CN111267254A - 一种晶棒切片方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶棒切片方法，所述方法包括：步骤S1：将晶棒至少部分浸没于包含电解质的电解池中，所述电解池中设置有包含一线状电极的阴极；步骤S2：调整所述晶棒与所述阴极之间的相对位置，以使所述晶棒的轴向与所述线状电极的长度方向交叉设置，并且所述晶棒与所述线状电极不接触；步骤S3：在所述晶棒和所述阴极之间接通电源的同时使所述晶棒和所述阴极上的所述线状电极做相对运动，其中，所述电源包括直流电源，所述晶棒接通所述直流电源的正极，所述阴极接通所述直流电源的负极，通过所述相对运动实现对所述晶棒的切片。根据本发明的晶棒切片方法有效减少了截口损失，同时，有效避免了机械损伤、晶圆翘曲以及接触切割产生的污染。

Description

一种晶棒切片方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种晶棒切片方法。

背景技术

目前，晶棒的切割以钢线带动浆料进行的机械线切割为主。其原理是通过一 根高速运动的钢线带动附着在钢线上的切割刃料对硅棒进行摩擦，从而达到切割 效果。

由于线切割过程中采用钢线，其容易引入如Cu、Fe等污染物。同时，采用 线切割工艺对晶棒进行切割，无法避免产生截口损失。典型的切割工艺中，往往 产生200μm-250μm的截口损失，造成大量的材料浪费，产生对原材料进行再循 环处理的额外成本。同时，在线切割工艺中，常常产生大量的热，进而导致零部 件膨胀，从而无法准确控制晶圆形状。钢线上往往镀有金刚砂粒，其往往对晶圆 造成物理损伤，切割过程中随着钢线在晶柱中的进入和退出，也造成切割后的晶 圆发生翘曲。

为此，有必要提出一种新的晶棒切片方法，用以解决现有技术中的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分 中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护 的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术 方案的保护范围。

本发明提供了一种晶棒切片方法，包括：

步骤S1：将晶棒至少部分浸没于包含电解质的电解池中，所述电解池中设 置有包含一线状电极的阴极；

步骤S2：调整所述晶棒与所述阴极之间的相对位置，以使所述晶棒的轴向 与所述线状电极的长度方向交叉设置，并且所述晶棒与所述线状电极不接触；

步骤S3：在所述晶棒和所述阴极之间接通电源的同时使所述晶棒和所述阴 极上的所述线状电极做相对运动，其中，所述电源包括直流电源，所述晶棒接通 所述直流电源的正极，所述阴极接通所述直流电源的负极，通过所述相对运动实 现对所述晶棒的切片。

示例性的，在所述步骤S2中使所述晶棒的轴向与所述线状电极的长度方向 交叉设置的角度范围为89.5°-90.5°。

示例性的，在所述步骤S2中使所述晶棒与所述线状电极的间距为 0.5mm-1.5mm。

示例性的，所述电源还包括交流电源，所述步骤S3包括：

S31：在第一时间段内，在所述晶棒和所述阴极之间接通所述直流电源并使 所述晶棒和所述阴极上的所述线状电极做相对运动；

S32：在第二时间段内，停止所述相对运动并在所述晶棒和所述阴极之间接 通所述交流电源；

循环执行所述步骤S31、和步骤S32，直至对所述晶棒完成切片。

示例性的，在所述相对运动的同时所述线状电极在长度方向上移动。

示例性的，在所述步骤S3中，还包括对所述电解池进行搅拌的步骤。

示例性的，所述相对运动包括：保持所述线状电极在高度方向上的位置不变 使所述晶棒向所述线状电极的方向运动或者保持所述晶棒在高度方向上的位置 不变使所述线状电极向所述晶棒的方向运动。

