JPH04199724A - インナリードボンディング装置 - Google Patents

インナリードボンディング装置

Info

Publication number
JPH04199724A
JPH04199724A JP33299490A JP33299490A JPH04199724A JP H04199724 A JPH04199724 A JP H04199724A JP 33299490 A JP33299490 A JP 33299490A JP 33299490 A JP33299490 A JP 33299490A JP H04199724 A JPH04199724 A JP H04199724A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier tape
tape
bonding
wiring pattern
inner lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33299490A
Other languages
English (en)
Inventor
Yukihiro Iketani
之宏 池谷
Noriyasu Kashima
規安 加島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP33299490A priority Critical patent/JPH04199724A/ja
Publication of JPH04199724A publication Critical patent/JPH04199724A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は、TABの分野において、キャリアテープの
インナリードと半導体チップの電極とを接合するインナ
リードボンディング装置に関する。
(従来の技術) T A B (Tape Autometed Bon
ding)の工程はフィルムキャリア製造工程、バンプ
(金属突起)形成工程、パッケージ工程から成り立って
いる。
上記パッケージ工程においては、まず、インナリードボ
ンディング(ILB)工程が行われる。このインナリー
ドボンディング工程は上記フィルムキャリア製造工程で
製造されたフィルムキャリアテープのインナリードと半
導体チップの電極バッ1・とを、上記バンブ形成工程で
形成されたバンブを介して接合する上程である。このイ
ンナリードホンディング工程において上記フィルムキャ
リアテープに71″−導体プロセスを終えた半導体チッ
プが搭載される。
一般にこのインナリードボンディングを行うインナリー
トホンダは第8図に示すように構成されている。図中1
はフィルムキャリアテープである。このキャリアテープ
1は例えば第7図に示すようになっ−Cいる。すなわち
、このキャリアテープ1の両側には送り駆動用のスプロ
ケットホール2・・・か設けられている。キャリアテー
プ1の中央部には搭載される半導体チップより若干大き
いデバイスホール3か穿設されている。このデバイスホ
ール3はキャリアテープ1の長平方向に沿って所定間隔
で設けられている。また、このキャリアテープ]の表面
には複数本の薄膜銅線4a・・・からなる配線パターン
4が形成されている。上記それぞれの薄膜銅線4a・・
・の一端部は上記デバイスホール3に突出して、インナ
リード5・・を形成している。このインナリーF5は非
常に薄肉であるためにとても曲がりゃすい。
上記インナリードボンダは離間する一対の送り側スプロ
ケットホイール6a、巻取側スプロケットホイール6b
とを有する。この一対のスプロケットホイール6a、6
bは上記キャリアテープ1のスプロケットホール2・と
係合している。そして、上記キャリアテープ]は」二足
一対のスプロケットホイール6a、6bの間において上
記配線パターン4が形成された而1aを上方に向けて張
設されている。また、上記一対のスプロケットホイール
6a、 6bは、それぞれ図示しない駆動手段により、
矢印Aで示す方向に間欠回転駆動されるよう1こなって
いる。このこと1こよって上5己キャリアテープ]は矢
印Bで示ず方向に上記キャリアテープ1のデバイスホー
ル3の設けられている間隔と同じ間隔で間欠的に送り駆
動される。
また、上記一対のスプロケットホイール6a、6bの間
にはガイド部材7が設けられている。上記ガイド部材7
は、」−2キャリアテープ1の」二面に当接してこのキ
ャリアテープを下方へ押圧し張力を与えるガイド面8を
有する。このキャリアテープ1に張力を与えることによ
ってキャリアテープ1の振動をおさえ、位置決めボンデ
ィングかじやすいようになっている。上記ガイド面8は
