JPH0870022A - インナリードボンダ - Google Patents
インナリードボンダInfo
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- JPH0870022A JPH0870022A JP6205262A JP20526294A JPH0870022A JP H0870022 A JPH0870022 A JP H0870022A JP 6205262 A JP6205262 A JP 6205262A JP 20526294 A JP20526294 A JP 20526294A JP H0870022 A JPH0870022 A JP H0870022A
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- inner lead
- insulating film
- tab tape
- bonding
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
Abstract
(57)【要約】
【構成】 透孔１ｂを有する絶縁フイルム１に積層した
導電箔をエッチングして前記透孔１ｂ内に延在する多数
本のインナリード２ａを含む導電パターン２を形成した
ＴＡＢテープ３を、前記透孔１ｂと対向する部分を開口
した上下一対のクランパ１０、１１にて挟持し、前記イ
ンナリード２ａの遊端部と支持テーブルに載置され加熱
された半導体ペレット４の電極４ａとを重合させて、こ
の重合部分を超音波振動が付与されたロッド状ボンディ
ングツール９にて加圧し接続するインナリードボンダに
おいて、前記クランパ１０、１１の開口部１０ａ、１１
ａの内周を前記ＴＡＢテープ３の透孔１ａ内周に近接さ
せたことを特徴とする。 【効果】 電極４ａに接続されたインナリード２ａを伝
達する熱が透孔を越えると直ちにクランパ１０または１
１に吸熱され、絶縁フイルム１の温度上昇が抑えられ、
インナリード２ｂの位置ずれが防止でき、良好なボンデ
ィングができ、耐電圧低下、短絡のない半導体装置を実
現できる。
導電箔をエッチングして前記透孔１ｂ内に延在する多数
本のインナリード２ａを含む導電パターン２を形成した
ＴＡＢテープ３を、前記透孔１ｂと対向する部分を開口
した上下一対のクランパ１０、１１にて挟持し、前記イ
ンナリード２ａの遊端部と支持テーブルに載置され加熱
された半導体ペレット４の電極４ａとを重合させて、こ
の重合部分を超音波振動が付与されたロッド状ボンディ
ングツール９にて加圧し接続するインナリードボンダに
おいて、前記クランパ１０、１１の開口部１０ａ、１１
ａの内周を前記ＴＡＢテープ３の透孔１ａ内周に近接さ
せたことを特徴とする。 【効果】 電極４ａに接続されたインナリード２ａを伝
達する熱が透孔を越えると直ちにクランパ１０または１
１に吸熱され、絶縁フイルム１の温度上昇が抑えられ、
インナリード２ｂの位置ずれが防止でき、良好なボンデ
ィングができ、耐電圧低下、短絡のない半導体装置を実
現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インナリードボンダに
関し、詳しくはＴＡＢ式半導体装置の製造に使用され、
ＴＡＢテープの透孔に張りだしたインナリードとその透
孔内に収納配置された半導体ペレットの電極とを超音波
振動と加熱加圧により電気的に接続するインナリードボ
ンダに関する。
関し、詳しくはＴＡＢ式半導体装置の製造に使用され、
ＴＡＢテープの透孔に張りだしたインナリードとその透
孔内に収納配置された半導体ペレットの電極とを超音波
振動と加熱加圧により電気的に接続するインナリードボ
ンダに関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度実装用ＩＣとしてＴＡＢ(Tape Au
tomated Bonding)式半導体装置が多く用いられている。
このＴＡＢ式半導体装置の中間構体の一例を図２から説
明する。図において、１は長尺の絶縁フイルムで、両側
に沿って送り用の穴１ａ、１ａを、巾方向中間部に矩形
状の透孔１ｂをそれぞれ絶縁フイルム１の長手方向に所
定の間隔で穿設している。２は絶縁フイルム１に積層し
た導電箔をエッチングすることにより形成された導電パ
ターンで、透孔１ｂ内に延在するインナリード２ａを含
み、絶縁フイルム１とともにＴＡＢテープ３を構成す
る。