示例性的，所述晶棒相对所述线状电极运动或者所述线状电极相对所述晶棒 运动的速率范围为0.05mm/min-0.3mm/min。

示例性的，所述晶棒通过晶棒支撑装置与所述电源的正极相连，其中在所述 晶棒与所述晶棒支撑装置之间设置导电胶以固定所述晶棒。

示例性的，对所述晶棒完成切片之后，还包括从所述电解池中移出所述晶棒 支撑装置并进行清洗的步骤。

示例性的，在所述清洗步骤中，采用去离子水清洗10min-30min。

示例性的，在所述清洗步骤之后，还包括加热所述晶棒支撑装置以熔融所述 导电胶，从而取出所述晶棒经过切片之后形成的晶圆。

根据本发明的晶棒切片方法，采用电化学的方法对晶棒进行切割，相较于采 用切割线的机械切割方法，有效减少了晶棒切割过程中的截口损失，同时，采用 电化学的方法刻蚀硅代替机械切割的方法，实现非接触切割，有效避免了机械损 伤、晶圆翘曲以及接触切割产生的污染。采用电化学切割后的晶圆，不需要进一 步进行化学刻蚀等处理，大大简化了切割后的硅晶圆的处理流程。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了 本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1为根据本发明的一个实施例的一种晶棒切片方法的示意性流程图；

图2为根据本发明的一个实施例的一种晶棒切片方法中的电解装置的结构 示意图；

图3为图2中晶棒支撑装置支撑晶圆相对于线状电极设置的正面示意图；

图4A和4B为图2中的晶棒支撑装置分别沿着A-A方向和B-B方向获得的 截面结构示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。 然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些 细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公 知的一些技术特征未进行描述。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的描述，以说明本发明所 述的晶棒切割方法。显然，本发明的施行并不限于半导体领域的技术人员所熟习 的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本 发明还可以具有其他实施方式。

应予以注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施例，而非意图限 制根据本发明的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出， 否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在本说明书中使 用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和 /或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、 组件和/或它们的组合。

现在，将参照附图更详细地描述根据本发明的示例性实施例。然而，这些示 例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述 的实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整， 并且将这些示例性实施例的构思充分传达给本领域普通技术人员。在附图中，为 了清楚起见，夸大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的元件， 因而将省略对它们的描述。

为了解决现有技术中的技术问题，本发明提供了一种晶棒切片方法，所述装 置包括：

步骤S1：将晶棒至少部分浸没于包含电解质的电解池中，所述电解池中设 置有包含一线状电极的阴极；

步骤S2：调整所述晶棒与所述阴极之间的相对位置，以使所述晶棒的轴向 与所述线状电极的长度方向交叉设置，并且所述晶棒与所述线状电极不接触；

步骤S3：在所述晶棒和所述阴极之间接通电源的同时使所述晶棒和所述阴 极上的所述线状电极做相对运动，其中，所述电源包括直流电源，所述晶棒接通 所述直流电源的正极，所述阴极接通所述直流电源的负极，通过所述相对运动实 现对所述晶棒的切片。

下面参看图1、图2、图3、以及图4A和图4B对本发明所提出的一种晶棒 切片方法进行示例性说明，图1为根据本发明的一个实施例的一种晶棒切片方法 的示意性流程图；图2为根据本发明的一个实施例的一种晶棒切片方法中的电解 装置的结构示意图；图3为图2中晶棒支撑装置支撑晶圆相对于线状电极设置的 正面示意图；图4A和4B为图2中的晶棒支撑装置分别沿着A-A方向和B-B方 向获得的截面结构示意图。

首先，参看图1，执行步骤S1：将晶棒至少部分浸没于包含电解质的电解池 中，所述电解池中设置有包含一线状电极的阴极。

示例性的，通过包含上述电解池的电解装置实现步骤S1。

参看图2，示出了根据本发明的一个实施例的电解装置的结构示意图。电解 装置包括电解池200，在电解池中设置有电解质201，所述电解质201用以在直 流电源的作用下与硅晶棒发生电化学反应。

继续参看图2，电解池200中设置有阴极，示例性的，阴极包括线状电极400。 将晶棒300至少部分浸没于电解质201中，晶棒300与阴极上的线状电极400 间隔设置。示例性的，在所述电解装置上设置晶棒支撑装置301以支撑所述晶棒 300，所述晶棒支撑装置301与所述晶棒300之间电性连接。采用晶棒支撑装置 301支撑晶棒300一方面便于对晶棒的支撑和定位，另一方面为了在晶棒被切割 成晶圆后便于晶圆取放。示例性的，所述晶棒支撑装置301的材料可以是任何非 金属导电材料。具体的，晶棒支撑装置301可以设置为石墨、碳包覆的金属材料 或导电陶瓷等。示例性的，所述晶棒支撑装置301与所述晶棒300之间通过导电 胶连接，从而实现晶棒支撑装置301与晶棒300之间的电性连接。

