KR970028808A - 위상반전 마스크의 제조방법 - Google Patents
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract
본 발명은 위상반전 마스크의 제조방법에 관한 것으로, 차광층 패턴이 형성된 기판상에 위상반전층을 도포하는 공정과, 위상반전층을 패터닝하여 쉬프터를 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 위상반전 마스크의 제조방법에 있어서, 차광층 패턴이 형성된 기판상에 제작공정중에 발생되는 결함을 손쉽게 발견할 수 있는 알루미늄층을 형성하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 결함의 제어가 용이한 위상반전 마스크의 제작이 가능하게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2f도는 본 발명에 따른 SOG도포형 PSM의 제조방법을 나타낸 공정순서도이다.
Claims (3)
- 차광층 패턴이 형성된 기판상에 위상반전층을 도포하는 공정과, 상기 위상반전층을 패터닝하여 쉬프터를 형성하는 공정을 구비하여 이루어진 위상반전 마스크의 제조방법에 있어서, 상기 차광층 패턴이 형성된 기판상에 제작공정중에 발생되는 결함을 손쉽게 발견할 수 있는 알루미늄층을 형성하는 공정을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 차광층 패턴은 크롬으로 이루어진 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제작공정중에 발생되는 결함의 제거는, 상기 차광층 패턴과 알루미늄층에 대한 선택적인 식각을 실시하는 단계와, 상기 식각후에 남겨진 결함을 레이저로 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크의 제조방법.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950042349A KR0183754B1 (ko) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950042349A KR0183754B1 (ko) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR970028808A true KR970028808A (ko) | 1997-06-24 |
KR0183754B1 KR0183754B1 (ko) | 1999-04-01 |
Family
ID=19434774
Family Applications (1)
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KR1019950042349A KR0183754B1 (ko) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR0183754B1 (ko) |
-
1995
- 1995-11-20 KR KR1019950042349A patent/KR0183754B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR0183754B1 (ko) | 1999-04-01 |
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