KR970023817A - 에칭 방법, 이 에칭 방법을 사용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이 에칭 방법의 실시에 적합한 장치 - Google Patents

에칭 방법, 이 에칭 방법을 사용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이 에칭 방법의 실시에 적합한 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 에칭될 부분을 갖는 대상물을 이 대상물이 음극으로서 기능하도록 전해액에 침지시키는 단계, 상기 전해액 중에서 상기 기판의 상기 에칭될 부분에서 형성될 목적하는 에칭 패턴에 대응하는 패턴을 갖는 대향극을 이 대향극과 상기 대상물 사이에 소정의 간격이 유지되도록 설치하는 단계, 및 상기 대상물과 상기 대향 극 사이에 직류 전류 또는 펄스 전류를 인가하여 상기 대상물의 상기 에칭됨 부분을 상기 대향극의 상기 패턴에 대응하는 패턴으로 에칭시키는 단계를 포함하는 에칭될 부분을 갖는 대상물의 에칭 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 에칭될 부분을 갖는 기판을 고정하기 위한 기판 고정부, 전해액을 보유하기 위한 전해조, 상기 기판 고정부 상에 고정된 기판을 전해조 내에 보유된 전해액 중에 침지시키기 위하여 상기 기판 고정부를 이동시키기 위한 이동 기구, 및 상기 기판의 에칭될 부분에서 형성될 목적하는 에칭 패턴에 대응하는 패턴을 갖는 대향극을 이 대향극이 상기 기판 고정부상에 고정된 기판에 대향하여 위치되도록 고정하기 위한 대향극 고정부를 포함하는 에칭 장치를 제공한다.

Description

에칭 방법, 이 에칭 방법을 사용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이 에칭 방법의 실시에 적합한 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도4는 본 발명에 따른 방법을 실시하기에 적합한 장치의 일례를 나타낸 개략도.

Claims (55)

  1. (a) 에칭될 부분을 갖는 기판을 이 기판이 음극으로서 기능하도록 전해액에 침지시키는 단계, (b) 상기 전해액 중에서 상기 기판의 상기 에칭될 부분에서 형성될 목적하는 에칭 패턴에 대응하는 패턴을 갖는 대향극을 이 대향극과 상기 기판 사이에 소정의 간격이 유지되도록 설치하는 단계, 및 (c) 상기 기판과 상기 대향극 사이에 직류 전류 또는 펄스 전류를 인가하여 상기 기판의 상기 에칭될 부분을 상기 대향극의 상기 패턴에 대응하는 패턴으로 에칭시키는 단계를 포함하는 에칭될 부분을 갖는 기판의 에칭 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판이 상기 대향극에 근접해서 위치되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판과 대향극 사이의 간격이 0.1mm 내지 2mm인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판의 에칭될 부분이 기판상에 형성된 막으로 이루어진 방법.
  5. 제1항에 있어서. 상기 기판의 에칭될 부분이 반도체층을 통해 기판상에 형성된 막으로 이루어진 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판의 에칭될 부분이 투명 도전막인 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 막이 투명 도전막인 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 막이 투명 도전막인 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 기판과 대향극 사이에 갭 부재(gapping member)가 위치하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 갭 부재가 유연재인 방법.
  11. 제9항에 있어서 상기 갭 부재가 실리콘 고무 또는 실리콘 스폰지 인 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 기판의 에칭될 부분이 SnO2, In2O3및 ITO로 이루어진 군중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 방법.
  13. 제4항에 있어서, 상기 막이 진공증착법, 이온화증착법 스퍼터링법, CVD법, 플라즈마 CVD법 또는 스프레이 코팅법에 의해 형성된 1종 이상의 물질을 포함하는 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 전해액이 전해질로서 염화나트륨, 염화칼륨, 염화알루미늄, 염화아연, 염화주석, 염화제이철, 질화나트륨, 질화칼륨, 염산, 질산 및 황산으로 이루어진 군 중에서 선택된 화합물을 1종이상 포함하는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 대향극이 백금, 탄소, 금, 스테인레스강, 니켈, 구리 및 납으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 기판의 에칭될 부분은 이 에칭될 부분의 비에칭 부분을 대향극측상에 설치된 갭 부재와 접촉시키면서 에칭되는 방법.