需要理解的是，本发明采用图2中提供的电解装置对本发明的一种晶棒切片 方法进行说明仅仅是示例性的，任何提供电解质的电解池，其中设置线状电极的 阴极均适用于本发明。

示例性的，所述线状电极400的材料可以是任何非金属导电材料。具体的， 线状电极400的材料可以设置为碳纤维、碳包覆的金属线等。

示例性的，所述电解质201包括包含氢氟酸的溶液。所述电源对所述阳极和 所述阴极施加直流电压或电流，在包含氢氟酸的电解质中，位于阳极上的晶棒发 生如下电化学反应：

Si→Si⁴⁺+4e

Si⁴⁺+4OH^-→Si(OH)₄

Si(OH)₄+HF→H₂SiF₆+H₂O

在阴极线状电极上发生如下电化学反应：

2H⁺+2e→H₂

在根据本发明的一个实施例中，采用包含氢氟酸、醋酸的溶液作为电解质， 其中氢氟酸的体积分数为1-10％，醋酸的体积分数为0-30％。

将晶棒300至少部分浸没于包含电解质201的电解池200中，晶棒300作为 阳极，与包含线状电极400的阴极间隔，形成电解装置中的阴极和阳极，在加载 直流电源的情况下，阴极、阳极和电解质发生电化学反应，与线状电极400相对 的晶棒300上的部分在电化学反应过程中溶解，随着电化学反应的进行，使线状 电极400与晶棒300之间相对运动，实现切片。

接着，继续参看图1，执行步骤S2：调整所述晶棒与所述阴极之间的相对位 置，以使所述晶棒的轴向与所述线状电极的长度方向交叉设置，并且所述晶棒与 所述线状电极不接触。

通过调整晶棒300和线状电极400之间的相对位置，以使所述晶棒300的轴 向与所述线状电极400的长度方向交叉设置，形成对晶棒300的切片方向，通过 调整对晶棒300进行切片的角度和方向，调整切片后形成的晶圆的形状。

示例性的，调整晶棒300和线状电极400之间的相对位置，以使晶棒300 的长度方向与线状电极400的长度方向之间的角度范围为89.5°-90.5°。在这一 角度范围下，晶棒300的轴向与线状电极400延伸方向垂直，使切片沿着晶棒 300的径向方向进行，切出来的晶圆符合半导体制造工艺中对晶圆的要求。

参看图3，示出了图2中晶棒支撑装置支撑晶圆相对于线状电极以及线状电 极支撑装置设置的正面示意图，其中，线状电极400容置于电解池200的电解质 201内，线状电极400的延伸方向相对晶棒300的轴向垂直设置，并且线状电极 400与晶棒300不接触。

示例性的，在调整晶棒300和线状电极400之间的相对位置的步骤中，还包 括调整晶棒300和线状电极400之间的间距。示例性的，调整所述晶棒与所述线 状电极的间距为0.5mm-1.5mm。一方面表面晶棒与线状电极接触，另一方面通 过调整晶棒与线状电极之间的距离，提升晶棒与线状电极之间的电化学反应效率。

接着，继续参看图1，执行步骤S3：在所述晶棒和所述阴极之间接通电源的 同时使所述晶棒和所述阴极上的所述线状电极做相对运动，其中，所述电源包括 直流电源，所述晶棒接通所述直流电源的正极，所述阴极接通所述直流电源的负 极，通过所述相对运动实现对所述晶棒的切片。

继续参看图2中示出的电解装置对根据本发明的一个实施例的晶棒切片方 法进行说明。

在晶棒300和包括线状电极400的阴极之间接通电源。所述电源100可以是 任何可以提供直流电压或电流的装置，如交流电源与交流转直流的装置配合提供 直流电压或电流、直流电源等，在此并不限定。示例性的，所述电源100包括可 以同时提供直流电源101和交流电源102的装置，其通过切换装置103实现交流 电源102和直流电源101之间的转换。示例性的，所述电源100的输出电压范围 为0-50V，电流范围为0-10A。

