JPH0590355A - ワイヤボンデイング方法及び装置 - Google Patents
ワイヤボンデイング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH0590355A JPH0590355A JP3249508A JP24950891A JPH0590355A JP H0590355 A JPH0590355 A JP H0590355A JP 3249508 A JP3249508 A JP 3249508A JP 24950891 A JP24950891 A JP 24950891A JP H0590355 A JPH0590355 A JP H0590355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- wire
- bonding
- substrate
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はワイヤボンディング方法及び装置に関
し、パッドが形成されている基板の加熱による損傷を少
なくすることを目的とする。 【構成】基板6上に密着して形成されたパッド8上にワ
イヤ4のボンディング部を位置させるステップと、ボン
ディング部をパッドに圧着するステップと、パッドに高
周波電流を流してパッドをその表層から加熱して、この
熱と圧着力によりボンディング部をパッドに固着するス
テップとを含んで構成する。
し、パッドが形成されている基板の加熱による損傷を少
なくすることを目的とする。 【構成】基板6上に密着して形成されたパッド8上にワ
イヤ4のボンディング部を位置させるステップと、ボン
ディング部をパッドに圧着するステップと、パッドに高
周波電流を流してパッドをその表層から加熱して、この
熱と圧着力によりボンディング部をパッドに固着するス
テップとを含んで構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はワイヤボンディング方法
及びワイヤボンディング装置に関する。微小部品内にお
ける配線技術の一つとして、ワイヤボンディング方法が
知られている。この方法は、絶縁体からなる基板上に密
着して形成された導体からなるパッドに圧着力及び熱エ
ネルギーにより金属ワイヤを接合させるようにしたもの
である。この種のワイヤボンディング方法を実施するに
際しては、上記熱エネルギーにより上記基板等が損傷し
ないことが望ましい。
及びワイヤボンディング装置に関する。微小部品内にお
ける配線技術の一つとして、ワイヤボンディング方法が
知られている。この方法は、絶縁体からなる基板上に密
着して形成された導体からなるパッドに圧着力及び熱エ
ネルギーにより金属ワイヤを接合させるようにしたもの
である。この種のワイヤボンディング方法を実施するに
際しては、上記熱エネルギーにより上記基板等が損傷し
ないことが望ましい。
【0002】
【従来の技術】従来、ワイヤボンディング方法を実施す
るに際して、ワイヤとパッドの接合部を加熱するために
は、ワイヤのボンディング部(ワイヤ先端等)をパッド
に圧着させるときに、ワイヤ及び/又はパッドを加熱す
る。
るに際して、ワイヤとパッドの接合部を加熱するために
は、ワイヤのボンディング部(ワイヤ先端等)をパッド
に圧着させるときに、ワイヤ及び/又はパッドを加熱す
る。
【0003】ワイヤを加熱する方法としては、ワイヤの
ボンディング部を圧着させるためのキャピラリを加熱し
てワイヤを間接的に加熱するもの(例えば特開平2−1
01754号公報)や誘導加熱によるワイヤの直接加熱
(例えば特開平1−201933号公報)が知られてい
る。
ボンディング部を圧着させるためのキャピラリを加熱し
てワイヤを間接的に加熱するもの(例えば特開平2−1
01754号公報)や誘導加熱によるワイヤの直接加熱
(例えば特開平1−201933号公報)が知られてい
る。
【0004】また、パッドを加熱する方法としては、パ
ッドを基板とともに全体加熱するものが一般的である。
ッドを基板とともに全体加熱するものが一般的である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におい
ては、ワイヤボンディングの適用範囲は、半導体装置製
造の分野のみならず、光変調器その他の光デバイスの製
造分野にも拡大している。例えば光変調器を製造する場
合には、LiNbO3 等の光学結晶の上に形成されたパ
ッドとモジュール筐体の端子板を接続するに際してワイ
ヤボンディングが行われる。この場合、LiNbO3 等
の光学結晶は一般に脆弱であるから、従来方法による場
合、急激な温度変化により光学結晶が損傷しやすいとい
う問題があった。
ては、ワイヤボンディングの適用範囲は、半導体装置製
造の分野のみならず、光変調器その他の光デバイスの製
造分野にも拡大している。例えば光変調器を製造する場
合には、LiNbO3 等の光学結晶の上に形成されたパ
ッドとモジュール筐体の端子板を接続するに際してワイ
ヤボンディングが行われる。この場合、LiNbO3 等
の光学結晶は一般に脆弱であるから、従来方法による場
合、急激な温度変化により光学結晶が損傷しやすいとい
う問題があった。
【0006】本発明はこのような事情に鑑みて創作され
たもので、パッドが形成されている基板の加熱による損
傷が少ないワイヤボンディング方法及びワイヤボンディ
ング装置の提供を目的としている。
たもので、パッドが形成されている基板の加熱による損
傷が少ないワイヤボンディング方法及びワイヤボンディ
ング装置の提供を目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のワイヤボンディ
ング方法は、絶縁体からなる基板上に密着して形成され
た導体からなるパッド上にワイヤのボンディング部を位
置させるステップと、上記ワイヤのボンディング部に圧
着力を加えて該ボンディング部を上記パッドに圧着する
ステップと、上記パッドに高周波電流を流して該パッド
をその表層から加熱して、この熱と上記圧着力により上
記ワイヤのボンディング部を上記パッドに固着するステ
ップとを含む。
ング方法は、絶縁体からなる基板上に密着して形成され
た導体からなるパッド上にワイヤのボンディング部を位
置させるステップと、上記ワイヤのボンディング部に圧
着力を加えて該ボンディング部を上記パッドに圧着する
ステップと、上記パッドに高周波電流を流して該パッド
をその表層から加熱して、この熱と上記圧着力により上
記ワイヤのボンディング部を上記パッドに固着するステ
ップとを含む。
【0008】本発明のワイヤボンディング装置は、先端
部に開口した挿通孔を有し該挿通孔にワイヤを挿通して
該ワイヤのボンディング部を上記先端部により基板上の
パッドに圧着させるキャピラリチップと、上記ワイヤの
ボンディング部と上記パッドの圧着部の両側にて該パッ
ドに接触する一対の電極と、該一対の電極を介して上記
パッドに高周波電流を流すための高周波電源とを備えて
構成される。
部に開口した挿通孔を有し該挿通孔にワイヤを挿通して
該ワイヤのボンディング部を上記先端部により基板上の
パッドに圧着させるキャピラリチップと、上記ワイヤの
ボンディング部と上記パッドの圧着部の両側にて該パッ
ドに接触する一対の電極と、該一対の電極を介して上記
パッドに高周波電流を流すための高周波電源とを備えて
構成される。
【0009】
【作用】本発明による場合、パッドに高周波電流を流し
てパッドをその表層から加熱して、この熱と圧着力によ
りワイヤをパッドに固着するようにしているので、基板
が熱による損傷を受けにくくなる。
てパッドをその表層から加熱して、この熱と圧着力によ
りワイヤをパッドに固着するようにしているので、基板
が熱による損傷を受けにくくなる。
【0010】即ち、一般に導体に高周波電流を流すと、
導体内部よりも導体表層部により多くの電流が流れる
(表皮電流)ので、ジュール熱は主としてワイヤとの接
合に関与する導体の表層部で生じることとなり、全体加
熱によって導体の表層部を同等に加熱する場合と比較し
て、基板に与えられる熱量が少なくて済むようになり、
基板が熱により損傷しにくくなるものである。
導体内部よりも導体表層部により多くの電流が流れる
(表皮電流)ので、ジュール熱は主としてワイヤとの接
合に関与する導体の表層部で生じることとなり、全体加
熱によって導体の表層部を同等に加熱する場合と比較し
て、基板に与えられる熱量が少なくて済むようになり、
基板が熱により損傷しにくくなるものである。
【0011】
【実施例】以下本発明の望ましい実施例を図面に基づい
て説明する。図1は本発明の望ましい実施例を示すワイ
ヤボンディング装置の全体構成を示す図である。2はセ
ラミックス等の絶縁体からなるキャピラリチップであ
り、このキャピラリチップ2は、その先端部に開口した
挿通孔にワイヤ4を挿通してワイヤのボンディング部を
基板6上のパッド8に圧着させるためのものである。キ
ャピラリチップ2の先端部近傍の断面は図2、図3に図
示されている。
て説明する。図1は本発明の望ましい実施例を示すワイ
ヤボンディング装置の全体構成を示す図である。2はセ
ラミックス等の絶縁体からなるキャピラリチップであ
り、このキャピラリチップ2は、その先端部に開口した
挿通孔にワイヤ4を挿通してワイヤのボンディング部を
基板6上のパッド8に圧着させるためのものである。キ
ャピラリチップ2の先端部近傍の断面は図2、図3に図
示されている。
【0012】この実施例では、基板6及びパッド8は導
波路型光変調器用のものであり、基板6はLiNbO3
から形成されている。また、パッド8は金から形成され
ている。
波路型光変調器用のものであり、基板6はLiNbO3
から形成されている。また、パッド8は金から形成され
ている。
【0013】10はキャピラリチップ2の駆動装置であ
り、この駆動装置10は、キャピラリチップ2を支持し
て基板6上の所望の位置に移動させるとともに、キャピ
ラリチップ2を図中の上下方向に移動させてワイヤのボ
ンディング部をパッド8に圧着させる。12,14はワ
イヤのボンディング部とパッドの圧着部の両側にてパッ
ド8に接触する一対の電極であり、この電極12,14
は高周波電源16に接続されている。
り、この駆動装置10は、キャピラリチップ2を支持し
て基板6上の所望の位置に移動させるとともに、キャピ
ラリチップ2を図中の上下方向に移動させてワイヤのボ
ンディング部をパッド8に圧着させる。12,14はワ
イヤのボンディング部とパッドの圧着部の両側にてパッ
ド8に接触する一対の電極であり、この電極12,14
は高周波電源16に接続されている。
【0014】この実施例では、キャピラリチップ2の先
端近傍の周囲にはワイヤ4を取り囲むようにコイル18
が巻回されており、コイル18は駆動装置10を介して
高周波電源16に接続されている。コイル18は圧着に
供されるワイヤ4を直接誘導加熱するためのものであ
る。
端近傍の周囲にはワイヤ4を取り囲むようにコイル18
が巻回されており、コイル18は駆動装置10を介して
高周波電源16に接続されている。コイル18は圧着に
供されるワイヤ4を直接誘導加熱するためのものであ
る。
【0015】次に、図1の装置を用いたワイヤボンディ
ング方法について説明する。尚、この装置は、ワイヤの
先端を溶融して形成した金属ボールをボンディング部と
するボールボンディングのみならず、ワイヤの中間部分
をボンディング部とするウエッジボンディングにも適用
可能である。
ング方法について説明する。尚、この装置は、ワイヤの
先端を溶融して形成した金属ボールをボンディング部と
するボールボンディングのみならず、ワイヤの中間部分
をボンディング部とするウエッジボンディングにも適用
可能である。
【0016】まず、キャピラリチップ2の挿通孔内に例
えば直径25〜30μmの金或いは銅からなるワイヤ4
を挿通し、このワイヤの先端部を図示しないトーチによ
り加熱して金属ボールを形成する。
えば直径25〜30μmの金或いは銅からなるワイヤ4
を挿通し、このワイヤの先端部を図示しないトーチによ
り加熱して金属ボールを形成する。
【0017】次いで、金属ボールがパッド8に接触する
まで、駆動装置10によりキャピラリチップ2を降下さ
せる。そして、高周波電源16によりコイル18に通電
してワイヤ4の先端近傍を誘導加熱するとともに、電極
12,14を介してパッド8に高周波電流を供給する。
高周波電流の周波数は例えば数GHzである。
まで、駆動装置10によりキャピラリチップ2を降下さ
せる。そして、高周波電源16によりコイル18に通電
してワイヤ4の先端近傍を誘導加熱するとともに、電極
12,14を介してパッド8に高周波電流を供給する。
高周波電流の周波数は例えば数GHzである。
【0018】パッド8に高周波電流が供給されると、こ
の高周波電流は表皮効果によってパッド8の主として表
層部を流れ、パッド8の電気抵抗によりパッドの表層部
には熱エネルギーが発生する。
の高周波電流は表皮効果によってパッド8の主として表
層部を流れ、パッド8の電気抵抗によりパッドの表層部
には熱エネルギーが発生する。
【0019】コイル18及び電極12,14への高周波
電流の供給と同時に、駆動装置10によってキャピラリ
チップ2はさらに降下し、ワイヤ4の先端の金属ボール
とパッド8間には圧着力が加えられる。
電流の供給と同時に、駆動装置10によってキャピラリ
チップ2はさらに降下し、ワイヤ4の先端の金属ボール
とパッド8間には圧着力が加えられる。
【0020】このような熱エネルギーと圧着力により、
ワイヤ4の先端の金属ボールは、図2に示されるように
塑性変形し、ワイヤ4とパッド8の両金属元素が相互拡
散してワイヤ4はパッド8に固着される。
ワイヤ4の先端の金属ボールは、図2に示されるように
塑性変形し、ワイヤ4とパッド8の両金属元素が相互拡
散してワイヤ4はパッド8に固着される。
【0021】このとき、パッド8の表層部に発生する熱
エネルギーは比較的少量であるから、全体加熱を行う場
合と比較して基板6が受ける熱影響は極めて小さく、基
板6が損傷する恐れはない。尚、パッド8の表層に生じ
る熱エネルギーが比較的少量であるにもかかわらずボン
ディングが可能であるのは、ワイヤとパッドの接触部か
らワイヤを介して逃げる熱量が微小だからである。
エネルギーは比較的少量であるから、全体加熱を行う場
合と比較して基板6が受ける熱影響は極めて小さく、基
板6が損傷する恐れはない。尚、パッド8の表層に生じ
る熱エネルギーが比較的少量であるにもかかわらずボン
ディングが可能であるのは、ワイヤとパッドの接触部か
らワイヤを介して逃げる熱量が微小だからである。
【0022】ウエッジボンディングに際しては、キャピ
ラリチップ2の挿通孔からワイヤ4を引き出しておき、
ワイヤ4の途中部分について前述の作業を行う。この場
合におけるキャピラリチップ先端の断面図を図3に示
す。ウエッジボンディングを行う場合にも、ボールボン
ディングの場合と同様に、基板6に熱影響を与えること
なくワイヤとパッドの接合が可能になる。
ラリチップ2の挿通孔からワイヤ4を引き出しておき、
ワイヤ4の途中部分について前述の作業を行う。この場
合におけるキャピラリチップ先端の断面図を図3に示
す。ウエッジボンディングを行う場合にも、ボールボン
ディングの場合と同様に、基板6に熱影響を与えること
なくワイヤとパッドの接合が可能になる。
【0023】以上説明した実施例では、ワイヤのボンデ
ィング部のパッドへの圧着をボンディング部を加熱した
状態で行っているが、高周波電流の通電によりパッドを
十分高温に加熱することができる場合には、ボンディン
グ部を加熱せずに本発明方法を実施することもできる。
ィング部のパッドへの圧着をボンディング部を加熱した
状態で行っているが、高周波電流の通電によりパッドを
十分高温に加熱することができる場合には、ボンディン
グ部を加熱せずに本発明方法を実施することもできる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
パッドが形成されている基板の加熱による損傷が少ない
ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置の
提供が可能になるという効果を奏する。
パッドが形成されている基板の加熱による損傷が少ない
ワイヤボンディング方法及びワイヤボンディング装置の
提供が可能になるという効果を奏する。
【図1】本発明の望ましい実施例を示すワイヤボンディ
ング装置の全体構成を示す図である。
ング装置の全体構成を示す図である。
【図2】ボールボンディング時のキャピラリチップ先端
の断面図である。
の断面図である。
【図3】ウエッジボンディング時のキャピラリチップ先
端の断面図である。
端の断面図である。
2 キャピラリチップ 4 ワイヤ 6 基板 8 パッド 16 高周波電源
Claims (4)
- 【請求項1】 絶縁体からなる基板(6) 上に密着して形
成された導体からなるパッド(8) 上にワイヤ(4) のボン
ディング部を位置させるステップと、 上記ワイヤのボンディング部に圧着力を加えて該ボンデ
ィング部を上記パッド(8) に圧着するステップと、 上記パッド(8) に高周波電流を流して該パッドをその表
層から加熱して、この熱と上記圧着力により上記ワイヤ
(4) のボンディング部を上記パッドに固着するステップ
とを含むことを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 【請求項2】 上記ワイヤ(4) のボンディング部の上記
パッド(8)への圧着は該ボンディング部を加熱した状態
でなされることを特徴とする請求項1に記載のワイヤボ
ンディング方法。 - 【請求項3】 上記絶縁体からなる基板(6) は光導波路
デバイスにおけるLiNbO3 基板であることを特徴と
する請求項1又は2に記載のワイヤボンディング方法。 - 【請求項4】 先端部に開口した挿通孔を有し該挿通孔
にワイヤを挿通して該ワイヤのボンディング部を上記先
端部により基板上のパッドに圧着させるキャピラリチッ
プ(2) と、 上記ワイヤのボンディング部と上記パッドの圧着部の両
側にて該パッドに接触する一対の電極(12,14) と、 該一対の電極を介して上記パッドに高周波電流を流すた
めの高周波電源(16)とを備えたことを特徴とするワイヤ
ボンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3249508A JPH0590355A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | ワイヤボンデイング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3249508A JPH0590355A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | ワイヤボンデイング方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0590355A true JPH0590355A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17194015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3249508A Withdrawn JPH0590355A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | ワイヤボンデイング方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0590355A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009139843A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導波路素子 |
JP2014513870A (ja) * | 2011-05-18 | 2014-06-05 | サンディスク セミコンダクター (シャンハイ) カンパニー, リミテッド | ウォータフォール・ワイヤボンディング |
