JPH05190603A - Ｔａｂ型半導体装置の組立装置 - Google Patents
Ｔａｂ型半導体装置の組立装置Info
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- JPH05190603A JPH05190603A JP4002119A JP211992A JPH05190603A JP H05190603 A JPH05190603 A JP H05190603A JP 4002119 A JP4002119 A JP 4002119A JP 211992 A JP211992 A JP 211992A JP H05190603 A JPH05190603 A JP H05190603A
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- end portion
- inner lead
- metal foil
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁性フィルム（11）に穿設したデバイスホ
ール（12）内に配置された半導体ペレット（１）のバン
プ電極（２）と、デバイスホール（12）内に延在した金
属箔リード（13）の内端部（13a'）とを熱圧着するＴＡ
Ｂ（Tape Automated Bonding）型半導体装置の組立装置
を改良する。具体的には、インナリード（13a）の内端
部（13a'）が加熱されても、インナリード（13a）及び
絶縁性フィルム（11）が熱膨張しないようにする。 【構成】 絶縁性フィルム（11）のデバイスホール（1
2）付近を保持し、絶縁性フィルム（11）及び金属箔リ
ード（13）を冷却するクランパを具備する。
ール（12）内に配置された半導体ペレット（１）のバン
プ電極（２）と、デバイスホール（12）内に延在した金
属箔リード（13）の内端部（13a'）とを熱圧着するＴＡ
Ｂ（Tape Automated Bonding）型半導体装置の組立装置
を改良する。具体的には、インナリード（13a）の内端
部（13a'）が加熱されても、インナリード（13a）及び
絶縁性フィルム（11）が熱膨張しないようにする。 【構成】 絶縁性フィルム（11）のデバイスホール（1
2）付近を保持し、絶縁性フィルム（11）及び金属箔リ
ード（13）を冷却するクランパを具備する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性フィルムに穿設
したデバイスホール内に配置された半導体ペレットのバ
ンプ電極と、デバイスホール内に延在した金属箔リード
の内端部とを熱圧着するＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng）型半導体装置の組立装置に関し、詳しくは、金属箔
リードの内端部が熱圧着によって加熱されても、金属箔
リード及び絶縁性フィルムが変形しないようにしたＴＡ
Ｂ型半導体装置の組立装置に関する。
したデバイスホール内に配置された半導体ペレットのバ
ンプ電極と、デバイスホール内に延在した金属箔リード
の内端部とを熱圧着するＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng）型半導体装置の組立装置に関し、詳しくは、金属箔
リードの内端部が熱圧着によって加熱されても、金属箔
リード及び絶縁性フィルムが変形しないようにしたＴＡ
Ｂ型半導体装置の組立装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】カメラ用ＩＣや液晶ディスプレイ用ドラ
イバＩＣ等の高密度実装用電子部品には、ＴＡＢ型半導
体装置が多用されている。このＴＡＢ型半導体装置
（Ａ）は、図２に示すように半導体ペレット（１）の上
面に突設したバンプ電極（２）と、半導体ペレット
（１）の周辺から放射状に配線したリード（３）とを熱
圧着したものである。
イバＩＣ等の高密度実装用電子部品には、ＴＡＢ型半導
体装置が多用されている。このＴＡＢ型半導体装置
（Ａ）は、図２に示すように半導体ペレット（１）の上
面に突設したバンプ電極（２）と、半導体ペレット
（１）の周辺から放射状に配線したリード（３）とを熱
圧着したものである。
【０００３】このようなＴＡＢ型半導体装置（Ａ）は、
図３に示すような中間構体（Ｂ）から製造される。中間
構体（Ｂ）は、長尺なＴＡＢテープ（10）と半導体ペレ