参看图2，在这一步骤中，将晶棒300接通所述直流电源101的正极，将包 括线状电极400的阴极接通直流电源101的负极。从而在电源、电解质和电极之 间形成电解环境，发生电化学反应。在将晶棒与阴极之间接通电源后，电化学反 应开始，此时，随着电化学反应的进行使晶棒和阴极上的线状电极做相对运动， 通过这一相对运行实现对晶棒的切片。

示例性的，所述相对运动包括：保持所述线状电极在高度方向上的位置不变 使所述晶棒向所述线状电极的方向运动或者保持所述晶棒在高度方向上的位置 不变使所述线状电极向所述晶棒的方向运动。

参看图2，根据本发明的一个示例，将晶棒300安装在晶棒支撑装置301上， 晶棒支撑装置301可以带动晶棒300向下运动，从而实现晶棒300与线状电极 400之间的相对运动。

继续参看图2，根据本发明的另一个示例，将线状电极400安装在线状电极 支撑装置401上，线状电极支撑装置401可以带动线状电极400向上运动，从而 实现晶棒300与线状电极400之间的相对运动。

示例性的，在上述实现相对运动的过程中，所述晶棒300相对所述线状电极 400运动或者所述线状电极400相对所述晶棒300运动的速率范围为0.05 mm/min-0.3mm/min。晶棒与线状电极之间的相对运动速率需要和电化学反应速 率保持匹配，相对运动速率过快，可能导致晶棒与线状电极之间接触，过慢使得 晶棒与线状电极之间不能保持稳定的电化学反应速率，影响切片质量和效率。

需要理解的是，本实施例中采用保持晶棒和线状电极中之一在高度方向上的 位置不变，使另一方运动的方式实现相对运动仅仅是示例性的。本领域技术人员 应当理解，使晶棒和线状电极两者同时运动而实现相对运动也可以实现本发明。

由于晶棒与阴极之间进行的电化学反应往往在阴极上形成产生H₂，附着于 线状电极上，使得线状电极表面反应活性下降，影响晶棒的切片效率，进而影响 切片质量。为此，在根据本发明的进一步实施例中，在进行切片的过程中，还包 括对线状电极进行脱H₂的步骤。示例性的，所述电源还包括交流电源，所述步 骤S3包括：S31：在第一时间段内，在所述晶棒和所述阴极之间接通所述直流 电源并使所述晶棒和所述阴极上的所述线状电极做相对运动；S32：在第二时间 段内，停止所述相对运动并在所述晶棒和所述阴极之间接通所述交流电源；循环 执行所述步骤S31、和步骤S32，直至对所述晶棒切片完成。

继续参看图2对根据发明的一个实施例的步骤S3进行示例性说明。如图2 所示，电源100包括直流电源101和交流电源102，还包括在直流电源101和交 流电源102之间进行切换的切换装置103。

在执行步骤S31时，将切换装置103切换至直流电源101，使晶棒300和线 状电极400分别接通直流电源101的正极和负极，此时，在晶棒300、线状电极 400以及电解质201之间发生电化学反应，通过晶棒300和线状电极400之间的 相对运动，使晶棒300被切割。随着电化学反应的进行，在完成第一时间段的切 割之后，在线状电极400上产生的H₂附着于其上，使其表面反应活性下降。此 时，执行步骤S32，停止所述相对运动并在所述晶棒和所述阴极之间接通所述交 流电源，这一过程持续第二时间段。如图2所示，将切换装置103切换到交流电 源102端。由于晶棒300和线状电极400之间接通交流电源，两者之间不再发生 电化学反应。并且在线状电极400上由于交流电源的施加，可以加速H₂的脱附。 通过循环执行步骤S31和步骤S32，在接通直流电源的第一时间段内切割晶棒， 在接通交流电源的第二时间段内使得H₂从线状电极表面脱附，实现晶棒切片和 H₂脱附的交替进行，从而实现切片，由于对晶棒进行切片的过程中加入了H₂脱 附的步骤，使得第一时间段内具有恒定的切片速率和稳定的切片质量，最终提升 了整个晶棒的切片的速率和质量。

