KR970013167A - 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 평가 소자와 그를 이용한 평가 회로 및 평가방법 - Google Patents

절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 평가 소자와 그를 이용한 평가 회로 및 평가방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 접촉 저항을 제외한 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 특성 측정 및 접촉 저항을 포함한 트랜지스터의 특성과 접촉 저항 자체를 동시 측정할 수 있는 평가 소자 뿐만 아니라 상기 평가 소자를 이용한 평가 회로 및 평가 방법을 제공한다. 장방형 불순물 확산 영역(3)의 확장 영역에 게이트 전극(5)의 근방의 접속부(10; 드레인용 접속부) 및 다른 접속부(12; 소스용 접속부) 이외에 게이트 전극(5)과 떨어진 접속부(11 및 13)이 제공되고, 접속부(10 및 12)로부터 분기 배선된 2쌍의 단자(21, 21 및 23, 24)가 제공된다. 원방(remote)접속부(11 및 13)으로부터 배선된 한쌍의 단자 각각 및 단자들 (22 및 25)의 한 단자를 측정 단자로서 사용한다.

Description

절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 평가 소자와 그를 이용한 평가 회로 및 평가방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 제4a 및 도 제4b도는 본 발명의 제1실시예에 따른 평가 소자의 구성을 각각 도시한 평면도 및 단면도, 제5도는, 제4a 및 제4b도에 도시된 평가 소자를 이용하는 평가 회로를 도시한 회로도,
제6도는 제4a 및 제4b도에 도시된 평가 소자를 이용하는 다른 평가 회로를 도시한 회로도,
제7a 및 제7b도는 본 발명의 제2실시예에 따른 평가 소자의 구성을 각각 도시한 평면도 및 단면도,
제8도는 도 제7a 및 도 제7b도에 도시된 평가 소자를 이용하는 평가 회로를 도시한 회로도,
제9도는 도 제7a 및 도 제7b도에 도시된 평가 소자를 이용하는 다른 평가 회로를 도시한 회로도

Claims (7)