ット（１）とを一体化したものである。ＴＡＢテープ
（10）は、長尺な絶縁性フィルム（11）の中心軸に多数
のデバイスホール（12）を定ピッチに穿設し、絶縁性フ
ィルム（11）上からデバイスホール（12）内に金属箔リ
ード（13）を配線したものである。金属箔リード（13）
がデバイスホール（12）内に延在しているインナリード
（13a）の内端部（13a'）と半導体ペレット（ １）の上
面に形成したバンプ電極（２）とが熱圧着されると中間
構体（Ｂ）が完成する。
図３に示すような中間構体（Ｂ）から製造される。中間
構体（Ｂ）は、長尺なＴＡＢテープ（10）と半導体ペレ
ット（１）とを一体化したものである。ＴＡＢテープ
（10）は、長尺な絶縁性フィルム（11）の中心軸に多数
のデバイスホール（12）を定ピッチに穿設し、絶縁性フ
ィルム（11）上からデバイスホール（12）内に金属箔リ
ード（13）を配線したものである。金属箔リード（13）
がデバイスホール（12）内に延在しているインナリード
（13a）の内端部（13a'）と半導体ペレット（ １）の上
面に形成したバンプ電極（２）とが熱圧着されると中間
構体（Ｂ）が完成する。
【０００４】このようなインナリード（13a）の内端部
（13a'）と半導体ペレット（１）のバンプ電極（２）と
は図４に示すような組立装置によって熱圧着される。こ
の組立装置は、ペレットマウント位置（Ｃ）の下側で昇
降動し、半導体ペレット（１）を載置するボンディング
ステージ（21）と、ペレットマウント位置（Ｃ）の上側
で、前記ボンディングステージ（21）と対向して昇降動
し、金属箔リード（13）の内端部（13a'）を１箇所ずつ
押圧するボンディングツール（22）とを具備している。
ボンディングステージ（21）及びボンディングツール
（22）は共にヒータを内蔵し、それぞれ、半導体ペレッ
ト（１）のバンプ電極（２）及びインナリード（13a）
の内端部（13a'）を加熱するようにされている。
（13a'）と半導体ペレット（１）のバンプ電極（２）と
は図４に示すような組立装置によって熱圧着される。こ
の組立装置は、ペレットマウント位置（Ｃ）の下側で昇
降動し、半導体ペレット（１）を載置するボンディング
ステージ（21）と、ペレットマウント位置（Ｃ）の上側
で、前記ボンディングステージ（21）と対向して昇降動
し、金属箔リード（13）の内端部（13a'）を１箇所ずつ
押圧するボンディングツール（22）とを具備している。
ボンディングステージ（21）及びボンディングツール
（22）は共にヒータを内蔵し、それぞれ、半導体ペレッ
ト（１）のバンプ電極（２）及びインナリード（13a）
の内端部（13a'）を加熱するようにされている。
【０００５】次に、このような組立装置によって、イン
ナリード（13a）の内端部（13a'）と半導体ペレット
（１）のバンプ電極（２）とを一体化する方法について
説明する。先ず、ボンディングステージ（21）上に半導
体ペレット（１）を位置決め載置し、半導体ペレット
（１）を加熱する。同時に、ＴＡＢテープ（10）を長さ
方向に間歇送りし、ＴＡＢテープ（10）のデバイスホー
ル（12）をペレットマウント位置（Ｃ）に対応させる。
そして、ボンディングステージ（21）を上昇して半導体
ペレット（１）をデバイスホール（12）内に配置し、イ
ンナリード（13a）の内端部（13a'）と半導体ペレット
（１）のバンプ電極（２）とを重合する。次に、ボンデ
ィングツール（22）を下降して、ボンディングツール
（22）の下面を１本のインナリード（13a）の内端部（1
3a'）に押圧し、インナリード（13a）の内端部（13a'）
を加熱して、バンプ電極（２）に熱圧着する。その１本
のインナリード（13a）の内端部（13a'）がバンプ電極
（２）と熱圧着されると、ボンディングツール（22）を
インナリード（13a）の１ピッチ分移動し、次のインナ
リード（13a）の内端部（13a'）をバンプ電極（２）に
熱圧着する。このようにして全てのインナリード（13
a）の内 端部（13a'）とバンプ電極（２）とが熱圧着さ
れると、ボンディングステージ（21）を下降すると共に
ボンディングツール（22）を上昇し、半導体ペレット
（１）を一体化したＴＡＢテープ（10）を間歇送りす
る。そして、ボンディングステージ（21）上に、次の新
たな半導体ペレット（１）を位置決め載置し、デバイス
ホール（12）をペレットマウント位置（Ｃ）に対応する