tomated Bonding)式半導体装置が多く用いられている。
このＴＡＢ式半導体装置の中間構体の一例を図２から説
明する。図において、１は長尺の絶縁フイルムで、両側
に沿って送り用の穴１ａ、１ａを、巾方向中間部に矩形
状の透孔１ｂをそれぞれ絶縁フイルム１の長手方向に所
定の間隔で穿設している。２は絶縁フイルム１に積層し
た導電箔をエッチングすることにより形成された導電パ
ターンで、透孔１ｂ内に延在するインナリード２ａを含
み、絶縁フイルム１とともにＴＡＢテープ３を構成す
る。
【０００３】４は絶縁フイルム１の透孔１ｂ内に配置さ
れた半導体ペレットで、その表面に多数の電極４ａが形
成されている。この電極４ａと前記インナリード２ａの
遊端とはそれぞれ対応するように配列位置が設定されて
いる。この半導体ペレット４は絶縁フイルム１の下方か
ら図示矢印方向に透孔１ｂ内に配置され、電極４ａとイ
ンナリード２ａとが重合され、電気的に接続されて中間
構体５を得る。この中間構体５は、電気的な検査がされ
リール（図示せず）に巻とられ、保管、搬送され、リー
ルから繰り出された中間構体５の所定領域を打ち抜き切
断して個々の半導体装置に分離し、この半導体装置を電
子回路装置などに実装する。この種半導体装置は、外形
寸法を大きくすることなく高密度実装に対応することが
要求され、例えば液晶表示装置の駆動用半導体装置では
２００を越える電極数、即ちインナリード数の製品が供
給されており、さらに増加の要請があり、電極４ａの小
径化、インナリード２ａの巾の細径化とリード間隔の狭
小化で対応している。このＴＡＢ式半導体装置のインナ
リード２ａと半導体ペレット４の電極４ａを接続するイ
ンナリードボンダの一例を図３から説明する。図におい
て、６、７はそれぞれ絶縁フイルム１の透孔１ｂより径
大の開口窓２ａ、７ａを有する上下一対のクランパで、
図示しないガイド機構によって水平方向に移動するＴＡ
Ｂテープ３を透孔１ｂと開口部２ａ、７ａとが同心位置
となる所定ポジションで上下から挟持して固定する。
れた半導体ペレットで、その表面に多数の電極４ａが形
成されている。この電極４ａと前記インナリード２ａの
遊端とはそれぞれ対応するように配列位置が設定されて
いる。この半導体ペレット４は絶縁フイルム１の下方か
ら図示矢印方向に透孔１ｂ内に配置され、電極４ａとイ
ンナリード２ａとが重合され、電気的に接続されて中間
構体５を得る。この中間構体５は、電気的な検査がされ
リール（図示せず）に巻とられ、保管、搬送され、リー
ルから繰り出された中間構体５の所定領域を打ち抜き切
断して個々の半導体装置に分離し、この半導体装置を電
子回路装置などに実装する。この種半導体装置は、外形
寸法を大きくすることなく高密度実装に対応することが
要求され、例えば液晶表示装置の駆動用半導体装置では
２００を越える電極数、即ちインナリード数の製品が供
給されており、さらに増加の要請があり、電極４ａの小
径化、インナリード２ａの巾の細径化とリード間隔の狭
小化で対応している。このＴＡＢ式半導体装置のインナ
リード２ａと半導体ペレット４の電極４ａを接続するイ
ンナリードボンダの一例を図３から説明する。図におい
て、６、７はそれぞれ絶縁フイルム１の透孔１ｂより径
大の開口窓２ａ、７ａを有する上下一対のクランパで、
図示しないガイド機構によって水平方向に移動するＴＡ
Ｂテープ３を透孔１ｂと開口部２ａ、７ａとが同心位置
となる所定ポジションで上下から挟持して固定する。
【０００４】８はクランパ６、７によって固定されたＴ
ＡＢテープ３の下方で半導体ペレット４を載置して上下
動する支持テーブルで、載置した半導体ペレット４を加
熱する加熱手段（図示せず）を有する。また、この支持
テーブル８は図示しないがＸＹ方向に移動する機構さら
には軸周りに回転する機構に支持され、載置した半導体
ペレット４の電極４ａとインナリード２ａの遊端とを位
置決めして上下動する。９は小径の電極４ａと細巾のイ
ンナリード２ａとを接続するためのロッド状のボンディ
ングツールで、クランパ６、７によって固定されたＴＡ
Ｂテープ３の上方に配置され、超音波振動が付与され
て、上下動並びにＸＹ方向に移動して上クランパ６の開
口部２ａからインナリード２ａと電極４ａの各重合部を
一点ずつ加圧し超音波振動と支持テーブル８からの熱に
よって重合部を電気的に接続する。
ＡＢテープ３の下方で半導体ペレット４を載置して上下
動する支持テーブルで、載置した半導体ペレット４を加
熱する加熱手段（図示せず）を有する。また、この支持
テーブル８は図示しないがＸＹ方向に移動する機構さら
には軸周りに回転する機構に支持され、載置した半導体
ペレット４の電極４ａとインナリード２ａの遊端とを位
置決めして上下動する。９は小径の電極４ａと細巾のイ
ンナリード２ａとを接続するためのロッド状のボンディ
ングツールで、クランパ６、７によって固定されたＴＡ
Ｂテープ３の上方に配置され、超音波振動が付与され
て、上下動並びにＸＹ方向に移動して上クランパ６の開
口部２ａからインナリード２ａと電極４ａの各重合部を
一点ずつ加圧し超音波振動と支持テーブル８からの熱に
よって重合部を電気的に接続する。
【０００５】この装置は、降下させた支持テーブル８上
に新たな半導体ペレット４を載置して予熱しつつ位置決
めし、クランパ６、７から解放されたＴＡＢテープ３を
移動させて半導体ペレット４が接続されていない透孔１
ｂをクランパ６、７の開口部に位置させ、クランパ６、
７を閉じてＴＡＢテープを位置決めし、支持テーブル８
を上昇させてインナリード２ａの遊端部と半導体ペレッ
ト４の電極４ａとを重合させ、ボンデンィグツール９を
駆動して重合部を一点ずつボンディングし、ボンディン
グが完了すると、ボンディングツール９を上昇させ、同
時に支持テーブル８を降下させ、クランパ６、７を解放
して、上記動作を繰返し、順次ボンディングを実行す
る。
に新たな半導体ペレット４を載置して予熱しつつ位置決
めし、クランパ６、７から解放されたＴＡＢテープ３を
移動させて半導体ペレット４が接続されていない透孔１
ｂをクランパ６、７の開口部に位置させ、クランパ６、
７を閉じてＴＡＢテープを位置決めし、支持テーブル８
を上昇させてインナリード２ａの遊端部と半導体ペレッ
ト４の電極４ａとを重合させ、ボンデンィグツール９を
駆動して重合部を一点ずつボンディングし、ボンディン
グが完了すると、ボンディングツール９を上昇させ、同
時に支持テーブル８を降下させ、クランパ６、７を解放
して、上記動作を繰返し、順次ボンディングを実行す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この種半導体装置は、
高密度実装の要求に対して多リード化で対応している
が、例えば、電極の径が９０μｍ、インナリード幅が３
５μｍ、インナリードの間隔が８０μｍの２５０ピン
（電極、インナ−リード数が２５０）の半導体装置の場
合、半導体ペレット４の一辺の一端側からボンディング
作業を開始してこの辺に沿って電極４ａとインナリード
２ａの重合部を一点づつボンディングし他端側までボン
ディングする間に、接続されたインナリード２ａから半
導体ペレット４の熱が絶縁フイルム１に伝達され、透孔
１ｂ周縁の絶縁フイルム１の温度が上昇し、熱伝達経路
がボンディングの進行とともに増大して、透孔周縁の温
度が急激に上昇し、絶縁フイルム１の熱膨張によりこれ
に積層されたインナリード２ｂも位置ずれする。
高密度実装の要求に対して多リード化で対応している
が、例えば、電極の径が９０μｍ、インナリード幅が３
５μｍ、インナリードの間隔が８０μｍの２５０ピン
（電極、インナ−リード数が２５０）の半導体装置の場
合、半導体ペレット４の一辺の一端側からボンディング
作業を開始してこの辺に沿って電極４ａとインナリード
２ａの重合部を一点づつボンディングし他端側までボン
ディングする間に、接続されたインナリード２ａから半
導体ペレット４の熱が絶縁フイルム１に伝達され、透孔
１ｂ周縁の絶縁フイルム１の温度が上昇し、熱伝達経路
がボンディングの進行とともに増大して、透孔周縁の温
度が急激に上昇し、絶縁フイルム１の熱膨張によりこれ
に積層されたインナリード２ｂも位置ずれする。
【０００７】一方、半導体ペレット４は全体的に予熱さ
れ、温度飽和しているため熱膨張による電極間隔の変化
は無視できる。そのため、電極配列の一端から順次ボン
ディングする場合、図４に示すようにインナリード２ｂ
の間隔のずれはそのまま、電極４ａに対する位置ずれと
なり、他端側では位置ずれが顕著となり、ボンディング
不良、ボンディング強度の低下を生じる虞があった。ま
た、この位置ずれによって、電極４ａに対してインナリ
ード２ａが傾いて接続されると、インナリード２ａの一
部が半導体ペレット４表面の不所望部分に近接したり接
触し、また隣接するインナリード同志が近接、接触して
耐電圧の低下や短絡事故を引き起こす虞もあった。
れ、温度飽和しているため熱膨張による電極間隔の変化