両端に湾曲部3 a % 8 b、中央部に平坦部8C
とが組み合イつされた形状を有し、この平坦部8Cの中
央にはボンディングツール9が通過できる図示しない貫
通孔が形成されている。
上記テープガイド7に穿設された貫通孔に対向するよう
に上記キャリアテープ1のデバイスホール3が間欠位置
決めされると、上記キャリアテープ1のデバイスホール
3に上記半導体チップがボンディングされる。すなわち
、」−2キャリアテープ1に設けられたデバイスホール
3の下方には半導体チップが上記デバイスホール3に対
向するように載置されたZ方向に移動可能なボンディン
グステージ(図示しない)が設けられ、上記キャリアテ
ープ]の上方には」二足ボンディングステージに対向す
るホンディングツール9が設けられて= 5 − いる。そして、上記ボンディングツール9とボンディン
グステージとを互いに対向する方向に移動させることで
上記キャリアテープ]のインナリード5と半導体チップ
の電極とが接合されて上記フィルムキャリアテープ1に
半導体チップがボンディングされるようになっている。
ところで、従来では第9図、第10図に示すように上記
ガイド部祠7のガイド面8の幅方向は平坦に形成され、
その幅方向は略全体で上記キャリアテープ1の配線パタ
ーン4が形成された面]aの略全体を上記キャリアテー
プ1の配線パターン4に接触させている。このため、上
記スプロケットホイール6a、6bを回転駆動して上記
キャリアテープ1を矢印Bで示す方向に送り駆動すれば
上記キャリアテープ]の配線パターン4とガイド面8と
が擦れ合うために、このガイド面8との摩擦などによっ
てインナリード5が折れ曲がるということがある。イン
ナリード5が変形すると上記半導体チップの電極と接合
しない恐れがあり、接続不良を引き起こす原因となる。
(発明が解決しようとする課題) 以上述べたように従来のインナリードボンディング装置
はガイド部材のガイド面がキャリアテープに設けられた
配線パターンと接触していたために、この配線パターン
を傷付ける恐れがあった。
この発明は、上記フィルムキャリアテープに設けられた
配線パターンを破損させることがないと同時に、正確に
位置決めボンディングできるようなインナリードボンデ
ィング装置を提供することを目的とするものである。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段および作用)この発明は
、−側面に配線パターンが形成されたキャリアテープを
間欠的に送り駆動するテープ送り手段と、このテープ送
り手段によって送られる上記キャリアテープに形成され
たデバイスホール内に突出したインナリードに半導体チ
ップをボンディングするボンディング部と、このボンデ
ィング部を挟んで上記キャリアテープの送り方向上流側
と下流側とにそれぞれ配置された一対のテープガイド体
と、各テープガイド体に形成され上記キャリアテープの
幅方向両端部をガイドするガイド部およびこのガイド部
に上記キャリアテープがガイドされた状態において上記
配線パターンが上記テープガイド体に接触するのを防止
する逃げ部と、上記一対のテープガイド体の間に配設さ
れ上記ボンディング部において半導体チップをキャリア
テープに形成されたデバイスホール内に突出したインナ
リードにボンディングする時に、このキャリアテープの
デバイスホール近傍を挟持固定するクランプ部とを有す
ることを特徴とする。
このような構成によれば、上記フィルムキャリアテープ
は配線パターンをテープガイドの逃げ部によって保護さ
れながら、テープ両端部を上記テープガイド体のガイド
面にガイドされると共に、ボンディング時にはボンディ
ング部に配置されたクランパ部によって位置決め保持さ
れる。
(実施例) 以下、この発明の一実施例を第1図乃至第5図を参照し
て説明する。なお、従来例と同一構成要素には同一記号
を付して説明を省略する。
第1図に示すように、一対の送り側スプロケットホイー
ル6a、巻取側スプロケットホィール6b間には、キャ
リアテープ1を下方に押圧する一対の送り側テープガイ
ド体15、巻取側テープガイド体16が離間して設けら
れている。
上記送り側テープガイド体15は第2図、第3図に示す
ように構成されている。このテープガイド体15は上方
に向がって緩やかに湾曲して形成されていると共に、そ
の下面にはガイド部を形成する第1の段差部15aと、
逃げ部を形成する第2の段差部15bが送り側テープガ
イド体の長手方向に全長にわたって階段状に設けられて
いる。
すなわち、上記第1の段差部15aは上記キャリアテー
プ1の厚さよりも若干深く形成され、その幅は上記キャ
リアテープ1の幅と略等しいか若干大きいと共に、上記
送り側テープガイド体15の幅寸法よりも小さく設定さ
れている。上記第2の段差部15bは上記配線パターン
4の厚さよりも深く形成され、その幅は上記配線パター
ン4が形成されている幅よりも若干大きくなっている。
このテープガイド体15によってキャリアテープ1がガ
イドされる時には上記第1の段差部15aに上記キャリ
アテープ1の幅方向の両端部が嵌まり込む。このことに
よって、上記キャリアテープ1は幅方向にずれるのが規
制されながら送り方向にガイドされる。この状態におい
て、上記配線パターン4は上記キャリアテープ1と第2
の段差部15bとによって区画された空間17に収容さ
れる。上記第2の段差部の土壁内面15cは上記配線パ
ターン4と接触しない高さに形成されているので、キャ
リアテープ1がテープガイド体15にガイドされること
で配線パターン4が上記第2の段差部15bの上壁内面
15cに接触することはない。
上記巻取側テープガイド体16はこの送り側テープガイ
ド体15と同じ形状に形成されているので説明は省略す
る。
上記一対の送り側、巻取側テープガイド体15.16は
キャリアテープ1の送り方向に沿って所定間隔で離間対
向して配置されている。すなイっぢ、上記送り側スプロ
ケットホイール6aと巻取側スプロケットホイール6b
との間のキャリアテープ1は上記送り側テープガイド体
15および巻取側テープガイド体16によって下刃に押
圧され、この一対のテープガイド体コ5.16間におい
て略水平に張設されるようになっている。
」二足一対のテープガイド体15.16間に略水平に張
設されたキャリアテープ]の中途部の下方にはボンディ
ングステージ〕9か配置されている。第4図に示すよう
に、上記ボンディングステージコ9の」二面には半導体
チップ20がその電極部20aを上方に向け、上記キャ
リアテープ1のデバイスポール3に対向するように位置
決め載置されている。そしてこのボンディングステージ
]9は、図示しない駆動手段によってZ方向に駆動され
るようになっている。
上記キャリアテープ1の」ニガの上記ボンディングステ
ージ1つに対向する位置にはボンディングツール21が
配置されている。上記ホンデイン−11〜 グツール2]は図示しない加熱手段により高温に加熱さ
れると共に、図示しない駆動手段によりZ方向に移動す
るようになっている。
図4に示すように、」二足ボンディングステージ19と
キャリアテープ1の下面との間にはクランパ板22、お
よび上記ボンディングツール21とキャリアテープ]の
」−面との間には押し当て板23が配置されている。上
記クランパ板22と押し当て板23は共に矩形板状に形
成され、」二足キャリアテープ]のデバイスホール3よ
り若干大きい通孔22a、23aか穿設されている。上
記クランパ板22と押し当て板23は上記通孔22a1
23aを上記ボンディングステージ19に載置された半
導体チップ20に対応させて」二足キャリアテープ1の
近傍に配置され、上記キャリアテープ]を挾んで対向し
ている。」1記クランパ板22は図示しない駆動手段に
より上記押し当て板23の方向に」−H駆動されるよう
になっている。すなわち、上記キャリアテープ]のデバ
イスホール3が上記半導体チップ20に対向する位置に
位置決め= 12− 送りされたならば、上記クランパ板22は図示しない駆
動手段によって上方向に駆動される。上記ギヤリアテー
プ1は、このクランパ板22によって」二方向に押圧さ
れ、微少量湾曲させられて上記押し当て板23に押し付
けられる。このことによって、インナリード5の周辺部
(配線パターン4)を上方および下方から垂直に加圧ク
ランプすることができるようになっている。
このインナリードボンディング装置おいて、キャリアテ
ープ1が上記一対のテープガイド体15、]6(こより
上J己ボンディングステージ19とボンディングツール
2]との間に導かれて位置決め停止すると、第5図に示
すように上記クランパ板22が」−H駆動され、このク
ランパ板22と」二紀押し当て板2Bとで上記キャリア
テープ1をクランプする。つぎに上記ボンディングステ
ージ]9が上昇駆動され上記1′導体チップ20の上面
の電極部20aか上記キャリアテープ]のインナリード
5の下面に当接させられる。ついで、上記ボンディング
ツール21がド降駆動され、上記インナリード5の上面
を下方向に抑圧すると共に加熱する。このことによりキ
ャリアテープ]のインナリード5と半導体チップ20の
電極20aとが接合される。接合か行われると上記ボン
ディングステージ19およびボンディングツール2]は
互いに離間する方向に移動し、上記クランパ板22も下
降方向に駆動されて上記キャリアテープ1はアンクラン
プ状態となる。すると上記キャリアテープ1は再び矢印
Bの方向へ送り駆動され、半導体チップ20が搭載され