ようにＴＡＢテープ（10）を間歇送りし、上記動作を繰
り返す。
ナリード（13a）の内端部（13a'）と半導体ペレット
（１）のバンプ電極（２）とを一体化する方法について
説明する。先ず、ボンディングステージ（21）上に半導
体ペレット（１）を位置決め載置し、半導体ペレット
（１）を加熱する。同時に、ＴＡＢテープ（10）を長さ
方向に間歇送りし、ＴＡＢテープ（10）のデバイスホー
ル（12）をペレットマウント位置（Ｃ）に対応させる。
そして、ボンディングステージ（21）を上昇して半導体
ペレット（１）をデバイスホール（12）内に配置し、イ
ンナリード（13a）の内端部（13a'）と半導体ペレット
（１）のバンプ電極（２）とを重合する。次に、ボンデ
ィングツール（22）を下降して、ボンディングツール
（22）の下面を１本のインナリード（13a）の内端部（1
3a'）に押圧し、インナリード（13a）の内端部（13a'）
を加熱して、バンプ電極（２）に熱圧着する。その１本
のインナリード（13a）の内端部（13a'）がバンプ電極
（２）と熱圧着されると、ボンディングツール（22）を
インナリード（13a）の１ピッチ分移動し、次のインナ
リード（13a）の内端部（13a'）をバンプ電極（２）に
熱圧着する。このようにして全てのインナリード（13
a）の内 端部（13a'）とバンプ電極（２）とが熱圧着さ
れると、ボンディングステージ（21）を下降すると共に
ボンディングツール（22）を上昇し、半導体ペレット
（１）を一体化したＴＡＢテープ（10）を間歇送りす
る。そして、ボンディングステージ（21）上に、次の新
たな半導体ペレット（１）を位置決め載置し、デバイス
ホール（12）をペレットマウント位置（Ｃ）に対応する
ようにＴＡＢテープ（10）を間歇送りし、上記動作を繰
り返す。
【０００６】全てのデバイスホール（12）内に延在して
いるインナリード（13a）の内端部（13a'）と半導体ペ
レット（１）のバンプ電極（２）とがこのようにして熱
圧着されると、中間構体（Ｂ）が完成する。インナリー
ド（13a）の絶縁性フィルム（11）側の基端部（13a''
）を切断すると、ＴＡＢ型半導体装置（Ａ）が完成す
る。
いるインナリード（13a）の内端部（13a'）と半導体ペ
レット（１）のバンプ電極（２）とがこのようにして熱
圧着されると、中間構体（Ｂ）が完成する。インナリー
ド（13a）の絶縁性フィルム（11）側の基端部（13a''
）を切断すると、ＴＡＢ型半導体装置（Ａ）が完成す
る。
【０００７】このＴＡＢ型半導体装置（Ａ）のインナリ
ード（13a）とプリント基板（図示せず）の配線パター
ン（図示せず）とをアウタボンディングすることによっ
て、ＴＡＢ型半導体装置（Ａ）がプリント板の導電ラン
ド上（図示せず）に実装される。
ード（13a）とプリント基板（図示せず）の配線パター
ン（図示せず）とをアウタボンディングすることによっ
て、ＴＡＢ型半導体装置（Ａ）がプリント板の導電ラン
ド上（図示せず）に実装される。
【０００８】尚、ボンディングツール（22）には、図４
の仮想線に示すように、多数本の金属箔リード（13）を
一括して熱圧着する大型のタイプもある。
の仮想線に示すように、多数本の金属箔リード（13）を
一括して熱圧着する大型のタイプもある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】インナリード（13a）
の内端部（13a'）はバンプ電極（２）上に重合された状
態でボンディングツール（22）に押圧され、他方、イン
ナリード（13a）の基端部（13a''）は金 属箔リード（1
3）が絶縁性フィルム（11）上に貼着されているため、
インナリード（13a）の両端が固定された状態にある。
このような両端固定のインナリード（13a）の内端部（1
3a'）がボンディングツール（22）によって加熱される
と、インナリード（13a）が自由に伸長できないことか
らインナリード（13a）に熱応力が発生する。この熱応
力によってインナリード（13a）が撓んで変形すること
があった。すると、インナリード（13a）の内端部（13
a'）と半導体ペレット（１）のバンプ電極（２）との全
ての熱圧着が終了し、インナリード（13a）が常温に戻
ると、インナリード（13a）は変形したまま収縮するこ
とがあった。インナリード（13a）が変形していると、
ＴＡＢ型半導体装置（Ａ）をプリント基板のランド部上
に実装する際に、インナリード（13a）と配線パターン
