KR960039235A - 열방열 핀을 구비한 내부 리드 본딩 장치 및 이를 이용한 내부 리드 본딩 방법 - Google Patents

열방열 핀을 구비한 내부 리드 본딩 장치 및 이를 이용한 내부 리드 본딩 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 TAB의 내부 리드와 범프를 본딩하는 소위, TAB-ILB(Inner Lead Bonding) 공정에서 가해지는 높은 열에 의해서 내부 리드와 폴리머 테이프를 접착하는 접착제가 녹아서 흘러내리는 디그레이데이션(Degradtion) 현상을 방지하며, ILB 공정이 끝난 다음에 범프와 내부 리드간의 열팽창 계수의 차이 때문에 생기는 전기적 불량을 방지하기 위한 것이다. ILB 공정에서 사용되는 본 발명에 따른 내부 리드 본딩 장비는 본딩될 내부 리드와 범프에 전달되는 높은 열이 내부 리드와 폴리머 테이프를 부착하는 접착제에 전달되는 것을 방지하기 위해서 열전달 경로 중간에 열전도성이 우수한 구리나 구리 합금 또는 합금 42로 이루어지는 열방열핀을 부착하여 접착제로 전달되는 열을 빼앗고 대류에 의해 전달되는 열도 차단하는 두가지 기능을 한다. 이러한 열방열 핀을 사용하여 내부 리드 본딩을 한 경우 종래에 비해 접착제 주위의 온도는 약 30％ 가량 떨어졌다.

Description

열방열 핀을 구비한 내부 리드 본딩 장치 및 이를 이용한 내부 리드 본딩 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 본 발명에 따른 TAB-ILB 공정을 설명하는 도면, 제2B도는 본 발명에 따른 열방열 핀이 지지대에 부착된 구조의 평면도, 제2C도는 본 발명의 따른 열방열 핀이 지지대에 부착된 구조의 정면도.

Claims (11)

  1. 폴리머 테이프 위에 소정 형태의 금속 패턴을 형성되어 있는 내부 리드와 외부 리드를 구비하는 리드 프레임의 상기 내부 리드를 반도체 칩의 본딩 패드에 형성되어 있는 범프와 본딩하는 내부 리드 본딩 장치로서, 상기 범프와 본딩될 내부 리드 부분 및 상기 범프에 열과 압력을 공급하는 열압착 수단과 상기 내부 리드를 지지하는 지지대를 구비하는 내부 리드 본딩 장비에 있어서, 상기 본딩 장비는 상기 지지대와 접촉함과 동시에 상기 내부 리드의 부분 가까이에서 상기 내부 리드의 표면과 접촉하는 열방출 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 장치.
  2. 1항에 있어서, 상기 열방출 수단은 상기 지지대와 열 방출 수단을 고정시키기 위한 조임 수단과, 상기 조임 수단이 삽입되는 한쪽 방향의 길이가 더 긴 홈을 구비하고 있어서 상기 열방출 수단의 위치 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열압착 수단에 의해 공급되는 열은 530-550℃의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열압착 수단은 니켈을 42％ 철을 58％ 함유한 합금 42, 구리 및 구리 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 장치.
  5. 4항에 있어서, 상기 구리와 합금 42는 화학적 기상 증착법에 의해 다이아몬드가 코팅된 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 합금 42는 구리박편이 높은 압력에 의해 클래딩 처리된 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 장치.
  7. 폴리머 테이프 위에 소정 형태의 금속 패턴으로 형성되어 있는 내부 리드와 외부 리드를 구비하는 리드프레임의 상기 내부 리드를 반도체 칩의 본딩 패드에 형성되어 있는 범프와 본딩하는 내부 리드 본딩 방법에 있어서, 제1항 또는 제2항에서 청구한 내부 리드 본딩 장치를 사용해서 열과 압력을 상기 내부 리드와 상기 범프에 공급하는 단계와, 상기 내부 리드와 상기 범프가 상기 공급된 열과 압력에 의해 접합되는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열은 530-550℃의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 열압착 수단은 니켈을 42％ 철을 58％ 함유한 합금 42, 구리 및 구리 합금으로 이루어진 그룹에서 선택된 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 구리와 합금 42는 화학적 기상 증착법에 의해 다이아몬드가 코팅된 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 합금 42는 구리박편이 높은 압력에 의해 클래딩 처리된 것을 특징으로 하는 내부 리드 본딩 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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JP7172156A JP2679960B2 (ja) 1995-04-24 1995-07-07 熱放熱ピンを具備した内部リードボンディング装置およびこれを利用した内部リードボンディング方法
TW084107406A TW291592B (ko) 1995-04-24 1995-07-18
DE19526310A DE19526310C1 (de) 1995-04-24 1995-07-19 Bondgerät zum Verbinden einer Vielzahl von inneren Anschlußleitungen
FR9508860A FR2733354B1 (fr) 1995-04-24 1995-07-21 Appareil de soudage de connexions interieures comportant un moyen de dissipation de chaleur, et procede de soudage utilisant cet appareil
CN95109502A CN1050931C (zh) 1995-04-24 1995-07-21 一种内引线焊接设备
US08/509,232 US5660318A (en) 1995-04-24 1995-07-31 Apparatus for inner lead bonding (ILB) comprising a heat dissipation pin and method of ILB using such an apparatus

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5890644A (en) * 1996-01-26 1999-04-06 Micron Technology, Inc. Apparatus and method of clamping semiconductor devices using sliding finger supports
US5673845A (en) * 1996-06-17 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Lead penetrating clamping system
JP3129272B2 (ja) 1998-01-28 2001-01-29 日本電気株式会社 半導体装置とその製造装置および製造方法
US6152353A (en) * 1999-01-14 2000-11-28 Celestica International Inc. Printed circuit board header attachment station
DE19922559A1 (de) * 1999-05-17 2000-08-31 Siemens Ag Verfahren zur Montage eines Leadframes
TWI244419B (en) * 2003-09-25 2005-12-01 Unaxis Internat Tranding Ltd Wire bonder with a downholder for pressing the fingers of a system carrier onto a heating plate
TW200631144A (en) 2005-02-18 2006-09-01 Mitac Technology Corp Chip heat dissipation structure and manufacturing method thereof
CN100505198C (zh) * 2007-12-29 2009-06-24 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 半导体器件内引线焊接设备的自动操作系统
JP5800778B2 (ja) * 2011-11-25 2015-10-28 三菱電機株式会社 接合方法および半導体装置の製造方法
CN103157860A (zh) * 2011-12-08 2013-06-19 祐旸股份有限公司 热压机多段压力控制方法
CN103157914A (zh) * 2011-12-14 2013-06-19 苏州工业园区高登威科技有限公司 Ic线缆固定方法
CN103796479B (zh) * 2012-10-31 2017-05-31 英业达科技有限公司 电子装置
CN103796484B (zh) * 2012-10-31 2016-07-06 英业达科技有限公司 电子装置
CN103796481B (zh) * 2012-10-31 2016-07-13 英业达科技有限公司 电子装置
CN103796478B (zh) * 2012-10-31 2016-12-21 英业达科技有限公司 电子装置
CN111590187A (zh) * 2020-05-11 2020-08-28 哈尔滨工业大学 一种电流加热扩散连接装置及方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3763404A (en) * 1968-03-01 1973-10-02 Gen Electric Semiconductor devices and manufacture thereof
JPS51147253A (en) * 1975-06-13 1976-12-17 Nec Corp Structure of electrode terminal
JPS5851425B2 (ja) * 1975-08-22 1983-11-16 株式会社日立製作所 ハンドウタイソウチ
JPS5459080A (en) * 1977-10-19 1979-05-12 Nec Corp Semiconductor device
JPS5815241A (ja) * 1981-07-20 1983-01-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用基板
JPH061800B2 (ja) * 1984-03-29 1994-01-05 株式会社東芝 リ−ドフレ−ム
JPS6315433A (ja) * 1986-07-08 1988-01-22 Shinkawa Ltd 内部リ−ド接合装置
JPH02172248A (ja) * 1988-12-26 1990-07-03 Hitachi Ltd テープキヤリア用ガイド装置
US5120391A (en) * 1989-04-17 1992-06-09 Kabushiki Kaisha Shinkawa Tape bonding apparatus
JPH03235341A (ja) * 1990-02-13 1991-10-21 Fujitsu Ltd アウター・リード・ボンディング用ツール
US5035034A (en) * 1990-07-16 1991-07-30 Motorola, Inc. Hold-down clamp with mult-fingered interchangeable insert for wire bonding semiconductor lead frames
KR940002771Y1 (ko) * 1991-05-14 1994-04-23 금성일렉트론 주식회사 리드 프레임의 인너리드 클램프장치
JPH05190603A (ja) * 1992-01-09 1993-07-30 Nec Kansai Ltd Ｔａｂ型半導体装置の組立装置
JP3549228B2 (ja) * 1993-05-14 2004-08-04 株式会社神戸製鋼所 高配向性ダイヤモンド放熱基板
JPH07263495A (ja) * 1994-03-18 1995-10-13 Nec Kansai Ltd Ｔａｂテープ用ボンディング装置
JPH0870022A (ja) * 1994-08-30 1996-03-12 Nec Kansai Ltd インナリードボンダ

Also Published As

Publication number Publication date
KR0145128B1 (ko) 1998-08-17
FR2733354B1 (fr) 1998-06-26
JP2679960B2 (ja) 1997-11-19
CN1050931C (zh) 2000-03-29
JPH08293528A (ja) 1996-11-05
TW291592B (ko) 1996-11-21
CN1134607A (zh) 1996-10-30
US5660318A (en) 1997-08-26
DE19526310C1 (de) 1996-10-31
FR2733354A1 (fr) 1996-10-25

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