たデバイスホール3は上記ボンディングツール21とボ
ンディングステージ〕9の間から排除される。そして代
わりに半導体チップ20が搭載されていないデバイスホ
ール3の部分か上記ボンディングステージ]つとボンデ
ィングツール21の間に供給される。この送り駆動の間
に上記ボンディングステージ]9の上面には新しい半導
体チップ20が供給される。そして再び上述のボンディ
ング動作か行われるのである。このことによってキャリ
アテープ1に多数のV導体チップ20・・・が連続的に
ボンディングされていくようになっている。
このような構成によればキャリアテープ1の上面に形成
された配線パターン4は上記一対のテープガイド体15
.16に接触するということがないから、配線パターン
4やインナリード5を破損するということなくキャリア
テープ1を走行させることができる。また、キャリアテ
ープ1に半導体チップ20がボンディングされるときに
は一対のクランパ22、押し当て板23により位置決め
クランプされるからボンディング中に半導体チップ20
の電極20aとインナリード5とがずれるということが
防止される。これらのことによってTAB部品に接触不
良などが生じることが防止でき製品の信頼性を向上させ
ることができる。
なお、この発明は上記一実施例に限定されるものではな
く、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形可能である
例えば、上記一対のテープガイド体15、]6は第6図
に示すようなものであっても良い。
すなわち、上記送り側テープガイド体15の第2の段差
部15bには上記一実施例のフィルムキャリアテープ1
よりも幅方向に狭いフィルムキャリアテープ24のボン
ディングにも対応できるように、ガイド面としての第3
の段差部25aと逃げ部としての第4の段差部25bか
形成されている。
上記第3の段差部25aにフィルムキャリアテープ24
の幅方向両端が嵌まりこみ幅方向にずれるのが規制され
ると共に、上記第4の段差部25bとフィルムキャリア
テープ24の上面とによって区画された空間部26には
このフィルムキャリアテープ24のインナリードが非接
触に収容される。
[発明の効果] 上述のようにこの発明のインナリードボンディング装置
は、一対の送り側、巻取側テープガイド体がボンディン
グツールおよびボンディングステージを挟んで分割して
設けられていて、このテープガイド体の上記配線パター
ンに対向する箇所には送り方向に沿って凹状に形成され
た逃げ部が設けられていると共に、上記ボンディングス
テージとボンディングツールの間には、ボンディング時
に上記フィルムキャリアテープを位置決め固定するクラ
ンプ部が設けられている。
このような構成によれば、キャリアテープの配線パター
ンはテープガイド体の逃げ部に収容されるから、配線パ
ターンやインナリードを破損するということなくキャリ
アテープを走行させることができると共に、キャリアテ
ープに半導体チップがボンディングされるときにはクラ
ンプ部により位置決め保持されるからボンディング中に
半導体チップの電極とインナリードとがずれるというこ
とが有効に防止される。
【図面の簡単な説明】 第1図はこの発明の概略構成図、第2図は同じくテープ
ガイド体を示す拡大縦断面図、第3図は第2図の■−■
線に沿う断面図、第4図はボンディング部分の拡大して
示す概略構成図、第5図は同じくボンディングの状態を
示す概略構成図、第6図は他の実施例のテープガイド体
を示す断面図、第7図はフィルムキャリアテープの平面
図、第8図は従来のインナリードボンディング装置を示
す概略構成図、第9図は同じくテープガイド体レールを
示す拡大縦断面図、第10図は第9図のIX−IX線に
沿う断面図である。 1・・・キャリアテープ、4・・・配線パターン、15
・・・送り側テープガイド体、15a・・・第1の段差
部(ガイド部)、15b・・・第2の段差部(逃げ部)
16・・・巻取側テープガイド体、19・・・ボンディ
ングステージ、21・・・ボンディングヘッド、22・
・・クランパ板、23・・・押し当て板。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 −18= 第10図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 一側面に配線パターンが形成されたキャリアテープを間
    欠的に送り駆動するテープ送り手段と、このテープ送り
    手段によって送られる上記キャリアテープに形成された
    デバイスホール内に突出したインナリードに半導体チッ
    プをボンディングするボンディング部と、このボンディ
    ング部を挟んで上記キャリアテープの送り方向上流側と