とが接合せず、アウタボンディングができなかったり、
或いは、隣接するインナリード（13a）同志 が短絡して
アウタボンディングされるといった不具合があった。
の内端部（13a'）はバンプ電極（２）上に重合された状
態でボンディングツール（22）に押圧され、他方、イン
ナリード（13a）の基端部（13a''）は金 属箔リード（1
3）が絶縁性フィルム（11）上に貼着されているため、
インナリード（13a）の両端が固定された状態にある。
このような両端固定のインナリード（13a）の内端部（1
3a'）がボンディングツール（22）によって加熱される
と、インナリード（13a）が自由に伸長できないことか
らインナリード（13a）に熱応力が発生する。この熱応
力によってインナリード（13a）が撓んで変形すること
があった。すると、インナリード（13a）の内端部（13
a'）と半導体ペレット（１）のバンプ電極（２）との全
ての熱圧着が終了し、インナリード（13a）が常温に戻
ると、インナリード（13a）は変形したまま収縮するこ
とがあった。インナリード（13a）が変形していると、
ＴＡＢ型半導体装置（Ａ）をプリント基板のランド部上
に実装する際に、インナリード（13a）と配線パターン
とが接合せず、アウタボンディングができなかったり、
或いは、隣接するインナリード（13a）同志 が短絡して
アウタボンディングされるといった不具合があった。
【００１０】また、インナリード（13a）の内端部（13
a'）が加熱されると、その熱がインナリード（13a）か
ら絶縁性フィルム（11）上の金属箔リード（13）に伝熱
される。この金属箔リード（13）の熱が絶縁性フィルム
（11）を膨張させる。１本ごとにインナリード（13a）
を加熱すると、その度に絶縁性フィルム（11）が部分的
に膨張し、リードピッチが変化すると共に、インナリー
ド（13a）の内端部（13a'）が位置ずれするため、イン
ナリード（13a）の内端部（13a'）を半導体ペレット
（１）のバンプ電極（２）に熱圧着できなくなることが
あった。
a'）が加熱されると、その熱がインナリード（13a）か
ら絶縁性フィルム（11）上の金属箔リード（13）に伝熱
される。この金属箔リード（13）の熱が絶縁性フィルム
（11）を膨張させる。１本ごとにインナリード（13a）
を加熱すると、その度に絶縁性フィルム（11）が部分的
に膨張し、リードピッチが変化すると共に、インナリー
ド（13a）の内端部（13a'）が位置ずれするため、イン
ナリード（13a）の内端部（13a'）を半導体ペレット
（１）のバンプ電極（２）に熱圧着できなくなることが
あった。
【００１１】さらに、絶縁性フィルム（11）の熱膨張に
より、熱圧着されるインナリード（13a）の長さが１本
ごとに異なってしまうことがある。すると、インナリー
ド（13a）の内端部（13a'）と半導体ペレット（１）の
バンプ電極（２）との熱圧着が終了し、インナリード
（13a）が常温まで戻った際に、インナリード（13a）の
収縮量が１本ごとに異なり、収縮量 の大きなインナリ
ード（13a）が半導体ペレット（１）を引っ張り、半導
体ペレット（１）がデバイスホール（12）内で傾斜した
姿勢となることがあった。すると、インナリード（13
a）の基端部（13a''）を切断した際に、インナリード
（13a）が変形し、ＴＡＢ型半 導体装置（Ａ）をプリン
ト基板のランド部上に実装することが困難となるといっ
た不具合があった。
より、熱圧着されるインナリード（13a）の長さが１本
ごとに異なってしまうことがある。すると、インナリー
ド（13a）の内端部（13a'）と半導体ペレット（１）の
バンプ電極（２）との熱圧着が終了し、インナリード
（13a）が常温まで戻った際に、インナリード（13a）の
収縮量が１本ごとに異なり、収縮量 の大きなインナリ
ード（13a）が半導体ペレット（１）を引っ張り、半導
体ペレット（１）がデバイスホール（12）内で傾斜した
姿勢となることがあった。すると、インナリード（13
a）の基端部（13a''）を切断した際に、インナリード
（13a）が変形し、ＴＡＢ型半 導体装置（Ａ）をプリン
ト基板のランド部上に実装することが困難となるといっ
た不具合があった。
【００１２】そこで、本発明はインナリードの内端部が
加熱されても、インナリード及び絶縁性フィルム熱膨張
しないようにしたＴＡＢ型半導体装置の組立装置を提供
することを目的とする。
加熱されても、インナリード及び絶縁性フィルム熱膨張
しないようにしたＴＡＢ型半導体装置の組立装置を提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、絶縁性フィルムに穿設したデバイスホール内に半導
体ペレットを配置し、絶縁性フィルム上からデバイスホ
ール内に延在した金属箔リードの内端部と半導体ペレッ
ト上のバンプ電極とを重合して熱圧着するＴＡＢ型半導
体装置の組立装置において、上記絶縁性フィルムのデバ
イスホール付近を保持し、絶縁性フィルム及び金属箔リ
ードを冷却するクランパを具備したことを特徴とするＴ
ＡＢ型半導体装置の組立装置を提供する。
め、絶縁性フィルムに穿設したデバイスホール内に半導
体ペレットを配置し、絶縁性フィルム上からデバイスホ
ール内に延在した金属箔リードの内端部と半導体ペレッ
ト上のバンプ電極とを重合して熱圧着するＴＡＢ型半導
体装置の組立装置において、上記絶縁性フィルムのデバ
イスホール付近を保持し、絶縁性フィルム及び金属箔リ
ードを冷却するクランパを具備したことを特徴とするＴ
ＡＢ型半導体装置の組立装置を提供する。
【００１４】
【作用】上記手段によれば、金属箔リードの内端部が加
熱されても、絶縁性フィルムのデバイスホール付近がク
ランパによって冷却されているから、金属箔リードは熱
膨張せず、金属箔リードが伸長することはなく、また、
絶縁性フィルムが部分的に熱膨張しないため、リードピ
ッチが変化することもない。
熱されても、絶縁性フィルムのデバイスホール付近がク
ランパによって冷却されているから、金属箔リードは熱
膨張せず、金属箔リードが伸長することはなく、また、
絶縁性フィルムが部分的に熱膨張しないため、リードピ
ッチが変化することもない。
【００１５】
【実施例】本発明に係る一実施例を図１を参照しながら
説明する。但し、従来と同一部分は同一符号を附して、
その説明を省略する。
説明する。但し、従来と同一部分は同一符号を附して、
その説明を省略する。
【００１６】本発明に係るＴＡＢ型半導体装置（Ａ）の
組立装置は、ペレットマウント位置（Ｃ）に、絶縁性フ
ィルム（11）のデバイスホール（12）付近を保持し、絶
縁性フィルム（11）及び金属箔リード（13）を冷却する
下クランパ（23）と上クランパ（24）とを配置すること
を特徴とする。下クランパ（23）には、例えば、空気や
冷水等の冷媒を循環させる通路（23a）を穿設する。
組立装置は、ペレットマウント位置（Ｃ）に、絶縁性フ
ィルム（11）のデバイスホール（12）付近を保持し、絶
縁性フィルム（11）及び金属箔リード（13）を冷却する
下クランパ（23）と上クランパ（24）とを配置すること
を特徴とする。下クランパ（23）には、例えば、空気や
冷水等の冷媒を循環させる通路（23a）を穿設する。
【００１７】本発明に係るＴＡＢ型半導体装置（Ａ）の
組立装置は以上のように構成され、次に、本装置によっ
てインナリード（13a）の内端部（13a'）と半導体ペレ
ット（１）のバンプ電極（２）とを熱圧着する方法につ
いて説明する。
組立装置は以上のように構成され、次に、本装置によっ
てインナリード（13a）の内端部（13a'）と半導体ペレ
ット（１）のバンプ電極（２）とを熱圧着する方法につ
いて説明する。
【００１８】ＴＡＢテープ（10）を間歇送りし、デバイ
スホール（12）をペレットマウント位置（Ｃ）に対応さ
せると、下クランパ（23）と上クランパ（24）とによっ
てＴＡＢテープ（10）を保持し、下クランパ（23）の通
路（23a）内に冷媒を循環させる。そして、ボンディン
グステージ（21）上の半導体ペレット（１）をＴＡＢテ
ープ（10）のデバイスホール（12）内に配置し、半導体
ペレット（１）のバンプ電極（２）をデバイスホール
（12）内に延在しているインナリード（13a）の内端部
（13a'）に重合する。次に、ボンディングツール（22）
を下降して、半導体ペレット（１）のバンプ電極（２）
とインナリード（13a） の内端部（13a'）とを１箇所ず
つ熱圧着する。
スホール（12）をペレットマウント位置（Ｃ）に対応さ
せると、下クランパ（23）と上クランパ（24）とによっ
てＴＡＢテープ（10）を保持し、下クランパ（23）の通
路（23a）内に冷媒を循環させる。そして、ボンディン
グステージ（21）上の半導体ペレット（１）をＴＡＢテ
ープ（10）のデバイスホール（12）内に配置し、半導体
ペレット（１）のバンプ電極（２）をデバイスホール
