KR970055396A - 지연회로 - Google Patents
지연회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970055396A KR970055396A KR1019950065658A KR19950065658A KR970055396A KR 970055396 A KR970055396 A KR 970055396A KR 1019950065658 A KR1019950065658 A KR 1019950065658A KR 19950065658 A KR19950065658 A KR 19950065658A KR 970055396 A KR970055396 A KR 970055396A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- node
- delay circuit
- input
- ground
- power supply
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
- H03K5/133—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 지연회로에 관한 것으로서, 저전압에서는 MOS 트랜지스터의 저항을 가장 작게 만들고, 중간전압에서는 MOS 트랜지스터의 저항을 중간 값으로 만들고, 고전압에서는 MOS 트랜지스터의 저항을 가장 크게 만들어 주어 출력 캐패시터를 사용하는 지연회로의 지연시간이 일정하게 출력되도록 한 지연회로에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 지연회로 출력수단의 회로도.
Claims (6)
- 저전압에서는 MOS 트랜지스터의 저항을 가장 작게 만들고, 중간 전압에서는 MOS 트랜지스터의 저항을 중간 값으로 만들며, 고전압에서는 MOS 트랜지스터의 저항을 가장 크게 만들어 주기 위한 다수의 지연회로 입력수단과, 상기 다수의 지연회로 입력수단의 출력신호에 따라 데이타 입력 전압을 안정되게 출력시키도록 하는 지연회로 출력수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 지연회로.
- 제1항에 있어서, 상기 지연회로 입력수단은 다수의 기준전압을 출력하여 상기 출력되는 다수의 기준전압에 따라 각각의 출력신호를 출력하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 지연회로.
- 제1항에 있어서, 상기 지연회로 출력수단은 전원단자 및 출력단자간에 접속되며 데이타 입력신호를 입력으로 하는 풀업 크랜지스터와, 상기 출력단자 및 노드간에 병렬 접속되며 다수의 논리게이트 소자를 통해 입력되는 각각의 입력수단의 출력신호를 입력으로 하는 다수의 NMOS 트랜지스터와, 상기 노드 및 접지단자간에접속되며 상기 데이타 입력신호를 입력으로 하는 풀다운 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 지연회로.
- 제1항에 있어서, 상기 지연회로 입력수단은 전원단자 및 노드 K1 간에 PMOS 트랜지스터가 접속되며 상기 노드 K1 및 접지간에 2개의 PMOS 트랜지스터가 직렬로 접속되고, 상기 전원단자 및 노드 VREF1 간에 상기 노드 K1을 입력으로 하는 PMOS 트랜지스터가 접속되며 상기 노드 VREF1 및 접지간에 3개의 PMOS트랜지스터가 직렬로 접속되고, 상기 전원단자 및 노드 INA 간에 상기 노드 VREF1을 입력으로 하는 PMOS트랜지스터가 접속되며 상기 노드 INA 및 접지간에 전원전압을 입력으로 하는 NMOS트랜지스터가 접속되는것을 특징으로 하는 지연회로.
- 제1항에 있어서, 상기 지연회로 입력수단은 전원단자 및 노드 K1간에 PMOS 트랜지스터가 접속되며 상기 노드 K1 및 접지간에 2개의 PMOS 트랜지스터가 직렬로 접속되고, 상기 전원단자 및 노드 VREF2 간에 상기 노드 K1을 입력으로 하는 PMOS 트랜지스터가 접속되며 상기 노드 VREF2 및 접지간에 4개의 PMOS트랜지스터가 직렬로 접속되고, 상기 전원단자 및 노드 INB 간에 상기 노드 VREF2를 입력으로하는 PMOS트랜지스터가 접속되며 상기 노드 INB 및 접지간에 전원전압을 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터가 접속되는 것을 특징으로 하는 지연회로.
