KR970013418A - 박막트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터 제조 방법에 있어서; 채널용 전도막을 형성하는 단계; LDO(lightly drain offset) 레티클을 사용한 포토리소그래피 공정으로 상기 채널용 전도막 상에 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막 패턴을 마스크로하여 LDO 이온주입을 실시하는 단계; 상기 LDO 레티클을 오프셋 영역 만큼 이동시킨 포토리소그래피 공정으로 상기 채널용 전도막 및 제1감광막 패턴 상부에 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막 패턴 및 제2감광막 패턴을 마스크로 하여 소오스/드레인 이온주입을 실시하는 단계; 및 상기 제1감광막 패턴 상부에 제2감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 소오스/드레인 레티클을 별도로 제작하지 않아도 되므로, 박막트랜지스터의 제조 비용을 절감하는 효과를 가져온다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명의 일실시예에 따른 박막트랜지스터 제조 공정도.
Claims (3)
- 박막트랜지스터 제조 방법에 있어서; 채널용 전도막을 형성하는 단계; LDO(lightly drain offset) 래티클을 사용한 포토리소그래피 공정으로 상기 채널용 전도막 상에 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막 패턴을 마스크로하여 LDO 이온주입을 실시하는 단계; 상기 LDO 레티클을 오프셋 영역 만큼 이동시킨 포토리소그래피 공정으로 상기 채널용 전도막 및 제1감광막 패턴 상부에 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1감광막 패턴 및 제2감광막 패턴을 마스크로 하여 소오스/드레인 이온주입을 실시하는 단계; 및 상기 제1감광막 패턴 상부에 제2감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서; 상기 박막트랜지스터는 바텀 게이트형 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서; 상기 박막트랜지스터는 탑 게이트형 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950024193A KR970013418A (ko) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 박막트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950024193A KR970013418A (ko) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 박막트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013418A true KR970013418A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66595536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950024193A KR970013418A (ko) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 박막트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970013418A (ko) |
-
1995
- 1995-08-04 KR KR1019950024193A patent/KR970013418A/ko not_active Application Discontinuation
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