  17. (a)에칭될 막을 포함하는 부분을 갖는 반도체 소자의 기판을 이 기판이 음극으로서 기능하도록 전해액 중에 침지시키는 단계, (b)상기 전해액 중에서 상기 기판의 상기 에칭될 부분에서 형성될 목적하는 에칭 패턴에 대응하는 패턴을 갖는 대향극을 이 대향극과 상기 기판 사이에 소정의 간격이 유지되도록 설치하는 단계, 및 (c)상기 기판과 상기 대향극 사이에 직류 전류 또는 펄스 전류를 인가하여 상기 기판의 상기 에칭될 부분을 상기 대향극의 상기 패턴에 대응하는 패턴으로 에칭시키는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 기판이 상기 대향극에 근접해서 위치되는 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 기판과 대향극 사이의 간격이 0.1mm 내지 2mm인 방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기 에칭될 부분이 상기 기판상에 형성된 막인 방법.
  21. 제17항에 있어서, 상기 에칭될 부분이 반도체층을 통해 기판상에 형성된 막인 방법.
  22. 제17항에 있어서, 상기 에칭될 부분이 투명 도전막인 방법.
  23. 제20항에 있어서, 상기 막이 투명 도전막인 방법.
  24. 제21항에 있어서, 상기 막이 투명 도전막인 방법.
  25. 제17항에 있어서, 상기 기판과 대향극사이에 갭 부재가 위치하는 방법.
  26. 제25항에 있어서 상기 갭 부재가 유연재인 방법.
  27. 제25항에 있어서, 상기 갭 부재가 실리콘 고무 또는 실리콘 스폰지인 방법.
  28. 제17항에 있어서, 상기 에칭될 부분이 SnO2, In2O3및 ITO로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 방법.
  29. 제20항에 있어서, 상기 막이 진공증착법, 이온화증착법, 스퍼터링법, CVD법, 플라즈마 CVD법 또는 스프레이 코팅법에 의해 형성된 1종 이상의 물질을 포함하는 방법.
  30. 제17항에 있어서, 상기 전해액이 전해질로서 염화나트륨, 염화칼륨, 염화알루미늄, 염화아연, 염화주석, 염화제이철, 질화나트륨, 짙화칼륨, 염산, 질산 및 황산으로 이루어진 군중에서 선택된 화합물을 1종 이상 포함하는 방법.
  31. 제17항에 있어서, 상기 대향극이 백금, 탄소, 금, 스테인레스강, 니켈, 구리 및 납으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 방법.
  32. 제17항에 있어서, 상기 에칭될 부분의 에칭은 에칭될 부분의 비에칭 부분을 대향극측 상에 설치된 갭 부재와 접촉시키면서 수행되는 방법.
  33. 제17항에 있어서, 상기 에칭 단계 (C)후에 결함 제거 단계를 더 포함하고, 이 결함 제거 단계는 에칭 단계(C)에서 얻어진 에칭물을 직류 전류 또는 펄스 전류를 인가하여 전해 환원시켜서 기판상에 순방향 바이어스(forward bias)를 일으킴으로써 상기 에칭물의 에칭 부분의 결합 부분 주위에 존재하는 비에칭막을 제거하는 것을 포함하는 방법.
  34. 제33항에 있어서, 상기 에칭 단계 (C)및 결함 제거 단계가 동일 전해액 중에서 수행되는 방법.
  35. 제33항에 있어서, 상기 결함 제거 단계에서의 에칭될 부분과 대향극 사이의 거리가 상기 에칭 단계 (C)에서의 에칭될 부분과 대향극 사이의 거리보다 더 큰 방법.