- 제1항에 있어서, 상기 지연회로 입력수단은 전원단자 및 노드 K1 간에 PMOS 트랜지스터가 접속되며 상기 노드 K1 및 접지간에 2개의 PMOS 트랜지스터가 직렬로 접속되고, 상기 전원단자 및 노드 VREF3 간에 상기 노드 K1을 입력으로 하는 PMOS 트랜지스터가 접속되며 상기 노드 VREF3 및 접지간에 3개의 PMOS트랜지스터가 직렬로 접속되고, 상기 전원단자 및 노드 INC 간에 상기 노드 VREF3를 입력으로하는 PMOS트랜지스터가 접속되며 상기 노드 INC 및 접지간에 전원전압을 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터가 접속되는 것을 특징으로 하는 지연회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950065658A KR100187647B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 지연회로 |
US08/773,603 US5917357A (en) | 1995-12-29 | 1996-12-27 | Delay circuit providing constant delay regardless of variations in power supply |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950065658A KR100187647B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 지연회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970055396A true KR970055396A (ko) | 1997-07-31 |
KR100187647B1 KR100187647B1 (ko) | 1999-06-01 |
Family
ID=19447127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950065658A KR100187647B1 (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 지연회로 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5917357A (ko) |
KR (1) | KR100187647B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19800776C1 (de) * | 1998-01-12 | 1999-06-17 | Siemens Ag | Verzögerungsschaltung |
US6624680B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-09-23 | Texas Instruments Incorporated | Reduction of propagation delay dependence on supply voltage in a digital circuit |
KR100494324B1 (ko) * | 2002-09-26 | 2005-06-13 | 주식회사 더즈텍 | 전원전압의 영향을 저감할 수 있는 가변 지연 회로 및이를 이용한 페이즈-락 루프 |
US7230467B1 (en) | 2005-03-24 | 2007-06-12 | Cirrus Logic, Inc. | Constant edge generation circuits and methods and systems using the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910005794B1 (ko) * | 1988-06-09 | 1991-08-03 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 시간 지연소자 |
US5068553A (en) * | 1988-10-31 | 1991-11-26 | Texas Instruments Incorporated | Delay stage with reduced Vdd dependence |
US5051630A (en) * | 1990-03-12 | 1991-09-24 | Tektronix, Inc. | Accurate delay generator having a compensation feature for power supply voltage and semiconductor process variations |
US5163168A (en) * | 1990-03-30 | 1992-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pulse signal generator and redundancy selection signal generator |
JPH04172711A (ja) * | 1990-11-06 | 1992-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体遅延回路 |
JPH05136664A (ja) * | 1991-08-14 | 1993-06-01 | Advantest Corp | 可変遅延回路 |
US5352945A (en) * | 1993-03-18 | 1994-10-04 | Micron Semiconductor, Inc. | Voltage compensating delay element |
US5359301A (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-25 | National Semiconductor Corporation | Process-, temperature-, and voltage-compensation for ECL delay cells |
JPH08130449A (ja) * | 1994-11-01 | 1996-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電圧制御型遅延回路およびそれを用いた内部クロック発生回路 |
US5557579A (en) * | 1995-06-26 | 1996-09-17 | Micron Technology, Inc. | Power-up circuit responsive to supply voltage transients with signal delay |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065658A patent/KR100187647B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-12-27 US US08/773,603 patent/US5917357A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5917357A (en) | 1999-06-29 |
KR100187647B1 (ko) | 1999-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5121014A (en) | CMOS delay circuit with controllable delay | |
KR940008260A (ko) | 집적 버퍼회로 | |
KR900005455A (ko) | 레벨 변환 기능을 갖는 출력버퍼회로 | |
KR920000177A (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
JP2885177B2 (ja) | 電源モニタ回路 | |
KR100484257B1 (ko) | 반도체 소자의 차동증폭형 입력 버퍼 | |
KR950007287A (ko) | 디지탈 신호 처리용 지연 회로 | |
KR970078002A (ko) | 전류 스파이크 억제 회로를 갖는 차분 신호 발생 회로 | |
KR970055396A (ko) | 지연회로 | |
US6025747A (en) | Logic signal selection circuit | |
KR970701948A (ko) | 신호 수신 및 신호 처리 유니트(signal peceiving and signal processing unit) | |
KR850004690A (ko) | 펄스 발신 회로 | |
US6630846B2 (en) | Modified charge recycling differential logic | |
US6476659B1 (en) | Voltage level shifter and phase splitter | |
KR0163774B1 (ko) | 높은 동기성을 갖는 위상차 회로 | |
KR950015377A (ko) | 어드레스 천이 검출회로 | |
KR950012703A (ko) | 반도체 메모리 장치의 데이타 입력 버퍼 | |
US6661257B2 (en) | Method for clocking charge recycling differential logic | |
KR970012732A (ko) | 반도체 소자의 지연회로 | |
KR940003164A (ko) | 연산증폭기 | |
KR0141959B1 (ko) | 1/2 Vcc 전압 발생 회로 | |
KR0122313Y1 (ko) | 출력 버퍼 | |
KR940004964A (ko) | 최소치회로 | |
KR940005060Y1 (ko) | 펄스 발생기 | |
KR940017172A (ko) | Vcc, Vss 전원 잡음(Power Source Noise) 감소회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111221 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121224 Year of fee payment: 15 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |