 부분을 차광하는 보조 용량 신호선을 구비한 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  6. 기판 상에 스위칭 소자, 게이트 신호선, 및 소스 신호선을 형성하는 공정, 상기 스위칭 소자, 게이트 신호선, 및 소스 신호선의 상층에 적어도 열 경화성을 갖는 수지막을 성막하고, 패터닝에 의해서 상기 수직막에 콘택트 홀을 형성하는 공정, 및 실온으로부터 소성 온도까지 매분 10℃ 이하의 온도 구배로 승온시켜 상기 수지막을 소성해서 경화하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조방법.
  7. 기판 상에 스위칭 소자, 게이트 신호선, 및 소스 신호선을 형성하는 공정, 상기 스위칭 소자, 게이트 신호선, 및 소스 신호선의 상층에 적어도 열 경화성을 갖는 수지막을 성막하고, 패터닝에 의해서 상기 수직막에 콘택트 홀을 형성하는 공정, 상기 수지막의 가소성을 행하는 공정, 및 본 소성을 행하여 상기 수지막을 경화시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조방법.
  8. 청구항 6에 기재된 제조 방법에 의해서 제조된 액티브 매트릭스 기판.
  9. 청구항 7에 기재된 제조 방법에 의해서 제조된 액티브 매트릭스 기판.
  10. 청구항 1에 기재된 액트브 기판과, 적어도 대향 전극을 구비한 대향 기판을 구비하며, 상기 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판과의 사이에 액정을 끼워 넣어 구성한 액정 표시 장치.
  11. 청구항 6에 기재된 제조 방법에 의해서 제조된 액티브 매트릭스 기판과, 적어도 대향 전극을 구비한 대향 기판을 구비하며, 상기 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판과의 사이에 액정을 끼워 넣어 구성한 액정 표시 장치.
  12. 청구항 7에 기재된 제조 방법에 의해서 제조된 액티브 매트릭스 기판과, 적어도 대향 전극을 구비한 대향 기판을 구비하며, 상기 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판과의 사이에 액정을 끼워 넣어 구성한 액정 표시 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970007049A 1996-04-17 1997-03-04 액티브매트릭스기판 및 그 제조방법과 액정표시장치 KR100248593B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-095745 1996-04-17
JP9574596A JP3297591B2 (ja) 1996-04-17 1996-04-17 アクティブマトリクス基板の製造方法並びに液晶表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970071098A true KR970071098A (ko) 1997-11-07
KR100248593B1 KR100248593B1 (ko) 2000-03-15

Family

ID=14146038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970007049A KR100248593B1 (ko) 1996-04-17 1997-03-04 액티브매트릭스기판 및 그 제조방법과 액정표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5907376A (ko)
JP (1) JP3297591B2 (ko)
KR (1) KR100248593B1 (ko)
TW (2) TW457392B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010088329A (ko) * 2000-03-07 2001-09-26 가네꼬 히사시 액정표시장치 및 그 제조방법