  36. 제33항에 있어서, 상기 결함 제거 단계가 전해질로서 염화나트륨, 염화칼륨, 염화알루미늄, 염화아연, 염화주석, 염화제이철, 질화나트륨, 질화칼륨, 염산, 질산 및 황산으로 이루어진 군 중에서 선택된 화합물을 1종 이상 포함하는 전해액을 사용하여 수행되는 방법.
  37. 제21항에 있어서, 상기 반도체층이 n-형층, i형층 및 P-형층의 조합중의 1종 이상인 방법.
  38. 제21항에 있어서, 상기 반도체층이 비정질 재료, 다결정질 재료, 미결정질 재료 및 단결정질 재료로 이루어 진 군 중에서 선택된 재료를 함유하는 방법.
  39. 제17항에 있어서, 상기 반도체 소자가 광반도체 소자인 방법.
  40. 제17항에 있어서, 상기 반도체 소자가 광기전력 소자인 방법.
  41. (a)에칭될 부분을 갖는 기판을 고정하기 위한 기판 고정부, (b)전해액을 보유하기 위한 전해조, (c)상기 기판 고정부 상에 고정된 기판을 전해조 내에 보유된 전해액 중에 침지시키기 위하여 상기 기한 고정부를 이동시키기 위한 이동 기구, 및 (d)상기 기판의 에칭된 부분에서 형성될 목적하는 에칭 패턴에 대응하는 패턴을 갖는 대향극을 이 대향극이 상기 기판 고정부(a)상에 고정된 기판에 대향하여 위치되도록 고정하기 위한 대향극 고정부를 포함하는 에칭장치.
  42. 제41항에 있어서, 상기 기판고정부 (a)가 자력 발생 수단을 갖는 장치.
  43. 제42항에 있어서, 상기 자력 발생 수단이 전자석을 포함하는 장치.
  44. 제41항에 있어서, 상기 대향극 고정부를 상기 기판 고정부를 향해 이동시킬 수 있는 또다른 이동 기구(e)를 더 포함하는 장치.
  45. 제41항에 있어서, 상기 이동 기구 (C)가 각각 상기 기판 고정부(a)에 대응하는 복수개의 면을 갖는 회전체를 갖는 장치.
  46. 제41항에 있어서, 상기 이동 기구 (C)가 상하로 이동할 수 있는 메카니즘을 갖는 장치.
  47. 제41항에 있어서, 처리액을 폐기하기 위한 배출 기구를 더 포함하는 장치.
  48. 제47항에 있어서, 상기 배출 기구가 배기구를 갖는 장치.
  49. 제47항에 있어서, 상기 배출 기구가 브러쉬 또는 블레이드를 갖는 장치.
  50. 제41항에 있어서, 제2대향극을 이 제2대향극이 상기 기판 고정부(a)상에 고정된 기판에 대향 위치되도록 고정할 수 있는 제2대향극 고정부 (a)를 더 포함하는 장치.
  51. 제50항에 있어서, 상기 제2대향극 고정부 (a)가 고정된 것인 장치.
  52. 제50항에 있어서, 상기 이동 기구 (C)가 각각 상기 기판 고정부(a)에 대응하는 복수개의 면을 갖는 회전체를 갖는 장치.
  53. 제50항에 있어서, 처리액을 제거하기 위한 액체 제거 기구를 더 포함하는 장치.
  54. 제53항에 있어서, 상기 액체 제거 기구가 배기구를 갖는 장치.