（12）内に延在しているインナリード（13a）の内端部
（13a'）に重合する。次に、ボンディングツール（22）
を下降して、半導体ペレット（１）のバンプ電極（２）
とインナリード（13a） の内端部（13a'）とを１箇所ず
つ熱圧着する。
【００１９】このとき、ボンディングツール（22）によ
ってインナリード（13a）の内端部（13a'）が加熱され
ても、下クランパ（23）内に冷媒が循環し、絶縁性フィ
ルム（11）が冷却されているから、絶縁性フィルム（1
1）上の金属箔リード（13）も冷却され、高温のインナ
リード（13a）の内端部から基端部（13a''）を経て金属
箔リード（13）へ熱が逃げる。従って、インナリード
（13a）は熱膨張せず、インナリード（13a）が内端部
（13a'）と基端部（13a''）とで両端固定されていて
も、インナリード（13a）に熱応力は生じないから、イ
ンナリード（13a）が撓んで変形することがない。
ってインナリード（13a）の内端部（13a'）が加熱され
ても、下クランパ（23）内に冷媒が循環し、絶縁性フィ
ルム（11）が冷却されているから、絶縁性フィルム（1
1）上の金属箔リード（13）も冷却され、高温のインナ
リード（13a）の内端部から基端部（13a''）を経て金属
箔リード（13）へ熱が逃げる。従って、インナリード
（13a）は熱膨張せず、インナリード（13a）が内端部
（13a'）と基端部（13a''）とで両端固定されていて
も、インナリード（13a）に熱応力は生じないから、イ
ンナリード（13a）が撓んで変形することがない。
【００２０】また、絶縁性フィルム（11）及び絶縁性フ
ィルム（11）上の金属箔リード（13）が冷却されて、絶
縁性フィルム（11）が熱膨張することがないため、ボン
ディングツール（22）によってインナリード（13a）の
内端部（13a'）を１本ごとに熱圧着しても、そのインナ
リード（13a）のピッチが変化することがなく、また、
インナリード（13a）が伸長することもない。従って、
インナリード（13a）の内端部（13a'）を所定の箇所で
半導体ペレット（１）のバンプ電極（２）と熱圧着する
ことができる。
ィルム（11）上の金属箔リード（13）が冷却されて、絶
縁性フィルム（11）が熱膨張することがないため、ボン
ディングツール（22）によってインナリード（13a）の
内端部（13a'）を１本ごとに熱圧着しても、そのインナ
リード（13a）のピッチが変化することがなく、また、
インナリード（13a）が伸長することもない。従って、
インナリード（13a）の内端部（13a'）を所定の箇所で
半導体ペレット（１）のバンプ電極（２）と熱圧着する
ことができる。
【００２１】全てのインナリード（13a）とバンプ電極
（２）とを熱圧着すると、ボンディングステージ（21）
を下降して、次の新たな半導体ペレット（１）をボンデ
ィングステージ（21）上に位置決め載置する。他方、下
クランパ（23）と上クランパ（24）は、インナリード
（13a）の内端部（13a'）が常温に戻り、絶縁性フィル
ム（11）上の金属箔リード（13）乃至絶縁性フィルム
（11）が加熱されないようになった状態で、絶縁性フィ
ルム（11）の保持を開放する。そして、絶縁性フィルム
（11）を間歇送りして、上記動作を繰り返すと、インナ
リード（13a）が変形しないで半導体ペレット（１）の
バンプ電極（２）を熱圧着した中間構体（Ｂ）が完成す
る。この中間構体（Ｂ）のインナリード（13a）の基端
部（13a''）を切断すると、図２に示すようなＴＡＢ型
半導体装置（Ａ）を得る。
（２）とを熱圧着すると、ボンディングステージ（21）
を下降して、次の新たな半導体ペレット（１）をボンデ
ィングステージ（21）上に位置決め載置する。他方、下
クランパ（23）と上クランパ（24）は、インナリード
（13a）の内端部（13a'）が常温に戻り、絶縁性フィル
ム（11）上の金属箔リード（13）乃至絶縁性フィルム
（11）が加熱されないようになった状態で、絶縁性フィ
ルム（11）の保持を開放する。そして、絶縁性フィルム
（11）を間歇送りして、上記動作を繰り返すと、インナ
リード（13a）が変形しないで半導体ペレット（１）の
バンプ電極（２）を熱圧着した中間構体（Ｂ）が完成す
る。この中間構体（Ｂ）のインナリード（13a）の基端
部（13a''）を切断すると、図２に示すようなＴＡＢ型
半導体装置（Ａ）を得る。
【００２２】以上は本発明に係る一実施例を説明したも