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7202497B2 (en) 1997-11-27 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4014710B2 (ja) * 1997-11-28 2007-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6809787B1 (en) * 1998-12-11 2004-10-26 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device
US6791647B1 (en) * 1999-02-24 2004-09-14 Lg Philips Lcd Co., Ltd. Multi-domain liquid crystal display device
TW525305B (en) 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
GB0102167D0 (en) * 2001-01-27 2001-03-14 Koninl Philips Electronics Nv Pixellated devices such as active matrix liquid crystal displys and methods of manufacturing such
US7190008B2 (en) * 2002-04-24 2007-03-13 E Ink Corporation Electro-optic displays, and components for use therein
US6876416B2 (en) * 2002-04-30 2005-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus having alignment film and method of manufacturing the same
JPWO2004030075A1 (ja) * 2002-09-26 2006-01-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP3880568B2 (ja) * 2002-10-25 2007-02-14 鹿児島日本電気株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4155227B2 (ja) * 2004-05-07 2008-09-24 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
WO2007091346A1 (ja) * 2006-02-10 2007-08-16 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示パネルおよび液晶表示装置
US20110304809A1 (en) * 2009-03-18 2011-12-15 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and display device
US9224759B2 (en) * 2010-12-20 2015-12-29 Japan Display Inc. Pixel array substrate structure, method of manufacturing pixel array substrate structure, display device, and electronic apparatus
CN102364389A (zh) * 2011-10-17 2012-02-29 深圳市华星光电技术有限公司 控制液晶显示装置接触孔孔壁角度的制作方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0669027B2 (ja) * 1983-02-21 1994-08-31 株式会社日立製作所 半導体ウエハの薄膜形成方法
JPS60215319A (ja) * 1984-04-10 1985-10-28 加藤電機株式会社 抽斗の開閉保持装置
JPS6273726A (ja) * 1985-09-27 1987-04-04 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5032883A (en) * 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
JP2512988B2 (ja) * 1988-05-02 1996-07-03 住友化学工業株式会社 トランス―２，２−ジメチル―３―（２，２―ジクロルビニル）―シクロプロパンカルボン酸ハライドの製造方法
JPH0243752A (ja) * 1988-08-03 1990-02-14 Nec Corp 静電チャック型ウエハホルダ
JPH03144422A (ja) * 1989-10-30 1991-06-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示用パネル
JPH03246937A (ja) * 1990-02-23 1991-11-05 Sharp Corp 半導体装置の製造方法
US5434441A (en) * 1992-01-31 1995-07-18 Canon Kabushiki Kaisha Silicon-on-insulator CMOS device and a liquid crystal display with controlled base insulator thickness
JPH05249494A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Sony Corp 液晶表示装置
JP2672055B2 (ja) * 1992-05-08 1997-11-05 信幸 山村 液晶表示素子とその製造方法及びこれを使用する表示装置
JPH07235772A (ja) * 1994-02-25 1995-09-05 Fujitsu Ltd 薄膜多層回路基板およびその製造方法
US5682211A (en) * 1994-04-28 1997-10-28 Xerox Corporation Integrated dark matrix for an active matrix liquid crystal display with pixel electrodes overlapping gate data lines
US5621556A (en) * 1994-04-28 1997-04-15 Xerox Corporation Method of manufacturing active matrix LCD using five masks
US6372534B1 (en) * 1995-06-06 2002-04-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
JPH0980416A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Sharp Corp 液晶表示装置
JP3332773B2 (ja) * 1996-03-15 2002-10-07 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010088329A (ko) * 2000-03-07 2001-09-26 가네꼬 히사시 액정표시장치 및 그 제조방법
US6773767B2 (en) 2000-03-07 2004-08-10 Nec Corporation Liquid crystal display unit and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP3297591B2 (ja) 2002-07-02
US5907376A (en) 1999-05-25
US6084653A (en) 2000-07-04
TW457392B (en) 2001-10-01
KR100248593B1 (ko) 2000-03-15
TWI243937B (en) 2005-11-21
JPH09281524A (ja) 1997-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970071098A (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법과 액정 표시 장치
CN102103284B (zh) 显示装置和制造显示装置的方法
CN104460121B (zh) 液晶显示面板及其制作方法、液晶显示装置
KR970062778A (ko) 전기 광학 장치 및 그 제조 방법
WO2017049837A1 (zh) 一种光触控基板、内嵌式触摸屏及显示装置
JPH0990373A (ja) 液晶表示装置とその製造方法
JPH1062767A (ja) 液晶表示素子及びその製造方法
KR101728787B1 (ko) 디스플레이 장치
US9082666B2 (en) Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
KR970018637A (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 디스플레이 장치
US10935847B2 (en) Display panel and fabrication method thereof and display device
US10598990B2 (en) Array substrate for liquid crystal displays and liquid crystal display including the same
KR101354664B1 (ko) 터치 스크린 패널 및 이의 제조 방법
TWI231399B (en) Liquid crystal display unit and liquid crystal display device
KR910012773A (ko) 액정 표시장치
TWI708095B (zh) 顯示裝置及其隔墊物單元
JPH10312244A (ja) 入力装置付き液晶表示装置
KR960024612A (ko) 박막 트랜지스터 액정표시패널의 트랜스퍼 컨택트 형성방법 및 그 구조
JPS627022A (ja) 液晶表示装置
KR100502806B1 (ko) 액정표시장치및그제조방법
JPH03175425A (ja) 液晶パネル装置
JPH04147218A (ja) カラー液晶パネル装置
CN108732838A (zh) 一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及装置
KR100483524B1 (ko) 균일한기판간격을갖는액정표시장치및그제조방법
CN118151438A (zh) 阵列基板、显示面板、其制作方法及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121121

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131118

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141205

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151211

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161209

Year of fee payment: 18

EXPY Expiration of term