  55. 제53항에 있어서, 상기 액체 제거 기구가 브러쉬 또는 블레이드를 갖는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100442026B1 (ko) * 2000-12-22 2004-07-30 동우 화인켐 주식회사 인듐 틴 산화막의 식각용액 및 이를 이용한 식각방법

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0889680A3 (en) * 1997-07-01 2000-07-05 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh Method of removing and/or applying conductive material
US6491808B2 (en) * 1997-09-11 2002-12-10 Canon Kabushiki Kaisha Electrolytic etching method, method for producing photovoltaic element, and method for treating defect of photovoltaic element
JPH11195775A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Sony Corp 半導体基板および薄膜半導体素子およびそれらの製造方法ならびに陽極化成装置
US6267869B1 (en) * 1998-06-04 2001-07-31 Seagate Technology Llc Electrode design for electrochemical machining of grooves
TW392236B (en) * 1998-10-15 2000-06-01 Mosel Vitelic Inc Method providing uniform immersion time in each portion of semiconductor wafer
US6176992B1 (en) * 1998-11-03 2001-01-23 Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US7578923B2 (en) * 1998-12-01 2009-08-25 Novellus Systems, Inc. Electropolishing system and process
US6409904B1 (en) 1998-12-01 2002-06-25 Nutool, Inc. Method and apparatus for depositing and controlling the texture of a thin film
US6902659B2 (en) * 1998-12-01 2005-06-07 Asm Nutool, Inc. Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition
US7427337B2 (en) * 1998-12-01 2008-09-23 Novellus Systems, Inc. System for electropolishing and electrochemical mechanical polishing
US6413388B1 (en) * 2000-02-23 2002-07-02 Nutool Inc. Pad designs and structures for a versatile materials processing apparatus
US6328872B1 (en) 1999-04-03 2001-12-11 Nutool, Inc. Method and apparatus for plating and polishing a semiconductor substrate
US7204924B2 (en) * 1998-12-01 2007-04-17 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus to deposit layers with uniform properties
US7204917B2 (en) * 1998-12-01 2007-04-17 Novellus Systems, Inc. Workpiece surface influencing device designs for electrochemical mechanical processing and method of using the same
US7425250B2 (en) * 1998-12-01 2008-09-16 Novellus Systems, Inc. Electrochemical mechanical processing apparatus
US6355153B1 (en) * 1999-09-17 2002-03-12 Nutool, Inc. Chip interconnect and packaging deposition methods and structures
US6882045B2 (en) * 1999-10-28 2005-04-19 Thomas J. Massingill Multi-chip module and method for forming and method for deplating defective capacitors
US6737360B2 (en) * 1999-12-30 2004-05-18 Intel Corporation Controlled potential anodic etching process for the selective removal of conductive thin films
US6630059B1 (en) * 2000-01-14 2003-10-07 Nutool, Inc. Workpeice proximity plating apparatus
US20040182721A1 (en) * 2003-03-18 2004-09-23 Applied Materials, Inc. Process control in electro-chemical mechanical polishing
US6848970B2 (en) * 2002-09-16 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Process control in electrochemically assisted planarization
US6991526B2 (en) * 2002-09-16 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Control of removal profile in electrochemically assisted CMP
US20090020437A1 (en) * 2000-02-23 2009-01-22 Basol Bulent M Method and system for controlled material removal by electrochemical polishing
US6582579B1 (en) * 2000-03-24 2003-06-24 Nutool, Inc. Methods for repairing defects on a semiconductor substrate
US6478936B1 (en) * 2000-05-11 2002-11-12 Nutool Inc. Anode assembly for plating and planarizing a conductive layer
JP2002046024A (ja) * 2000-08-04 2002-02-12 Sony Corp 電解研磨装置、電解研磨方法および被研磨ウエハ
US6921551B2 (en) * 2000-08-10 2005-07-26 Asm Nutool, Inc. Plating method and apparatus for controlling deposition on predetermined portions of a workpiece
US7754061B2 (en) * 2000-08-10 2010-07-13 Novellus Systems, Inc. Method for controlling conductor deposition on predetermined portions of a wafer
US6464855B1 (en) 2000-10-04 2002-10-15 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for electrochemical planarization of a workpiece