示例性的，所述交流电源的频率在0-1000Hz之间，所述交流电源的波形可 调，所述波形包括脉冲、矩形、正弦或三角形等。

在根据本发明的另一个实施例中，还可以通过使所述线状电极在长度方向上 移动使吸附在其表面的H₂脱附。参看图2，所述线状电极400在长度方向上的 移动可以通过线状电极支撑装置401实现。在一个实例中，所述线状电极支撑装 置401包括导辊，通过导辊带动线状电极转动实现线状电极在长度方向上的移动。 参看图3，示出了图2中晶棒支撑装置支撑晶圆相对于线状电极以及线状电极支 撑装置设置的正面示意图，其中，线状电极400容置于电解池200的电解质201 内，线状电极400的延伸方向相对晶棒300的轴向垂直设置，并且线状电极400 与晶棒300不接触。设置成导辊的线状电极支撑装置401沿着箭头C-C所示的 方向转动，带动线状电极400沿着其长度延伸方向运动，从而使电化学反应中吸 附在其表面的H₂脱附。示例性的，所述导辊的材料设置为石墨。示例性的，导 辊带动所述线状电极转动的线速度范围为0-10mm/s。根据图3中示出的示例， 导辊设置为2个，需要理解的是，导辊还可以设置为3个、4个等，在此并不限 定。

在本发明的另一个实施例中，还可以通过对电解质进行搅拌的加速线状电极 上的H₂脱附。例如，在电解质中设置超声波振动仪或者机械叶片搅拌机等。对 电解质进行搅拌以加速线状电极上的H₂脱附的同时，还可以促进电解质在电解 池中的流动，避免电解质因电化学反应造成局部浓度过低，影响电化学反应速率。

至此，已完成对本发明晶棒切片方法的示例性介绍，根据本发明的晶棒切片 方法，采用电化学的方法对晶棒进行切割，相较于采用切割线的机械切割方法， 有效减少了晶棒切割过程中的截口损失，同时，采用电化学的方法刻蚀硅代替机 械切割的方法，实现非接触切割，有效避免了机械损伤、晶圆翘曲以及接触切割 产生的污染。采用电化学切割后的晶圆，不需要进一步进行化学刻蚀等处理，大 大简化了切割后的晶圆的处理流程。

在根据本发明的一个实施例中，采用晶棒支撑装置301支撑晶棒300进行切 片操作，在切片完成后需要对晶棒300切片形成的晶圆和支撑装置进行分离。

示例性的，参看图4A和图4B，其示出了图2中的晶棒支撑装置沿着A-A 方向和B-B方向的截面结构示意图。晶棒支撑装置301用以支撑晶棒300，包括 第一部分3011和第二部分3012，第一部分3011与所述电源100电性连接，第 二部分3012与晶棒300接触。其中，第一部分3011设置为条状，第二部分3012 设置为梳齿结构。进一步，如图1所示，设置为梳齿结构的第二部分3012包括 设置为梳齿的凸部30121和位于梳齿之间的凹部30122。其中，线状电极400与 梳齿结构的凹部30122对应设置，在电解反应过程中，凹部30122对应的晶棒300上的部分形成与阴极上线状电极400相对应电解反应中的阳极，凹部30122 对应的晶棒300上的部分进行电化学反应而消耗，而凸部30121对应的晶棒300 上的部分未参与反应而留下，最终形成沿着梳齿结构上的凹部对晶棒切割的效果。 示例性的，所述晶棒支撑装置301的梳齿结构(第二部分3012)与所述晶棒300 之间通过导电胶连接，从而实现晶棒支撑装置301与晶棒300之间的电性连接。

示例性的，参看图4A，所述第二部分3012上的梳齿结构的凸部30121的宽 度D设置为所述晶棒经过切片后形成的晶圆的厚度。示例性的，硅片的厚度的 范围为750μm-900μm，其梳齿结构上凸部的宽度的范围为750μm-900μm。在一 个示例中，硅片的厚度为750μm，梳齿结构的凸部的宽度为750μm。示例性的， 所述凹部的尺寸范围为80-200μm，其对应着线状电极的直径。