US9352562B2 (en) | 2013-02-08 | 2016-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric connection method |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3249508A patent/JPH0590355A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009139843A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導波路素子 |
US7639913B2 (en) | 2007-12-10 | 2009-12-29 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical waveguide element |
JP4650482B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2011-03-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 光導波路素子 |
JP2014513870A (ja) * | 2011-05-18 | 2014-06-05 | サンディスク セミコンダクター (シャンハイ) カンパニー, リミテッド | ウォータフォール・ワイヤボンディング |
US9704797B2 (en) | 2011-05-18 | 2017-07-11 | Sandisk Information Technology (Shanghai) Co., Ltd. | Waterfall wire bonding |
US9352562B2 (en) | 2013-02-08 | 2016-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electric connection method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3672047A (en) | Method for bonding a conductive wire to a metal electrode | |
US5960262A (en) | Stitch bond enhancement for hard-to-bond materials | |
JPS60154537A (ja) | 半導体デバイスの製作方法 | |
JP3018050B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0645409A (ja) | ワイヤーボンディング方法及びその装置 | |
US5992725A (en) | Apparatus and method for producing electronic elements | |
US20040000577A1 (en) | Initial ball forming method for wire bonding wire and wire bonding apparatus | |
JPH0590355A (ja) | ワイヤボンデイング方法及び装置 | |
JPH11135714A (ja) | 半導体装置 | |
TW200400574A (en) | Initial ball forming method of wire bonding lead and wire bonding apparatus | |
JPS6245138A (ja) | 電子部品装置の製法 | |
JP2000260826A (ja) | 半導体チップ実装用加熱装置 | |
JP3644189B2 (ja) | バンプ構造及びその製造方法 | |
JPS6379331A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JP2798040B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4521954B2 (ja) | Icモジュールの製造方法 | |
JP3639125B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2825088B2 (ja) | 半導体装置の製造装置およびその製造方法 | |
JPH10340927A (ja) | 半導体装置の製造方法およびボンディング装置 | |
JPH11163028A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPS6086853A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10256306A (ja) | 回路板の製造法 | |
JPH1012666A (ja) | 半導体素子の実装方法とその装置 | |
KR100237177B1 (ko) | 반도체 칩의 금속볼 접점 및 그 형성 방법 | |
JP2000286301A (ja) | 半導体チップ組立方法及び組立装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |