JP2000260826A - 半導体チップ実装用加熱装置 - Google Patents
半導体チップ実装用加熱装置Info
- Publication number
- JP2000260826A JP2000260826A JP11065715A JP6571599A JP2000260826A JP 2000260826 A JP2000260826 A JP 2000260826A JP 11065715 A JP11065715 A JP 11065715A JP 6571599 A JP6571599 A JP 6571599A JP 2000260826 A JP2000260826 A JP 2000260826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- semiconductor chip
- heating
- heater block
- heating device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75264—Means for applying energy, e.g. heating means by induction heating, i.e. coils
- H01L2224/75265—Means for applying energy, e.g. heating means by induction heating, i.e. coils in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75264—Means for applying energy, e.g. heating means by induction heating, i.e. coils
- H01L2224/75266—Means for applying energy, e.g. heating means by induction heating, i.e. coils in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/8122—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
- H01L2224/81222—Induction heating, i.e. eddy currents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フリップチップ実装において、半田バンプを
溶融させる際のエネルギーの浪費を削減し、熱による回
路基板の変形を防止する。 【解決手段】 加熱装置に、フェライトからなるヒータ
ブロック１と、ヒータブロック１の周囲に巻かれた加熱
コイル２Ａと、加熱コイル２Ａに接続された高周波電源
３とを備える。フリップチップ実装する際には、ヒータ
ブロック１上に回路基板４と半導体チップ５とを順次載
置した後に加熱コイル２Ａに高周波電流を印加する。加
熱コイル２Ａにより生成された高周波の磁束によって、
ヒータブロック１に渦電流が誘導されるので、ヒータブ
ロック１は発熱する。したがって、立上り時間が短い高
周波誘導加熱を使用して半田バンプ６が溶融されるの
で、必要時以外のエネルギーの浪費を抑制し、かつ、周
辺温度の上昇を抑制して熱による回路基板の変形を防止
できる。
溶融させる際のエネルギーの浪費を削減し、熱による回
路基板の変形を防止する。 【解決手段】 加熱装置に、フェライトからなるヒータ
ブロック１と、ヒータブロック１の周囲に巻かれた加熱
コイル２Ａと、加熱コイル２Ａに接続された高周波電源
３とを備える。フリップチップ実装する際には、ヒータ
ブロック１上に回路基板４と半導体チップ５とを順次載
置した後に加熱コイル２Ａに高周波電流を印加する。加
熱コイル２Ａにより生成された高周波の磁束によって、
ヒータブロック１に渦電流が誘導されるので、ヒータブ
ロック１は発熱する。したがって、立上り時間が短い高
周波誘導加熱を使用して半田バンプ６が溶融されるの
で、必要時以外のエネルギーの浪費を抑制し、かつ、周
辺温度の上昇を抑制して熱による回路基板の変形を防止
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ等の半導体チ
ップを回路基板に実装する際に使用される加熱装置であ
って、特に、半導体チップと回路基板との電極同士を対
向して接続する際に使用される加熱装置に関するもので
ある。
ップを回路基板に実装する際に使用される加熱装置であ
って、特に、半導体チップと回路基板との電極同士を対
向して接続する際に使用される加熱装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、製品の小型化という要請に対応す
るために、いわゆるフリップチップボンディングが使用
されている。フリップチップボンディングにおいては、
半導体チップの電極と回路基板の電極とが、対向して位
置合わせされた後に半田バンプをはさんで接している。
そして、圧力と熱とが印加されて、半田バンプが溶融し
た後に硬化することによって、電極同士が電気的に接続
される。半導体チップと回路基板とに圧力と熱とを印加
するためには、例えばカートリッジヒータのような加熱
装置が使用されている。図３は、従来の加熱装置を使用
したフリップチップボンディングの説明図である。ステ
ージ１０の上に、プリント基板等からなる回路基板１１
が載置される。そして、回路基板１１の電極（図示な
し）と半導体チップ１２の電極（図示なし）とが対向し
て位置合わせされた後に、半導体チップ１２の電極上に
予め形成された半田バンプ１３をはさんで、回路基板１
１と半導体チップ１２との電極同士が接する。更に、半
導体チップ１２において電極が設けられていない面が、
カートリッジヒータを使用したヒータブロック１４によ
って加圧され、かつ加熱される。これにより、半田バン
プ１３が溶融して、回路基板１１と半導体チップ１２と
の電極同士が電気的に接続される。
るために、いわゆるフリップチップボンディングが使用
されている。フリップチップボンディングにおいては、
半導体チップの電極と回路基板の電極とが、対向して位
置合わせされた後に半田バンプをはさんで接している。
そして、圧力と熱とが印加されて、半田バンプが溶融し
た後に硬化することによって、電極同士が電気的に接続
される。半導体チップと回路基板とに圧力と熱とを印加
するためには、例えばカートリッジヒータのような加熱
装置が使用されている。図３は、従来の加熱装置を使用
したフリップチップボンディングの説明図である。ステ
ージ１０の上に、プリント基板等からなる回路基板１１
が載置される。そして、回路基板１１の電極（図示な
し）と半導体チップ１２の電極（図示なし）とが対向し
て位置合わせされた後に、半導体チップ１２の電極上に
予め形成された半田バンプ１３をはさんで、回路基板１
１と半導体チップ１２との電極同士が接する。更に、半
導体チップ１２において電極が設けられていない面が、
カートリッジヒータを使用したヒータブロック１４によ
って加圧され、かつ加熱される。これにより、半田バン
プ１３が溶融して、回路基板１１と半導体チップ１２と
の電極同士が電気的に接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の加熱装置を使用する場合には、電源投入後に所定の
温度になるまでに時間を要するので、作業効率を高める
ために加熱装置は常に通電状態にされている。加えて、
カートリッジヒータから伝導した熱は、ヒータブロック
１４から周囲に輻射される。したがって、加熱装置は、
本来必要でない時間においても発熱するとともに、必要
以外の領域に対しても熱を輻射するので、電気エネルギ
ーを浪費することになっていた。また、本来必要でない
時間と領域とにおいて発熱するので、加熱装置周辺の雰
囲気温度が上昇する。このことにより、半田バンプを溶
融させるために必要な熱を印加する際に、回路基板の温
度が上昇して、熱による回路基板の反り等の変形が発生
するおそれがあった。
来の加熱装置を使用する場合には、電源投入後に所定の
温度になるまでに時間を要するので、作業効率を高める
ために加熱装置は常に通電状態にされている。加えて、
カートリッジヒータから伝導した熱は、ヒータブロック
１４から周囲に輻射される。したがって、加熱装置は、
本来必要でない時間においても発熱するとともに、必要
以外の領域に対しても熱を輻射するので、電気エネルギ
ーを浪費することになっていた。また、本来必要でない
時間と領域とにおいて発熱するので、加熱装置周辺の雰
囲気温度が上昇する。このことにより、半田バンプを溶
融させるために必要な熱を印加する際に、回路基板の温
度が上昇して、熱による回路基板の反り等の変形が発生
するおそれがあった。
【０００４】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたものであり、省エネルギーを可能にし、熱による
回路基板の変形を防止する加熱装置を提供することを目
的とする。
されたものであり、省エネルギーを可能にし、熱による
回路基板の変形を防止する加熱装置を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の技術的課題を解決
するために、本発明に係る加熱装置は、半導体チップの
電極と回路基板の電極とを電気的に接続する際に使用さ
れる半導体チップ実装用加熱装置であって、回路基板を
固定する固定手段を備えるとともに、固定手段は高周波
電流によって誘導加熱されることを特徴とするものであ
る。
するために、本発明に係る加熱装置は、半導体チップの
電極と回路基板の電極とを電気的に接続する際に使用さ
れる半導体チップ実装用加熱装置であって、回路基板を
固定する固定手段を備えるとともに、固定手段は高周波
電流によって誘導加熱されることを特徴とするものであ
る。
【０００６】また、本発明に係る加熱装置は、半導体チ
ップの電極と回路基板の電極とを電気的に接続する際に
使用される半導体チップ実装用加熱装置であって、回路
基板を固定する固定手段と、回路基板に対して半導体チ
ップを圧接するための押圧手段とを備えるとともに、押
圧手段は高周波電流によって誘導加熱されることを特徴
とするものである。
ップの電極と回路基板の電極とを電気的に接続する際に
使用される半導体チップ実装用加熱装置であって、回路
基板を固定する固定手段と、回路基板に対して半導体チ
ップを圧接するための押圧手段とを備えるとともに、押
圧手段は高周波電流によって誘導加熱されることを特徴
とするものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、高周波電流による誘導加熱を
使用するので、半導体チップと回路基板とを加熱する直
前に加熱装置の電源を投入すればよい。これにより、本
来加熱する必要がない時間において、加熱する必要がな
い領域に対して熱を輻射することがない。したがって、
エネルギーの浪費を抑制することができるとともに、加
熱装置周辺の雰囲気温度の上昇が抑制されるので回路基
板の変形を防止することができる。
使用するので、半導体チップと回路基板とを加熱する直
前に加熱装置の電源を投入すればよい。これにより、本
来加熱する必要がない時間において、加熱する必要がな
い領域に対して熱を輻射することがない。したがって、
エネルギーの浪費を抑制することができるとともに、加
熱装置周辺の雰囲気温度の上昇が抑制されるので回路基
板の変形を防止することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。図１は、本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱
装置を使用したフリップチップボンディングの説明図で
ある。
の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明す
る。図１は、本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱
装置を使用したフリップチップボンディングの説明図で
ある。
【０００９】図１において、ヒータブロック１は、例え
ばフェライトからなり、上面が水平になるように設けら
れている。加熱コイル２Ａは、ヒータブロック１を取り
巻いて巻かれているコイルであって、高周波電源３に接
続されている。ヒータブロック１の上面には、例えばプ
リント基板からなる回路基板４が載置されている。そし
て、回路基板４の電極（図示なし）には、半導体チップ
５の電極（図示せず）上に設けられた半田バンプ６が、
位置合わせされて接している。
ばフェライトからなり、上面が水平になるように設けら
れている。加熱コイル２Ａは、ヒータブロック１を取り
巻いて巻かれているコイルであって、高周波電源３に接
続されている。ヒータブロック１の上面には、例えばプ
リント基板からなる回路基板４が載置されている。そし
て、回路基板４の電極（図示なし）には、半導体チップ
５の電極（図示せず）上に設けられた半田バンプ６が、
位置合わせされて接している。
【００１０】本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱
装置を使用する場合には、ヒータブロック１上に回路基
板４を載置し、更に回路基板４上に半導体チップ５を位
置合わせして載置した後に、加熱コイル２Ａに高周波電
流を印加する。これにより、加熱コイル２Ａが生成する
高周波の磁束によって、ヒータブロック１には渦電流が
誘導される。したがって、ヒータブロック１は発熱し、
ヒータブロック１の上面に載置された回路基板４が加熱
されるので、半田バンプ６が溶融して半導体チップ５と
回路基板４との電極同士が電気的に接続される。
装置を使用する場合には、ヒータブロック１上に回路基
板４を載置し、更に回路基板４上に半導体チップ５を位
置合わせして載置した後に、加熱コイル２Ａに高周波電
流を印加する。これにより、加熱コイル２Ａが生成する
高周波の磁束によって、ヒータブロック１には渦電流が
誘導される。したがって、ヒータブロック１は発熱し、
ヒータブロック１の上面に載置された回路基板４が加熱
されるので、半田バンプ６が溶融して半導体チップ５と
回路基板４との電極同士が電気的に接続される。
【００１１】本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱
装置の特徴は、所定の温度まで上昇するために必要な時
間が、極めて短いことである。例えば、室温から２００
℃まで昇温するために必要な時間は、約３秒でよい。
装置の特徴は、所定の温度まで上昇するために必要な時
間が、極めて短いことである。例えば、室温から２００
℃まで昇温するために必要な時間は、約３秒でよい。
【００１２】したがって、本実施形態によれば、実際に
回路基板４をヒータブロック１上に載置した後に加熱コ
イル２Ａに高周波電流を印加すればよい。したがって、
エネルギーの浪費を抑制できる。また、加熱時間を最小
限に抑えるので、加熱装置周辺の雰囲気温度の上昇を防
ぎ、かつ、回路基板４が高温にさらされる時間を短縮で
きる。したがって、熱による回路基板の変形を防止する
ことができる。
回路基板４をヒータブロック１上に載置した後に加熱コ
イル２Ａに高周波電流を印加すればよい。したがって、
エネルギーの浪費を抑制できる。また、加熱時間を最小
限に抑えるので、加熱装置周辺の雰囲気温度の上昇を防
ぎ、かつ、回路基板４が高温にさらされる時間を短縮で
きる。したがって、熱による回路基板の変形を防止する
ことができる。
【００１３】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について、図面を参照しながら説明する。図２
は、本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱装置を使
用したフリップチップボンディングの説明図である。
実施形態について、図面を参照しながら説明する。図２
は、本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱装置を使
用したフリップチップボンディングの説明図である。
【００１４】図２において、回路基板４はステージ７上
に載置され、回路基板４上に半導体チップ５が、電極同
士（図示なし）を位置合わせして載置されている。半導
体チップ５の電極上には、予め半田バンプ６が設けられ
ている。すなわち、回路基板４の電極には、半導体チッ
プ５の電極上に設けられた半田バンプ６が、位置合わせ
されて接している。ヒータブロック８は、圧接ツールと
加熱ツールとを兼ねるもので例えばフェライトからな
り、下面が、半導体チップ５に応じた形状とサイズとを
有し、かつ水平になるように設けられている。加熱コイ
ル２Ｂは、ヒータブロック８を取り巻いて巻かれている
コイルであって、高周波電源３に接続されている。
に載置され、回路基板４上に半導体チップ５が、電極同
士（図示なし）を位置合わせして載置されている。半導
体チップ５の電極上には、予め半田バンプ６が設けられ
ている。すなわち、回路基板４の電極には、半導体チッ
プ５の電極上に設けられた半田バンプ６が、位置合わせ
されて接している。ヒータブロック８は、圧接ツールと
加熱ツールとを兼ねるもので例えばフェライトからな
り、下面が、半導体チップ５に応じた形状とサイズとを
有し、かつ水平になるように設けられている。加熱コイ
ル２Ｂは、ヒータブロック８を取り巻いて巻かれている
コイルであって、高周波電源３に接続されている。
【００１５】本実施形態に係る半導体チップ実装用加熱
装置を使用する場合には、ステージ７上に回路基板４と
半導体チップ５とを順次載置し、加熱コイル２Ｂに高周
波電流を印加する。これにより、第１の実施形態と同様
に、加熱コイル２Ｂが生成する高周波の磁束によって、
ヒータブロック８には渦電流が誘導され、ヒータブロッ
ク８は発熱する。その後に、ヒータブロック８によっ
て、半導体チップ５を回路基板４に圧接する。したがっ
て、発熱したヒータブロック８によって、圧接された半
導体チップ５が加熱されるので、半田バンプ６が溶融し
て半導体チップ５と回路基板４との電極同士が電気的に
接続される。
装置を使用する場合には、ステージ７上に回路基板４と
半導体チップ５とを順次載置し、加熱コイル２Ｂに高周
波電流を印加する。これにより、第１の実施形態と同様
に、加熱コイル２Ｂが生成する高周波の磁束によって、
ヒータブロック８には渦電流が誘導され、ヒータブロッ
ク８は発熱する。その後に、ヒータブロック８によっ
て、半導体チップ５を回路基板４に圧接する。したがっ
て、発熱したヒータブロック８によって、圧接された半
導体チップ５が加熱されるので、半田バンプ６が溶融し
て半導体チップ５と回路基板４との電極同士が電気的に
接続される。
【００１６】本実施形態の場合も、第１の実施形態と同
様に、ヒータブロック８が所定の温度まで上昇するため
に必要な時間が極めて短い。したがって、実際に回路基
板４をステージ７上に載置した後に加熱コイル２Ｂに高
周波電流を印加すればよい。したがって、エネルギーの
浪費を抑制できる。また、加熱時間を最小限に抑えるの
で、加熱装置周辺の雰囲気温度の上昇を防ぎ、かつ、回
路基板４が高温にさらされる時間を短縮できる。したが
って、熱による回路基板の変形を防止することができ
る。
様に、ヒータブロック８が所定の温度まで上昇するため
に必要な時間が極めて短い。したがって、実際に回路基
板４をステージ７上に載置した後に加熱コイル２Ｂに高
周波電流を印加すればよい。したがって、エネルギーの
浪費を抑制できる。また、加熱時間を最小限に抑えるの
で、加熱装置周辺の雰囲気温度の上昇を防ぎ、かつ、回
路基板４が高温にさらされる時間を短縮できる。したが
って、熱による回路基板の変形を防止することができ
る。
【００１７】なお、以上説明した各実施形態において
は、回路基板を載置するステージのみに、又は半導体チ
ップを圧接する圧接ツールのみに加熱コイルを設けた
が、ステージと圧接ツールとの双方に加熱コイルを設け
て、それぞれ半導体チップと回路基板とを直接加熱する
構造としてもよい。
は、回路基板を載置するステージのみに、又は半導体チ
ップを圧接する圧接ツールのみに加熱コイルを設けた
が、ステージと圧接ツールとの双方に加熱コイルを設け
て、それぞれ半導体チップと回路基板とを直接加熱する
構造としてもよい。
【００１８】また、回路基板としてプリント基板を使用
したが、これに限らず、ポリイミド等からなり可撓性を
有するフイルム状の回路基板、いわゆるフレキシブル基
板(Flexible Circuit)を使用してもよい。
したが、これに限らず、ポリイミド等からなり可撓性を
有するフイルム状の回路基板、いわゆるフレキシブル基
板(Flexible Circuit)を使用してもよい。
【００１９】また、半導体チップの電極上に予め半田バ
ンプを設けた構成について説明したが、これに代えて、
導電性物質として例えばＡｇ−Ｐｄの微粒子を混入した
導電性樹脂を使用してもよく、更に、回路基板の電極上
に予め導電性物質を設けてもよい。
ンプを設けた構成について説明したが、これに代えて、
導電性物質として例えばＡｇ−Ｐｄの微粒子を混入した
導電性樹脂を使用してもよく、更に、回路基板の電極上
に予め導電性物質を設けてもよい。
【００２０】更に、回路基板と半導体チップとの電極同
士に予めＡｕめっきを施し、電極同士を圧接した状態
で、半導体チップの周囲に熱硬化性樹脂を塗布した後
に、本発明に係る半導体チップ実装用加熱装置を使用し
て熱硬化性樹脂を硬化させることもできる。この場合に
は、硬化した樹脂の応力によって、電極同士の電気的な
接続が確保される。
士に予めＡｕめっきを施し、電極同士を圧接した状態
で、半導体チップの周囲に熱硬化性樹脂を塗布した後
に、本発明に係る半導体チップ実装用加熱装置を使用し
て熱硬化性樹脂を硬化させることもできる。この場合に
は、硬化した樹脂の応力によって、電極同士の電気的な
接続が確保される。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップ実装用加
熱装置において、高周波電流による誘導加熱を使用して
半導体チップと回路基板とが加熱されるので、真に加熱
する必要がある時間だけ加熱装置が動作すればよいこと
になる。これにより、本来加熱する必要がない時間に、
加熱する必要がない領域に対して熱を輻射することがな
いので、エネルギーの浪費を抑制することができる。ま
た、加熱装置周辺の雰囲気温度の上昇が抑制されるの
で、回路基板の変形を防止することができる。したがっ
て、エネルギーの浪費を抑制し、かつ回路基板の変形を
防止する半導体チップ実装用加熱装置を提供できるとい
う、優れた実用的な効果を奏するものである。
熱装置において、高周波電流による誘導加熱を使用して
半導体チップと回路基板とが加熱されるので、真に加熱
する必要がある時間だけ加熱装置が動作すればよいこと
になる。これにより、本来加熱する必要がない時間に、
加熱する必要がない領域に対して熱を輻射することがな
いので、エネルギーの浪費を抑制することができる。ま
た、加熱装置周辺の雰囲気温度の上昇が抑制されるの
で、回路基板の変形を防止することができる。したがっ
て、エネルギーの浪費を抑制し、かつ回路基板の変形を
防止する半導体チップ実装用加熱装置を提供できるとい
う、優れた実用的な効果を奏するものである。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体チップ実
装用加熱装置を使用したフリップチップボンディングの
説明図である。
装用加熱装置を使用したフリップチップボンディングの
説明図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体チップ実
装用加熱装置を使用したフリップチップボンディングの
説明図である。
装用加熱装置を使用したフリップチップボンディングの
説明図である。
【図３】従来の半導体チップ実装用加熱装置を使用した
フリップチップボンディングの説明図である。
フリップチップボンディングの説明図である。
【符号の説明】 １ ヒータブロック（固定手段） ２Ａ，２Ｂ 加熱コイル ３ 高周波電源 ４ 回路基板 ５ 半導体チップ ６ 半田バンプ ７ ステージ（固定手段） ８ ヒータブロック（押圧手段）
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップの電極と回路基板の電極と
を電気的に接続する際に使用される半導体チップ実装用
加熱装置であって、 前記回路基板を固定する固定手段を備えるとともに、 前記固定手段は高周波電流によって誘導加熱されること
を特徴とする半導体チップ実装用加熱装置。 - 【請求項２】 半導体チップの電極と回路基板の電極と
を電気的に接続する際に使用される半導体チップ実装用
加熱装置であって、 前記回路基板を固定する固定手段と、 前記回路基板に対して前記半導体チップを圧接するため
の押圧手段とを備えるとともに、 前記押圧手段は高周波電流によって誘導加熱されること
を特徴とする半導体チップ実装用加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11065715A JP2000260826A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体チップ実装用加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11065715A JP2000260826A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体チップ実装用加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260826A true JP2000260826A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13295005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11065715A Pending JP2000260826A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体チップ実装用加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260826A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7064004B2 (en) * | 2003-12-29 | 2006-06-20 | Intel Corporation | Induction-based heating for chip attach |
| JP2007207823A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Toyota Motor Corp | はんだ接合体の製造方法および製造装置 |
| JP2010027841A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Precise Gauges Co Ltd | 電子部品装着装置 |
| KR101248164B1 (ko) | 2012-04-12 | 2013-03-27 | 인하대학교 산학협력단 | 고주파 유도가열 장치를 이용한 공융 다이 점착 시스템 |
| US8420989B2 (en) | 2008-11-11 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Coil and semiconductor apparatus having the same |
| US8796597B2 (en) | 2007-11-19 | 2014-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | In-line package apparatuses and methods |
-
1999
- 1999-03-12 JP JP11065715A patent/JP2000260826A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7064004B2 (en) * | 2003-12-29 | 2006-06-20 | Intel Corporation | Induction-based heating for chip attach |
| JP2007207823A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Toyota Motor Corp | はんだ接合体の製造方法および製造装置 |
| JP4597059B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2010-12-15 | トヨタ自動車株式会社 | はんだ接合体の製造方法および製造装置 |
| US8796597B2 (en) | 2007-11-19 | 2014-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | In-line package apparatuses and methods |
| JP2010027841A (ja) * | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Precise Gauges Co Ltd | 電子部品装着装置 |
| US8420989B2 (en) | 2008-11-11 | 2013-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Coil and semiconductor apparatus having the same |
| KR101248164B1 (ko) | 2012-04-12 | 2013-03-27 | 인하대학교 산학협력단 | 고주파 유도가열 장치를 이용한 공융 다이 점착 시스템 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6531022B1 (en) | Mounting method of semiconductor element | |
| JPH0567719A (ja) | テープキヤリアパツケージおよび高周波加熱はんだ接合装置 | |
| JP3914431B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000260826A (ja) | 半導体チップ実装用加熱装置 | |
| JPH10112478A (ja) | ボールグリッドアレイ半導体装置及びその実装方法 | |
| JP2000286302A (ja) | 半導体チップ組立方法及び組立装置 | |
| JP3026204B1 (ja) | ベアチップ実装方法 | |
| JP2004288946A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| JP4289779B2 (ja) | 半導体実装方法および半導体実装装置 | |
| JPH08222599A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| JP2002026071A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2001267366A (ja) | 半導体実装方法およびプリント回路基板 | |
| JPH0863567A (ja) | Ｉｃカード用モジュール | |
| JP3348830B2 (ja) | はんだバンプボンディング装置およびはんだバンプボンディング方法 | |
| JPH10190209A (ja) | 回路モジュールの製造方法 | |
| JP2002289644A (ja) | 半導体素子の接合方法及び接合装置 | |
| JPH0590355A (ja) | ワイヤボンデイング方法及び装置 | |
| JPH10256306A (ja) | 回路板の製造法 | |
| JP2000286301A (ja) | 半導体チップ組立方法及び組立装置 | |
| JP2000223529A (ja) | 電子回路装置及びその製造方法 | |
| JP2003324125A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000012613A (ja) | 異方性導電接着剤および電子部品の実装方法 | |
| JPH05129371A (ja) | 半導体装置の接続方法 | |
| JP2001237270A (ja) | 半導体素子の実装方法とその実装体 | |
| JPH05251504A (ja) | Ｉｃチップの実装方法 |