示例性的，在完成对晶棒的切片操作后，根据本发明的晶棒切割方法还包括： 从所述电解池中除所述晶棒支撑装置并进行清洗的步骤。示例性的，采用去离子 水清洗10min-30min，以去除晶圆表面的电解质和电化学反应产物。进一步的， 在上述清洗步骤之后，采用加热所述晶棒支撑装置的方法熔融所述导电胶，以取 出晶棒经过切片之后形成的晶圆。示例性的，将对所述晶棒支撑装置加热至50℃ -150℃，以使导电胶融化。

需要理解的是，本实施例以包含梳齿结构的晶棒支撑装置为示例进行说明， 仅仅是示例性的，本领域技术人员应当理解，任何能够支撑晶棒的装置均能实现 本发明。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是 用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外 本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教 导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的 范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (12)

1.一种晶棒切片方法，其特征在于，包括：

步骤S1：将晶棒至少部分浸没于包含电解质的电解池中，所述电解池中设置有包含一线状电极的阴极；

步骤S2：调整所述晶棒与所述阴极之间的相对位置，以使所述晶棒的轴向与所述线状电极的长度方向交叉设置，并且所述晶棒与所述线状电极不接触；

步骤S3：在所述晶棒和所述阴极之间接通电源的同时使所述晶棒和所述阴极上的所述线状电极做相对运动，其中，所述电源包括直流电源，所述晶棒接通所述直流电源的正极，所述阴极接通所述直流电源的负极，通过所述相对运动实现对所述晶棒的切片。

2.根据权利要求1所述的晶棒切片方法，其特征在于，在所述步骤S2中使所述晶棒的轴向与所述线状电极的长度方向交叉设置的角度范围为89.5°-90.5°。

3.根据权利要求1所述的晶棒切片方法，其特征在于，在所述步骤S2中使所述晶棒与所述线状电极的间距为0.5mm-1.5mm。

4.如权利要求1所述的晶棒切片方法，其特征在于，所述电源还包括交流电源，所述步骤S3包括：

S31：在第一时间段内，在所述晶棒和所述阴极之间接通所述直流电源并使所述晶棒和所述阴极上的所述线状电极做相对运动；

S32：在第二时间段内，停止所述相对运动并在所述晶棒和所述阴极之间接通所述交流电源；

循环执行所述步骤S31、和步骤S32，直至对所述晶棒完成切片。

5.如权利要求1所述的晶棒切片方法，其特征在于，在所述相对运动的同时所述线状电极在长度方向上移动。

6.如权利要求1所述的晶棒切片方法，其特征在于，在所述步骤S3中，还包括对所述电解池进行搅拌的步骤。

7.如权利要求1所述的晶棒切片方法，其特征在于，所述相对运动包括：保持所述线状电极在高度方向上的位置不变使所述晶棒向所述线状电极的方向运动或者保持所述晶棒在高度方向上的位置不变使所述线状电极向所述晶棒的方向运动。

8.如权利要求7所述的晶棒切片方法，其特征在于，所述晶棒相对所述线状电极运动或者所述线状电极相对所述晶棒运动的速率范围为0.05mm/min-0.3mm/min。

9.如权利要求1所述的晶棒切片方法，其特征在于，所述晶棒通过晶棒支撑装置与所述电源的正极相连，其中在所述晶棒与所述晶棒支撑装置之间设置导电胶以固定所述晶棒。

10.如权利要求9所述的晶棒切片方法，其特征在于，对所述晶棒完成切片之后，还包括从所述电解池中移出所述晶棒支撑装置并进行清洗的步骤。

11.如权利要求10所述的晶棒切片方法，其特征在于，在所述清洗步骤中，采用去离子水清洗10min-30min。

12.如权利要求10所述的晶棒切片方法，其特征在于，在所述清洗步骤之后，还包括加热所述晶棒支撑装置以熔融所述导电胶，从而取出所述晶棒经过切片之后形成的晶圆。

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