  1. 반도체 기판의 소정 영역에 형성된 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 평가 소자에 있어서, 평가 대상인 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극의 대향 측면 상에서 드레인과 소스 위의 양 방향으로 확대된 제1 및 제2불순물 확산층 영역과, 상기 확대된 제1 및 제2불순물 확산층 영역에 부가적으로 설치된 접속부를 거쳐 배선된 측정 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 평가 소자
  2. 제1항에 있어서, 상기 평가 소자는 상기 드레인의 단자 또는 상기 소스의 단자가 배선에 의해 접속되어 있는 접속부로부터 분기 배선된 측정용 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 평가 소자
  3. 제2항에 있어서, 상기 평가 소자는 상기 게이트 전극 상에 형성된 제1접속부와 상기 접속부로부터 연장되는 제1배선을 거쳐 상기 게이트 전극에 접속된 제1단자와, 상기 제1불순물 확산 영역에서 상기 게이트 전극에 근접하여 형성된 제2접속부와 상기 제2접속부로부터 분기된 제2배선을 거쳐 제1불순물을 확산층에 접속되어 있는 두 개의 제2 및 제3단자와, 상기 제2접속부보다 상기 게이트 전극으로부터 더 멀리 떨어진 상기 제1불순물 확산 영역에 형성된 제3접속부와 상기 제3접속부로부터 연장되는 제3배선을 거쳐 상기 제1불순물을 확산층에 접속되어 있는 제4단자와, 상기 제2불순물 확산 영역에서 상기 게이트 전극에 근접하여 형성된 제4접속부와 상기 제4접속부로부터 분기된 제4배선을 거쳐 제2불순물 확산층에 접속되어 있는 두 개의 제5 및 제6단자와, 상기 제4접속부보다 상기 게이트 전극으로부터 더 멀리 떨어진 상기 제2불순물 확산 영역에 형성된 제5접속부와 상기 제5접속부로부터 확장된 제5배선을 거쳐 상기 제2불순물 확산층에 접속되어 있는 제7단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 평가 소자
  4. 제3항에 따른 평가 소자를 이용하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터용 평가 회로에 있어서, 상기 평가 회로는 전원에 접속된 상기 제4단자와 접지된 제7단자 사이에 접속된 전류계와, 상기 제3단자와 상기 제6단자 사이에 접속된 전압계와, 상기 제1단자와 상기 제6단자 사이에 접속된 다른 전압계와, 상기 제6단자와 상기 기판 사이에 접속된 다른 전압계를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 평가 회로
  5. 제4항에 따른 평가 회로를 사용하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 평가 방법에 있어서, 상기 평가 방법은, 기준 전압으로 작용하는 소스 전압으로서의 상기 제6단자의 전압, 드레인 전압으로서의 상기 제3단자와 상기 제6단자 간의 전압차, 게이트 전압으로서의 상기 제1단자와 상기 제6단자간의 전압, 및 기판 전압으로서의 상기 기판과 상기 제6단자 간의 전압을 설정한 상태에서, 상기 제2 및 제4 접속부의 접촉저항을 제외한 상기 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 특성을 측정하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 평가 방법
  6. 제3항에 있어서, 상기 평가 회로는 전원에 접속된 상기 제2단자와 접지된 상기 제5단자 사이에 접속된 전류계, 상기 제2단자와 상기 제5단자 사이에 접속된 전압계, 상기 제1단자와 상기 제5단자 사이에 접속된 다른 전압계, 상기 제5단자와 상기 기판 사이에 접속된 다른 전압계, 상기 제3단자와 상기 제4단자 사이에 접속된 또 다른 전압계, 및 상기 제6단자와 상기 제7단자 사이에 접속된 또 다른 전압계를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 평가 회로
  7. 제6항에 따른 평가 회로를 이용하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 평가 방법에 있어서, 상기 평가 방법은 기준 전압으로 작용하는 소스 전압으로서의 상기 제5단자의 전압, 드레인 전압으로서의 상기 제2단자와 상기 제5단자 간의 전압차, 게이트 전압으로서의 상기 제1단자와 상기 제5단자 간의 전압 및 기판 전압으로서의 상기 기판과 상기 제5단자 간의 전압을 설정한 상태에서, 상기 제2 및 제4접속부의 접촉 저항을 포함하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 특성을 측정하고, 상기 제3단자와 상기 제4단자 간의 전압차와 전류로부터 상기 제2접속부의 저항을 측정하고 또한 상기 제6단자와 상기 제7단자 간의 전압차와 전류로부터 상기 제4접속부의 저항을 측정하는 것을 특징으로 하는 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 평가 방법
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5872018A (en) * 1997-05-05 1999-02-16 Vanguard International Semiconductor Corporation Testchip design for process analysis in sub-micron DRAM fabrication
US5970311A (en) * 1997-10-31 1999-10-19 Advanced Micro Devices Method and structure for optimizing the performance of a semiconductor device having dense transistors
US6359461B1 (en) * 1998-02-10 2002-03-19 Advanced Micro Devices, Inc. Test structure for determining the properties of densely packed transistors
TW594993B (en) * 2001-02-16 2004-06-21 Sanyo Electric Co Semiconductor device and manufacturing process therefor
KR100451502B1 (ko) * 2001-06-12 2004-10-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법 및 이를 이용한 누설 전류 측정방법
KR100399976B1 (ko) * 2001-11-23 2003-09-29 주식회사 하이닉스반도체 콘택 저항 측정용 테스트 패턴 및 그 제조 방법
US6812730B2 (en) * 2003-03-13 2004-11-02 Advanced Micro Devices, Inc. Method for independent measurement of mosfet source and drain resistances
JP4789747B2 (ja) * 2006-08-15 2011-10-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその下層導電パターンのシート抵抗の測定方法
JP5009702B2 (ja) * 2007-06-27 2012-08-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体評価素子、半導体集積回路装置および評価方法
DE102008014774B4 (de) * 2008-03-18 2015-09-03 Austriamicrosystems Ag Halbleiteranordnung mit Testanschlüssen und Verfahren zur Messung eines Widerstandes zwischen zwei Anschlüssen eines Wafer-Level-Packages
JP6419493B2 (ja) * 2013-09-05 2018-11-07 株式会社半導体エネルギー研究所 コンタクト抵抗測定パターン及び半導体装置
US9768085B1 (en) 2016-07-25 2017-09-19 International Business Machines Corporation Top contact resistance measurement in vertical FETs
US11024738B2 (en) * 2019-03-13 2021-06-01 International Business Machines Corporation Measurement of top contact resistance in vertical field-effect transistor devices
US11315453B1 (en) * 2020-11-08 2022-04-26 Innolux Corporation Tiled display device with a test circuit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3795859A (en) * 1972-07-03 1974-03-05 Ibm Method and apparatus for determining the electrical characteristics of a memory cell having field effect transistors
JPS5394570U (ko) * 1976-12-29 1978-08-01
FR2656932B1 (fr) * 1990-01-09 1992-05-07 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de mesure du courant dans un transistor mos de puissance.
JP3218614B2 (ja) * 1991-04-01 2001-10-15 日本電気株式会社 半導体装置
JPH04373145A (ja) * 1991-06-24 1992-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置とそれを用いた評価回路および評価方法
US5166608A (en) * 1991-11-07 1992-11-24 Advanced Micro Devices, Inc. Arrangement for high speed testing of field-effect transistors and memory cells employing the same

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Publication number Publication date
US5760600A (en) 1998-06-02
JP2822951B2 (ja) 1998-11-11
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KR100237278B1 (ko) 2000-01-15

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