KR970003683A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 반도체 소자 제조방법은, 1) 제1도전형 반도체기판의 전면에 제2도전형의 저농도 불순물 도핑영역을 형성하는 단계와, 2) 상기 반도체기판 상에 비산화성막을 형성하고 상기 비산화성막을 패터닝하여 게이트전극이 형성될 부분을 제외한 상기 반도체기판을 노출시키는 단계와, 3) 상기 노출된 반도체기판을 산화시켜 상기 반도체기판 상에 새부리형상을 갖는 두꺼운 산화막(SiO2)을 형성하는 단계와, 4) 상기 두꺼운 산화막을 선택적으로 제거하여 상기 비산화성막의 양측하부에 형성된 새부리형상의 산화막은 잔류시키는 단계와, 5) 상기 비산화성막을 제거하는 단계와, 6) 상기 반도체기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 7) 상기 게이트절연막 상에 전도체층을 형성하고 상기 전도체층을 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 단계와, 8) 상기 반도체기판에 상기 게이트 및 새부리형상의 산화막을 마스크로 사용하여 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑하여 고농도 불순물 도핑영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 소자 제조방법을 설명하기 위해 도시한 도면.

Claims (7)

  1. 반도체 소자 제조방법에 있어서, 1) 실리콘(Si)기판의 전면에 기판과 반대 도전형 저농도 불순물을 도핑하여 기판 표면으로부터 소정깊이에 이르는 저농도 불순물 도핑영역을 형성하는 단계와, 2) 전면에 비산화성막을 형성한 후, 게이트 전극이 형성될 부위의 상기 비산화성막을 식각제거하여 실리콘 기판을 노출시키는 단계와, 4) 게이트 전극이 형성될 부위의 상기 두꺼운 산화막을 식각제거하되, 게이트 전극이 형성될 부위의 양측에 새부리형상의 산화막을 남기는 단계와, 5) 상기 비산화성막을 제거하는 단계와, 6) 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 7) 전면에 게이트전극 형성용 전도체층을 형성하고, 게이트 전극 형성용 전도체층을 사진식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 8) 전면에 상기 실리콘 기판과 반대 도전형 고농도 불순물을 도핑하여 기판내에 고농도 불순물 도핑영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 3)단계에서 두꺼운 산화막의 형성은, 습식산화로 하되 게이트 전극이 형성될 부위의 저농도 불순물 도핑영역을 전부 산화시키는 것이 특징인 반도체 소자 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2)단계의 비산화성막의 형성은, 실리콘막(Si3N4)으로 형성하되 실리콘 기판과의 사이에 패드산화막(SiO2)을 개재한 후 형성하는 것이 특징인 반도체 소자 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 4)단계의 식각은, 상기 비산화성막을 식각마스크로 하여 비등방성 식각 하는 것이 특징인 반도체 소자 제조방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 6)단계의 게이트절연막은 실리콘산화막(SiO2)인 것이 특징인 반도체 소자 제조방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 7)단계의 게이트 전극 형성용 전도체층은,폴리실리콘인 것이 특징인 반도체 소자 제조방법.
  7. 반도체 소자 제조방법에 있어서, 1) 실리콘(Si) 기판의 전면에 기판과 반대 도전형 저농도 불순물을 도핑하여 기판 표면으로부터 소정깊이에 이르는 저농도 불순물 도핑영역을 형성하는 단계와, 2) 전면에 비산화성막을 형성한 후, 게이트 전극이 형성될 부위의 상기 비산화성막을 식각제거하여 실리콘 기판을 노출시키는 단계와, 3) 상기 실리콘 기판을 산화시켜 게이트 전극이 형성될 부위에 두꺼운 산화막(SiO2)을 형성하는 단계와, 4) 상기 비산화성막을 제거하는 단계와, 5) 게이트 전극이 형성될 부위의 상기 두꺼운 산화막을 삭각제거하되, 게이트 전극이 형성될 부위의 양측에 새부리형상의 산화막을 남기는 단계와, 6) 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 7) 전면에 게이트 전극 형성용 전도체층을 형성하고, 게이트 전극 형성용 전도체층을 사진식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 8) 전면에 상기 실리콘 기판과 반대 도전형 고농도 불순물을 도핑하여 기판내에 고농도 불순물 도핑영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377859B1 (ko) * 1998-08-18 2003-10-04 주식회사 엘지화학 표면특성을조절하는새로운공중합체및이를이용한감광성수지조성물
KR100532162B1 (ko) * 2002-03-13 2005-11-29 주식회사 신화에프씨 그라비아 인쇄용 포토레지스트 수지 조성물

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100377859B1 (ko) * 1998-08-18 2003-10-04 주식회사 엘지화학 표면특성을조절하는새로운공중합체및이를이용한감광성수지조성물
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