は無視できる。そのため、電極配列の一端から順次ボン
ディングする場合、図４に示すようにインナリード２ｂ
の間隔のずれはそのまま、電極４ａに対する位置ずれと
なり、他端側では位置ずれが顕著となり、ボンディング
不良、ボンディング強度の低下を生じる虞があった。ま
た、この位置ずれによって、電極４ａに対してインナリ
ード２ａが傾いて接続されると、インナリード２ａの一
部が半導体ペレット４表面の不所望部分に近接したり接
触し、また隣接するインナリード同志が近接、接触して
耐電圧の低下や短絡事故を引き起こす虞もあった。
【０００８】そのため、例えば特開平５−１９０６０３
号公報にはＴＡＢテープ３を固定するクランパ６、７に
絶縁フイルム１を冷却する冷却手段を設け、これによっ
て絶縁フイルム１の温度上昇を抑え、熱膨張による電極
とインナリードの位置ずれを防止することが提案されて
いる。しかしながら、絶縁フイルム１を冷却すると導電
パターン２に伝達される熱も放熱され、ボンディングの
進行とともに熱伝達経路が増大すると吸熱量も増大し半
導体ペレット４表面の温度が低下して、ボンディング強
度が低下するという問題があった。
号公報にはＴＡＢテープ３を固定するクランパ６、７に
絶縁フイルム１を冷却する冷却手段を設け、これによっ
て絶縁フイルム１の温度上昇を抑え、熱膨張による電極
とインナリードの位置ずれを防止することが提案されて
いる。しかしながら、絶縁フイルム１を冷却すると導電
パターン２に伝達される熱も放熱され、ボンディングの
進行とともに熱伝達経路が増大すると吸熱量も増大し半
導体ペレット４表面の温度が低下して、ボンディング強
度が低下するという問題があった。
【０００９】この半導体ペレットの加熱制御は熱慣性が
大きいため、ボンディングの進行に合わせて適正に制御
することが困難で、仮に制御可能であったとしても、こ
の温度変化により半導体ペレット４の電極４ａの間隔も
変化するという問題を生じ、さらには小径の電極を過大
に加熱すると超音波振動を併用したボンディングでは超
音波振動が過度となり却ってボンディング強度を低下さ
せるという問題も生じるため、超音波振動の強度も制御
する必要があり制御が煩雑になるという問題があった。
また、支持テーブルからの輻射熱によってＴＡＢテープ
が熱膨張するのを防止するために、支持テーブルから加
熱手段を除き、加熱されたボンディングツールの輻射熱
で半導体ペレットを予熱するようにしたボンディング装
置も提案されている（特開平２−５４４４号公報参照）
が、電極数が２００を越えきわめて多くなると、電極の
高さのばらつきなどにより一括ボンディングは困難で、
この技術を図３に示す一点ボンディングのインナリード
ボンダに直ちに適用することはできなかった。
大きいため、ボンディングの進行に合わせて適正に制御
することが困難で、仮に制御可能であったとしても、こ
の温度変化により半導体ペレット４の電極４ａの間隔も
変化するという問題を生じ、さらには小径の電極を過大
に加熱すると超音波振動を併用したボンディングでは超
音波振動が過度となり却ってボンディング強度を低下さ
せるという問題も生じるため、超音波振動の強度も制御
する必要があり制御が煩雑になるという問題があった。
また、支持テーブルからの輻射熱によってＴＡＢテープ
が熱膨張するのを防止するために、支持テーブルから加
熱手段を除き、加熱されたボンディングツールの輻射熱
で半導体ペレットを予熱するようにしたボンディング装
置も提案されている（特開平２−５４４４号公報参照）
が、電極数が２００を越えきわめて多くなると、電極の
高さのばらつきなどにより一括ボンディングは困難で、
この技術を図３に示す一点ボンディングのインナリード
ボンダに直ちに適用することはできなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために提案されたもので、透孔を有する絶縁フイル
ムに積層した導電箔をエッチングして前記透孔内に延在
する多数本のインナリードを含む導電パターンを形成し
たＴＡＢテープを、前記透孔と対向する部分を開口した
上下一対のクランパにて挟持し、前記インナリードの遊
端部と支持テーブルに支持され加熱された半導体ペレッ
トの電極とを重合させて、この重合部分を超音波振動が
付与されたボンディングツールにて加圧し接続するイン
ナリードボンダにおいて、前記クランパの開口部の内周
を前記ＴＡＢテープの透孔内周に近接させたことを特徴