    下流側とにそれぞれ配置された一対のテープガイド体と
    、各テープガイド体に形成され上記キャリアテープの幅
    方向両端部をガイドするガイド部およびこのガイド部に
    上記キャリアテープがガイドされた状態において上記配
    線パターンが上記テープガイド体に接触するのを防止す
    る逃げ部と、上記一対のテープガイド体の間に配設され
    上記ボンディング部において半導体チップをキャリアテ
    ープに形成されたデバイスホール内に突出したインナリ
    ードにボンディングする時に、このキャリアテープのデ
    バイスホール近傍を挟持固定するクランプ部とを有する
    ことを特徴とするインナリードボンディング装置。
JP33299490A 1990-11-29 1990-11-29 インナリードボンディング装置 Pending JPH04199724A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33299490A JPH04199724A (ja) 1990-11-29 1990-11-29 インナリードボンディング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33299490A JPH04199724A (ja) 1990-11-29 1990-11-29 インナリードボンディング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04199724A true JPH04199724A (ja) 1992-07-20

Family

ID=18261111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33299490A Pending JPH04199724A (ja) 1990-11-29 1990-11-29 インナリードボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04199724A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20100084748A1 (en) Thin foil for use in packaging integrated circuits
TWI290760B (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6474532B2 (en) Apparatus for forming wire bonds from circuitry on a substrate to a semiconductor chip, and methods of forming semiconductor chip assemblies
JPH04199724A (ja) インナリードボンディング装置
JP3129272B2 (ja) 半導体装置とその製造装置および製造方法
JP3151702B2 (ja) ボンディング装置用クランプ機構
JP3942685B2 (ja) 半導体包装装置
KR102654829B1 (ko) 클립 부착 장치 및 동 장치에 의해 클립이 부착된 반도체칩을 구비한 반도체 패키지
JPH11297729A (ja) 半導体パッケ―ジおよびその形成方法
JPH0870022A (ja) インナリードボンダ
JP2667468B2 (ja) キャリアテープの搬送装置,インナリードボンディング装置
JPS5933978B2 (ja) ボンディング方法
CN216145598U (zh) 一种半导体封装用框架输送夹具
JPH077046A (ja) フィルムキャリアおよび半導体装置の製造方法
KR20020035576A (ko) 기판 상의 회로로부터 반도체 칩으로의 와이어 본드부를형성하는 장치 및 반도체 칩 조립체를 형성하는 방법
JP2976604B2 (ja) フィルムキャリアのリード部のボンディング装置
JPS6344998Y2 (ja)
JP3695578B2 (ja) 電子部品のリード切断装置及びリード切断方法
JPH01198038A (ja) 半導体製造装置
JP5465163B2 (ja) 部品の実装装置及び実装方法
JP3137780B2 (ja) 電子部品における半導体チップのダイボンディング用加熱装置
JPH0661309A (ja) フィルムキャリア
JPH08186014A (ja) 電子部品素体へのリード線取付方法
KR100379562B1 (ko) 반도체 패키지의 플립칩 본딩방법
JP2809749B2 (ja) 半導体装置の製造装置及びその方法