KR970049051A - 단차 지역 감광층의 노광 방법 - Google Patents

단차 지역 감광층의 노광 방법 Download PDF

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김주환
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김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조시 단차 지역 감광층의 노광 방법에 있어서, 단차 지역에 따라 해당 지역별 최적의 노광 조건을 설정하는 단계; 및 상기 단차 지역에 따른 상기 최적의 노광 조건에 따라 해당 지역의 노광을 위한 별도의 마스크(31,32)를 사용하여 적어도 2번 해당 지역의 상기 감광층을 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단차 지역 감광층의 노광 방법에 관한 것으로, 단차 부위별로 노광 작업을 분리하여 적어도 2번 마스크 작업을 수행함으로써 단차의 정도에 관계없이 패터닝 공정 여유도를 향상시킬 수 있고, 제품의 제조수율을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.

Description

단차 지역 감광층의 노광 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 및 제3B도는 본 발명의 일실시예에 따른 단차 지역 감광층의 노광 과정도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자 제조시 단차 지역 감광층의 노광 방법에 있어서, 단차 지역에 따라 지역별 최적의 노광조건을 설정하는 단계; 및 상기 단차 지역에 따른 상기 최적의 노광 조건에 따라 해당 지역의 노광을 위한 별도의 마스크를 사용하여 적어도 2번 해당 지역의 상기 감광층을 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단자 지역 감광층의 노광 방법.
  2. 제1항에 있어서, 현상 공정을 2차 노광 후에 1회만 수행하는 것을 특징으로 하는 단차 지역 감광층의 노광 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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