ので、本発明は上記実施例に限定することなく本発明の
要旨内において設計変更することができる。例えば、下
クランパ（23）に、冷媒を循環させる通路（23a）に代
え、図１の仮想線に示すように、ペルチェ素子（25）を
下クランパ（23）の下面に添着し、下クランパ（23）を
間接的に冷却するようにしてもよい。また、本発明を実
施するボンディングツール（22）は、半導体ペレット
（１）を１本ずつバンプ電極（２）に熱圧着するタイプ
だけでなく、多数本のインナリード（13a）を多数個の
バンプ電極（２）に一括して熱圧着するタイプにも同様
に実施することができる。
ので、本発明は上記実施例に限定することなく本発明の
要旨内において設計変更することができる。例えば、下
クランパ（23）に、冷媒を循環させる通路（23a）に代
え、図１の仮想線に示すように、ペルチェ素子（25）を
下クランパ（23）の下面に添着し、下クランパ（23）を
間接的に冷却するようにしてもよい。また、本発明を実
施するボンディングツール（22）は、半導体ペレット
（１）を１本ずつバンプ電極（２）に熱圧着するタイプ
だけでなく、多数本のインナリード（13a）を多数個の
バンプ電極（２）に一括して熱圧着するタイプにも同様
に実施することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁性フィルムを保持
するクランパによって、絶縁性フィルム乃至インナリー
ドの基端部が冷却されるため、絶縁性フィルム乃至イン
ナリードが膨張しない。そこで、インナリードが変形し
ないため、ＴＡＢ型半導体装置をプリント基板の導電ラ
ンド部に実装する際に、インナリードとプリント基板の
配線パターンとが確実に接合する。このため、リードを
矯正する手間が省かれ、ＴＡＢ型半導体装置をプリント
基板の導電ランド部に実装する作業性が向上する。
するクランパによって、絶縁性フィルム乃至インナリー
ドの基端部が冷却されるため、絶縁性フィルム乃至イン
ナリードが膨張しない。そこで、インナリードが変形し
ないため、ＴＡＢ型半導体装置をプリント基板の導電ラ
ンド部に実装する際に、インナリードとプリント基板の
配線パターンとが確実に接合する。このため、リードを
矯正する手間が省かれ、ＴＡＢ型半導体装置をプリント
基板の導電ランド部に実装する作業性が向上する。
【図１】本発明に係るＴＡＢ型半導体装置の組立装置の
断面図。
断面図。
【図２】ＴＡＢ型半導体装置の斜視図。
【図３】ＴＡＢテープ乃至中間構体の斜視図。
【図４】従来のＴＡＢ型半導体装置の組立装置の断面
図。
図。
Ａ ＴＡＢ型半導体装置 １ 半導体ペレット ２ バンプ電極 10 ＴＡＢテープ 11 絶縁性フィルム 12 デバイスホール 13 金属箔リード 13a' 内端部 23 下クランパ 24 上クランパ 25 通路
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性フィルムに穿設したデバイスホール
内に半導体ペレットを配置し、絶縁性フィルム上からデ
バイスホール内に延在した金属箔リードの内端部と半導
体ペレット上のバンプ電極とを重合して熱圧着するＴＡ
Ｂ型半導体装置の組立装置において、 上記絶縁性フィルムのデバイスホール付近を保持し、絶
縁性フィルム及び金属箔リードを冷却するクランパを具
備したことを特徴とするＴＡＢ型半導体装置の組立装
置。 - 【請求項２】絶縁性フィルムのデバイスホール付近を保
持するクランパに、冷媒を循環させる通路を形成したこ
とを特徴とする請求項１に記載のＴＡＢ型半導体装置の
組立装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4002119A JPH05190603A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | Ｔａｂ型半導体装置の組立装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4002119A JPH05190603A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | Ｔａｂ型半導体装置の組立装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190603A true