US20040170753A1 (en) * 2000-12-18 2004-09-02 Basol Bulent M. Electrochemical mechanical processing using low temperature process environment
US7172497B2 (en) * 2001-01-05 2007-02-06 Asm Nutool, Inc. Fabrication of semiconductor interconnect structures
JP2002231984A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Canon Inc 透明導電膜の成膜方法、半導体層の欠陥領域補償方法、光起電力素子、及びその製造方法
US6736952B2 (en) * 2001-02-12 2004-05-18 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for electrochemical planarization of a workpiece
AU2002312217A1 (en) * 2001-06-04 2002-12-16 Itn Energy Systems, Inc. Apparatus and method for rotating drum chemical bath deposition
SE523309E (sv) * 2001-06-15 2010-03-02 Replisaurus Technologies Ab Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt
TW593765B (en) * 2001-07-23 2004-06-21 Sony Corp Etching method and etching liquid
TW560102B (en) * 2001-09-12 2003-11-01 Itn Energy Systems Inc Thin-film electrochemical devices on fibrous or ribbon-like substrates and methd for their manufacture and design
US20030068559A1 (en) * 2001-09-12 2003-04-10 Armstrong Joseph H. Apparatus and method for the design and manufacture of multifunctional composite materials with power integration
US6837983B2 (en) * 2002-01-22 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for electro chemical mechanical polishing and electropolishing processes
TWI277473B (en) * 2002-01-31 2007-04-01 Ebara Corp Electrolytic processing apparatus and method, fixing method, fixing structure for ion exchanging member
US7312305B2 (en) * 2002-03-20 2007-12-25 Morehouse School Of Medicine Tumor cytotoxicity induced by modulators of the CXCR4 receptor
US20040072445A1 (en) * 2002-07-11 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Effective method to improve surface finish in electrochemically assisted CMP
US7112270B2 (en) * 2002-09-16 2006-09-26 Applied Materials, Inc. Algorithm for real-time process control of electro-polishing
US20050061674A1 (en) * 2002-09-16 2005-03-24 Yan Wang Endpoint compensation in electroprocessing
US20050040049A1 (en) * 2002-09-20 2005-02-24 Rimma Volodarsky Anode assembly for plating and planarizing a conductive layer
US6796887B2 (en) 2002-11-13 2004-09-28 Speedfam-Ipec Corporation Wear ring assembly
US7842169B2 (en) * 2003-03-04 2010-11-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for local polishing control
US7030032B2 (en) * 2003-05-13 2006-04-18 Raytheon Company Photodiode passivation technique
US7150820B2 (en) * 2003-09-22 2006-12-19 Semitool, Inc. Thiourea- and cyanide-free bath and process for electrolytic etching of gold
JP4579650B2 (ja) * 2003-12-01 2010-11-10 キヤノン株式会社 電解エッチング方法および装置
US7648622B2 (en) * 2004-02-27 2010-01-19 Novellus Systems, Inc. System and method for electrochemical mechanical polishing
KR100652217B1 (ko) * 2004-04-30 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 인쇄방식을 이용한 패턴 형성방법
US7084064B2 (en) * 2004-09-14 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing
DE102004050463B3 (de) * 2004-10-16 2006-04-20 Manz Automation Ag Testsystem für Solarzellen
US7655565B2 (en) * 2005-01-26 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Electroprocessing profile control
US20060201823A1 (en) * 2005-02-24 2006-09-14 Zdeblick William J Method and system of electrochemical machining
US20070218587A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Soft conductive polymer processing pad and method for fabricating the same
GB2437329B (en) * 2006-04-11 2011-03-09 Nicholas J Stone Conductive polymer electrodes
GB2437112B (en) * 2006-04-11 2011-04-13 Nicholas Jim Stone A method of making an electrical device
US7422982B2 (en) * 2006-07-07 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electroprocessing a substrate with edge profile control
US8500985B2 (en) * 2006-07-21 2013-08-06 Novellus Systems, Inc. Photoresist-free metal deposition
FR2906265B1 (fr) * 2006-09-22 2008-12-19 Frederic Vacheron Installation de traitement de surface de pieces par immerssion dans un liquide de traitement.
US20080237048A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Ismail Emesh Method and apparatus for selective electrofilling of through-wafer vias
ITBO20070544A1 (it) * 2007-08-01 2009-02-02 Univ Bologna Alma Mater Metodo per la preparazione di uno stampo ed uso dello stampo cosi' ottenuto per l'incisione di un substrato
US7687300B2 (en) * 2007-10-22 2010-03-30 Applied Materials, Inc. Method of dynamic temperature control during microcrystalline SI growth
NO20081386L (no) * 2008-03-14 2009-09-15 Rec Solar As Method for texturing silicon surfaces and wafers thereof
US20110012635A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 Applied Materials, Inc. Wet high potential qualification tool for solar cell fabrication
FR2957941B1 (fr) * 2010-03-26 2012-06-08 Commissariat Energie Atomique Procede pour graver une couche d'oxyde metallique conducteur utilisant une microelectrode
TWI396484B (zh) * 2010-11-05 2013-05-11 Zhen Ding Technology Co Ltd 蝕刻裝置及使用該蝕刻裝置蝕刻基板之方法
CN102383175B (zh) * 2011-10-26 2014-06-18 首都航天机械公司 背压式电解刻蚀加工装置
GB201119734D0 (en) * 2011-11-16 2011-12-28 Gyrus Medical Ltd Surgical instrument
CN102605415A (zh) * 2012-03-02 2012-07-25 迅力光能（昆山）有限公司 书写式导电体表面电化学刻蚀方法及其装置
CN105493206A (zh) * 2013-09-02 2016-04-13 东丽株式会社 经图案化的导电层合体及其制造方法
EP3420578B1 (en) * 2016-02-25 2024-01-24 NewSouth Innovations Pty Limited A method for treating a surface of a tco material in a semiconductor device
KR101998743B1 (ko) * 2017-06-14 2019-07-10 엘지전자 주식회사 화합물 반도체 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN111267254A (zh) * 2018-12-05 2020-06-12 上海新昇半导体科技有限公司 一种晶棒切片方法
JP2020141104A (ja) * 2019-03-01 2020-09-03 トヨタ自動車株式会社 エッチング装置
EP3869568A1 (en) * 2020-02-20 2021-08-25 NICE Solar Energy GmbH Method of patterning a thin-film photovoltaic layer stack
CN113106531B (zh) * 2021-04-22 2022-04-08 厦门大学 一种电化学刻蚀金刚石半导体薄膜的方法
CN116497431B (zh) * 2023-06-29 2023-09-05 山东安邦得铝材有限公司 一种铝型材表面处理蚀刻装置及使用方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2803595A (en) * 1954-09-29 1957-08-20 Raytheon Mfg Co Electropolishing magnetic articles
US3798056A (en) * 1972-04-05 1974-03-19 Bell Telephone Labor Inc Electroless plating process
US4166918A (en) * 1978-07-19 1979-09-04 Rca Corporation Method of removing the effects of electrical shorts and shunts created during the fabrication process of a solar cell
JPS55108779A (en) * 1979-02-14 1980-08-21 Sharp Corp Thin film solar cell
US4419530A (en) * 1982-02-11 1983-12-06 Energy Conversion Devices, Inc. Solar cell and method for producing same
JPS62290900A (ja) * 1986-06-11 1987-12-17 Oki Electric Ind Co Ltd 透明導電膜のエツチング方法およびその装置
US4729970A (en) * 1986-09-15 1988-03-08 Energy Conversion Devices, Inc. Conversion process for passivating short circuit current paths in semiconductor devices
US5084400A (en) * 1988-09-12 1992-01-28 Energy Conversion Devices Inc. Conversion process for passivating short circuit current paths in electronic devices having a metallic electrode
US5320723A (en) * 1990-05-07 1994-06-14 Canon Kabushiki Kaisha Method of removing short-circuit portion in photoelectric conversion device
EP0563625A3 (en) * 1992-04-03 1994-05-25 Ibm Immersion scanning system for fabricating porous silicon films and devices
US5352341A (en) * 1993-06-24 1994-10-04 Texas Instruments Incorporated Reducing leakage current in silicon-on-insulator substrates

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100442026B1 (ko) * 2000-12-22 2004-07-30 동우 화인켐 주식회사 인듐 틴 산화막의 식각용액 및 이를 이용한 식각방법

Also Published As

Publication number Publication date
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