KR970030891A - Mos 기술에서의 급속 열 어닐링 처리 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 한 실시예는 MOS 소자를 제조하는 방법이다. 이 방법은 표면을 갖는 제1도전형 기판(18)을 제공하는 단계; 이 기판 위에 절연되어 배치된 도전층(22)를 형성하는 단계; 상부와 측면을 갖는 게이트 구조(26과 28)를 형성하기 위해 도전층의 일부를 에칭하는 단계; 최소한 게이트 구조의 측면에 절연층(30)을 형성하는 단계(절연층은 MOS 소자를 급속 열 성장 처리함으로써 양호하게 달성되며, 양호하게 열 성장 처리는 MOS 소자를 산화 환경에서 약 5 내지 20초 동안 약 950℃ 내지 1050℃에 노출시킨다); 소오스/드레인 확장부를 형성하기 위해 기판 표면에 도펀트를 주입하고 게이트 구조와 게이트 구조의 측면의 절연층 상의 절연층에 정렬시키는 단계; 및 후속 저온 처리 중에 주입에 따른 손상을 줄이고 도펀트의 일시적인 강화된 확산을 줄이기 위해 급속한 열 어닐링 처리를 수행하는 단계를 포함한다. 양호하게, 급속항 열적 어닐링 처리는 약 5 내지 45초 동안 약 800℃ 내지 1000℃에 MOS 소자를 노출시키는 것을 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (17)
- MOS소자를 제조하는 방법에 있어서, 표면을 갖는 제1도전형의 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 위에 절연되어 배치되는 도전층을 형성하는 단계; 상부와 측면을 갖는 게이트 구조를 형성하기 위해 상기 도전층의 일부를 에칭하는 단계; 상기 게이트 구조와 최소한 상기 측면 상에 절연층을 형성하는 단계; 소오스/드레인 확장부를 형성하기 위해 상기 기판의 상기 표면에서 도펀트를 상기 게이트 구조에 및 상기 게이트 구조의 상기 측면 상의 상기 절연층에 정렬되게 주입하는 단계; 및 후속 저온 처리 단계 중에 주입 손상을 줄이고 도펀트의 일시적 강화된 확산을 줄이기 위해 급속한 열 어닐링 처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS소자를 제조하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연층의 상기 형성 단계는 상기 MOS소자를 급속한 열 성장 처리함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 MOS소자를 제조하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 급속한 열 성장 처리는 상기 MOS소자를 산화 환경의 약 950 내지 1050℃에서 약 5 내지 20초간 노출하는 것을 특징으로 하는 MOS소자를 제조하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 급속한 열 어닐링 처리는 상기 MOS소자를 약 800 내지 1000℃에서 약 5 내지 45초간 노출시키는 것을 특징으로 하는 MOS소자를 제조하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인 확장부는 상기 제1도전형인 것을 특징으로 하는 MOS소자를 제조하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 P형인 것을 특징으로 하는 MOS소자를 제조하는 방법.
- pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법에 있어서, pMOS소자 영역과 nMOS소자 영역을 가지며, 표면을 갖는 제1도전형의 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 위에 절연되어 배치되는 도전층을 형성하는 단계; 상기 pMOS소자에 대응하는 상기 도전층의 일부를 상기 제1도전형 도펀트로 도핑하고, 상기 nMOS소자에 대응하는 상기 도전층의 일부를 상기 제1도전형에 반대되는 제2도전형의 도펀트로 도핑하는 단계; 상기 도펀트가 실질적으로 상기 기판에 침투 또는 섞이지 않게 하면서 상기 도펀트를 재분산시키기 위해 제1의 급속한 열 어닐링 처리를 수행하는 단계; 상기 pMOS소자와 상기 nMOS소자 각각에 대해 상부와 측면을 갖는 각각의 게이트 구조를 형성하기 위해 상기 도전층의 일부를 에칭하는 단계; 상기 각각의 게이트 구조의 상기 상부와 측면 상에 제1절연층을 형성하는 단계; 상기 nMOS소자에 대해 소오스/드레인 확장부를 형성하기 위해 상기 nMOS소자 영역 내의 상기 기판의 상기 표면에서 상기 제2도전형 도펀트를 상기 nMOS게이트 구조상에 위치한 상기 제1절연층과 정렬되게 주입하는 단계; 제2의 급속한 열 어닐링 처리를 수행하는 단계; 상기 제1절연층 상에 제2절연층을 형성하는 단계; 상기 pMOS소자에 대해 소오스/드레인 확장부를 형성하기 위해 상기 pMOS소자 영역 내의 상기 기판의 상기 표면에서 상기 제1도전형 도펀트를 상기 pMOS게이트 구조상에 위치한 상기 제2절연층과 정렬되게 주입하는 단계; 및 후속 저온 처리 단계에서 주입 손상을 줄이고 상기 도펀트의 일시적 강화된 확산을 줄이기 위해 제3의 급속한 열 어닐링 처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제1의 급속한 열 어닐링 처리는 상기 MOS소자를 약 900 내지 1000℃에서 약 5 내지 60초간 노출 시키는 것을 특징으로 하는 pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제1절연층의 상기 형성 단계는 상기 pMOS와 상기 nMOS소자를 산화환경의 약 950 내지 1050℃에서 약 10 내지 30초간 노출시키는 급속한 열 성장 처리 과정에서 상기 pMOS와 상기 nMOS소자를 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제2의 급속한 열 어닐링 처리는 상기 MOS소자를 약 900 내지 1000℃에서 약 10 내지 30초간 노출 시키는 것을 특징으로 하는 pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제3의 급속한 열 어닐링 처리는 상기 MOS소자를 약 800 내지 1000℃에서 약 5 내지 45초간 노출 시키는 것을 특징으로 하는 pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제1도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제2도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법.
- MOS소자를 제조하는 방법에 있어서, 표면을 갖는 제1도전형의 가판을 제공하는 단계; 상기 기판 위에 절연되어 배치되는 도전층을 형성하는 단계, 상기 도전층의 일부를 도핑하는 단계; 도펀트가 실질적으로 상기 기판으로 침투하지 않게 하면서 상기 도펀트를 재 분산시키기 위해서 제1의 급속한 열 어닐링 처리를 수행하는 단계; 상부와 측면을 갖는 게이트 구조를 형성하기 위해 상기 도전층의 일부를 에칭하는 단계; 상기 MOS소자를 급속한 열 성장 처리함으로써 상기 게이트 구조의 상기 상부와 측면 상에 절연층을 형성하는 단계; 소오스/드레인 확장부를 형성하기 위하여 상기 기판의 상기 표면에서 도펀트를 상기 게이트 구조에 정렬되게 주입하는 단계; 및 후속 저온 처리 단계 중에 주입 손상을 줄이고 도펀트의 일시적 강화된 확산을 줄이기 위해 제2의 급속한 열 어닐링 처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS소자를 제조하는 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1의 급속한 열 어닐링 처리는 상기 MOS소자를 약 900 내지 1000℃에서 약 5 내지 60초간 노출하는 것을 특징으로 하는 MOS소자를 제조하는 방법.
- pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법에 있어서, 표면을 가지며 pMOS소자 영역과 nMOS소자 영역을 가지는 제1도전형의 기판을 제공하는 단계; 상기 기판에 절연되어 배치되는 도전층을 형성하는 단계; 상기 pMOS소자에 대응하는 상기 도전층의 부분을 상기 제1도전형 도펀트로 도핑하고, 상기 nMOS소자에 대응하는 상기 도전층의 부분을 상기 제1도전형에 반대되는 제2도전형의 도펀트로 도핑하는 단계; 도펀트가 실질적으로 상기 기판으로 침투하거나 섞이지 않게 하면서 상기 도펀트를 재분산시키기 위해 제1의 급속한 열 어닐링 처리를 수행하는 단계; 상기 pMOS소자와 상기 nMOS소자 각각에 대해 상부와 측면을 갖는 각각의 게이트 구조를 형성하기 위해 상기 도전층의 일부를 에칭하는 단계; 상기 각 게이트 구조의 상기 상부와 측면 상에 제1절연층을 형성하는 단계; 상기 nMOS소자에 대해 소오스/드레인 확장부를 형성하기 위해 상기 nMOS소자 영역 내의 상기 기판의 상기 표면에서 상기 제2도전형 도펀트를 상기 nMOS게이트 구조상에 위치한 상기 제1절연층과 정렬되게 주입하는 단계; 상기 pMOS소자에 대해 소오스/드레인 확장부를 형성하기 위해 상기 pMOS소자 영역 내의 상기 기판의 상기 표면에서 상기 제1도전형 도펀트를 상기 pMOS게이트 구조상에 위치한 상기 제1절연층과 정렬되게 주입하는 단계; 및 후속 저온 처리 단계에서 주입 손상을 줄이고 상기 도펀트의 일시적 강화된 확산을 줄이기 위해 제2의 급속한 열 어닐링 처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법.
- 제16항에 있어서, 상기 제1절연층의 상기 형성 단계는 상기 pMOS소자와 상기 nMOS소자에 급속한 열 성장 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 pMOS소자와 nMOS소자를 동시에 제조하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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