JPH05190603A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11520465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4002119A Pending JPH05190603A (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | Ｔａｂ型半導体装置の組立装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190603A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685006A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-25 | Nec Corp | インナーリードボンダ |
| FR2733354A1 (fr) * | 1995-04-24 | 1996-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | Appareil de soudage de connexions interieures comportant un moyen de dissipation de chaleur, et procede de soudage utilisant cet appareil |
| JP2010267802A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sharp Corp | 半導体装置の製造装置および製造方法、ならびに半導体装置 |
| CN110340549A (zh) * | 2018-04-02 | 2019-10-18 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 用于将电池箔激光焊接到电池极耳上的夹持系统和方法 |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP4002119A patent/JPH05190603A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685006A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-25 | Nec Corp | インナーリードボンダ |
| FR2733354A1 (fr) * | 1995-04-24 | 1996-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | Appareil de soudage de connexions interieures comportant un moyen de dissipation de chaleur, et procede de soudage utilisant cet appareil |
| CN1050931C (zh) * | 1995-04-24 | 2000-03-29 | 三星电子株式会社 | 一种内引线焊接设备 |
| JP2010267802A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sharp Corp | 半導体装置の製造装置および製造方法、ならびに半導体装置 |
| CN110340549A (zh) * | 2018-04-02 | 2019-10-18 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 用于将电池箔激光焊接到电池极耳上的夹持系统和方法 |
| CN110340549B (zh) * | 2018-04-02 | 2021-08-10 | 通用汽车环球科技运作有限责任公司 | 用于将电池箔激光焊接到电池极耳上的夹持系统和方法 |
| US11095004B2 (en) | 2018-04-02 | 2021-08-17 | GM Global Technology Operations LLC | Clamping system and method for laser welding battery foils to a battery tab |
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