とするインナリードボンダを提供する。このクランパは
支持テーブルからの輻射熱を受け長時間の動作で周囲温
度より高温になるが、積極的に加熱手段を設けることに
より、ボンディング開始前にＴＡＢテープを予熱できボ
ンディング時に半導体ペレットと絶縁フイルムの温度差
を小さくすることができる。
するために提案されたもので、透孔を有する絶縁フイル
ムに積層した導電箔をエッチングして前記透孔内に延在
する多数本のインナリードを含む導電パターンを形成し
たＴＡＢテープを、前記透孔と対向する部分を開口した
上下一対のクランパにて挟持し、前記インナリードの遊
端部と支持テーブルに支持され加熱された半導体ペレッ
トの電極とを重合させて、この重合部分を超音波振動が
付与されたボンディングツールにて加圧し接続するイン
ナリードボンダにおいて、前記クランパの開口部の内周
を前記ＴＡＢテープの透孔内周に近接させたことを特徴
とするインナリードボンダを提供する。このクランパは
支持テーブルからの輻射熱を受け長時間の動作で周囲温
度より高温になるが、積極的に加熱手段を設けることに
より、ボンディング開始前にＴＡＢテープを予熱できボ
ンディング時に半導体ペレットと絶縁フイルムの温度差
を小さくすることができる。
【００１１】
【作用】本発明によれば、ＴＡＢテープを挟持して固定
するクランプの開口内周を透孔の内周面に近接させるこ
とにより、インナリードから伝わる熱を直ちにクランパ
に吸熱させることができ絶縁フイルムの温度上昇を押さ
えることができ、ボンディングが進行してもインナリー
ドの間隔変化を抑えることができる。
するクランプの開口内周を透孔の内周面に近接させるこ
とにより、インナリードから伝わる熱を直ちにクランパ
に吸熱させることができ絶縁フイルムの温度上昇を押さ
えることができ、ボンディングが進行してもインナリー
ドの間隔変化を抑えることができる。
【００１２】
【実施例】以下に本発明によるインナリードボンダの実
施例を図１から説明する。図において、本発明の前提装
置である図３装置と相違するのはクランパ１０、１１の
みで、他の部分は共通するため同一符号を付し説明を省
略する。このクランパ１０、１１は、その開口部１０
ａ、１１ａの内周をＴＡＢテープ３の透孔１ｂ内周に近
接させ、図示例では開口部１０ａ、透孔１ｂ、開口部１
１ａの各内周がほぼ同一面となるように開口部の形状、
寸法が設定されている。このようにＴＡＢテープ３の透
孔１ｂに対してクランパ１０、１１の開口径を設定する
ことにより、インナリード２ａの遊端部と半導体ペレッ
ト４の電極４ａの重合部を順次ボンディングしてゆく
と、半導体ペレット４の熱がインナリード２ａを伝達し
てＴＡＢテープ３に移動するが、透孔１ｂを越えて絶縁
フイルム１に移動する熱は、直ちにクランパ１０、１１
に吸熱され放熱されるため、絶縁フイルム１の透孔１ｂ
周縁の温度上昇が抑えられる。
施例を図１から説明する。図において、本発明の前提装
置である図３装置と相違するのはクランパ１０、１１の
みで、他の部分は共通するため同一符号を付し説明を省
略する。このクランパ１０、１１は、その開口部１０
ａ、１１ａの内周をＴＡＢテープ３の透孔１ｂ内周に近
接させ、図示例では開口部１０ａ、透孔１ｂ、開口部１
１ａの各内周がほぼ同一面となるように開口部の形状、
寸法が設定されている。このようにＴＡＢテープ３の透
孔１ｂに対してクランパ１０、１１の開口径を設定する
ことにより、インナリード２ａの遊端部と半導体ペレッ
ト４の電極４ａの重合部を順次ボンディングしてゆく
と、半導体ペレット４の熱がインナリード２ａを伝達し
てＴＡＢテープ３に移動するが、透孔１ｂを越えて絶縁
フイルム１に移動する熱は、直ちにクランパ１０、１１
に吸熱され放熱されるため、絶縁フイルム１の透孔１ｂ
周縁の温度上昇が抑えられる。
【００１３】ボンディング作業の継続により半導体ペレ
ット４と熱的に接続されたインナリード２ａの本数が増
加して、半導体ペレット４からの熱移動が増加しても、
透孔１ｂを越えた熱は直ちにクランパ１０、１１に吸熱
されるため絶縁フイルム１の透孔周縁の温度上昇が抑え
られ、絶縁フイルム１の熱膨張によるインナリード２ｂ
の間隔変化が抑えられる。従って、電極数を増加させる
ことにより、インナリード２ｂの間隔がさらに狭小にな
り、熱膨張による位置ずれの影響が相対的に顕著になる
場合でも、本発明によるボンダではボンディング時のリ
ード間隔の変化が抑えられ、良好なボンディングができ
る。
ット４と熱的に接続されたインナリード２ａの本数が増
加して、半導体ペレット４からの熱移動が増加しても、
透孔１ｂを越えた熱は直ちにクランパ１０、１１に吸熱
されるため絶縁フイルム１の透孔周縁の温度上昇が抑え
られ、絶縁フイルム１の熱膨張によるインナリード２ｂ
の間隔変化が抑えられる。従って、電極数を増加させる
ことにより、インナリード２ｂの間隔がさらに狭小にな
り、熱膨張による位置ずれの影響が相対的に顕著になる
場合でも、本発明によるボンダではボンディング時のリ
ード間隔の変化が抑えられ、良好なボンディングができ
る。
【００１４】また、電極４ａとインナリード２ａの位置
ずれが抑えられる結果、耐電圧の低下、短絡事故など電
気的不良も防止できる。尚、本発明は上記実施例にのみ
限定されるものではなく、例えば図示しないが、クラン
パ１０または１１に加熱手段を設け、クランプしたＴＡ
Ｂテープ３を予熱して予め熱膨張させ、インナリード２
ｂの間隔を拡げておき、加熱された半導体ペレット４の
電極４ａと重合させるようにしてもよい。この場合、Ｔ
ＡＢテープ３は所定の温度に加熱された状態で、インナ
リード２ａの間隔が電極４ａの間隔と一致するように設
定したものを用いれば、インナリード２ａと電極４ａの
位置をボンディング時に完全に合わせることができる。
これにより、ボンディング時にインナリード２ａの遊端
と基部の温度差が縮小され、インナリード２ａを伝達す
る熱移動が抑えられ、インナリード２ａの電極４ａに対
する位置ずれを防止できる。
ずれが抑えられる結果、耐電圧の低下、短絡事故など電
気的不良も防止できる。尚、本発明は上記実施例にのみ
限定されるものではなく、例えば図示しないが、クラン
パ１０または１１に加熱手段を設け、クランプしたＴＡ
Ｂテープ３を予熱して予め熱膨張させ、インナリード２
ｂの間隔を拡げておき、加熱された半導体ペレット４の
電極４ａと重合させるようにしてもよい。この場合、Ｔ
ＡＢテープ３は所定の温度に加熱された状態で、インナ
リード２ａの間隔が電極４ａの間隔と一致するように設
定したものを用いれば、インナリード２ａと電極４ａの
位置をボンディング時に完全に合わせることができる。
これにより、ボンディング時にインナリード２ａの遊端
と基部の温度差が縮小され、インナリード２ａを伝達す
る熱移動が抑えられ、インナリード２ａの電極４ａに対
する位置ずれを防止できる。
【００１５】このクランパ１０または１１の加熱手段
は、電気ヒータでもよいし、加熱されたガスや液体など
の流体を循環させるものでも良い。また、クランパ１０
または１１のＴＡＢテープ３と対向し挟持する面を平滑
または潤滑処理し、加圧状態を保って、絶縁フイルム１
の熱膨張を許容することが望ましい。上記実施例におい
て、クランパ１０または１１の開口径は、ＴＡＢテープ
３の透孔１ｂの開口径より小径にしてもよい
は、電気ヒータでもよいし、加熱されたガスや液体など
の流体を循環させるものでも良い。また、クランパ１０
または１１のＴＡＢテープ３と対向し挟持する面を平滑
または潤滑処理し、加圧状態を保って、絶縁フイルム１
の熱膨張を許容することが望ましい。上記実施例におい
て、クランパ１０または１１の開口径は、ＴＡＢテープ
３の透孔１ｂの開口径より小径にしてもよい
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ボンディ
ング時に加熱された電極の熱がインナリードを介して絶
縁フイルム側に伝達されても、この熱は透孔を越えると
直ちにクランパに吸収されるため、絶縁フイルムの温度
上昇が抑えられ、絶縁フイルムの熱膨張に基づくインナ
リードの位置ずれが防止でき、良好なボンディングがで
き、その結果耐電圧の低下、短絡などのない半導体装置
を実現できる。
ング時に加熱された電極の熱がインナリードを介して絶
縁フイルム側に伝達されても、この熱は透孔を越えると
直ちにクランパに吸収されるため、絶縁フイルムの温度
上昇が抑えられ、絶縁フイルムの熱膨張に基づくインナ
リードの位置ずれが防止でき、良好なボンディングがで
き、その結果耐電圧の低下、短絡などのない半導体装置
を実現できる。
【図１】 本発明の実施例を示すインナリードボンダの
側断面図
側断面図
【図２】 ＴＡＢ式半導体装置の中間構体を示す斜視図
【図３】 従来のインナリードボンダの一例を示す側断
面図
面図
【図４】 図３装置の課題を説明するＴＡＢ式半導体装
置の部分拡大平面図
置の部分拡大平面図
１ 絶縁フイルム １ｂ 透孔 ２ 導電パターン ２ａ インナリード ３ ＴＡＢテープ ４ 半導体ペレット ４ａ 電極 ９ ボンディングツール １０ クランパ １０ａ 開口部 １１ クランパ １１ａ 開口部
Claims (2)
- 【請求項１】透孔を有する絶縁フイルムに積層した導電
箔をエッチングして前記透孔内に延在する多数本のイン
ナリードを含む導電パターンを形成したＴＡＢテープ
を、前記透孔と対向する部分を開口した上下一対のクラ
ンパにて挟持し、前記インナリードの遊端部と支持テー
ブルに支持され加熱された半導体ペレットの電極とを重
合させて、この重合部分を超音波振動が付与されたロッ
ド状のボンディングツールにて加圧し接続するインナリ
ードボンダにおいて、前記クランパの開口部の内周を前
記ＴＡＢテープの透孔内周に近接させたことを特徴とす
るインナリードボンダ。 - 【請求項２】クランパに、絶縁フイルムの透孔周縁部を
加熱する加熱手段を配置したことを特徴とする請求項１
に記載のインナリードボンダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6205262A JPH0870022A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | インナリードボンダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6205262A JPH0870022A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | インナリードボンダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870022A true JPH0870022A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16504074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6205262A Pending JPH0870022A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | インナリードボンダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0870022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2733354A1 (fr) * | 1995-04-24 | 1996-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | Appareil de soudage de connexions interieures comportant un moyen de dissipation de chaleur, et procede de soudage utilisant cet appareil |
| JP2010267802A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sharp Corp | 半導体装置の製造装置および製造方法、ならびに半導体装置 |
-
1994
- 1994-08-30 JP JP6205262A patent/JPH0870022A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2733354A1 (fr) * | 1995-04-24 | 1996-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | Appareil de soudage de connexions interieures comportant un moyen de dissipation de chaleur, et procede de soudage utilisant cet appareil |
| JP2010267802A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sharp Corp | 半導体装置の製造装置および製造方法、ならびに半導体装置 |
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